CN116180079B - 一种解决覆铜陶瓷载板高温下瓷片裂纹的方法 - Google Patents
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- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 75
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 238000005336 cracking Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 16
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 29
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 25
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 15
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 9
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 7
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 4
- 239000000969 carrier Substances 0.000 abstract 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- BYFGZMCJNACEKR-UHFFFAOYSA-N aluminium(i) oxide Chemical compound [Al]O[Al] BYFGZMCJNACEKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
- F27B—FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
- F27B9/00—Furnaces through which the charge is moved mechanically, e.g. of tunnel type; Similar furnaces in which the charge moves by gravity
- F27B9/12—Furnaces through which the charge is moved mechanically, e.g. of tunnel type; Similar furnaces in which the charge moves by gravity with special arrangements for preheating or cooling the charge
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
- F27B—FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
- F27B9/00—Furnaces through which the charge is moved mechanically, e.g. of tunnel type; Similar furnaces in which the charge moves by gravity
- F27B9/04—Furnaces through which the charge is moved mechanically, e.g. of tunnel type; Similar furnaces in which the charge moves by gravity adapted for treating the charge in vacuum or special atmosphere
- F27B9/045—Furnaces with controlled atmosphere
- F27B9/047—Furnaces with controlled atmosphere the atmosphere consisting of protective gases
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
- F27B—FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
- F27B9/00—Furnaces through which the charge is moved mechanically, e.g. of tunnel type; Similar furnaces in which the charge moves by gravity
