CN110993310B - 一种非晶纳米晶磁片制备工艺及制备设备 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种非晶纳米晶磁片制备工艺及制备设备，属于磁性材料技术领域，非晶纳米晶磁片制备工艺包括S1、将磁片本体切割形成多个相互隔开的单元分体，且不切断下表面的硅胶粘膜，磁片本体由多层经过退火的非晶纳米晶带材采用双面胶贴合形成，磁片本体的下表面具有硅胶粘膜；S2、对经过切割的磁片本体进行喷胶；S3、对经过喷胶的磁片本体进行裂片处理，使非晶纳米晶产生裂纹，并使磁片本体达到预设磁导率；S4、将磁片本体下表面的硅胶粘膜去除，并在磁片本体上表面和下表面均覆膜，得到非晶纳米晶磁片。对磁片本体进行切割并后续对磁片本体进行破碎，相比于现有技术，加工效率高，且有利于磁片本体的应力释放，避免非晶纳米晶磁片出现鼓包。

Description

一种非晶纳米晶磁片制备工艺及制备设备

技术领域

本发明涉及磁性材料技术领域，尤其涉及一种非晶纳米晶磁片制备工艺及制备设备。

背景技术

从手机、笔记本等便携式电子产品逐渐普及开始，“轻薄”的设计理念一直牵引着市场的发展方向，各大厂商也在不断加强技术研发，视图将便携电子产品做到更薄，无线充电模组向作为内置器件植入便携式电子产品中，起关键作用的磁片就必须做到“轻薄”。

非晶纳米晶带材是由超级冷凝固形成厚度在15－35μm范围内的固体薄带，合金凝固时原子来不及有序排列结晶得到的固态合金。这种固态合金是长程无序结构，没有晶态合金的晶粒、晶界存在，具有优异的磁性、耐蚀性、耐磨性、高硬度、高强度、高电阻率等特性。性能方面，非晶纳米晶磁片具有高的导磁率、高的饱和磁通密度，具有较大的性能优势。

非晶纳米晶磁片用于无线充电时，未经处理的非晶或非晶纳米晶带材的磁导率和饱和磁通密度都能达到要求，但是损耗较高，非晶纳米晶导磁片在高频下的损耗主要来自于涡流损耗，涡流损耗较大会导致品质因素Q值低，充电效率低，同时，充电时非晶纳米晶的发热量较大。为了降低涡流损耗，目前常规的做法是将非晶纳米晶带材碎花，相当于把非晶纳米晶带材碎裂成微小的颗粒，颗粒之间使用绝缘层，这样单体小颗粒的磁通量小，涡流小，就减少了大面积的涡流损耗，使得无线充电时，磁场耦合后的损耗降低，发热量减少。

目前行业中常规的破碎的方式是采用机械压力的方式使带材破碎。先是单层破碎，然后使用双面胶带将多层非晶纳米晶贴合到一起，来达到无线充电使用要求的厚度和磁性能。但是这种加工方式不仅效率低，而且当非晶纳米晶层数较多时，非晶纳米晶层内部的应力释放而容易导致磁片容易出现鼓包，影响磁片的品质因数。

发明内容

本发明的目的在于提供一种非晶纳米晶磁片制备工艺及制备设备，以解决现有技术中存在的采用单层破碎后使用双面胶多层贴合的方式，加工效率低，而且当非晶纳米晶层数较多时容易导致磁片出现鼓包，影响磁片的品质因数的技术问题。

如上构思，本发明所采用的技术方案是：

一种非晶纳米晶磁片制备工艺，包括以下步骤：

S1：将磁片本体切割形成多个相互隔开的单元分体，且不切断下表面的硅胶粘膜，磁片本体由多层经过退火的非晶纳米晶带材采用双面胶贴合形成，磁片本体的下表面具有硅胶粘膜；

