CN110928149B - 关键尺寸的控制方法及控制系统 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种关键尺寸的控制方法及控制系统，控制系统包括：第一数据库，用以提供光刻胶的显影延迟时间与关键尺寸的变异值的对应关系，同时收集存储产线上的光刻胶的实际显影延迟时间；变异值计算单元，用于实际显影延迟时间，从第一数据库中获得显影后光刻胶的关键尺寸的变异值；第二数据库，用于提供修剪时间与修剪值的对应关系；修剪时间计算单元，用于依据变异值，从第二数据库中获得光刻胶所需的修剪时间；修剪站，用于依据所需的修剪时间，对光刻胶进行修剪，以调整其关键尺寸。本发明可自动计算出由于显影延迟导致的光刻胶的关键尺寸的变异值及所需的相应修剪时间，并设立修剪站对光刻胶进行修剪，从而实现关键尺寸的稳定度控制。

Description

关键尺寸的控制方法及控制系统

技术领域

本发明属于半导体制造领域，特别是涉及一种关键尺寸的控制方法及控制系统。

背景技术

在半导体制造技术中，光刻是一种常用的制作工艺，通过光刻可以定义各种器件图形和线宽。光刻步骤一般包括：光刻胶涂覆、烘干、曝光、烘烤及显影，光刻质量的高低对半导体器件的性能、良率等具有重要影响。

随着超大集成电路的不断发展，电路设计越来越复杂、特征尺寸越来越小，电路的特征尺寸对器件性能的影响也越来越大。而光刻胶作为将电路图形转移至硅片的重要媒介，光刻胶图形的关键尺寸直接影响到硅片上实际的图形尺寸，最终影响产品的成品率。要确保硅片上图形的实际关键尺寸的精确性，首先要确保光刻胶图形关键尺寸的精确性。

现行采用的放大型光刻胶，在曝光后显影前会有烘烤工艺控制光酸反应和扩散，曝光至烘烤之间的时间延迟，会导致光酸浓度以及扩散的不可控，光刻胶会因为应力以及光酸反应效益造成关键尺寸改变，从而影响后续图形转移等工艺的实际图形尺寸，导致工艺的不稳定，降低产品良率。

基于以上所述，提供一种可以有效提高光刻胶的关键尺寸的控制精度的关键尺寸的控制方法及控制系统实属必要。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种关键尺寸的控制方法及控制系统，用于解决放大型光刻胶在曝光至烘烤延迟，因为应力以及光酸反应造成关键尺寸变大，导致关键尺寸精度降低的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种关键尺寸的控制方法，所述控制方法包括：建立光刻胶的显影延迟时间与关键尺寸的变异值的对应关系的第一数据库，所述第一数据库同时收集存储产线上的光刻胶的实际显影延迟时间；基于所述第一数据库，依据所述光刻胶的实际显影延迟时间获得光刻胶的关键尺寸的变异值；建立修剪时间与修剪值的对应关系的第二数据库；基于所述第二数据库，依据所述光刻胶的关键尺寸的变异值获得所述光刻胶所需的修剪时间；依据所需的修剪时间，对所述光刻胶进行修剪，以调整所述光刻胶的关键尺寸。

可选地，建立所述第一数据库包括：提供若干基底，于所述基底上形成光刻胶；依据目标关键尺寸值，对所述光刻胶进行曝光处理，并将所述光刻胶分别经过不同的放置时间后，进行烘烤及显影处理，所述放置时间即为所述显影延迟时间；测量不同放置时间下的光刻胶的量测关键尺寸值，依据所述量测关键尺寸值与所述目标关键尺寸值获得所述关键尺寸的变异值，并基于所述变异值与所述显影延迟时间，建立光刻胶的显影延迟时间与关键尺寸的变异值的对应关系的第一数据库。

可选地，建立所述第二数据库包括：提供若干曝光显影后的光刻胶，测量修剪前的所述光刻胶的第一关键尺寸值；将若干所述光刻胶分别在不同的修剪时间下进行修剪，并测量修剪后的所述光刻胶的第二关键尺寸值；依据所述第一关键尺寸与所述第二关键尺寸值，以获得在相应修剪时间下所述光刻胶的修剪值，并基于所述修剪值与修剪时间，建立修剪时间与修剪值的对应关系的第二数据库。

