CN110945665B - 光电转换装置 - Google Patents

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Abstract

本发明的光电转换装置(116)具有设置在半导体基板(112)上的光电转换元件(113)、及设置在光电转换元件(113)上的光学滤波器(103)，光学滤波器(103)包括：含有热分解开始温度为150℃以上的色素的树脂层(102)、及保护光电转换元件的层(101)，光学滤波器(103)的树脂层(102)的动态硬度为10mN/μm2以上且150mN/μm2以下。

Description

光电转换装置
技术领域
本发明涉及一种光学滤波器及具有光学滤波器的光电转换装置。
背景技术
近年来，在摄像机、数码相机、带相机功能的便携式终端等中搭载的固体成像装置中，使用彩色图像的固体摄像元件即电荷耦合器件(Charge Coupled Device，CCD)或互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor，CMOS)图像传感器。对于这些固体摄像元件，在其受光部使用对人眼无法感知的近红外线具有灵敏度的硅光电二极管。在此种固体摄像元件中，必须进行以人眼来看呈现自然的色泽的可见度修正，大多使用选择性地透过或者截止特定波长区域的光线的光学滤波器(例如，近红外线截止滤波器、近红外线透射滤波器)。
另外，便携式终端搭载有照度传感器和环境光传感器，此种照度传感器和环境光传感器以与固体成像装置相同的方式获取光。照度传感器和环境光传感器可基于所获取的光，控制便携式终端的图像的明亮度等。如上所述，固体成像装置、照度传感器和环境传感器具有将光转换为电信号的功能，称为光电转换装置。
作为在光电转换装置中使用的光学滤波器，以往使用通过各种方法制造而成的光学滤波器。例如，在专利文献1中公开了使用透明树脂作为基材，在透明树脂中含有近红外线吸收色素的近红外线截止滤波器，在专利文献2中公开了近红外线透射滤波器。
另外，专利文献3中公开了利用粘接剂将玻璃基材与红外线截止滤波器基板接合来制造光学滤波器的方法，以及通过在盖玻璃上进行成膜处理来形成红外线截止滤波器层的方法。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利特开平6-200113号公报
专利文献2：日本专利特开2012-137728号公报
专利文献3：日本专利特开2006-32886号公报
发明内容
发明所要解决的问题
近年来，在移动设备等中，对于照相机图像所要求的画质水平也变得非常高。例如，在固体成像装置中使用的近红外线截止滤波器也要求高可见光透射率和在近红外波长区域中的高光线截止特性。另外，近红外透射滤波器也要求高的近红外波长区域透射率和在可见光波长区域中的高的光线截止特性。
然而，现有的近红外线截止滤波器和近红外线透射滤波器等的光学滤波器中，所采用的色素的耐热性能不充分。如果在制造光电转换装置时施加高温，则存在如下情况：由于近红外线截止滤波器的近红外线吸收色素分解，近红外线截止滤波器的长期可靠性成为问题。在近红外线透射滤波器中，同样的色素的耐热性问题也显现出来。
鉴于所述问题，本发明的目的之一在于提供一种耐热性优异的光学滤波器。另外，其目的之一在于提供一种具有耐热性优异的光学滤波器的光电转换装置。
解决问题的技术手段
本发明的一实施方式的光电转换装置包括设置在半导体基板上的光电转换元件、以及设置在光电转换元件上的光学滤波器，其中光学滤波器包括含有热分解开始温度为150℃以上的色素的树脂层和保护光电转换元件的层，光学滤波器的树脂层的动态硬度为10mN/μm2以上且150mN/μm2以下。
本发明的一个实施方式的光电转换装置包括设置在半导体基板上的光电转换元件、以及设置在光电转换元件上的光学滤波器，光学滤波器的动态硬度为10mN/μm2以上且150mN/μm2以下，满足以下的(A)及(B)，并且所述光学滤波器包括含有热分解开始温度为150℃以上的色素的树脂基材。
(A)波长430nm～580nm范围内的平均透射率为75％以上。
(B)波长700nm～800nm范围内的平均透射率为20％以下。
本发明的一个实施方式的光电转换装置包括设置在半导体基板上的光电转换元件以及设置在光电转换元件上的光学滤波器，光学滤波器的动态硬度为10mN/μm2以上且150mN/μm2以下，满足以下的(A)及(B)，并且所述光学滤波器包括含有热分解开始温度为150℃以上的色素的树脂基材。
(A)波长400nm～730nm范围内的平均透射率为2％以下。
(B)波长800nm～1000nm范围内的平均透射率为80％以上。
再者，在本发明中，电子设备包括具有对含有影像、声音的各种信息进行数字处理或模拟处理的功能的设备，且应用属于电子学的技术的电气产品。
发明的效果
根据本发明的一个实施方式，能够提供一种耐热性优异的光学滤波器。或者，能够提供一种具有耐热性优异的光学滤波器的光电转换装置。
附图说明
图1是表示本发明的一实施方式的光电转换装置的构成的图。
图2是表示本发明的一实施方式的光学滤波器的构成的图。
图3A是表示本发明的一实施方式的光学滤波器的制造方法的图。
图3B是表示本发明的一实施方式的光学滤波器的制造方法的图。
图3C是表示本发明的一实施方式的光学滤波器的制造方法的图。
图4A是表示本发明的一实施方式的光学滤波器的构成的图。