S2：对经过切割的磁片本体进行喷胶，使胶体填充多个单元分体之间的空隙并覆盖磁片本体的上表面；

S3：对经过喷胶的磁片本体进行裂片处理，使非晶纳米晶产生裂纹，并使磁片本体达到预设磁导率；

S4：将磁片本体下表面的硅胶粘膜去除，并在磁片本体上表面和下表面均覆膜，得到非晶纳米晶磁片。

进一步地，在步骤S1中对非晶纳米晶带材进行贴合的方法包括：

S11：取一片暗面贴附了双面胶的非晶纳米晶带材，在其亮面一侧贴附硅胶粘膜，并剥离非晶纳米晶带材上双面胶的保护膜，以该非晶纳米晶带材为底基层；

S12：取另一片在暗面贴附了双面胶的非晶纳米晶带材并剥离该非晶纳米晶带材上双面胶的保护膜，将其亮面与底基层上的双面胶贴合；

S13：取一片在暗面贴附有双面胶的非晶纳米晶带材并剥离该非晶纳米晶带材上双面胶的保护膜，将其亮面与顶层的非晶纳米晶带材上的双面胶贴合；

S14：重复S13直至增加非晶纳米晶带材的层数至预设层数；

S15：取一片非晶纳米晶带材并将其亮面与处于顶层的非晶纳米晶带材的暗面贴合，得到磁片本体。

进一步地，所述单元分体为矩形块状结构。

进一步地，在步骤S3和步骤S4之间还包括：对经过破碎处理的磁片本体进行辊压，以整平经过破碎处理后的磁片本体的上表面和下表面。

进一步地，在步骤S1中，贴合的非晶纳米晶带材的层数N≥4。

为实现上述目的，本发明还提出一种用于实施上述所述的非晶纳米晶磁片制备工艺的制备设备，所述设备包括裂片装置，所述裂片装置包括依次设置的切割机构、喷胶机构和裂片机构，所述切割机构用于将磁片本体切割形成多个相互隔开的单元分体；所述喷胶机构用于对经过切割的所述磁片本体进行喷胶，所述裂片机构用于对经过喷胶的所述磁片本体进行破碎处理。

进一步地，所述切割机构包括相对设置且之间形成供所述磁片本体穿过的通道的第一辊和第二辊，所述第一辊或所述第二辊上设置有将磁片本体切割形成多个相互隔开的所述单元分体的滚刀。

进一步地，所述裂片机构包括碎化辊和与所述碎化辊相对设置且用于支撑所述磁片本体的第一支撑辊，所述碎化辊用于辊压所述磁片本体以使非晶纳米晶产生裂纹。

进一步地，所述裂片装置还包括设置于所述裂片机构下游的辊压机构，所述辊压机构用于对经过破碎处理的所述磁片本体进行辊压，以整平所述磁片本体的上表面和下表面。

进一步地，所述裂片装置还包括输送机构，所述输送机构包括输料结构、离型膜输送结构和皮带传送结构，所述输料结构用于输送所述磁片本体，所述离型膜输送结构用于输送离型膜，所述皮带传送结构用于传动皮带，在所述裂片机构中，所述离型膜能够贴附于所述磁片本体的上表面，且所述皮带能够抵接于所述磁片本体下表面的硅胶粘膜。

本发明的有益效果为：

本发明提出的非晶纳米晶磁片制备工艺及制备装置，通过对磁片本体进行切割并通过后续对磁片本体进行破碎，相比于现有技术，加工效率高，且有利于磁片本体的应力释放，避免非晶纳米晶磁片出现鼓包。同时在对磁片本体进行切割后对磁片本体进行喷胶，从而在后续对磁片本体进行破碎时，双面胶和胶体能够有效地填充非晶纳米晶碎片之间的缝隙或非晶纳米晶的裂纹，起到绝缘作用，有利于降低涡流损耗，提高非晶纳米晶磁片的品质因数，降低非晶纳米晶磁片发热量。

附图说明

图1是本发明实施例一提供的非晶纳米晶磁片制备工艺的流程图；

图2是本发明实施例二提供的裂片装置的结构示意图。

图中：

11、第一物料轴；12、第二物料轴；13、第一离型膜轴；14、第二离型膜轴；15、皮带传送轴；16、皮带；

2、切割机构；21、第一辊；22、第二辊；

3、喷胶机构；

4、裂片机构；41、第一电缸；42、碎化辊；43、第一支撑辊；

5、辊压机构；51、第二电缸；52、辊压辊；53、第二支撑辊；

6、检测机构；61、绕线骨架；62、线圈；63、电感测试仪；

10、磁片本体；20、离型膜。

具体实施方式

为使本发明解决的技术问题、采用的技术方案和达到的技术效果更加清楚，下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部。