可选地，依据所需的修剪时间，对所述光刻胶进行修剪后，还包括：测量修剪后的所述光刻胶的关键尺寸值，并将该关键尺寸值反馈至所述修剪时间与修剪值的对应关系的第二数据库，以对所述第二数据库中的修剪时间与修剪值的对应关系进行修正。

可选地，所述光刻胶包括放大型的光刻胶，所述修剪的方法包括等离子体刻蚀法。

可选地，所述等离子体刻蚀的工艺条件包括：所述等离子体刻蚀的射频功率为4000～5000W；所述等离子体刻蚀的压力1～1.5torr；所述等离子体刻蚀的气体包括O₂和H₂/N₂混合气体，所述气体流量范围介于11000sccm～13000sccm之间；所述等离子体刻蚀的时间范围介于1秒～10秒之间；所述等离子体刻蚀的温度范围介于220～250℃。

本发明还提供一种关键尺寸的控制系统，包括：第一数据库，用以提供光刻胶的显影延迟时间与关键尺寸的变异值的对应关系，所述第一数据库同时收集存储产线上的光刻胶的实际显影延迟时间；变异值计算单元，连接于所述数据库，用于依据光刻胶的实际显影延迟时间，从所述第一数据库中获得所述光刻胶的关键尺寸的变异值；第二数据库，连接于所述变异值计算单元，用于提供修剪时间与修剪值的对应关系；修剪时间计算单元，连接于所述变异值计算单元，用于依据所述光刻胶的关键尺寸的变异值，从所述第二数据库中获得所述光刻胶所需的修剪时间；修剪站，连接于所述修剪时间计算单元，用于依据所需的修剪时间，对所述光刻胶进行修剪，以调整所述光刻胶的关键尺寸。

可选地，还包括反馈单元，连接于所述修剪站与所述第二数据库之间，用于测量通过所述修剪站修剪后的所述光刻胶的关键尺寸值，并将该关键尺寸值及对应的修剪时间反馈至所述第二数据库，以对所述第二数据库中的所述修剪时间与修剪值的对应关系进行修正。

可选地，所述光刻胶包括放大型的光刻胶，所述修剪站包括等离子体刻蚀的站点。

可选地，所述等离子体刻蚀的工艺条件包括：所述等离子体刻蚀的射频功率为4000～5000W；所述等离子体刻蚀的压力1～1.5torr；所述等离子体刻蚀的气体包括O₂和H₂/N₂混合气体，所述气体流量范围介于11000sccm～13000sccm之间；所述等离子体刻蚀的时间范围介于1秒～10秒之间；所述等离子体刻蚀的温度范围介于220～250℃。

如上所述，本发明的关键尺寸的控制方法及控制系统，具有以下有益效果：

本发明通过增加光刻胶的显影延迟时间与关键尺寸的变异值的对应关系的第一数据库以及修剪时间与修剪值的对应关系的第二数据库，可以自动计算出光刻胶的关键尺寸的变异值以及所需的相应修剪时间，并设立修剪站对光刻胶进行修剪，从而实现关键尺寸的稳定度控制，解决了放大型光刻胶烘烤显影延迟时，因为应力以及光酸反应造成关键尺寸变大的问题。

附图说明

图1显示为本发明的关键尺寸的控制方法各步骤所呈现的结构示意图。

图2～图4显示为本发明的关键尺寸的控制方法中的光刻胶的关键尺寸的变化示意图。

图5显示为本发明的关键尺寸的控制系统的结构框图。

元件标号说明

101 第一数据库

102 变异值计算单元

103 第二数据库

104 修剪时间计算单元

105 修剪站

106 反馈单元

201 基底

202 光刻胶

CD1 目标关键尺寸

CD2 变异后的关键尺寸

CD3 修剪后的关键尺寸

S11～S15 步骤

具体实施方式

以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。

请参阅图1～图5。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图示中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。