- F27B9/12—Furnaces through which the charge is moved mechanically, e.g. of tunnel type; Similar furnaces in which the charge moves by gravity with special arrangements for preheating or cooling the charge
- F27B2009/124—Cooling
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
- F27M—INDEXING SCHEME RELATING TO ASPECTS OF THE CHARGES OR FURNACES, KILNS, OVENS OR RETORTS
- F27M2003/00—Type of treatment of the charge
- F27M2003/08—Curing; Baking
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
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- Organic Chemistry (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
Abstract
本发明公开了一种解决覆铜陶瓷载板高温下瓷片裂纹的方法，涉及覆铜陶瓷载板加工领域，旨在解决覆铜陶瓷载板会产生裂纹的问题，其技术方案要点是：一种解决覆铜陶瓷载板高温下瓷片裂纹的方法，在覆铜陶瓷基板制备时至少包括以下步骤：其一、覆铜陶瓷基板在图形转移时在图形面上增加若干蚀刻孔；其二、覆铜陶瓷基板制作完成后将其放在治具上进行阶梯高温烘烤，烘烤温度≥70℃。本发明的一种解决覆铜陶瓷载板高温下瓷片裂纹的方法能够有效避免覆铜陶瓷载板产生裂纹，使覆铜陶瓷载板成品率高。
Description
技术领域
本发明涉及覆铜陶瓷基板加工领域，更具体地说，它涉及一种解决覆铜陶瓷载板高温下瓷片裂纹的方法。
背景技术
在DCB的生产工艺中，陶瓷的金属化过程尤为重要。因为Al2O3—DBC工艺的重点就是在基板的制备过程中，有效地控制铜箔与氧化铝陶瓷界面上共晶液相的产生、分布以及降温过程的固化行为。铜的热膨胀系数比瓷片要大得多，在覆接温度(1065℃-1083℃)下，铜的膨胀比瓷片的膨胀要大得多，铜片的膨胀会附加给瓷片一个外力，会给产品带来一定程度的翘曲，增加了覆铜陶瓷载板的使用局限性，会在一定程度上破坏瓷片的内部结构，带来瓷片裂纹，影响产品性能。
因此需要提出一种方案来解决这个问题。
发明内容
针对现有技术存在的不足，本发明的目的在于提供一种解决覆铜陶瓷载板高温下瓷片裂纹的方法，通过在图形转移时增加蚀刻孔，并经过高温烘烤，从而解决瓷片产生裂纹的问题。
本发明的上述技术目的是通过以下技术方案得以实现的：一种解决覆铜陶瓷载板高温下瓷片裂纹的方法，在覆铜陶瓷基板制备时至少包括以下步骤：其一、覆铜陶瓷基板在图形转移时在图形面增加若干蚀刻孔；其二、覆铜陶瓷基板制作完成后将其放在治具上进行阶梯高温烘烤，烘烤温度≥70℃。
本发明进一步设置为：在其一步骤中，蚀刻孔所处位置为大于4平方毫米的铜岛上，蚀刻孔之间的距离为0.5-2cm，铜厚为h，则每个蚀刻孔顶部距离最低点距离为0.5h-h，蚀刻孔的孔径为0.2-1.0mm。
本发明进一步设置为：在其二步骤中，高温烘烤包括在具有稀有气体保护的隧道炉内进行。
本发明进一步设置为：所述隧道炉至少包括进料口、马弗区、冷却区以及出料口，其中马弗区包含11个温区，每个温区长度为8-15inch。
本发明进一步设置为：所述11个温区分为升温区1-4区，恒温区5-8区，降温区9-11区。
本发明进一步设置为：其中升温1区温度为100±20℃，升温2区温度为200±20℃，升温3区温度为300±20℃，升温4区温度为360±40℃；恒温5-8区温度为360±40℃；冷却9区温度为300±20℃，冷却10区温度为200±20℃，冷却11区温度为100±20℃。
本发明进一步设置为：所述隧道炉的进料口，出料口，升温区，恒温区，降温区均通入稀有气体。
本发明进一步设置为：所述稀有气体为氮气，其中进出料口的氮气流量为70±10L/min，升温区和降温区的的氮气流量为50±10L/min，恒温区的氮气流量为30±10L/min。
本发明进一步设置为：所述隧道炉的运转带速为2.0±1inch/min。
本发明进一步设置为：所述治具包括底部垫片和顶部压板，所述底部垫片为洁净的氧化铝瓷片，顶部压板为石英板，所述石英板的压板重量根据覆铜陶瓷载板的瓷片厚度进行调整，重量范围为5-10kg。
综上所述，本发明具有以下有益效果：通过图形转移时在铜片上蚀刻若干个应力释放孔，减少内应力的过度集中，同时配合在阶梯高温下烘烤消除铜瓷之间热膨胀系数不同带来的应力，从而避免瓷片发生裂纹。
附图说明
图1为未加蚀刻孔的陶瓷覆铜载板；
图2为加蚀刻孔的覆铜陶瓷载板；
图3为覆铜陶瓷载板经过一次高温后的放大图；
图4为本发明经过五次加热后的覆铜陶瓷载板的放大图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例，对本发明进行详细描述。