在本发明的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“相连”、“连接”、“固定”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

在本实施例的描述中，术语“上”、“下”、“右”、等方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述和简化操作，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅仅用于在描述上加以区分，并没有特殊的含义。

如图1所示，本实施例提供一种非晶纳米晶磁片制备工艺，该非晶纳米晶磁片制备工艺包括以下步骤：

S1、将磁片本体10切割形成多个相互隔开的单元分体，且不切断下表面的硅胶粘膜，磁片本体10由多层经过退火的非晶纳米晶带材采用双面胶贴合形成，磁片本体10的下表面贴附有硅胶粘膜。

将磁片本体10切割形成相互隔开的单元分体，且不切断下表面的硅胶粘膜。可以理解的是，每个单元分体与相邻的单元分体之间具有间隙，每个单元分体相互独立。在这里不切断下表面的硅胶粘膜，是因为硅胶粘膜主要起到一个连接和承载作用，虽然磁片本体10已经被切割成多个单元分体，但是粘贴在硅胶粘膜上，仍然是一个片状整体，在后续上、下表面覆膜后，就是一片完整的磁片。如果硅胶粘膜被切断，单元分体就会成为分散的个体，不利于后续的喷胶及裂片处理。

在本实施例中，单元分体为矩形块状结构，优选为正方形块状结构，正方形块状结构的边长大于等于2mm。

具体地，上述形成磁片本体10的非晶纳米晶带材预先经过退火处理，在本实施例中，退火处理的温度为540℃～560℃，比如540℃、545℃、550℃、555℃或560℃等，但并仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的竖数值同样适用，优选为550℃。在本实施例中，退火处理的保温时间为60min－100min，例如60min、70min、80min、90min或100min等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用，优选为80min。在本实施例中，退火处理的升降温总时间为6h－14h，例如6h、8h、10h、12h或14h等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用，优选为10h。

具体地，上述多层非晶纳米晶带材进行贴合的方法包括以下步骤：

S11：取一片暗面贴附了双面胶的非晶纳米晶带材，在其亮面一侧贴附硅胶粘膜，并剥离非晶纳米晶带材上双面胶的保护膜，以该非晶纳米晶带材为底基层；

S12：：取一片在暗面贴附了双面胶的非晶纳米晶带材并剥离该非晶纳米晶带材上双面胶的保护膜，将其亮面与底基层上的双面胶贴合；

S13：取一片在暗面贴附了双面胶的非晶纳米晶带材并剥离该非晶纳米晶带材上双面胶的保护膜，将其亮面与顶层的非晶纳米晶带材上的双面胶贴合；

S14：重复S13直至增加非晶纳米晶带材的层数至预设层数；

S15：取一片非晶纳米晶带材并将其亮面与处于顶层的非晶纳米晶带材的暗面贴合，得到磁片本体10。此时磁片本体10的下表面具有硅胶粘膜，上表面不具有硅胶粘膜。

在这里，暗面是指，非晶纳米晶原带制备时与铜辊接触的那一面，光泽度偏暗；亮面是指，非晶纳米晶原带制备时不与铜辊接触的那一面，光泽度偏亮。

进一步地，在本实施例中，上述预设层数大于等于4。可以理解的是，本实施例提供的非晶纳米晶磁片制备工艺主要针对高层数的非晶纳米晶磁片，当然在在其他实施例中，贴合的非晶纳米晶带材的层数还可以小于4。

S2、对经过切割的磁片本体10进行喷胶，使胶体填充多个单元分体之间的空隙并覆盖磁片本体10的上表面；

S3、对经过喷胶的磁片本体10进行裂片处理，使非晶纳米晶产生裂纹，并使磁片本体10达到预设磁导率；

在对磁片本体10进行切割后，相邻的单元分体之间具有间隙，通过对经过切割的磁片进行喷胶，胶体会填充相邻的单元分体之间的间隙，并覆盖磁片本体10的上表面，随后在经过裂片处理时，胶体和双面胶能够有效地填充非晶纳米晶形成的裂纹内，从而将非晶纳米晶的断面保护起来，起到绝缘作用。上述预设磁导率根据实际需要进行设置，本实施例不做具体限制。