如图1～图4所示，本实施例提供一种关键尺寸的控制方法，所述控制方法包括：

如图1所示，首先进行步骤1)S11，建立光刻胶202的显影延迟时间与关键尺寸的变异值的对应关系的第一数据库，同时收集存储产线上的光刻胶的实际显影延迟时间；

在本实施例中，建立所述第一数据库包括：

步骤1-1)，提供若干基底201，于所述基底201上形成光刻胶202。

所述基底201可以为半导体衬底、介质层、金属层、抗反射层或其他需要刻蚀的材料基底201等，且并不限于此处所列举的示例。

可以采用如旋涂等工艺于所述基底201上形成光刻胶202。

步骤1-2)，依据目标关键尺寸值，对所述光刻胶202进行曝光处理，并将所述光刻胶202分别经过不同的放置时间后，进行烘烤及显影处理，所述放置时间即为所述显影延迟时间。所述曝光处理可以为紫外曝光处理或极紫外曝光处理等。所述放置时间为自所述光刻胶202曝光后至烘烤前所经历的时间。

步骤1-3)，测量不同放置时间下的光刻胶202的量测关键尺寸值，依据所述量测关键尺寸值与所述目标关键尺寸值获得所述关键尺寸的变异值，并基于所述变异值与所述显影延迟时间，建立光刻胶202的显影延迟时间与关键尺寸的变异值的对应关系的第一数据库。

例如，在本实施例中，通过多值实验验证后，利用最小二乘法拟合得到所述关键尺寸的变异值y与显影延迟时间x的关系基本符合关系式：y＝mx+b，其中，m和b为通过多值拟合后所获得的常数值。当然，在其他的实施例中，所述关键尺寸的变异值y与显影延迟时间x的关系基本符合关系式也可能发生一定的变化，可通过拟合的方式进行确定。

又如，可以通过多值实验，获得关键尺寸的变异值与显影延迟时间的关系曲线图，依据该曲线图，可以直接在曲线图上查找出与显影延迟时间对应的关键尺寸的变异值。

步骤1-4)，收集存储产线上的光刻胶202的实际显影延迟时间。在本实施例中，第一数据库与曝光显影机台相连，收集存储产线上的光刻胶202的实际曝光、烘烤以及显影的时间，并计算所述光刻胶的实际显影延迟时间。所述光刻胶202的实际显影延迟时间是自所述光刻胶202曝光后至烘烤前所经历的时间。

如图1～图3所示，步骤2)S12，基于所述第一数据库，依据所述光刻胶202的实际显影延迟时间获得显影后光刻胶202的关键尺寸的变异值。

在实际应用中，首先在需要刻蚀的基底201上形成光刻胶202并进行曝光处理，由于实际生产会产生各种等待时间，曝光后的光刻胶202通常需要放置一段时间后再进行烘烤显影，即有一定的显影延迟时间。这时，关键尺寸会因为应力以及光酸反应效益造成关键尺寸改变，产生一定的变异值，如图2及图3所示。本发明依据产线上的光刻胶202的实际显影延迟时间，从所述第一数据库中获得光刻胶202的关键尺寸的变异值，不需要对每个光刻胶202进行测量便可获得该变异值，可大大节约工艺步骤及成本，提高生产效率以及器件良率。

例如，可以通过关键尺寸的变异值y与显影延迟时间x的关系式，依据光刻胶202的实际显影延迟时间计算出光刻胶202的关键尺寸的变异值；又如，可以通过关键尺寸的变异值与显影延迟时间的关系曲线图，依据光刻胶202的实际显影延迟时间，从曲线图上直接查找出光刻胶202的关键尺寸的变异值。

如图1所示，然后进行步骤3)S13，建立修剪时间与修剪值的对应关系的第二数据库。

在本实施例中，建立所述第二数据库包括：

步骤3-1)，提供若干曝光显影后的光刻胶202，测量修剪前的所述光刻胶202的第一关键尺寸值。

步骤3-2)，将若干所述光刻胶202分别在不同的修剪时间下进行修剪，并测量修剪后的所述光刻胶202的第二关键尺寸值。

步骤3-3)，依据所述第一关键尺寸与所述第二关键尺寸值，以获得在相应修剪时间下所述光刻胶202的修剪值，并基于所述修剪值与修剪时间，建立修剪时间与修剪值的对应关系的第二数据库。