图4B是表示本发明的一实施方式的光学滤波器的构成的图。
图4C是表示本发明的一实施方式的光学滤波器的构成的图。
图5是表示本发明的一实施方式的光电转换装置的构成的图。
[符号的说明]
101：保护光电转换元件的层/基材
101a：第一面
101b：第二面
102：树脂层
103：光学滤波器
104：树脂组合物
110：照相机模块
111：支撑基板
112：半导体基板
113：光电转换元件
114：导线
115：光学低通滤波器
116：光电转换装置
117：透镜
118：封装
119：微透镜阵列
120：照相机模块
123：光学滤波器
126：光电转换装置。
具体实施方式
以下，参照附图等说明本发明的实施方式。但是，本发明能够以很多不同的方式实施，并不限定于以下所例示的实施方式的记载内容来解释。为了使说明更明确，附图与实际的方式相比，有时示意性地表示各部分的宽度、厚度、形状等，但始终为一例，并不限定本发明的解释。另外，在说明书和各图中，关于已示出的图，对于与所述相同的要素，赋予相同的符号或者类似的符号(在数字后仅标注A、B等的符号)，有时适当省略详细说明。
在本说明书中，所谓“上”是指以支撑基板的主面(配置光电转换元件的面)为基准的相对的位置，远离支撑基板的主面的方向为“上”。在本申请附图中，朝向纸面时上方为“上”。另外，“上”包括相接于物体上的情况(即“on(在...上)”的情况)和位于物体上方的情况(即“over(在...上方)”的情况)。相反，“下”是指以支撑基板的主面为基准的相对位置，接近支撑基板的主面的方向为“下”。在本申请附图中，朝向纸面时下方为“下”。
(第一实施方式)
在本实施方式中，参照图1～图5对本发明的一个实施方式的光学滤波器以及具有光学滤波器的光电转换装置进行说明。在本实施方式中，作为光电转换装置的一例，对固体成像装置进行了说明。
此处，所谓固体成像装置是包括CCD图像传感器或CMOS图像传感器等固体摄像元件的图像传感器。具体而言，固体成像装置可以用于数码相机、智能手机用照相机、移动电话用照相机、可穿戴设备用照相机、数字摄像机等。
〈光电转换装置的构成1〉
图1示出本实施方式的光电转换装置116的截面图。光电转换装置116包括设置有光电转换元件113的半导体基板112、设置在光电转换元件113上的光学滤波器103以及光学低通滤波器115。
在半导体基板112上具有配置成矩阵状的光电转换元件113，且光电转换元件113包括传输所述光电转换元件中累积的电荷的电荷耦合元件(CCD)。各光电转换元件上层叠有RBG彩色滤波器和微透镜阵列119。再者，也可以使用CMOS图像传感器代替CCD图像传感器。
另外，在半导体基板112的上表面的边缘设有多个端子。多个端子经由形成于半导体基板112的上表面的配线而与多个光电转换元件113连接。另外，多个端子通过导线114而与支撑基板111连接。
在光电转换元件113上设置本实施方式的光学滤波器103，在光学滤波器103上设置光学低通滤波器115。关于光学滤波器103的结构，将在后面详细叙述。
另外，照相机模块110具有光电转换装置116、透镜117、封装118。光学滤波器103及光学低通滤波器115保持于封装118。封装118由氧化铝等陶瓷材料或金属材料、或者塑料材料形成。另外，封装118具有容纳光电转换装置116的区域和保持透镜117的镜筒部，并且被固定于支撑基板111。
另外，通过在光电转换装置116中使用薄型化的光学滤波器103，能够实现光电转换装置116及照相机模块110的低背化。另外，通过设置光学滤波器103及光学低通滤波器115，能够提高光电转换装置116的摄像画质。
在将设置有光学滤波器103的封装118设置在支撑基板111上时等，有时会对光学滤波器103施加高温。由于本实施方式的光学滤波器103具有耐热性，因此能够抑制在回流工序中光学滤波器103劣化。
另外，本实施方式的光学滤波器103实现了薄型化。在将光学滤波器103用于照相机模块等的透镜单元的情况下，能够实现透镜单元的低背化、轻量化。
＜光学滤波器103的结构＞
图2示出本实施方式的光学滤波器103的构成。本实施方式的光学滤波器103具有基材101及树脂层102。在光学滤波器103是近红外线截止滤波器的情况下，树脂层102包括吸收红外线的色素等。另外，在光学滤波器103是近红外线透射滤波器的情况下，树脂层102包含吸收可见光区域的光线的色素。
作为图2所示的基材101，使用具有透光性的基材。另外，基材101具有保护光电转换元件的功能。如图1所示，基材101利用各种粘接剂与封装118粘接，保护封装118内部所容纳的光电转换元件113，并且作为可见光线等的透光窗发挥功能。作为基材101，优选使用无色透明的玻璃基板。
作为此种无色透明的玻璃基板，例如可使用日本专利特开2004-221541号公报、日本专利特开2006-149458号公报等中记载的盖玻璃。再者，保护层不限于玻璃基板，也可使用透明的有机树脂。作为有机树脂，可使用透明的树脂。
作为基材101，例如可使用玻璃基板或树脂基板。基材101的厚度为0.01mm以上且2mm以下，优选为0.05mm以上且1mm以下。如果玻璃基板的厚度在所述范围内，则能够使光学滤波器103轻量化、小型化。再者，在基材101的厚度比所述厚的情况下，无法使光电转换装置及照相机模块低背化。另外，在基材101的厚度比所述范围薄的情况下，光学滤波器103的翘曲变大。另外，基材101因变脆而有可能破裂或缺损。