S4、将磁片本体10下表面的硅胶粘膜去除，并在磁片本体10上表面和下表面覆膜，得到非晶纳米晶磁片。

在对喷胶的磁片本体10经过裂片处理，使得磁片本体10达到预设磁导率后，将磁片本体10下表面的硅胶粘膜去除，并在磁片本体10上表面和下表面均覆膜，具体地，在磁片本体10的上表面和下表面均贴上黑色的单面胶或双面胶。随后对覆膜后的磁片本体10进行模切，得到预设尺寸的非晶纳米晶磁片。

可选地，在上述步骤S3和步骤S4之间还包括：对经过破碎处理的磁片本体10进行辊压，以整平经过破碎处理后的磁片本体10的上表面和下表面。

综上，本实施例提供的非晶纳米晶磁片制备工艺，对磁片本体10进行切割并通过后续对磁片本体10进行破碎，相比于现有技术，加工效率高，且有利于磁片本体10的应力释放，避免非晶纳米晶磁片出现鼓包。同时在对磁片本体10进行切割后对磁片本体10进行喷胶，从而在后续对磁片本体10进行破碎时，双面胶和胶体能够有效地填充非晶纳米晶碎片之间的缝隙或非晶纳米晶的裂纹，起到绝缘作用，有利于降低涡流损耗，提高非晶纳米晶磁片的品质因数，降低非晶纳米晶磁片发热量。

实施例二

如图2所示，本实施例还提供一种用于实施上述非晶纳米晶磁片制备工艺的制备设备，该制备设备包括裂片装置，裂片装置包括依次设置的切割机构2、喷胶机构3和裂片机构4，切割机构2用于将磁片本体10切割形成多个相互隔开的单元分体、喷胶机构3用于对经过切割的磁片本体10进行喷胶。裂片机构4用于对经过喷胶的磁片本本10体进行破碎处理。

裂片装置还包括设置于裂片机构4下游的辊压机构5，辊压机构5用于对经过破碎处理的磁片本体10进行辊压，以整平磁片本体10的上表面和下表面。

裂片装置还包括输送机构，输送机构包括输料结构、离型膜输送结构和皮带传送机构，输料结构用于输送磁片本体10。离型膜输送结构用于输送离型膜20。皮带传送结构用于传动皮带16。在上述裂片机构4中，离型膜20能够贴附于磁片本体10的上表面，且皮带16能够抵接于磁片本体10的下表面的硅胶粘膜。

具体地，输送机构包括位于裂片装置的机体一侧的第一物料轴11和位于机体另一侧的第二物料轴12，第一物料轴11和第二物料轴12在第一驱动结构的带动下可以正向转动或反向转动。驱动结构优选为电机。离型膜输送结构包括位于第一物料轴11一侧的第一离型膜轴13和位于第二物料轴12一侧的第二离型膜轴14，第一离型膜轴13和第二离型膜轴14在第二驱动结构的带动下可正向转动和反向转动。皮带传送机构包括皮带传送轴15和皮带16。

上述切割机构2、喷胶机构3和裂片机构4均设置于第一物料轴11和第二物料轴12之间，第一离型膜轴13和第二离型膜轴14均位于第一物料轴11和第二物料轴12之间，且分别位于裂片机构4的两侧，喷胶机构3位于第一离型膜轴13和第一物料轴11之间，切割机构2位于第一物料轴11和喷胶机构3之间。可以理解的是，磁片本体10依次经过切割机构2和喷胶机构3后，第一离型膜轴13上的离型膜20在磁片本体10进入裂片机构4之前贴附于磁片本体10的上表面，与此同时，皮带16位于磁片本体10的下侧，用于支撑磁片本体10。

具体地，上述切割机构2包括相对设置且之间形成供磁片本体10穿过的通道的第一辊21和第二辊22，第一辊21上设置有将磁片本体10切割形成多个相互隔开的单元分体的滚刀，当然还可以是第二辊22上设置有上述滚刀。滚刀为网格状结构或者包括多个沿第一辊21的周向间隔设置的条形刀以及多个沿第一棍21的轴向间隔设置的环形刀。在本实施例中，滚刀的材质优选为钨钢、高碳合金钢，当然也可以选用其他高硬度的材料。