例如，可以通过最小二乘法拟合得到修剪时间与修剪值的对应关系的公式，又或者通过多值实验得出修剪时间与修剪值的对应关系曲线。

如图1所示，接着进行步骤4)S14，基于所述第二数据库，依据所述光刻胶202的关键尺寸的变异值获得所述光刻胶202所需的修剪时间。

如图1及图3～图4所示，最后进行步骤5)S15，依据所需的修剪时间，对所述光刻胶202进行修剪，以调整所述光刻胶202的关键尺寸。

如图3～图4所示，修剪前的光刻胶202的关键尺寸CD2会由于显影延迟而包含有变异值，依据所需的修剪时间，对所述光刻胶202进行修剪后，可以使得所述光刻胶202的关键尺寸CD3等于或接近目标关键尺寸CD1。

例如，所述光刻胶202可以为放大型的光刻胶202，所述修剪的方法包括等离子体刻蚀。所述等离子体刻蚀的工艺条件包括：所述等离子体刻蚀的射频功率为4000～5000W，如4400W；所述等离子体刻蚀的压力1～1.5torr，如1.2torr；所述等离子体刻蚀的气体包括O₂和H₂/N₂混合气体，所述气体流量范围介于11000sccm～13000sccm之间；所述等离子体刻蚀的时间范围介于1秒～10秒之间；所述等离子体刻蚀的温度范围介于220～250℃。所述刻蚀时间即为修剪时间。

在本实施例中，依据所需的修剪时间，对所述光刻胶202进行修剪后，还包括：测量修剪后的所述光刻胶202的关键尺寸值，并将该关键尺寸值反馈至所述修剪时间与修剪值的对应关系的第二数据库，以对所述第二数据库中的修剪时间与修剪值的对应关系进行修正，以使得所述修剪时间更符合当前制程条件下的光刻胶202的修剪，提高所述修剪时间的计算精度。

如图5所示，本实施例还提供一种关键尺寸的控制系统，所述控制系统包括第一数据库101、变异值计算单元102、第二数据库103、修剪时间计算单元104、以及修剪站105，所述第一数据库101、变异值计算单元102、第二数据库103、修剪时间计算单元104可通过计算机或其他电子设备实现。

如图5所示，所述第一数据库101用以提供光刻胶202的显影延迟时间与关键尺寸的变异值的对应关系，同时收集存储产线上的光刻胶的实际显影延迟时间。

例如，通过多值实验后，利用最小二乘法拟合得到所述关键尺寸的变异值y与显影延迟时间x的关系基本符合关系式：y＝mx+b，其中，m和b为通过多值拟合后所获得的常数值。当然，在其他的实施例中，所述关键尺寸的变异值y与显影延迟时间x的关系基本符合关系式也可能发生一定的变化，可通过拟合的方式进行确定。

又如，可以通过多值实验后，获得关键尺寸的变异值与显影延迟时间的关系曲线图，依据该曲线图，可以直接在曲线图上查找出与显影延迟时间对应的关键尺寸的变异值。

同时所述第一数据库101收集存储产线上的光刻胶的实际显影延迟时间。在本实施例中，第一数据库与曝光显影机台相连，收集存储产线上的光刻胶202的实际曝光、烘烤以及显影的时间，并计算所述光刻胶的实际显影延迟时间。所述光刻胶202的实际显影延迟时间是自所述光刻胶202曝光后至烘烤前所经历的时间。

如图5所示，所述变异值计算单元102连接于所述数据库，用于依据所述光刻胶202的实际显影延迟时间，从所述第一数据库101中获得所述光刻胶202的关键尺寸的变异值。

例如，可以通过关键尺寸的变异值y与显影延迟时间x的关系式，依据光刻胶202的实际显影延迟时间计算出光刻胶202的关键尺寸的变异值；又如，可以通过关键尺寸的变异值与显影延迟时间的关系曲线图，依据光刻胶202的实际显影延迟时间，从曲线图上直接查找出光刻胶202的关键尺寸的变异值。

如图5所示，所述第二数据库103连接于所述变异值计算单元102，用于提供修剪时间与修剪值的对应关系。

例如，可以通过最小二乘法拟合得到修剪时间与修剪值的对应关系的公式，又或者通过多值实验得出修剪时间与修剪值的对应关系曲线。

如图5所示，所述修剪时间计算单元104连接于所述变异值计算单元102，用于依据所述光刻胶202的关键尺寸的变异值，从所述第二数据库103中获得所述光刻胶202所需的修剪时间。

所述修剪站105连接于所述修剪时间计算单元104，用于依据所需的修剪时间，对所述光刻胶202进行修剪，以调整所述光刻胶202的关键尺寸。

所述光刻胶202可以为放大型的光刻胶202，所述修剪站包括等离子体刻蚀的站点，所述等离子体刻蚀的工艺条件包括：所述等离子体刻蚀的射频功率为4000～5000W，如4400W；所述等离子体刻蚀的压力1～1.5torr，如1.2torr；所述等离子体刻蚀的气体包括O₂和H₂/N₂混合气体，所述气体流量范围介于11000sccm～13000sccm之间；所述等离子体刻蚀的时间范围介于1秒～10秒之间；所述等离子体刻蚀的温度范围介于220～250℃。所述刻蚀时间即为修剪时间。

如图5所示，所述控制系统还包括反馈单元106，连接于所述修剪站105与所述第二数据库103之间用于测量通过所述修剪站105修剪后的所述光刻胶202的关键尺寸值，并将该关键尺寸值及对应的修剪时间反馈至所述第二数据库103，以对所述第二数据库103中的所述修剪时间与修剪值的对应关系进行修正，以使得所述修剪时间更符合当前制程条件下的光刻胶202的修剪，提高所述修剪时间的计算精度。

如上所述，本发明的关键尺寸的控制方法及控制系统，具有以下有益效果：

本发明通过增加光刻胶的显影延迟时间与关键尺寸的变异值的对应关系的第一数据库以及修剪时间与修剪值的对应关系的第二数据库，可以自动计算出光刻胶的关键尺寸的变异值以及所需的相应修剪时间，并设立修剪站对光刻胶进行修剪，从而实现关键尺寸的稳定度控制，解决了放大型光刻胶显影烘烤延迟时，关键尺寸容易因为应力以及光酸反应造成关键尺寸变大的问题。

所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。

上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。

Claims (10)

1.一种关键尺寸的控制方法，其特征在于，所述控制方法包括：

建立光刻胶的显影延迟时间与关键尺寸的变异值的对应关系的第一数据库，所述显影延迟时间为自所述光刻胶曝光后至烘烤前所经历的时间，所述关键尺寸的变异值y与显影延迟时间x的关系符合关系式：y＝mx+b，其中，m和b为通过多值拟合后所获得的常数值；所述第一数据库同时收集存储产线上的光刻胶的实际显影延迟时间；

基于所述第一数据库，依据所述光刻胶的实际显影延迟时间获得显影后光刻胶的关键尺寸的变异值；

建立修剪时间与修剪值的对应关系的第二数据库；

基于所述第二数据库，依据所述光刻胶的关键尺寸的变异值获得所述光刻胶所需的修剪时间，修剪前的所述光刻胶的关键尺寸由于显影延迟而包含有变异值；

依据所需的修剪时间，对所述光刻胶进行修剪，以调整所述光刻胶的关键尺寸。

2.根据权利要求1所述的关键尺寸的控制方法，其特征在于，建立所述第一数据库包括：

提供若干基底，于所述基底上形成光刻胶；

依据目标关键尺寸值，对所述光刻胶进行曝光处理，并将所述光刻胶分别经过不同的放置时间后，进行烘烤及显影处理，所述放置时间即为所述显影延迟时间；

测量不同放置时间下的光刻胶的量测关键尺寸值，依据所述量测关键尺寸值与所述目标关键尺寸值获得所述关键尺寸的变异值，并基于所述变异值与所述显影延迟时间，建立光刻胶的显影延迟时间与关键尺寸的变异值的对应关系的第一数据库。

3.根据权利要求1所述的关键尺寸的控制方法，其特征在于：建立所述第二数据库包括：

提供若干曝光显影后的光刻胶，测量修剪前的所述光刻胶的第一关键尺寸值；

将若干所述光刻胶分别在不同的修剪时间下进行修剪，并测量修剪后的所述光刻胶的第二关键尺寸值；

依据所述第一关键尺寸与所述第二关键尺寸值，以获得在相应修剪时间下所述光刻胶的修剪值，并基于所述修剪值与修剪时间，建立修剪时间与修剪值的对应关系的第二数据库。

4.根据权利要求3所述的关键尺寸的控制方法，其特征在于：依据所需的修剪时间，对所述光刻胶进行修剪后，还包括：

测量修剪后的所述光刻胶的关键尺寸值，并将该关键尺寸值反馈至所述修剪时间与修剪值的对应关系的第二数据库，以对所述第二数据库中的修剪时间与修剪值的对应关系进行修正。

5.根据权利要求1～4任意一项所述的关键尺寸的控制方法，其特征在于：所述光刻胶包括放大型的光刻胶，所述修剪的方法包括等离子体刻蚀法。

6.根据权利要求5所述的关键尺寸的控制方法，其特征在于，所述等离子体刻蚀的工艺条件包括：

所述等离子体刻蚀的射频功率为4000～5000W；

所述等离子体刻蚀的压力1～1.5torr；

所述等离子体刻蚀的气体包括O₂和H₂/N₂混合气体，所述气体的流量范围介于11000sccm～13000sccm之间；

所述等离子体刻蚀的时间范围介于1秒～10秒之间；

所述等离子体刻蚀的温度范围介于220～250℃。

7.一种关键尺寸的控制系统，其特征在于，包括：

第一数据库，用以提供光刻胶的显影延迟时间与关键尺寸的变异值的对应关系，所述显影延迟时间为自所述光刻胶曝光后至烘烤前所经历的时间，所述关键尺寸的变异值y与显影延迟时间x的关系符合关系式：y＝mx+b，其中，m和b为通过多值拟合后所获得的常数值；所述第一数据库同时收集存储产线上的光刻胶的实际显影延迟时间；

变异值计算单元，连接于所述数据库，用于依据光刻胶的实际显影延迟时间，从所述

第一数据库中获得所述光刻胶的关键尺寸的变异值；

第二数据库，连接于所述变异值计算单元，用于提供修剪时间与修剪值的对应关系；

修剪时间计算单元，连接于所述变异值计算单元，用于依据所述光刻胶的关键尺寸的变异值，从所述第二数据库中获得所述光刻胶所需的修剪时间，修剪前的所述光刻胶的关键尺寸由于显影延迟而包含有变异值；

修剪站，连接于所述修剪时间计算单元，用于依据所需的修剪时间，对所述光刻胶进行修剪，以调整所述光刻胶的关键尺寸。

8.根据权利要求7所述的关键尺寸的控制系统，其特征在于：还包括反馈单元，连接于所述修剪站与所述第二数据库之间，用于测量通过所述修剪站修剪后的所述光刻胶的关键尺寸值，并将该关键尺寸值及对应的修剪时间反馈至所述第二数据库，以对所述第二数据库中的所述修剪时间与修剪值的对应关系进行修正。

9.根据权利要求7所述的关键尺寸的控制系统，其特征在于：所述光刻胶包括放大型的光刻胶，所述修剪站包括等离子体刻蚀的站点。

10.根据权利要求9所述的关键尺寸的控制系统，其特征在于，所述等离子体刻蚀的工艺条件包括：

所述等离子体刻蚀的射频功率为4000～5000W；

所述等离子体刻蚀的压力1～1.5torr；

所述等离子体刻蚀的气体包括O₂和H₂/N₂混合气体，所述气体的流量范围介于11000sccm～13000sccm之间；

所述等离子体刻蚀的时间范围介于1秒～10秒之间；

所述等离子体刻蚀的温度范围介于220～250℃。