另外，在基材101上设置有树脂层102。另外，树脂层102设置在基材101的至少一面上。优选所述树脂层102的动态硬度比基材101的动态硬度高。另外，树脂层102的动态硬度优选为10mN/μm2以上且150mN/μm2以下。通过使树脂层102的动态硬度在所述范围，能够确保树脂层102的强度。在树脂层102的动态硬度低于所述范围的情况下，树脂层102有可能破裂或缺损。另外，比所述范围硬时，树脂层容易剥离。再者，树脂层102的动态硬度例如可以利用微小硬度计测定。
此处，动态硬度由动态硬度(DH)表示，所述动态硬度(DH)通过以一定的荷重速度缓慢施加荷重的同时，将棱间角115°的三角锤金刚石压头压入膜面时的荷重除以压入深度的平方而算出，并由下述公式(1)定义。
DH＝αP/D2…(1)
P：荷重(gf)、D：压入深度(μm)
α：基于压头形状的常数(三角锤的情况下，α＝37.84)
所述树脂层102的动态硬度是使用岛津动态超微小硬度计(型号DUH-201s、(股)岛津制作所制)，在测定模式：MODE5、压入深度1μm、压入速度0.014mN/s的条件下进行测定，并按照所述计算式进行换算而得到。
在本发明的光学滤波器103中，在玻璃基材上包含含有色素的树脂层102，树脂层102的动态硬度为10mN/μm2～150mN/μm2。如果动态硬度小于10mN/μm2，则树脂层可能会产生裂纹或树脂层的一部分缺损。另一方面，动态硬度大于150mN/μm2时，膜容易从玻璃基材剥离。
在将光学滤波器103用作近红外线截止滤波器的情况下，优选的是，光学滤波器103的透射率满足下述(A)及(B)。(A)优选波长430nm～580nm范围内的透射率的平均值为75％以上。(B)优选波长700nm～800nm范围内的透射率的平均值为20％以下。如果在所述波长区域中平均透射率处于所述范围内，则在将近红外线截止滤波器(光学滤波器103)用作光电转换装置用途的情况下，能够充分地截止近红外线，能够实现优异的颜色再现性，因此优选。
另外，在将光学滤波器103用作近红外线透射滤波器的情况下，优选的是，光学滤波器103的透射率满足以下(A)及(B)。(A)波长400nm～730nm范围内的平均透射率为2％以下，(B)波长800nm～1000nm的范围内的平均透射率为80％以上。如果在所述波长区域中平均透射率处于所述范围内，则在将近红外线透射滤波器(光学滤波器103)用作光电转换装置用途的情况下，能够充分地截止可见光线，能够实现优异的红外线传感，因此优选。
另外，树脂层102含有热分解开始温度为150℃以上的色素。在红外线截止滤波器情况下，作为红外线吸收有机色素，例如可使用：氧化钨铯、金属硼化物、氧化钛、氧化锆、掺锡氧化铟、掺锑氧化锡、偶氮化合物、铵化合物、亚胺化合物、蒽醌化合物、花青化合物、二亚铵化合物、方酸内鎓化合物、酞菁化合物、萘酞菁化合物、蒽醌化合物、萘醌化合物、二硫醇化合物及聚次甲基化合物中的一种化合物。作为此种化合物的具体例，可使用WO2011/118171号公报、日本专利特开2013-195480号公报中记载的化合物。
其中，从红外线吸收能力和热分解温度高的观点出发，优选氧化钨铯。另外，还可以与二亚铵化合物、方酸内鎓化合物、酞菁化合物、萘酞菁化合物等有机色素化合物并用。
相对于形成树脂层的树脂组合物的总固体成分质量，此种色素的含量优选为20质量％～85质量％，更优选为30质量％～80质量％，进而优选为40质量％～75质量％。
另外，在红外线透射滤波器的情况下，作为此种色素，可以举出黑染料，例如可例示偶氮系、蒽醌系、紫环酮系、苝系、次甲基系、喹啉系、吖嗪系等染料。
作为偶氮系染料的具体例，可列举：C.I.溶剂黄14、C.I.溶剂黄16、C.I.溶剂黄21、C.I.溶剂黄61、C.I.溶剂黄81、C.I.溶剂红1、C.I.溶剂红2、C.I.溶剂红8、C.I.溶剂红19、C.I.溶剂红23、C.I.溶剂红24、C.I.溶剂红27、C.I.溶剂红31、C.I.溶剂红83、C.I.溶剂红84、C.I.溶剂红121、C.I.溶剂红132、C.I.溶剂紫21、C.I.溶剂黑3、C.I.溶剂黑4、C.I.溶剂黑21、C.I.溶剂黑23、C.I.溶剂黑27、C.I.溶剂黑28、C.I.溶剂黑31、C.I.溶剂橙7、C.I.溶剂橙9、C.I.溶剂橙37、C.I.溶剂橙40、C.I.溶剂橙45等。
作为蒽醌系染料的具体例，可列举：C.I.溶剂红52、C.I.溶剂红111、C.I.溶剂红149、C.I.溶剂红150、C.I.溶剂红151、C.I.溶剂红168、C.I.溶剂红191、C.I.溶剂红207、C.I.溶剂蓝35、C.I.溶剂蓝36、C.I.溶剂蓝63、C.I.溶剂蓝78、C.I.溶剂蓝83、C.I.溶剂蓝87、C.I.溶剂蓝94、C.I.溶剂蓝97、C.I.溶剂绿3、C.I.溶剂绿20、C.I.溶剂绿28、C.I.溶剂紫13、C.I.溶剂紫14、C.I.溶剂紫36等。
作为紫环酮系染料的具体例，可列举：C.I.溶剂橙60、C.I.溶剂橙78、C.I.溶剂橙90、C.I.溶剂紫29、C.I.溶剂红135、C.I.溶剂红162、C.I.溶剂橙179等。
作为苝系染料的具体例，可列举：C.I.溶剂绿5、C.I.溶剂橙55、C.I.还原红15、C.I.还原橙7等。
作为次甲基系染料的具体例，可列举：C.I.溶剂橙80、C.I.溶剂黄93等。
作为喹啉系染料的具体例，可列举：C.I.溶剂黄33、C.I.溶剂黄98、C.I.溶剂黄157等。