本发明基于覆铜陶瓷基板的加工工艺，包括覆铜陶瓷的烧结-图形转移(贴膜、曝光、蚀刻)-切割。
本技术方案主要包括两步：第一步，覆铜陶瓷基板在图形转移时在图形面增加若干蚀刻孔；第二步，覆铜陶瓷载板制作完成后，即切割工艺完成后，将其放在特定的治具上在隧道炉内以一定的温度和气氛下进行阶梯高温烘烤。
具体要求如下：
第一步中所提到的蚀刻孔所处位置为大于4平方毫米的铜岛上，当存在小于4平方毫米的铜岛时可以不进行蚀刻孔，铜岛即覆铜陶瓷基板表面的铜片，在铜片上进行蚀刻出孔，蚀刻孔之间的距离为0.5-2cm，当铜片的厚度为h，则每个蚀刻孔顶部距离最低点距离为0.5h-h，蚀刻孔的孔径为0.2-1.0mm。
第二步中所提到的隧道炉为具有氮气保护的隧道炉，也可以是其他稀有气体，整个隧道炉分为进料口，出料口，马弗区和冷却区，马弗区包含11个温区，每个温区长度为8-15inch，每个温区的充入一定流量的稀有气体作为保护气体。
其中，隧道炉11个温区分为升温区1-4区，恒温区5-8区，降温区9-11区，其中升温1区温度为100±20℃，升温2区温度为200±20℃，升温3区温度为300±20℃，升温4区温度为360±40℃；恒温5-8区温度为360±40℃；冷却9区温度为300±20℃，冷却10区温度为200±20℃，冷却10区温度为100±20℃。
而隧道炉进料口，出料口，升温区，恒温区，进出料口的氮气流量为70±10L/min，升温区和降温区的氮气流量为50±10L/min，恒温区的氮气流量为30±10L/min。
同时，隧道炉的运转带速为2.0±1inch/min。
在第二步中所提到的特定的治具分为两部分：底部垫片和顶部压板，底部垫片为洁净的氧化铝瓷片，顶部压板为一定重量的石英板，压板重量根据覆铜陶瓷载板的瓷片厚度进行调整，重量范围为5-10kg。
以下做具体的说明：
参照图1，为普通覆铜陶瓷载板的外观。
在图1所示的铜岛上增加图2所示的蚀刻孔，蚀刻孔的长0.6mm，宽0.3mm。
在完成蚀刻以及切割后得到制备好的覆铜陶瓷载板。
将切割后具有蚀刻孔的覆铜陶瓷载板均匀的放在氧化铝垫片上，顶部放置重量为7Kg的顶部压板，以2.5inch/min的带速在隧道炉中平稳的烘烤。
其中升温1区温度为95℃，升温2区温度为200℃，升温3区温度为310℃，升温4区温度为360℃；恒温5-8区温度为360℃；冷却9区温度为310℃，冷却10区温度为200℃，冷却10区温度为90℃。
其中进出料口的氮气流量为70L/min；升温区和降温区的氮气流量为50L/min，恒温区的氮气流量为30L/min。
烘烤完成后得到本发明的覆铜陶瓷载板。
如图4为烘烤后的覆铜陶瓷载板在经5次高温(330℃)加热过程后通过电子显微镜看到的状态，可以看到没有瓷裂发生。
作为对比，图3没有蚀刻孔且没有经过隧道炉高温烘烤步骤的覆铜陶瓷载板在经过一次高温(330℃)加热过程后的表面状态，经过电子显微镜放大后可以看出具有裂纹。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，本发明的保护范围并不仅局限于上述实施例，凡属于本发明思路下的技术方案均属于本发明的保护范围。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理前提下的若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (8)
1.一种解决覆铜陶瓷载板高温下瓷片裂纹的方法，其特征在于，在覆铜陶瓷基板制备时至少包括以下步骤：其一、覆铜陶瓷基板在图形转移时在图形面上增加若干蚀刻孔；其二、覆铜陶瓷基板制作完成后将其放在治具上进行阶梯高温烘烤，烘烤温度≥70℃；
在其一步骤中，蚀刻孔所处位置为大于4平方毫米的铜岛上，蚀刻孔之间的距离为0.5-2cm，铜厚为h，则每个蚀刻孔顶部距离最低点距离为0.5h-h，蚀刻孔的孔径为0.2-1.0mm；
在其二步骤中，阶梯高温烘烤包括在具有稀有气体保护的隧道炉内进行。
2.根据权利要求1所述的一种解决覆铜陶瓷载板高温下瓷片裂纹的方法，其特征在于：所述隧道炉至少包括进料口、马弗区、冷却区以及出料口，其中马弗区包含11个温区，每个温区长度为8-15inch。
3.根据权利要求2所述的一种解决覆铜陶瓷载板高温下瓷片裂纹的方法，其特征在于：所述11个温区分为升温区1-4区，恒温区5-8区，降温区9-11区。
4.根据权利要求3所述的一种解决覆铜陶瓷载板高温下瓷片裂纹的方法，其特征在于：其中升温1区温度为100±20℃，升温2区温度为200±20℃，升温3区温度为300±20℃，升温4区温度为360±40℃；恒温5-8区温度为360±40℃；冷却9区温度为300±20℃，冷却10区温度为200±20℃，冷却11区温度为100±20℃。
5.根据权利要求2所述的一种解决覆铜陶瓷载板高温下瓷片裂纹的方法，其特征在于：所述隧道炉的进料口，出料口，升温区，恒温区，降温区均通入稀有气体。
6.根据权利要求5所述的一种解决覆铜陶瓷载板高温下瓷片裂纹的方法，其特征在于：所述稀有气体为氮气，其中进出料口的氮气流量为70±10L/min，升温区和降温区的氮气流量为50±10L/min，恒温区的氮气流量为30±10L/min。