具体地，上述裂片机构4包括第一电缸41、碎化辊42和与碎化辊42相对设置且用于支撑磁片本体10的第一支撑辊43，碎化辊42用于辊压磁片本体10以使非晶纳米晶产生裂纹，第一电缸41用于驱动碎化辊42上升或下降，以调节碎化辊42和第一支撑辊43之间的距离。在本实施例中，裂片机构4设置有两个，上述皮带16绕设于两个第一支撑辊43上，从而对磁片本体10进行支撑。在本实施例中碎化辊42为花纹辊，花纹辊的辊花尺寸为1mm－3mm，第一支撑辊43为光滑辊。

具体地，上述辊压机构5包括第二电缸51、辊压辊52和用于对磁片本体10进行支撑的第二支撑辊53，辊压辊52用于辊压磁片本体10，以整平磁片本体10的上表面和下表面。上述皮带16同样绕设于第二支撑辊53上。可以理解的是，磁片本体10在经过辊压机构5时，上述离型膜20还贴附于磁片本体10的上表面。在本实施例中，辊压辊52为花纹辊，花纹辊的辊花尺寸为0.3mm－0.8mm，第二支撑辊53为光滑辊。

本实施例提供的裂片装置还包括检测机构6，检测机构6用于检测磁片本体10的磁导率。具体地，检测机构6设置于第二物料轴12和辊压机构5之间。检测机构包括绕线骨架61，卷绕在绕线骨架61外部的线圈62，和与线圈62两端分别导通连接的电感测试仪63。绕线骨架61中设有贯通绕线骨架61且与线圈62卷绕的轴向平行的方形通道，经过辊压后的磁片本体10穿过方形通道。

以下将对该裂片装置的工作过程进行详细的说明。

(1)通过电机带动第一物料轴11和第二物料轴12均正向转动，使得磁片本体10从第一物料轴11向第二物料轴12移动，磁片本体10依次经过切割机构2、喷胶机构3、裂片机构4、辊压机构5和方形通道。在上述过程中，磁片本体10带动皮带16绕皮带传送轴15、第一支撑辊43和第二支撑辊53转动。同时，通过电机带动第一离型膜轴13和第二离型膜轴14均正向转动，使得离型膜20由第一离型膜轴13向第二离型膜轴14移动，离型膜20在磁片本体10进入裂片机构4前贴附于磁片本体10的上表面，在磁片本体10经过裂片机构4和辊压机构5时，离型膜20、磁片本体10和皮带16从上到下依次排列在碎化辊42和第一支撑辊43、以及辊压辊52和第二支撑辊53之间。并通过检测机构6检测磁片本体10的磁导率。

(2)通过电机带动第一物料轴11和第二物料轴12均反向转动，使得磁片本体10从第二物料轴12向第一物料轴11移动，磁片本体10依次经过方形通道、辊压机构5和裂片机构4，实现对磁片本体10再次进行破碎处理。可以理解的是，在此过程中，切割机构2不再对磁片本体10进行切割，喷胶机构3也不再对磁片本体10喷胶。与此同时，通过电机带动第一离型膜轴13和第二离型膜轴14均反向转动，使得离型膜20由第二离型膜轴14向第一离型膜轴13移动，离型膜20在磁片本体10进入辊压机构5之前贴附于磁片本体10的上表面，并在磁片本体10从裂片机构4穿出后与磁片本体10分离。

通过对磁片本体10反复进行破碎处理，直至非晶纳米晶达到预设破碎程度，此时磁片本体10达到预设磁导率。

以上实施方式只是阐述了本发明的基本原理和特性，本发明不受上述实施方式限制，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还有各种变化和改变，这些变化和改变都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。

Claims (10)

1.一种非晶纳米晶磁片制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：

S1：将磁片本体切割形成多个相互隔开的单元分体，且不切断磁片本体下表面的硅胶粘膜，磁片本体由多层经过退火的非晶纳米晶带材采用双面胶贴合形成，磁片本体的下表面贴附有硅胶粘膜，磁片本体的上表面不贴附硅胶粘膜；

S2：对经过切割的磁片本体进行喷胶，使胶体填充多个单元分体之间的空隙并覆盖磁片本体的上表面；

S3：对经过喷胶的磁片本体进行裂片处理，使非晶纳米晶产生裂纹，并使磁片本体达到预设磁导率；

S4：将磁片本体下表面的硅胶粘膜去除，并在磁片本体上表面和下表面均覆膜，得到非晶纳米晶磁片。

2.根据权利要求1所述的非晶纳米晶磁片制备工艺，其特征在于，在步骤S1中，多层非晶纳米晶带材进行贴合的方法包括：

S11：取一片暗面贴附了双面胶的非晶纳米晶带材，在其亮面一侧贴附硅胶粘膜，并剥离非晶纳米晶带材上双面胶的保护膜，以该非晶纳米晶带材为底基层；

S12：取一片在暗面贴附了双面胶的非晶纳米晶带材并剥离该非晶纳米晶带材上双面胶的保护膜，将其亮面与底基层上的双面胶贴合；

S13：取一片在暗面贴附了双面胶的非晶纳米晶带材并剥离该非晶纳米晶带材上双面胶的保护膜，将其亮面与顶层的非晶纳米晶带材上的双面胶贴合；

S14：重复S13直至增加非晶纳米晶带材的层数至预设层数；

S15：取一片非晶纳米晶带材并将其亮面与处于顶层的非晶纳米晶带材的暗面贴合，得到磁片本体。

3.根据权利要求1所述的非晶纳米晶磁片制备工艺，其特征在于，所述单元分体为矩形块状结构。

4.根据权利要求1所述的非晶纳米晶磁片制备工艺，其特征在于，在步骤S3和步骤S4之间还包括：对经过破碎处理的磁片本体进行辊压，以整平经过破碎处理后的磁片本体的上表面和下表面。

5.根据权利要求1所述的非晶纳米晶磁片制备工艺，其特征在于，在步骤S1中，贴合的非晶纳米晶带材的层数N≥4。

6.一种用于实施权利要求1-5任一项所述的非晶纳米晶磁片制备工艺的制备设备，其特征在于，所述制备设备包括裂片装置，所述裂片装置包括依次设置的切割机构(2)、喷胶机构(3)和裂片机构(4)，所述切割机构(2)用于将磁片本体(10)切割形成多个相互隔开的单元分体；所述喷胶机构(3)用于对经过切割的所述磁片本体(10)进行喷胶，所述裂片机构(4)用于对经过喷胶的所述磁片本体(10)进行破碎处理。

7.根据权利要求6所述的制备设备，其特征在于，所述切割机构(2)包括相对设置且之间形成供所述磁片本体(10)穿过的通道的第一辊(21)和第二辊(22)，所述第一辊(21)或所述第二辊(22)上设置有将磁片本体(10)切割形成多个相互隔开的所述单元分体的滚刀。

8.根据权利要求6所述的制备设备，其特征在于，所述裂片机构(4)包括碎化辊(42)和与所述碎化辊(42)相对设置且用于支撑所述磁片本体(10)的第一支撑辊(43)，所述碎化辊(42)用于辊压所述磁片本体(10)以使非晶纳米晶产生裂纹。

9.根据权利要求6所述的制备设备，其特征在于，所述裂片装置还包括设置于所述裂片机构(4)下游的辊压机构(5)，所述辊压机构(5)用于对经过破碎处理的所述磁片本体(10)进行辊压，以整平所述磁片本体(10)的上表面和下表面。

10.根据权利要求6所述的制备设备，其特征在于，所述裂片装置还包括输送机构，所述输送机构包括输料结构、离型膜输送结构和皮带传送结构，所述输料结构用于输送所述磁片本体(10)，所述离型膜输送结构用于输送离型膜(20)，所述皮带传送结构用于传动皮带(16)，在所述裂片机构(4)中，所述离型膜(20)能够贴附于所述磁片本体(10)的上表面，且所述皮带(16)能够抵接于所述磁片本体(10)下表面的硅胶粘膜。

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