作为吖嗪系染料的具体例，可列举：C.I.溶剂黑5、C.I.溶剂黑7等。
在所述黑色染料色素中，优选使用吸收系数大且溶解性高的偶氮系染料。另外，从环境保护性的观点出发，优选分子中不含卤素元素。
相对于形成本发明的树脂的组合物的总固体成分质量，此种色素的含量优选为20质量％～85质量％，更优选为30质量％～80质量％，进一步优选为40质量％～75质量％。
在本发明的光学滤波器中，除了黑色色素以外，还可以加入绿色色素。作为此种绿色色素，例如可以举出方酸内鎓系色素、酞菁系色素、花青系色素。可以根据用途等从所述色素中适当选择一种以上使用。如后所述，绿色色素可以是分子凝聚存在于透明树脂中的颜料，但分子溶解存在于透明树脂中的绿色染料由于散射光产生的担心少，因此优选。其中，特别优选方酸内鎓系色素、酞菁系色素。
方酸内鎓系色素在使用分散于透明树脂中得到的树脂膜测定的波长400nm～1000nm的光的吸收光谱中，优选在波长600nm～800nm内具有最大吸收波长。另外，优选表现所述最大吸收波长的吸收峰的红外光侧的倾斜度陡峭。
酞菁系色素在使用分散于透明树脂中得到的树脂膜测定的波长400nm～1000nm的光的吸收光谱中，优选在波长700nm～900nm内具有最大吸收波长。另外，优选发现所述最大吸收波长的吸收峰的红外光侧的倾斜度陡峭。
绿色色素可以是分子溶解存在于透明树脂中的染料，也可以是分子凝聚存在于透明树脂中的颜料。使用颜料作为绿色色素时，也可以使用分散剂。作为分散剂，可以使用阳离子系、阴离子系、非离子系等分散剂。
含有色素的树脂层102由混合了所述色素和透明树脂的树脂组合物形成。透明树脂的玻璃化转变温度(Tg)优选为0℃～380℃。Tg的下限更优选为40℃以上，进一步优选为60℃以上，进而优选为70℃以上，特别优选为100℃以上。另外，Tg的上限更优选为370℃以下，进一步优选为360℃以下。如果透明树脂的Tg为0℃～380℃的范围，则在本光学滤波器的制造工艺或使用中，能够抑制由热引起的劣化或变形。
作为透明树脂的具体例，可以列举：聚酯树脂、聚醚树脂、丙烯酸树脂、聚烯烃树脂、环状烯烃树脂、聚碳酸酯树脂、烯·硫醇树脂、环氧树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、聚氨基甲酸酯树脂、聚苯乙烯树脂、聚芳酯树脂，聚砜树脂、聚醚砜树脂、聚对亚苯树脂、聚亚芳基醚氧化膦树脂等。其中，优选丙烯酸树脂、聚酯树脂、聚碳酸酯树脂或环状烯烃树脂。作为聚酯树脂，优选聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂、聚萘二甲酸乙二醇酯树脂等。透明树脂也可以是组合了多个不同树脂的高分子合金。透明树脂可以是预先高分子量化的树脂，也可以是涂布低分子量体，利用热或紫外线等能量线进行聚合(高分子量化)并使其硬化的树脂。
作为透明树脂，可使用市售品。作为市售品，可列举作为丙烯酸树脂的奥格索(Ogsol)(注册商标)EA-F5003(大阪燃气化学(Osaka Gas Chemicals)(股)制、商品名)、聚甲基丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸异丁酯、BR50(三菱丽阳(股)制、商品名)等。另外，作为聚酯树脂，可列举OKPH4HT、OKPH4、B-OKP2、OKP-850(以上均为大阪燃气化学(股)制、商品名)、拜龙(Vylon)(注册商标)103(东洋纺(股)制、商品名)、作为聚碳酸酯树脂，可列举莱兰(LeXan)(注册商标)ML9103(沙伯基础(sabic)公司制、商品名)EP5000(三菱气体化学(股)公司制、商品名)、SP3810(帝人化成(股)制、商品名)、SP1516(帝人化成(股)制、商品名)、TS2020(帝人化成(股)制、商品名)、西莱丝(xylex)(注册商标)7507(sabic公司制、商品名)等。
进而，作为环状烯烃树脂，可列举：阿隆(ARTON)(注册商标)(JSR(股)制、商品名、Tg：165℃)、瑞诺斯(ZEONEX)(注册商标)(日本瑞翁(股)制、商品名、Tg：138℃)等。
另外，作为树脂层102，在基材101的一个面上涂布树脂组合物而形成的情况下，作为树脂组合物，除了所述透明树脂以外，还可以含有用于形成硬化膜的具有聚合性基的化合物、聚合引发剂。作为此种具有聚合性基的化合物、聚合引发剂，可使用公知的化合物、聚合引发剂，例如可使用日本专利特开2013-195480号公报、WO2016/098810等中记载的化合物。
在树脂组合物中，作为任意成分，例如可以举出色调修正色素、流平剂、防静电剂、热稳定剂、光稳定剂、抗氧化剂、分散剂、阻燃剂、润滑剂、增塑剂、透明纳米粒子等。
可使用能够使透明树脂的原料成分、根据需要调配的各成分稳定地分散的分散介质或者能够溶解的溶媒。作为此种溶媒，可以举出以下的溶媒。异丙醇、正丁醇、乙基溶纤剂、甲基溶纤剂等醇类，乙二醇、二乙二醇、丙二醇等二醇类，甲基乙基酮、甲基异丁基酮、环戊酮、环己酮等酮类，N,N-二甲基甲酰胺，N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基-2-吡咯烷酮等酰胺类、乙二醇单甲醚、乙二醇单乙醚、乙二醇单丁醚、二乙二醇单甲醚、二乙二醇单乙醚、二乙二醇丁醚、乙二醇单甲醚乙酸酯、乙二醇单乙醚乙酸酯、乙二醇单丁醚乙酸酯等醚类，乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯等酯类，苯、甲苯、二甲苯等芳香族，或正-己烷、正庚烷等脂肪族烃类，四氟丙醇、五氟丙醇等氟系溶剂、水等。这些溶媒可单独使用1种，也可将2种以上混合使用。
将所述树脂组合物涂布在基材上后，使其干燥，由此形成树脂层。干燥可以使用热干燥、热风干燥等公知方法。涂布液含有透明树脂的原料成分时，进一步进行硬化处理。反应为热硬化时可同时实施干燥和硬化，而光硬化时可以与干燥分开，另外设置硬化工序。
另外，此种树脂层102的厚度为0.1μm以上3μm以下，优选为0.5μm以上2μm以下。通过使树脂层102的厚度在所述范围内，能够使光学滤波器103轻量化、小型化，能够实现光电转换装置116的低背化。再者，树脂层102的厚度比所述范围厚的情况下，无法使光电转换装置及照相机模块低背化。另外，在树脂层102的厚度比所述范围薄的情况下，存在光学滤波器的翘曲变大的问题。另外，树脂层102对红外线的吸收性能降低。
另外，可在基材101的至少一个面上设置介电体多层膜。介电体多层膜可与基材101接触设置，也可经由树脂层102设置在基材101上。在将介电体多层膜设置在基材101的至少一个面上的情况下，制造成本和制造容易性优异。另外，当将介电体多层膜设置在基材101的两面时，可以获得具有高强度并且不易发生翘曲或扭曲的光学滤波器103。将光学滤波器103应用于光电转换装置等时，由于优选光学滤波器103的翘曲、扭曲等小，因此优选在基材101的两面设置介电体多层膜。
另外，在将光学滤波器103用作近红外线截止滤波器的情况下，优选的是，光学滤波器103满足以下(A)及(B)。(A)优选波长430nm～580nm范围内的透射率的平均值为75％以上，(B)优选波长700nm～800nm范围内的透射率的平均值为20％以下。如果在所述波长区域中平均透射率处于所述范围内，则在将近红外线截止滤波器(光学滤波器103)用作光电转换装置用途的情况下，能够充分地截止近红外线，能够实现优异的颜色再现性，因此优选。
另外，树脂层102含有热分解开始温度为150℃以上的红外线吸收有机色素。另外，所述色素含在玻璃化转变温度高的透明树脂中。由此，能够提高光学滤波器103的耐热性。
在将光学滤波器103用作近红外线透射滤波器的情况下，优选光学滤波器103满足以下(A)及(B)。(A)优选波长400nm～730nm范围内的平均透射率为2％以下，(B)优选波长800nm～1000nm范围内的平均透射率为80％以上。如果在所述波长区域中平均透射率处于所述范围内，则在将近红外线透射滤波器(光学滤波器103)用作光电转换装置用途的情况下，能够充分地截止可见光线，能够实现优异的红外线传感，因此优选。
另外，树脂层102含有热分解开始温度为150℃以上的可见区域光线吸收色素。另外，所述色素含在玻璃化转变温度高的透明树脂中。由此，能够提高光学滤波器103的耐热性。
本实施方式中，作为光电转换装置的构成的一例，对固体成像装置的构成进行了说明，但是本发明不限于此。本发明的光学滤波器除了固体成像装置以外，还能够用于照度传感器或环境光传感器等。后述的光电转换装置的构成2也同样。
〈光学滤波器的制造方法〉
接着，参照图3A～图3C说明本实施方式的光学滤波器103的制造方法。
如图3A所示，首先，准备具有第一面101a及第二面101b的基材101。使用具有透光性的基板作为基材101。作为具有透光性的基材101，例如，使用玻璃基板或树脂基板。基材101的厚度优选为0.01mm以上且2mm以下。
树脂组合物104中优选含有色素。所述色素优选热分解开始温度为150℃以上。通过在玻璃化转变温度高的透明树脂中含有此种色素，能够提高后续形成的树脂层102的耐热性。在制造近红外线截止滤波器的情况下和制造近红外线透射滤波器的情况下，树脂组合物104中含有的色素所使用的色素不同。因而，根据目的含有在所述光电转换装置的构成1中说明的色素。
另外，在制造红外线截止滤波器时，优选在树脂组合物104中含有具有吸收红外线的功能的无机氧化物。作为无机氧化物，例如可使用含铯氧化钨。无机氧化物的粒径为200nm以上且800nm以下，优选为400nm以上且700nm以下。另外，无机氧化物的形状理想为球状，但不限于此。
接着，通过进行加热处理，使树脂组合物104硬化。此处，作为加热处理，优选在150℃～300℃下进行。由此，能够在基材101的第一面101a上形成树脂层102。再者，可将树脂层102剥离并贴合到另一基板上。另外，也可以剥离树脂层102而作为树脂基材使用。
通过以上的工序，能够形成本实施方式的光学滤波器103。
如上所述形成的树脂层102具有10mN/μm2以上且150mN/μm2以下的动态硬度。由此，可以提高树脂层102的强度。通过在基材101的第一面101a形成强度高的树脂层102，即使在基材101的厚度薄的情况下，也能够抑制光学滤波器103破裂和缺损。另外，由于树脂层102具有高的强度，所以即使基材101不增厚，也能够保持光学滤波器103的强度。因此，能够使光学滤波器103薄型化。
另外，通过使树脂层102含有热分解开始温度为150℃以上的色素，能够提高树脂层102的耐热性。通过具有此种树脂层102，本实施方式的光学滤波器103在进行在260℃的状态下保持60秒后，冷却至室温的操作的回流试验前后，波长700nm至1100nm的平均透射率的变化率可为5％以下。
光学滤波器103具有高耐热性，由此即使是在光电转换装置116和照相机模块110的制造工序中具有回流工序的工艺中，也能够防止光学滤波器103因热而劣化并且透射率发生变化。
在本实施方式中，对在基材101上涂布具有聚合性基的树脂组合物104，并通过加热处理使其硬化，从而形成树脂层102的方法进行了说明。这样，通过在基材101上利用涂布法形成树脂层102，与利用蒸镀法或化学气相沉积(chemical vapor deposition，CVD)法形成树脂层的情况相比，具有能够以简单的方法在大型基板上涂布、且能够以低成本进行制造的优点。
再者，在本实施方式中，示出了在基材101的第一面101a形成树脂层102的情况，但如图4A所示，也可在基材101的第二面101b形成树脂层102。另外，如图4B所示，也可在基材101的第一面101a及第二面101b双方形成树脂层102。进而，如图4C所示，不仅在基材101的第一面101a和第二面101b，也在侧面形成树脂层102。与通过蒸镀法或CVD法形成树脂层102的情况相比，通过涂布法形成树脂层102可以更容易地在基材101的侧面上形成树脂层102。通过在基材101的侧面上也形成树脂层102，即使光从光学滤波器103的侧面入射，也能够截止红外线。
〈光电转换装置的构成2〉
接着，参照图5，对一部分不同于图1所示的光电转换装置116的光电转换装置126进行说明。
图5所示的光电转换装置126包括设置有光电转换元件113的半导体基板112、设置在光电转换元件113上的光学滤波器123以及光学低通滤波器115。
〈光学滤波器的结构〉
在图5所示的光电转换装置126中，光学滤波器123的构成与图1所示的光学滤波器103的构成部分不同。
作为图5所示的光学滤波器123，使用具有透光性的树脂基材。树脂基材是使用在所述实施方式中作为树脂层102说明的树脂组合物而形成。树脂基材可通过在基板上形成树脂层102并从基板上剥离所述树脂层102而形成。再者，可以在将光学滤波器123用于近红外线截止滤波器的情况下以及将光学滤波器123用于红外线透射滤波器的情况下，对树脂基材中包含的色素进行适当变更。
树脂基材的厚度例如优选为200μm以下，更优选为180μm以下，进而优选为150μm以下，特别优选为120μm以下，下限没有特别限制，但例如理想为20μm。如果树脂基材的厚度在所述范围内，则能够使光学滤波器123轻量化、小型化。再者，在树脂基材的厚度比所述厚的情况下，无法使光电转换装置及照相机模块低背化。另外，在树脂基材的厚度比所述范围薄的情况下，光学滤波器123的翘曲变大。
光学滤波器123即树脂基材的动态硬度优选为10mN/μm2以上150mN/μm2以下。通过使光学滤波器123的动态硬度处于所述范围，能够确保光学滤波器123的强度。在光学滤波器123的动态硬度低于所述范围时，光学滤波器123有可能破裂或缺损。另外，在光学滤波器123的动态硬度比所述范围硬时，有可能发生剥离。再者，例如，可用微小硬度计测定光学滤波器123的动态硬度。
在将光学滤波器123用作近红外线截止滤波器的情况下，优选的是，光学滤波器123的透射率满足下述(A)及(B)。(A)优选波长430nm～580nm范围内的透射率的平均值为75％以上，(B)优选波长700nm～800nm范围内的透射率的平均值为20％以下。如果在所述波长区域中平均透射率处于所述范围内，则在将近红外线截止滤波器(光学滤波器123)用作光电转换装置用途的情况下，能够充分地截止近红外线，能够实现优异的颜色再现性，因此优选。
另外，光学滤波器123具有含有热分解开始温度为150℃以上的色素的树脂基材。另外，所述色素含在玻璃化转变温度高的透明树脂中。由此，能够提高光学滤波器123的耐热性。
在将光学滤波器123用作近红外线透射滤波器的情况下，优选光学滤波器123满足以下(A)及(B)。(A)优选波长400nm～730nm范围内的平均透射率为2％以下，(B)优选波长800nm～1000nm范围内的平均透射率为80％以上。如果在所述波长区域中平均透射率处于所述范围内，则在将近红外线透射滤波器(光学滤波器123)用作光电转换装置用途的情况下，能够充分地截止可见光线，能够实现优异的红外线传感，因此优选。
另外，优选光学滤波器123含有具有吸收红外线的功能的无机氧化物。作为无机氧化物，例如可使用含铯氧化钨。
另外，光学滤波器123具有含有热分解开始温度为150℃以上的色素的树脂基材。另外，所述色素含在玻璃化转变温度高的透明树脂中。由此，能够提高光学滤波器123的耐热性。作为色素，优选含有绿色色素及黑色色素。另外，作为绿色色素，优选为选自方酸内鎓系色素、酞菁系色素、及花青系色素中至少一种。
另外，在近红外线截止滤波器和红外线透射滤波器中，可在所述的树脂基材的至少一面上设置介电体多层膜。在将介电体多层膜设置在树脂基材的至少一个面上的情况下，削减制造成本，制造工序变得容易。另外，当将介电体多层膜设置在树脂基材的两面时，可以获得具有高强度并且不易发生翘曲或扭曲的光学滤波器123。当将光学滤波器123应用于光电转换装置等时，由于优选光学滤波器123的翘曲、扭曲小，所以优选在树脂基材的两面设置介电体多层膜。
另外，关于本实施方式的光学滤波器123，在进行在260℃的状态下保持60秒后冷却至室温的操作的回流试验前后，波长700nm至1100nm的平均透射率的变化率为5％以下。由此，即使在光电转换装置126和照相机模块120的制造工序中，施加了高温，也能够防止光学滤波器123因热而劣化，并且透射率发生变动。
另外，照相机模块120具有光电转换装置126、透镜117和封装118。光学滤波器123和光学低通滤波器115保持于封装118。另外，封装118具有容纳光电转换装置126的区域和保持透镜117的镜筒部，并且被固定于支撑基板111。
另外，通过在光电转换装置126中使用薄型化的光学滤波器123，能够实现光电转换装置126及照相机模块120的低背化。另外，通过设置光学滤波器123和光学低通滤波器115，可提高光电转换装置126的摄像画质。
在将设置有光学滤波器123的封装118设置在支撑基板111上时等，存在向近红外线截止滤波器施加260℃程度的温度的情况。由于本实施方式的光学滤波器123具有耐热性，因此能够抑制在回流工序中光学滤波器123劣化。
另外，本实施方式的光学滤波器123实现了薄型化。当在照相机模块等的透镜单元中使用光学滤波器123时，能够实现透镜单元的低背化、轻量化。
产业上的可利用性
本发明的一个实施方式的光学滤波器及光电转换装置可适宜地用于：数码相机、移动电话用照相机、数码摄像机、个人计算机用照相机、监视照相机、汽车用照相机、电视机、汽车导航系统用车载装置、便携式信息终端、视频游戏机、便携式游戏机、指纹认证系统用装置、数字音乐播放器等。进而，也可适宜用作安装在汽车或建筑物等的玻璃等上的热射线截止滤波器等。

Claims (13)

1.一种光电转换装置，包括：
光电转换元件，设置在半导体基板上；以及
光学滤波器，设置在所述光电转换元件上，且
所述光学滤波器包括：
树脂层，含有热分解开始温度为150℃以上的色素；以及
保护所述光电转换元件的层，且所述树脂层的动态硬度比保护所述光电转换元件的所述层的动态硬度高，
所述光学滤波器的所述树脂层的动态硬度为10mN/μm2以上且150mN/μm2以下，且
所述光学滤波器在回流试验前后，波长700nm至1100nm的平均透射率的变化率为5％以下，所述回流试验是在260℃的状态下保持60秒后、冷却至室温的操作。
2.根据权利要求1所述的光电转换装置，其中所述树脂层还含有无机氧化物。
3.根据权利要求2所述的光电转换装置，其中保护所述光电转换元件的所述层设置在所述光电转换元件上。
4.根据权利要求3所述的光电转换装置，其中所述无机氧化物为含铯氧化钨。
5.根据权利要求4所述的光电转换装置，其中所述树脂层的厚度为0.1μm以上且3.0μm以下。
6.根据权利要求5所述的光电转换装置，其中保护所述光电转换元件的所述层具有玻璃基材，
所述树脂层设置在所述玻璃基材的至少一个面上。
7.根据权利要求6所述的光电转换装置，其中所述树脂层是具有聚合性基的树脂组合物。
8.一种光电转换装置，包括：
光电转换元件，设置在半导体基板上；以及
光学滤波器，设置在所述光电转换元件上，且
所述光学滤波器中，
动态硬度为10mN/μm2以上且150mN/μm2以下，
满足以下(A)及(B)，并且包括
含有热分解开始温度为150℃以上的色素的树脂层以及保护所述光电转换元件的层，所述树脂层的动态硬度比保护所述光电转换元件的所述层的动态硬度高，
(A)波长430nm～580nm范围内的平均透射率为75％以上，
(B)波长700nm～800nm范围内的平均透射率为20％以下，
所述光学滤波器在回流试验前后，波长700nm至1100nm的平均透射率的变化率为5％以下，所述回流试验是在260℃的状态下保持60秒后、冷却至室温的操作。
9.根据权利要求8所述的光电转换装置，其中所述树脂层还含有无机氧化物。
10.根据权利要求9所述的光电转换装置，其中所述无机氧化物为含铯氧化钨。
11.一种光电转换装置，包括：
光电转换元件，设置在半导体基板上；以及
光学滤波器，设置在所述光电转换元件上，且
所述光学滤波器中，
动态硬度为10mN/μm2以上且150mN/μm2以下，
满足以下(A)及(B)，且包括：
含有热分解开始温度为150℃以上的色素的树脂层以及保护所述光电转换元件的层，所述树脂层的动态硬度比保护所述光电转换元件的所述层的动态硬度高，
(A)波长400nm～730nm范围内的平均透射率为2％以下，
(B)波长800nm～1000nm范围内的平均透射率为80％以上，
所述光学滤波器在回流试验前后，波长700nm至1100nm的平均透射率的变化率为5％以下，所述回流试验是在260℃的状态下保持60秒后、冷却至室温的操作。
12.根据权利要求11所述的光电转换装置，其中所述色素含有绿色色素及黑色色素。
13.根据权利要求12所述的光电转换装置，其中所述绿色色素为选自方酸内鎓系色素、酞菁系色素及花青系色素中的至少一种。
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Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007057746A (ja) * 2005-08-24 2007-03-08 Toppan Printing Co Ltd ブラックマトリックス、カラーフィルタ、及び液晶表示装置
CN101159281A (zh) * 2006-10-05 2008-04-09 索尼株式会社 固态成像装置和成像设备
JP2009157273A (ja) * 2007-12-27 2009-07-16 Nippon Shokubai Co Ltd 光選択透過フィルター
JP2010224366A (ja) * 2009-03-25 2010-10-07 Toyobo Co Ltd 近赤外線吸収フィルム
JP2011171328A (ja) * 2010-02-16 2011-09-01 Toppan Printing Co Ltd 固体撮像素子およびその製造方法
JP2012103340A (ja) * 2010-11-08 2012-05-31 Jsr Corp 近赤外線カットフィルター、およびそれを備える固体撮像素子ならびに固体撮像装置
CN102822745A (zh) * 2010-03-26 2012-12-12 住友电木株式会社 感光性树脂组合物及受光装置
WO2014192714A1 (ja) * 2013-05-29 2014-12-04 Jsr株式会社 光学フィルターおよび前記フィルターを用いた装置
CN105190374A (zh) * 2013-03-14 2015-12-23 富士胶片株式会社 固体摄像元件及其制造方法、红外光截止滤波器形成用硬化性组合物、照相机模块
WO2016098810A1 (ja) * 2014-12-19 2016-06-23 旭硝子株式会社 光学フィルタ及びこれを用いた装置
WO2017126528A1 (ja) * 2016-01-20 2017-07-27 富士フイルム株式会社 近赤外線吸収組成物、近赤外線カットフィルタの製造方法、近赤外線カットフィルタ、固体撮像素子、カメラモジュール、赤外線センサおよび赤外線吸収剤

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3163813B2 (ja) 1992-12-28 2001-05-08 日本ゼオン株式会社 近赤外線吸収樹脂組成物、および成形品
US7145722B2 (en) * 2003-04-24 2006-12-05 Banpil Photonics, Inc. Optical filter and method of manufacturing thereof
JP2006032886A (ja) 2004-06-15 2006-02-02 Fuji Photo Film Co Ltd 固体撮像装置及びその製造方法及びカメラモジュール
WO2011074371A1 (ja) * 2009-12-18 2011-06-23 株式会社カネカ 近赤外線吸収材料及びその製造方法
JP5741283B2 (ja) 2010-12-10 2015-07-01 旭硝子株式会社 赤外光透過フィルタ及びこれを用いた撮像装置
JP5988630B2 (ja) * 2012-03-16 2016-09-07 富士フイルム株式会社 赤外線吸収性組成物および赤外線カットフィルタ
KR101661088B1 (ko) * 2013-10-17 2016-09-28 제이에스알 가부시끼가이샤 광학 필터, 고체 촬상 장치 및 카메라 모듈
CN105657296B (zh) * 2014-10-11 2019-12-24 意法半导体有限公司 具有互连层间隙的图像感测设备及相关方法

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007057746A (ja) * 2005-08-24 2007-03-08 Toppan Printing Co Ltd ブラックマトリックス、カラーフィルタ、及び液晶表示装置
CN101159281A (zh) * 2006-10-05 2008-04-09 索尼株式会社 固态成像装置和成像设备
JP2009157273A (ja) * 2007-12-27 2009-07-16 Nippon Shokubai Co Ltd 光選択透過フィルター
JP2010224366A (ja) * 2009-03-25 2010-10-07 Toyobo Co Ltd 近赤外線吸収フィルム
JP2011171328A (ja) * 2010-02-16 2011-09-01 Toppan Printing Co Ltd 固体撮像素子およびその製造方法
CN102822745A (zh) * 2010-03-26 2012-12-12 住友电木株式会社 感光性树脂组合物及受光装置
JP2012103340A (ja) * 2010-11-08 2012-05-31 Jsr Corp 近赤外線カットフィルター、およびそれを備える固体撮像素子ならびに固体撮像装置
CN105190374A (zh) * 2013-03-14 2015-12-23 富士胶片株式会社 固体摄像元件及其制造方法、红外光截止滤波器形成用硬化性组合物、照相机模块
WO2014192714A1 (ja) * 2013-05-29 2014-12-04 Jsr株式会社 光学フィルターおよび前記フィルターを用いた装置
WO2016098810A1 (ja) * 2014-12-19 2016-06-23 旭硝子株式会社 光学フィルタ及びこれを用いた装置
WO2017126528A1 (ja) * 2016-01-20 2017-07-27 富士フイルム株式会社 近赤外線吸収組成物、近赤外線カットフィルタの製造方法、近赤外線カットフィルタ、固体撮像素子、カメラモジュール、赤外線センサおよび赤外線吸収剤

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