7.根据权利要求1所述的一种解决覆铜陶瓷载板高温下瓷片裂纹的方法，其特征在于：所述隧道炉的运转带速为2.0±1 inch/min。
8.根据权利要求1所述的一种解决覆铜陶瓷载板高温下瓷片裂纹的方法，其特征在于：所述治具包括底部垫片和顶部压板，所述底部垫片为洁净的氧化铝瓷片，顶部压板为石英板，所述石英板的压板重量根据覆铜陶瓷载板的瓷片厚度进行调整，重量范围为5-10kg。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202310246975.1A CN116180079B (zh) | 2023-03-15 | 2023-03-15 | 一种解决覆铜陶瓷载板高温下瓷片裂纹的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202310246975.1A CN116180079B (zh) | 2023-03-15 | 2023-03-15 | 一种解决覆铜陶瓷载板高温下瓷片裂纹的方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN116180079A CN116180079A (zh) | 2023-05-30 |
| CN116180079B true CN116180079B (zh) | 2024-01-23 |
Family
ID=86438431
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202310246975.1A Active CN116180079B (zh) | 2023-03-15 | 2023-03-15 | 一种解决覆铜陶瓷载板高温下瓷片裂纹的方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN116180079B (zh) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102956507A (zh) * | 2011-08-26 | 2013-03-06 | 光颉科技股份有限公司 | 金属化陶瓷板体的制法 |
| CN109266997A (zh) * | 2018-10-30 | 2019-01-25 | 广东技术师范学院 | 一种适用于高温环境的金属工件双层涂层及其制作方法 |
| CN112164687A (zh) * | 2020-09-07 | 2021-01-01 | 江苏富乐德半导体科技有限公司 | 一种覆铜陶瓷基板及其制备方法 |
| CN113474311A (zh) * | 2019-02-21 | 2021-10-01 | 康宁股份有限公司 | 具有铜金属化贯穿孔的玻璃或玻璃陶瓷制品及其制造过程 |
| CN114230359A (zh) * | 2020-09-09 | 2022-03-25 | 比亚迪股份有限公司 | 一种陶瓷覆铜板及其制备方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6670216B2 (en) * | 2001-10-31 | 2003-12-30 | Ixys Corporation | Method for manufacturing a power semiconductor device and direct bonded substrate thereof |
-
2023
- 2023-03-15 CN CN202310246975.1A patent/CN116180079B/zh active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102956507A (zh) * | 2011-08-26 | 2013-03-06 | 光颉科技股份有限公司 | 金属化陶瓷板体的制法 |
| CN109266997A (zh) * | 2018-10-30 | 2019-01-25 | 广东技术师范学院 | 一种适用于高温环境的金属工件双层涂层及其制作方法 |
| CN113474311A (zh) * | 2019-02-21 | 2021-10-01 | 康宁股份有限公司 | 具有铜金属化贯穿孔的玻璃或玻璃陶瓷制品及其制造过程 |
| CN112164687A (zh) * | 2020-09-07 | 2021-01-01 | 江苏富乐德半导体科技有限公司 | 一种覆铜陶瓷基板及其制备方法 |
| CN114230359A (zh) * | 2020-09-09 | 2022-03-25 | 比亚迪股份有限公司 | 一种陶瓷覆铜板及其制备方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN116180079A (zh) | 2023-05-30 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |