CN110911571A - 有机电子器件、有机半导体材料和硼烷化合物 - Google Patents

有机电子器件、有机半导体材料和硼烷化合物 Download PDF

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Abstract

本发明涉及一种有机电子器件、有机半导体材料和硼烷化合物。更具体地，本发明涉及一种包含硼烷化合物的有机电子器件或有机半导体材料以及相应的硼烷化合物，所述硼烷化合物包含至少一个处于氧化态(III)的硼原子和至少一个阴离子配体，所述阴离子配体具有式(Ia)或(Ib)，其中的符号具有说明书中给出的含义。
Figure DDA0002196920030000011

Description

有机电子器件、有机半导体材料和硼烷化合物
技术领域
本发明涉及一种有机电子器件、有机半导体材料和硼烷化合物。更具体地，本发明涉及一种包含硼烷化合物的有机电子器件或有机半导体材料以及相应的硼烷化合物，所述硼烷化合物包含至少一个处于氧化态(III)的硼原子和至少一个根据本发明的阴离子配体。
背景技术
作为自发光器件的有机发光二极管(OLED)具有宽视角，优异的对比度，快速响应，高亮度，优异的驱动电压特性和色彩再现。典型的OLED包括阳极、空穴传输层(HTL)、发光层(EML)、电子传输层(ETL)和阴极，它们依序层叠在基底上。在这方面，HTL、EML和ETL是由有机和/或有机金属化合物形成的薄膜。
当向阳极和阴极施加电压时，从阳极电极注入的空穴经由HTL移动到EML，并且从阴极电极注入的电子经由ETL移动到EML。空穴和电子在EML中重新组合以产生激子。当激子从激发态下降到基态时，发光。应该平衡空穴和电子的注入和流动，使得具有上述结构的OLED具有优异的效率。
WO 2017/029370 A1公开了金属酰胺及其作为有机发光二极管的空穴注入层的用途。
《应用化学》(Angewandte Chemie),国际版2011,50,2098-2101公开了一种空气敏感的可真空蒸馏的浓稠液体形式的化合物，其组成为C10H14BF6NO4S2，结构为
Figure BDA0002196920010000021
并且指定化学文摘服务号1283232-76-7。
WO 2017/029366 A1公开了一种用于有机发光二极管的空穴注入层，其包含掺杂有电荷中性金属酰胺化合物的三芳基胺化合物，所述空穴注入层具有20至1,000nm的厚度。
然而，仍然需要改善有机电子器件和/或有机半导体材料的性能，特别是包含有机电荷传输材料的光电子器件例如有机发光二极管(OLED)或有机光伏(OPV)器件的性能，以及包括所述光电子器件的复杂装置例如OLED显示器的性能。
因此，本发明的目的是提供一种克服现有技术缺点的有机电子器件和/或有机半导体材料，特别是提供包含空穴传输材料、空穴注入材料、空穴产生材料或其中两种或更多种以改善相应器件的性能，特别是用于改善其初始电压、效率或电压稳定性的有机电子器件/有机半导体材料。
发明内容
上述目的通过一种有机电子器件实现，所述有机电子器件包含硼烷化合物，所述硼烷化合物包含至少一个处于氧化态(III)的硼原子和至少一个阴离子配体，所述阴离子配体具有式(Ia)或(Ib)：
Figure BDA0002196920010000031
其中在所述式(Ia)和(Ib)中，
A1至A6独立地选自CO、SO2或POX1；
X1独立地选自卤离子，腈，卤化或全卤化的C1至C20烷基，卤化或全卤化的C6至C20芳基，和具有5至20个成环原子的卤化或全卤化的杂芳基；并且
R1至R6独立地选自被取代或未被取代的C1至C20烷基，被取代或未被取代的C1至C20杂烷基，被取代或未被取代的C6至C20芳基，和被取代或未被取代的C5至C20杂芳基，其中R1和R2可彼此连接以形成环。
包含在具有式(Ia)或(Ib)的阴离子配体中的基团A1至A6是吸电子基团。
根据本发明，包含在具有式Ia的阴离子配体中的基团R1和R2可以彼此连接以形成环。这意味着基团R1和R2可以经由共价键彼此连接，特别是经由共价单键连接。在这种情况中，两个部分R1和R2之间的连接以这样的方式实现，即R1部分的一个氢原子和R2部分的一个氢原子分别被连接的共价键代替。
本发明人惊奇地发现，如上文所定义的包含本发明硼烷化合物的有机电子器件显示出改善的电子性能，特别是具有改善的初始电压、量子效率和电压稳定性。
硼原子可经由共价键与阴离子配体中包含的至少一个氮原子直接结合。在这方面，与硼原子直接结合的氮原子可以是上文式(Ia)和(Ib)中明确显示的N原子之一(在上式中分别带有负电荷)，即，如果部分R1至R6或X1被选择为含N杂烷基或含N杂芳基，则与硼原子直接结合的氮原子可以不是可能包含在这些部分中的氮原子之一。以这种方式，可以进一步改善有机电子器件的性能，特别是关于其初始电压、量子效率和/或电压稳定性实现进一步改善。
在有机电子器件中，可以提供的是，结构部分X1、R1、R2、R3、R4、R5和R6的至少一个部分中包含的氢原子总数的至少50％、或者至少66％、或者至少75％、或者至少80％、或者至少90％、或者至少100％被取代基代替，其中所述取代基独立地选自F、Cl、Br、I和CN。以这种方式，可以进一步改善有机电子器件的性能，特别是关于其初始电压、量子效率和/或电压稳定性实现进一步改善。
在上面概述的实施方式中，其中在结构部分R1、R2、R3、R4、R5和R6中的至少一个部分中包含的特定量(以百分比表示)的氢原子被取代基代替，参照的是其中相应的部分最初未被取代的情况。例如，如果烷基基团的氢原子总数的50％被取代基代替，则参照未被取代的烷基基团。换句话说，上述实施方式是指其中取代度在特定程度上的被取代部分的特定情况。此外，应理解，上述实施方式中的取代度是指单个部分中的氢原子的代替。
在有机电子器件中，还可以提供的是，所有结构部分X1、R1、R2、R3、R4、R5和R6中包含的氢原子总数的至少50％、或者至少66％、或者至少75％、或者至少80％、或者至少90％、或者至少100％被独立地选自F、Cl、Br、I和CN的取代基代替。以这种方式，可以进一步改善有机电子器件的性能，特别是关于其初始电压、量子效率和/或电压稳定性实现进一步改善。
此外在该实施方式中，概述的情况(氢被取代基代替)当然参照这样的情况，其中各个部分是最初未被取代的烷基/芳基。该实施方式与上述实施方式的不同之处在于，参照一起计数的所有部分X1、R1、R2、R3、R4、R5和R6中包含的所有氢原子的总数。
应理解，术语“电性能”是指在如本文所定义的器件中包含的半导体材料和层中电子的注入和/或传输。
关于有机电子器件，可以提供的是，有机电子器件包括第一电极、第二电极和有机半导体层，其中所述有机半导体层布置在所述第一电极与所述第二电极之间，并且所述有机半导体层包含硼烷化合物。以这种方式，可以进一步改善有机电子器件的性能，特别是关于其初始电压、量子效率和/或电压稳定性实现进一步改善。
此外，关于有机电子器件可以提供的是，有机半导体层是空穴注入层、空穴传输层或空穴产生层。以这种方式，可以进一步改善有机电子器件的性能，特别是关于其初始电压、量子效率和/或电压稳定性实现进一步改善。
在这方面，可以提供的是，有机电子器件包括两个或更多个上述层(空穴注入层、空穴传输层和空穴产生层)，其中可以提供的是，多于一个或所有的这些层包含所述硼化合物。
关于有机电子器件还可以提供的是，有机电子器件是有机电致发光器件、有机晶体管、有机二极管或有机光伏器件。
此外可以提供的是，有机电致发光器件是有机发光二极管。
本发明的有机电子器件是包括至少一个有机半导体层(通常多个有机半导体层)的有机电子器件。这些层可以例如通过蒸发化合物并使其沉积在基底(或先前层)上以形成层来制备。根据本发明，所述器件的至少一个层可以是空穴注入层、空穴传输层或空穴产生层，并且包含如本文所定义的硼烷化合物。在这方面，可以提供的是，除了另一种材料之外，硼烷化合物包含在所述层中，例如在硼烷化合物是掺杂剂的情况下，该掺杂剂与合适的基质化合物一起包含在该层中。同样，可以提供的是，各个层由硼烷化合物组成，即所述层不包含任何其它成分(除了通过常规技术手段无法避免的杂质)。在由硼烷化合物组成的层的这种情况下，各个层可以是空穴注入层。
如果硼烷化合物是电掺杂剂，则所述电掺杂剂(其可以嵌入电荷传输基质化合物中)可以改善基质材料的电导率和/或电荷在其中的注入。这种层中的基质材料是主要材料。
应理解，如本文所用的术语“电掺杂剂”是指改善半导体材料和/或层的电性能的化合物。结果，可以改善包括掺杂的半导体材料和/或层的器件的电导率、工作电压、电压随时间的上升、效率和或寿命。电掺杂剂可以是不发光的。
在有机电子器件中，包含硼烷化合物的至少一个层可以是固体。
在有机电子器件中，包含硼烷化合物的层可以是非晶的。在这方面，如果通过与块材料相同的程序(例如真空沉积或通过蒸发材料于特定溶剂中的溶液)提供层，则通过标准程序测得玻璃化转变温度高于室温的块材料应该形成非晶层。标准程序在实验部分中描述。
包含硼烷化合物的层可以是不发光的。
该目的进一步通过包含硼烷化合物的有机半导体材料实现，所述硼烷化合物包含至少一个处于氧化态(III)的硼原子和至少一个阴离子配体，所述阴离子配体具有式(Ia)或(Ib)，
Figure BDA0002196920010000071
其中在所述式(Ia)和(Ib)中，
A1至A6独立地选自CO、SO2或POX1；
X1独立地选自卤离子，腈，卤化或全卤化的C1至C20烷基，卤化或全卤化的C6至C20芳基，和具有5至20个成环原子的卤化或全卤化的杂芳基；并且
R1至R6独立地选自被取代或未被取代的C1至C20烷基，被取代或未被取代的C1至C20杂烷基，被取代或未被取代的C6至C20芳基，和被取代或未被取代的C5至C20杂芳基，其中R1和R2可彼此连接以形成环。
在这方面，正如以这种方式实现的技术效果，上文关于包含在有机电子器件中的所述硼化合物所述的实施方式也适用于有机半导体材料的情况。
本发明人惊奇地发现，如上文所定义的有机半导体材料在用于有机电子器件中时(特别是当用于其空穴注入层、空穴传输层或空穴产生层中时)，有助于改善其初始电压、量子效率和电压稳定性。
关于有机半导体材料，可以提供的是，其还(除了硼烷化合物之外)包含有机基质化合物。
有机半导体材料可以是空穴传输材料并且有机基质化合物可以是有机空穴传输基质化合物。
在这方面，可以提供的是，有机空穴传输基质化合物包含至少6个、或者至少10个、或者至少14个离域电子的共轭体系。
在这方面可进一步提供的是，有机空穴传输基质化合物选自包含至少一个被独立地选自芳基和杂芳基的基团取代的胺氮的有机化合物。下面提到合适的空穴传输基质材料的非限制性实例。
应理解，在这方面，术语“半导体”涉及具有电子传导性机制的材料和/或器件。半导体中的电流可以通过移动电子的流动来解释。这与利用离子传导性的电子器件有显著差异。这种器件(不是根据本发明的)，例如原电池，包含具有移动离子的电解质，并且其中的电流伴随有通过所述电解质的离子流。
此外，所述目的通过具有式(II)的硼烷化合物实现，
Figure BDA0002196920010000081
其中Q1和Q2独立地选自未被取代的C1至C30烃基，其中Q1和Q2可任选地彼此连接以形成环；并且
Z是阴离子配体，所述阴离子配体具有式(Ia)或(Ib)，
Figure BDA0002196920010000082
其中在所述式(Ia)和(Ib)中，
A1至A6独立地选自CO、SO2或POX1；
X1独立地选自卤离子，腈，卤化或全卤化的C1至C20烷基，卤化或全卤化的C6至C20芳基，和具有5至20个成环原子的卤化或全卤化的杂芳基；
R1至R6独立地选自被取代或未被取代的C1至C20烷基，被取代或未被取代的C1至C20杂烷基，被取代或未被取代的C6至C20芳基，和被取代或未被取代的C5至C20杂芳基，其中R1和R2可彼此连接以形成环；
并且
排除具有下式的化合物，
Figure BDA0002196920010000091
其中Z是双(三氟甲基磺酰基)酰亚胺阴离子配体。
本发明人惊奇地发现，如上文所定义的硼烷化合物，当用于有机电子器件或有机半导体材料中，特别是用于空穴注入层、空穴传输层或空穴产生层中时，适合于改善相应器件的初始电压、量子效率和/或电压稳定性。
关于本发明的硼烷化合物，可以提供的是，Q1和Q2独立地选自C1至C30烷基和C1至C30环烷基。
关于本发明的硼烷化合物，还可以提供的是，A1、A2、A3、A4、A5和A6独立地选自SO2和POX1，或者所有A1、A2、A3、A4、A5和A6都是SO2。
关于本发明的硼烷化合物，还可以提供的是，X1、R1、R2、R3、R4、R5和R6各自独立地选自卤化C1至C30烃基，或者全卤化C1至C30烃基，或者选自氟化C1至C30烃基，或者选自全氟化C1至C30烃基。
在这方面，还可以提供的是，在本发明的硼烷化合物中，结构部分X1、R1、R2、R3、R4、R5和R6的至少一个部分中包含的氢原子总数的至少50％、或者至少66％、或者至少75％、或者至少80％、或者至少90％、或者至少100％被取代基代替，其中所述取代基独立地选自F、Cl、Br、I和CN。
此外，可以提供的是，在本发明的化合物中，所有结构部分X1、R1、R2、R3、R4、R5和R6中包含的氢原子总数的至少50％、或者至少66％、或者至少75％、或者至少80％、或者至少90％、或者至少100％一起被独立地选自F、Cl、Br、I和CN的取代基代替。
可以提供的是，本发明的硼烷化合物是如下化合物中的一种或多种：式(IIa)的化合物E1-E2，
Figure BDA0002196920010000101
具有下式的化合物E3
Figure BDA0002196920010000102
或式(IIa)的化合物E4-E6中的一种或多种，
Figure BDA0002196920010000103
其中Z是选自结构Z1-Z6的阴离子配体
Figure BDA0002196920010000104
Figure BDA0002196920010000111
使用示例性化合物，可以进一步改善有机电子器件的性能，特别是关于其初始电压、效率和/或电压寿命实现进一步改善。
该目的还通过一种用于制备如本文所定义的有机电子器件的方法来实现，所述方法包括以下步骤：
(1)将包含至少一个处于氧化态(III)的硼原子和至少一个阴离子配体的硼烷化合物溶解在适当溶剂中，所述阴离子配体具有式(Ia)或(Ib)
Figure BDA0002196920010000112
其中在所述式(Ia)和(Ib)中，
A1至A6独立地选自CO、SO2或POX1；
X1独立地选自卤离子，腈，卤化或全卤化的C1至C20烷基，卤化或全卤化的C6至C20芳基，和具有5至20个成环原子的卤化或全卤化的杂芳基；并且
R1至R6独立地选自被取代或未被取代的C1至C20烷基，被取代或未被取代的C1至C20杂烷基，被取代或未被取代的C6至C20芳基，和被取代或未被取代的C5至C20杂芳基，其中R1和R2可彼此连接以形成环；以及
(2)将来自所述溶液的所述硼烷化合物沉积在固体载体上。
该目的通过使用硼烷化合物进一步实现，所述硼烷化合物包含至少一个处于氧化态(III)的硼原子和至少一个阴离子配体，所述阴离子配体具有式(Ia)或(Ib)，
Figure BDA0002196920010000121
其中在所述式(Ia)和(Ib)中，
A1至A6独立地选自CO、SO2或POX1；
X1独立地选自卤离子，腈，卤化或全卤化的C1至C20烷基，卤化或全卤化的C6至C20芳基，和具有5至20个成环原子的卤化或全卤化的杂芳基；并且
R1至R6独立地选自被取代或未被取代的C1至C20烷基，被取代或未被取代的C1至C20杂烷基，被取代或未被取代的C6至C20芳基，和被取代或未被取代的C5至C20杂芳基，其中R1和R2可彼此连接以形成环，所述硼烷化合物用于制备有机电子器件。
其它层
根据本发明，除了上面已经提到的层之外，有机电子器件还可以包括其它层。下文描述各个层的示例性实施方式：
基底
基底可以是通常用于制造有机电子器件例如有机发光二极管的任何基底。如果要通过基底发光，则基底应为透明或半透明材料，例如玻璃基底或透明塑料基底。如果要通过顶面发光，则基底可以是透明材料以及非透明材料，例如玻璃基底、塑料基底、金属基底或硅基底。
阳极电极
第一电极或第二电极可以是阳极电极。可以通过沉积或溅射用于形成阳极电极的材料来形成阳极电极。用于形成阳极电极的材料可以是高逸出功材料，以便于空穴注入。阳极材料也可选自低逸出功材料(即铝)。阳极电极可以是透明或反射电极。透明导电氧化物，例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、二氧化锡(SnO2)、氧化铝锌(AlZO)和氧化锌(ZnO)，可用于形成阳极电极。阳极电极也可以使用金属形成，通常是银(Ag)、金(Au)或金属合金。
空穴注入层
根据本发明，空穴注入层可包含如上文非常详细描述的硼烷化合物。可以通过真空沉积、旋涂、印刷、浇铸、槽模涂布、Langmuir-Blodgett(LB)沉积等在阳极电极上形成空穴注入层(HIL)。当使用真空沉积形成HIL时，沉积条件可根据用于形成HIL的化合物以及HIL的期望结构和热性质而变化。然而，一般而言，真空沉积的条件可包括100℃至500℃的沉积温度，10-8至10-3托(1托等于133.322Pa)的压力，以及0.1至10纳米/秒的沉积速率。
当使用旋涂或印刷形成HIL时，涂布条件可根据用于形成HIL的化合物以及HIL的所需结构和热性质而变化。例如，涂布条件可包括约2000rpm至约5000rpm的涂布速度，和约80℃至约200℃的热处理温度。在进行涂布后热处理除去溶剂。
HIL可由通常用于形成HIL的任何化合物形成，特别是在有机电子器件包括包含硼烷化合物的另一个层时情况如此。可用于形成HIL的化合物的实例包括酞菁化合物，例如铜酞菁(CuPc)，4,4',4"-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)，TDATA，2T-NATA，聚苯胺/十二烷基苯磺酸(Pani/DBSA)，聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PEDOT/PSS)，聚苯胺/樟脑磺酸(Pani/CSA)和聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PANI/PSS)。
在这种情况下，HIL可以是纯的p型掺杂剂层，或者可以选自掺杂有p型掺杂剂的空穴传输基质化合物。已知的氧化还原掺杂的空穴传输材料的典型实例是：HOMO能级为约-5.2eV的铜酞菁(CuPc)，其掺杂有LUMO能级为约-5.2eV的四氟-四氰基醌二甲烷(F4TCNQ)；掺杂有F4TCNQ的锌酞菁(ZnPc)(HOMO＝-5.2eV)；掺杂有F4TCNQ的α-NPD(N,N'-双(萘-1-基)-N,N'-双(苯基)-联苯胺)；掺杂有2,2'-(全氟萘-2,6-二亚基)二丙二腈的α-NPD(PD1)；掺杂有2,2',2”-(环丙烷-1,2,3-三亚基)三(2-(对氰基四氟苯基)乙腈)的α-NPD(PD2)。掺杂剂浓度可以选自1重量％至20重量％，更优选3重量％至10重量％。
HIL的厚度可以在约1nm至约100nm的范围内，并且例如约1nm至约25nm。当HIL的厚度在该范围内时，HIL可具有优异的空穴注入特性，而没有驱动电压的显著损失。
空穴传输层
根据本发明，空穴传输层可以包含如上文详细描述的硼烷化合物。
空穴传输层(HTL)可以通过真空沉积、旋涂、槽模涂布、印刷、浇铸、Langmuir-Blodgett(LB)沉积等形成在HIL上。当HTL通过真空沉积或旋涂形成时，沉积和涂布的条件可以与用于形成HIL的条件类似。然而，根据用于形成HTL的化合物，真空或溶液沉积的条件可以变化。
在HTL不包含根据本发明的硼烷化合物但是硼烷化合物包含在另一个层中的情况下，HTL可以由通常用于形成HTL的任何化合物形成。可以适宜使用的化合物公开于例如Yasuhiko Shirota和Hiroshi Kageyama,《化学评论》(Chem.Rev.)2007,107,953-1010中并通过引用并入。可用于形成HTL的化合物的实例是：咔唑衍生物，例如N-苯基咔唑或聚乙烯基咔唑；联苯胺衍生物，例如N,N'-双(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-[1,1-联苯]-4,4'-二胺(TPD)，或N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基联苯胺(α-NPD)；以及基于三苯胺的化合物，例如4,4',4"三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA)。在这些化合物中，TCTA可以传输空穴并抑制激子扩散到EML中。
HTL的厚度可以在约5nm至约250nm，优选约10nm至约200nm，进一步约20nm至约190nm，进一步约40nm至约180nm，进一步约60nm至约170nm，进一步约80nm至约160nm，进一步约100nm至约160nm，进一步约120nm至约140nm的范围内。HTL的优选厚度可以是170nm至200nm。
当HTL的厚度在该范围内时，HTL可以具有优异的空穴传输特性，而没有驱动电压的显著损失。
电子阻挡层
电子阻挡层(EBL)的功能是防止电子从发光层转移到空穴传输层，从而将电子限制在发光层。因此，改善了效率、工作电压和/或寿命。通常，电子阻挡层包含三芳基胺化合物。三芳基胺化合物可具有比空穴传输层的LUMO能级更接近于真空能级的LUMO能级。与空穴传输层的HOMO能级相比，电子阻挡层可具有更远离真空能级的HOMO能级。电子阻挡层的厚度可以在2nm和20nm之间选择。
电子阻挡层可包含下文(Z)的式Z化合物。
Figure BDA0002196920010000161
在式Z中，CY1和CY2彼此相同或不同，并且各自独立地表示苯环或萘环，Ar1至Ar3彼此相同或不同，并且各自独立地选自氢；被取代或未被取代的具有6至30个碳原子的芳基基团；和被取代或未被取代的具有5至30个碳原子的杂芳基基团，Ar4选自被取代或未被取代的苯基基团，被取代或未被取代的联苯基团，被取代或未被取代的三联苯基团，被取代或未被取代的三亚苯基团，和被取代或未被取代的具有5至30个碳原子的杂芳基基团，L是被取代或未被取代的具有6至30个碳原子的亚芳基基团。
如果电子阻挡层具有高的三重态能级，则它也可以被描述为三重态控制层。
如果使用发磷光的绿色或蓝色发光层，则三重态控制层的功能是减少三重态的猝灭。由此，可以实现来自磷光发光层的更高的发光效率。三重态控制层选自三芳基胺化合物，其三重态能级高于相邻发光层中磷光发光体的三重态能级。适用于三重态控制层的化合物，特别是三芳基胺化合物，描述于EP 2 722 908 A1中。
发光层(EML)
EML可以通过真空沉积、旋涂、槽模涂布、印刷、浇铸、LB沉积等形成在HTL上。当使用真空沉积或旋涂形成EML时，沉积和涂布的条件可以与用于形成HIL的条件类似。然而，根据用于形成EML的化合物，沉积和涂布的条件可以变化。
发光层(EML)可以由主体和发光体掺杂剂的组合物形成。主体的实例是Alq3，4,4'-N,N'-二咔唑-联苯(CBP)，聚(N-乙烯基咔唑)(PVK)，9,10-二(萘-2-基)蒽(ADN)，4,4',4”-三(咔唑-9-基)-三苯胺(TCTA)，1,3,5-三(N-苯基苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)，3-叔丁基-9,10-二-2-萘基蒽(TBADN)，二苯乙烯基芳烃(DSA)，双(2-(2-羟基苯基)苯并-噻唑)锌(Zn(BTZ)2)，下文G3，下文化合物1和下文化合物2。
Figure BDA0002196920010000171
发光体掺杂剂可以是磷光或荧光发光体。磷光发光体和经由热激活延迟荧光(TADF)机制发光的发光体由于其更高的效率而可以是优选的。发光体可以是小分子或聚合物。
红色发光体掺杂剂的实例是PtOEP、Ir(piq)3和Btp2lr(acac)，但不限于此。这些化合物是磷光发光体，但也可以使用发荧光的红色发光体掺杂剂。
Figure BDA0002196920010000181
发磷光的绿色发光体掺杂剂的实例是Ir(ppy)3(ppy＝苯基吡啶)、Ir(ppy)2(acac)、Ir(mpyp)3，如下所示。化合物3是发荧光的绿色发光体的实例并且其结构如下所示。
Figure BDA0002196920010000182
发磷光的蓝色发光体掺杂剂的实例是F2Irpic、(F2ppy)2Ir(tmd)和Ir(dfppz)3、三联芴，其结构如下所示。4,4'-双(4-二苯基氨基苯乙烯基)联苯(DPAVBi)，2,5,8,11-四叔丁基苝(TBPe)和下文的化合物4是发荧光的蓝色发光体掺杂剂的实例。
Figure BDA0002196920010000191
以100重量份的主体计，发光体掺杂剂的量可以在约0.01至约50重量份的范围内。或者，发光层可以由发光聚合物组成。EML可具有约10nm至约100nm，例如约20nm至约60nm的厚度。当EML的厚度在该范围内时，EML可以具有优异的发光，而没有驱动电压的显著损失。
空穴阻挡层(HBL)
空穴阻挡层(HBL)可通过使用真空沉积、旋涂、槽模涂布、印刷、浇铸、LB沉积等形成在EML上，以防止空穴扩散到ETL中。当EML包含磷光掺杂剂时，HBL也可具有三重态激子阻挡功能。
当使用真空沉积或旋涂形成HBL时，沉积和涂布的条件可以与用于形成HIL的条件类似。然而，根据用于形成HBL的化合物，沉积和涂布的条件可以变化。可以使用通常用于形成HBL的任何化合物。用于形成HBL的化合物的实例包括
Figure BDA0002196920010000192
二唑衍生物、三唑衍生物和菲咯啉衍生物。
HBL可具有在约5nm至约100nm、例如约10nm至约30nm范围内的厚度。当HBL的厚度在该范围内时，HBL可以具有优异的空穴阻挡性能，而不会在驱动电压方面有显著损失。
电子传输层(ETL)
根据本发明的OLED可含有电子传输层(ETL)。
根据各种实施方式，OLED可包括电子传输层或包括至少第一电子传输子层和至少第二电子传输子层的电子传输层叠层。
通过适当地调节ETL的特定层的能级，可以控制电子的注入和传输，并且可以有效地阻挡空穴。因此，OLED可具有长寿命。
有机电子器件的电子传输层可包含有机电子传输基质(ETM)材料。此外，电子传输层可包含一种或多种n型掺杂剂。适用于ETM的化合物没有特别限制。在一个实施方式中，电子传输基质化合物由共价键合的原子组成。优选地，电子传输基质化合物包含至少6个、更优选至少10个离域电子的共轭体系。在一个实施方式中，离域电子的共轭体系可以包含在芳族或杂芳族结构部分中，如在例如文献EP 1 970 371 A1或WO 2013/079217 A1中所公开的。
在一个实施方式中，电子传输层可以用n型电掺杂剂进行电掺杂。在另一个实施方式中，电子传输层可包括第二电子传输子层，其布置得比第一电子传输子层更靠近阴极，并且仅第二电子传输子层可包含n型电掺杂剂。
n型电掺杂剂可选自正电性元素金属，和/或正电性金属的金属盐和金属络合物，特别是选自碱金属、碱土金属和稀土金属的金属的元素形式、盐和/或络合物。
电子注入层(EIL)
可以促进电子从阴极注入的任选的EIL可形成在ETL上，优选直接形成在电子传输层上。用于形成EIL的材料的实例包括本领域已知的8-羟基喹啉锂(LiQ)，LiF，NaCl，CsF，Li2O，BaO，Ca，Ba，Yb，Mg。用于形成EIL的沉积和涂布条件类似于用于形成HIL的条件，但根据用于形成EIL的材料，沉积和涂布条件可以变化。
EIL的厚度可以在约0.1nm至约10nm的范围内，例如，在约0.5nm至约9nm的范围内。当EIL的厚度在此范围内时，EIL可具有令人满意的电子注入特性，而不会显著降低驱动电压。
阴极电极
阴极电极形成在EIL(如果存在的话)上。阴极电极可以由金属、合金、导电化合物或其混合物形成。阴极电极可具有低逸出功。例如，阴极电极可以由锂(Li)、镁(Mg)、铝(Al)、铝(Al)-锂(Li)、钙(Ca)、钡(Ba)、镱(Yb)、镁(Mg)-铟(In)、镁(Mg)-银(Ag)等形成。或者，阴极电极可以由透明导电氧化物如ITO或IZO形成。
阴极电极的厚度可以在约5nm至约1000nm的范围内，例如，在约10nm至约100nm的范围内。当阴极电极的厚度在约5nm至约50nm的范围内时，即使由金属或金属合金形成，阴极电极也可以是透明或半透明的。
应理解，阴极电极不是电子注入层或电子传输层的一部分。
电荷产生层/空穴产生层
电荷产生层(CGL)可以由双层组成。在电荷产生层是p型电荷产生层(空穴产生层)的情况下，它可以包含如本文所定义的硼烷化合物。
通常，电荷产生层是连接n型电荷产生层(电子产生层)和空穴产生层的pn结。pn结的n侧产生电子并将它们注入到与阳极方向相邻的层中。类似地，p-n结的p侧产生空穴并将它们注入到与阴极方向相邻的层中。
电荷产生层用于串联装置，例如，用于在两个电极之间包括两个或更多个发光层的串联OLED中。在包括两个发光层的串联OLED中，n型电荷产生层向布置在阳极附近的第一发光层提供电子，而空穴产生层向布置在第一发光层与阴极之间的第二发光层提供空穴。
根据本发明，可以提供的是，有机电子器件包括空穴注入层以及空穴产生层。如果除空穴产生层之外的另一个层包含如本文所定义的硼烷化合物，则空穴产生层也不必须包含如本文所定义的硼烷化合物。在这种情况下，空穴产生层可以由掺杂有p型掺杂剂的有机基质材料组成。适用于空穴产生层的基质材料可以是常规用作空穴注入和/或空穴传输基质材料的材料。此外，用于空穴产生层的p型掺杂剂可以使用常规材料。例如，p型掺杂剂可以是选自以下中的一种：四氟-7,7,8,8-四氰基醌二甲烷(F4-TCNQ)，四氰基醌二甲烷衍生物，轴烯衍生物，碘，FeCl3，FeF3和SbCl5。此外，主体可以是选自以下中的一种：N,N'-二(萘-1-基)-N,N-二苯基-联苯胺(NPB)，N,N'-二苯基-N,N'-双(3-甲基苯基)-1,1-联苯-4,4'-二胺(TPD)和N,N',N'-四萘基-联苯胺(TNB)。
在一个实施方式中，空穴产生层包含如上文详细定义的硼烷化合物。
n型电荷产生层可以是纯n型掺杂剂层，例如正电性金属层，或者可以由掺杂有n型掺杂剂的有机基质材料组成。在一个实施方式中，n型掺杂剂可以是碱金属、碱金属化合物、碱土金属或碱土金属化合物。在另一个实施方式中，金属可以是选自Li、Na、K、Rb、Cs、Mg、Ca、Sr、Ba、La、Ce、Sm、Eu、Tb、Dy和Yb中的一种。更具体地，n型掺杂剂可以是选自Cs、K、Rb、Mg、Na、Ca、Sr、Eu和Yb中的一种。适用于电子产生层的基质材料可以是常规用作电子注入或电子传输层的基质材料的材料。基质材料可以是例如选自三嗪化合物、羟基喹啉衍生物如三(8-羟基喹啉)铝、吲哚衍生物和噻咯衍生物中的一种。
在一个实施方式中，n型电荷产生层可包括以下化学式X的化合物。
Figure BDA0002196920010000231
其中A1至A6中的每一个可以是氢，卤素原子，腈(-CN)，硝基(-NO2)，磺酰基(-SO2R)，亚砜(-SOR)，磺酰胺(-SO2NR)，磺酸酯(-SO3R)，三氟甲基(-CF3)，酯(-COOR)，酰胺(-CONHR或-CONRR')，被取代或未被取代的直链或支链的C1-C12烷氧基，被取代或未被取代的直链或支链的C1-C12烷基，被取代或未被取代的直链或支链的C2-C12烯基，被取代或未被取代的芳族或非芳族杂环，被取代或未被取代的芳基，被取代或未被取代的单芳基胺或二芳基胺，被取代或未被取代的芳烷基胺等。在此，上述R和R'中的每一个可以是被取代或未被取代的C1-C60烷基，被取代或未被取代的芳基，或被取代或未被取代的5元至7元杂环等。
这种n型电荷产生层的实例可以是包含CNHAT的层，
Figure BDA0002196920010000232
空穴产生层布置在n型电荷产生层的顶部。
有机发光二极管(OLED)
根据本发明的一个方面，提供了一种有机发光二极管(OLED)，其包括：基底；形成在所述基底上的阳极电极；空穴注入层，空穴传输层，发光层和阴极电极。
根据本发明的另一方面，提供了一种OLED，其包括：基底；形成在所述基底上的阳极电极；空穴注入层，空穴传输层，电子阻挡层，发光层，空穴阻挡层和阴极电极。
根据本发明的另一方面，提供了一种OLED，其包括：基底；形成在所述基底上的阳极电极；空穴注入层，空穴传输层，电子阻挡层，发光层，空穴阻挡层，电子传输层和阴极电极。
根据本发明的另一方面，提供了一种OLED，其包括：基底；形成在所述基底上的阳极电极；空穴注入层，空穴传输层，电子阻挡层，发光层，空穴阻挡层，电子传输层，电子注入层和阴极电极。
根据本发明的各种实施方式，可以提供OLED，其包括布置在上述层之间，基底上或顶部电极上的层。
根据一个方面，OLED可以包括以下层结构：基底，其与阳极电极相邻布置，所述阳极电极与第一空穴注入层相邻布置，所述第一空穴注入层与第一空穴传输层相邻布置，所述第一空穴传输层与第一电子阻挡层相邻布置，所述第一电子阻挡层与第一发光层相邻布置，所述第一发光层与第一电子传输层相邻布置，所述第一电子传输层与n型电荷产生层相邻布置，所述n型电荷产生层与空穴产生层相邻布置，所述空穴产生层与第二空穴传输层相邻布置，所述第二空穴传输层与第二电子阻挡层相邻布置，所述第二电子阻挡层与第二发光层相邻布置，任选的电子传输层和/或任选的注入层布置在所述第二发光层与所述阴极电极之间。
例如，根据图2的OLED可以通过如下工艺形成，其中在基底(110)上随后依序形成阳极(120)、空穴注入层(130)、空穴传输层(140)、电子阻挡层(145)、发光层(150)、空穴阻挡层(155)、电子传输层(160)、电子注入层(180)和阴极电极(190)。
本发明的细节和定义
本发明的有机电子器件包括至少一个(半导体)层，其可包含电荷传输基质化合物和硼烷化合物。硼烷化合物可以嵌入基质材料中，即基质材料是这种层中的主要材料。同样，可以提供的是，在半导体层中，基质材料和掺杂剂彼此分离，在第一子层中包含基质材料和在第二子层中包含掺杂剂，或者在一个优选的实施方式中，第一子层和第二子层分别由基质材料和掺杂剂组成。同样，可以提供的是，所述层由硼烷化合物组成。
硼烷化合物可在沉积后扩散到相邻层中，特别是硼烷化合物可扩散到其所沉积于上面的层中。
本文描述的有机电子器件可以是基于半导体层的有机电子器件。特别地，空穴注入层、空穴传输层和空穴产生层是半导体层。
如本文所用的术语“烃基基团”应理解为包括任何包含碳原子的有机基团，特别是有机基团，例如烷基、芳基、杂芳基、杂烷基，特别是作为有机电子学中常用取代基的这类基团。
如本文所用的术语“烷基”应包括直链以及支链和环状的烷基。例如，C3烷基可选自正丙基和异丙基。同样，C4烷基包括正丁基、仲丁基和叔丁基。同样，C6烷基包括正己基和环己基。
Cn中的下标数字n与相应的烷基、亚芳基、亚杂芳基或芳基基团中的碳原子总数有关。
如本文所用的术语“芳基”应包括苯基(C6芳基)，稠合芳族化合物，例如萘、蒽、菲、并四苯等。还包括联苯和低聚或多聚苯基，例如三联苯等。还应包括任何其它芳族烃取代基，例如芴基等。亚芳基或亚杂芳基是指与两个另外的部分连接的基团。
如本文所用的术语“杂芳基”是指其中至少一个碳原子被优选选自N、O、S、B或Si的杂原子取代的芳基基团。
术语“卤化”是指其中一个氢原子被卤素原子代替的有机化合物。术语“全卤化”是指其中所有氢原子被卤素原子代替的有机化合物。术语“氟化”和“全氟化”的含义应该类似地理解。
Cn杂芳基中的下标数字n仅指除杂原子数之外的碳原子数。在本文中，显然C3亚杂芳基基团是包含三个碳原子的芳族化合物，例如吡唑、咪唑、
Figure BDA0002196920010000261
唑、噻唑等。
就本发明而言，关于一个层在两个其它层之间的表述“在……之间”并不排除存在可以布置在所述一个层与两个其它层之一之间的其它层。就本发明而言，关于两个层彼此直接接触的表述“直接接触”意味着在这两个层之间未布置其它的层。沉积在另一层顶部的一个层被认为与该层直接接触。
在本说明书的上下文中，术语“基本上不发光”或“不发光”是指化合物或层对来自器件的可见发射光谱的贡献相对于可见发射光谱小于10％，优选小于5％。可见发射光谱是波长为约≥380nm至约≤780nm的发射光谱。
优选地，包含至少一种电掺杂剂的有机半导体层基本上不发光或不发光。
关于本发明的电子器件，实验部分中提到的化合物可以是最优选的。
本发明的电子器件可以是有机电致发光器件(OLED)、有机光伏器件(OPV)或有机场效应晶体管(OFET)。
根据另一方面，根据本发明的有机电致发光器件可包括一个以上的发光层，优选两个或三个发光层。包括多于一个发光层的OLED也被描述为串联OLED或层叠OLED。
有机电致发光器件(OLED)可以是底部或顶部发射器件。
另一方面涉及包括至少一个有机电致发光器件(OLED)的装置。包括有机发光二极管的装置例如是显示器或照明面板。
在本发明中，除非在权利要求或本说明书的其它地方给出不同的定义，否则这些定义应适用于以下定义的术语。
在本说明书的上下文中，与基质材料有关的术语“不同的”或“不同”是指基质材料的结构式不同。
最高占据分子轨道(也称为HOMO)和最低未占分子轨道(也称为LUMO)的能级以电子伏特(eV)计量。
术语“OLED”和“有机发光二极管”同时使用并具有相同的含义。如本文所用的术语“有机电致发光器件”可包括有机发光二极管以及有机发光晶体管(OLET)。
如本文所用，“重量百分比”、“重量％”及其变体是指组合物、组分、物质或试剂，形式为相应电子传输层的所述组分、物质或试剂的重量除以其相应电子传输层的总重量并乘以100。应理解，相应电子传输层和电子注入层的所有组分、物质和试剂的总重量百分数经选择为使得其不超过100重量％。
如本文所用，“体积百分比”、“体积％”及其变体是指组合物、组分、物质或试剂，形式为相应电子传输层的所述组分、物质或试剂的体积除以其相应电子传输层的总体积并乘以100。应理解，阴极层的所有组分、物质和试剂的总体积百分数经选择为使得其不超过100体积％。
本文假设所有数值均由术语“约”修饰，而无论是否明确指出。如本文所用，术语“约”是指可能发生的数量的变化。无论是否由术语“约”修饰，权利要求包括数量的等同物。
应当注意，如在本说明书和权利要求中所用，单数形式“一”和“所述”包括复数个指示物，除非内容另有明确说明。
术语“不含”、“不含有”、“不包含”不排除杂质。对于本发明实现的目的，杂质没有技术效果。
附图说明
从以下结合附图对示例性实施方式的描述，本发明的这些和/或其它方面和优点将变得显而易见并且更容易理解，在所述附图中：
图1是根据本发明的一个示例性实施方式的有机发光二极管(OLED)的示意性截面图；
图2是根据本发明的一个示例性实施方式的OLED的示意性截面图；
图3是根据本发明的一个示例性实施方式的包括电荷产生层的串联OLED的示意性截面图。
具体实施方式
现在将详细参考本发明的示例性实施方式，本发明的实施例在附图中示出，其中相同的附图标记通篇指代相同的元件。下文通过参考附图描述示例性实施方式，以便解释本发明的各方面。
这里，当第一元件被称为形成或设置在第二元件“上”时，第一元件可以直接设置在第二元件上，或者可以在其间设置一个或多个其它元件。当第一元件被称为形成或“直接”设置在第二元件“上”时，在其间未设置其它元件。
图1是根据本发明的一个示例性实施方式的有机发光二极管(OLED)100的示意性截面图。OLED 100包括基底110、阳极120、空穴注入层(HIL)130、空穴传输层(HTL)140、发光层(EML)150、电子传输层(ETL)160。电子传输层(ETL)160直接形成在EML 150上。在电子传输层(ETL)160上，设置电子注入层(EIL)180。阴极190直接设置在电子注入层(EIL)180上。
任选地可以使用电子传输层叠层(ETL)代替单个电子传输层160。
图2是根据本发明的另一个示例性实施方式的OLED 100的示意性截面图。图2与图1的不同之处在于图2的OLED 100包括电子阻挡层(EBL)145和空穴阻挡层(HBL)155。
参看图2，OLED 100包括基底110、阳极120、空穴注入层(HIL)130、空穴传输层(HTL)140、电子阻挡层(EBL)145、发光层(EML)150、空穴阻挡层(HBL)155、电子传输层(ETL)160、电子注入层(EIL)180和阴极电极190。
图3是根据本发明的另一个示例性实施方式的串联OLED 200的示意性截面图。图3与图2的不同之处在于图3的OLED 100还包括电荷产生层和第二发光层。
参看图3，OLED 200包括基底110、阳极120、第一空穴注入层(HIL)130、第一空穴传输层(HTL)140、第一电子阻挡层(EBL)145、第一发光层(EML)150、第一空穴阻挡层(HBL)155、第一电子传输层(ETL)160、n型电荷产生层(n型CGL)185、空穴产生层(p型电荷产生层；p型GCL)135、第二空穴传输层(HTL)141、第二电子阻挡层(EBL)146、第二发光层(EML)151、第二空穴阻挡层(EBL)156、第二电子传输层(ETL)161、第二电子注入层(EIL)181和阴极190。
虽然在图1、图2和图3中未示出，但是可以在阴极电极190上进一步形成密封层，以密封OLED 100和200。此外，可以对其应用各种其它修改。
在下文中，将参考以下实施例详细描述本发明的一个或多个示例性实施方式。然而，这些实施例不旨在限制本发明的一个或多个示例性实施方式的目的和范围。
实验部分
下面提到的支持性材料的式如下：
F1是
Figure BDA0002196920010000301
(聚[(9,9-二辛基芴基-2,7-二基)-共-(4,4'-(N-(4-仲丁基苯基)二苯基胺)]，可购自Solaris Chem Inc)
F2是
Figure BDA0002196920010000311
N-([1,1'-联苯]-4-基)-9,9-二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺，CAS 1242056-42-3；
F3是
Figure BDA0002196920010000312
8-(4-(4,6-二(萘-2-基)-1,3,5-三嗪-2-基)苯基)喹啉，CAS 1312928-44-1；
ABH-113是发光体主体并且NUBD-370和DB-200是蓝色荧光发光体掺杂剂，都可购自韩国SFC。
ITO是氧化铟锡。
示例性化合物的制备
一般合成程序A
将0.5当量的9-硼杂双环[3.3.1]壬烷二聚体(1.0当量单体)和1.0当量的相应酰亚胺于无水甲苯中的悬浮液在干燥的N2气氛下在90℃下小心地加热1小时。在加热的同时观察到强烈的气体释放，并形成澄清溶液。将所得溶液真空蒸馏。分离出作为在100-120℃(1.5托)下沸腾的馏分的化合物E2和E1。通过过滤分离固体化合物E4、E5和E6并用无水己烷洗涤。
化合物E3的合成
将0.5当量的二均三甲苯基氢硼烷二聚体(1.0当量单体)和1.0当量的相应酰亚胺于无水甲苯中的悬浮液在干燥的N2气氛下在90℃下小心地加热1小时。在加热的同时观察到强烈的气体释放，并形成澄清溶液。将所得溶液真空蒸馏。用无水己烷洗涤产物。
E1
Figure BDA0002196920010000321
产率54％，白色固体；
1H NMR(600MHz,CDCl3):δ＝1.13-1.15(m,1H),1.37-1.41(m,2H),1.46-1.50(m,1H),1.81-1.94(m,10H)；
19F NMR(377MHz,CDCl3):δ＝-126.12(m,4F),-120.93(m,4F),-106.17(br s,4F),-81.07(t,J＝9.6Hz,6F)；由于多个19F,19F耦合而进一步分离；
11B NMR(192MHz,CDCl3):δ＝59.2(s)。
E2
Figure BDA0002196920010000322
产率51％，黄色粘性液体；
1H NMR(600MHz,C6D6):δ＝1.12-1.15(m,2H),1.61-1.70(m,12H)；
11B NMR(192MHz,C6D6):δ＝71(s)；59(s)
E3
Figure BDA0002196920010000331
产率57％，浅黄色固体；
1H NMR(600MHz,C6D6):δ＝2.14(s,6H,2xMe),2.27(s,12H,4xMe),6.74(s,4H,HAr)；
11B NMR(192MHz,C6D6):δ＝57.8(s)。
E4
Figure BDA0002196920010000332
产率55％，黄色固体；
1H NMR(600MHz,C6D6):δ＝1.31-1.36(m,3H),1.87-1.96(m,10H),2.86(s,1H)；
11B NMR(192MHz,C6D6):δ＝66.0(s)；任选的58.3(s)。
E5
Figure BDA0002196920010000333
产率60％，浅黄色固体；
1H NMR(600MHz,C6D6):1.30-1.32(m,2H),1.83-1.93(m,6H),1.98-2.05(m,4H),2.94(s,2H),6.68-6.72(m,2H,HAr),7.11(d,3J＝6.5Hz,1H,HAr),7.44(d,3J＝6.3Hz,1H,HAr)；11B NMR(192MHz,C6D6):δ＝62.8(s)；任选的58.0(s)
E6
Figure BDA0002196920010000334
产率58％，浅黄色固体；
1H NMR(600MHz,C6D6):δ＝1.20-1.25(m,2H),1.68-1.76(m,2H),1.80-1.83(m,4H),1.98-2.04(m,4H),2.69(s,2H),6.41-6.42(m,2H,HAr),6.95-6.97(m,2H,HAr)；11B NMR(192MHz,C6D6):δ＝60.7(s)。
所描绘的结构是示意性的，在11B NMR光谱中观察到存在多个信号证明阴离子配体的配位模式改变。
器件实验
标准程序
电压稳定性
OLED由恒流电路驱动。这些电路可以在给定的电压范围内提供恒定电流。电压范围越宽，这类器件的功率损耗越宽。因此，需要最小化在驱动时的驱动电压的变化。
OLED的驱动电压具有温度依赖性。因此，需要在热平衡下判断电压稳定性。在驱动一小时后达到热平衡。
通过取以恒定电流密度驱动50小时后和1小时后的驱动电压差来测量电压稳定性。这里，使用30mA/cm2的电流密度。测量在室温下进行。
dU[V]＝U(50h,30mA/cm2)–U(1h,30mA/cm2)
实施例
包括用酰亚氨基硼烷化合物p型掺杂的空穴注入层的蓝色荧光OLED
表1a示意性地描述了模型器件。
表1a
Figure BDA0002196920010000351
#基于金属原子的摩尔量
结果在表2b中给出
表1b
Figure BDA0002196920010000352
关于初始电压和EQE，E1和E2与对比材料LiTFSI的表现至少同样好或甚至更好。另外，对于E2，观察到在电压稳定性方面的更好性能。
在前面的描述和从属权利要求中公开的特征可以单独地和以其任何组合形式成为用于以其各种形式实现在独立权利要求中做出的本公开的各方面的材料。
整个申请中使用的关键符号和缩写：
CV 循环伏安法
DSC 差示扫描量热法
EBL 电子阻挡层
EIL 电子注入层
EML 发光层
eq. 当量
ETL 电子传输层
ETM 电子传输基质
Fc 二茂铁
Fc+ 二茂铁离子
HBL 空穴阻挡层
HIL 空穴注入层
HOMO 最高占据分子轨道
HPLC 高效液相色谱法
HTL 空穴传输层
p-HTL p型掺杂的空穴传输层
HTM 空穴传输基质
ITO 氧化铟锡
LUMO 最低未占分子轨道
mol％ 摩尔百分比
NMR 核磁共振
OLED 有机发光二极管
OPV 有机光电器件
PTFE 聚四氟乙烯
QE 量子效率
Rf TLC中的延迟因子
RGB 红-绿-蓝
TCO 透明导电氧化物
TFT 薄膜晶体管
Tg 玻璃化转变温度
TLC 薄层色谱法
VTE 真空热蒸发
重量％ 重量百分比

Claims (10)

1.一种有机电子器件，其包含硼烷化合物，所述硼烷化合物包含至少一个处于氧化态(III)的硼原子和至少一个阴离子配体，所述阴离子配体具有式(Ia)或(Ib)，
Figure FDA0002196919000000011
其中在式(Ia)和(Ib)中，
A1至A6独立地选自CO、SO2或POX1；
X1独立地选自卤离子，腈，卤化或全卤化的C1至C20烷基，卤化或全卤化的C6至C20芳基，和具有5至20个成环原子的卤化或全卤化的杂芳基；并且
R1至R6独立地选自被取代或未被取代的C1至C20烷基，被取代或未被取代的C1至C20杂烷基，被取代或未被取代的C6至C20芳基，和被取代或未被取代的C5至C20杂芳基，其中R1和R2可彼此连接以形成环。
2.根据权利要求1所述的有机电子器件，其中所述硼原子经由共价键与所述阴离子配体中包含的至少一个氮原子直接结合。
3.根据权利要求1或2所述的有机电子器件，其中结构部分X1、R1、R2、R3、R4、R5和R6的至少一个部分中包含的氢原子总数的至少50％被取代基代替，其中所述取代基独立地选自F、Cl、Br、I和CN。
4.根据前述权利要求中任一项所述的有机电子器件，其中所有结构部分X1、R1、R2、R3、R4、R5和R6中包含的氢原子总数的至少50％一起被独立地选自F、Cl、Br、I和CN的取代基代替。
5.根据前述权利要求中任一项所述的有机电子器件，其中所述有机电子器件包括第一电极、第二电极和有机半导体层，其中所述有机半导体层布置在所述第一电极与所述第二电极之间，并且所述有机半导体层包含所述硼烷化合物。
6.根据权利要求5所述的有机电子器件，其中所述有机半导体层是空穴注入层、空穴传输层或空穴产生层。
7.根据前述权利要求中任一项所述的有机电子器件，其中所述有机电子器件是有机电致发光器件、有机晶体管、有机二极管或有机光伏器件。
8.根据权利要求7所述的有机电子器件，其中所述有机电致发光器件是有机发光二极管。
9.一种有机半导体材料，其包含权利要求1至4中的任一项中所限定的所述硼烷化合物。
10.一种硼烷化合物，其具有式(II)，
Figure FDA0002196919000000021
其中Q1和Q2独立地选自未被取代的C1至C30烃基，其中Q1和Q2可任选地彼此连接以形成环；并且
Z是阴离子配体，所述阴离子配体具有式(Ia)或(Ib)，
Figure FDA0002196919000000031
其中在所述式(Ia)和(Ib)中，
A1至A6独立地选自CO、SO2或POX1；
X1独立地选自卤离子，腈，卤化或全卤化的C1至C20烷基，卤化或全卤化的C6至C20芳基，和具有5至20个成环原子的卤化或全卤化的杂芳基；
R1至R6独立地选自被取代或未被取代的C1至C20烷基，被取代或未被取代的C1至C20杂烷基，被取代或未被取代的C6至C20芳基，和被取代或未被取代的C5至C20杂芳基，其中R1和R2可彼此连接以形成环；
并且
排除具有下式的化合物，
Figure FDA0002196919000000032
其中Z是双(三氟甲基磺酰基)酰亚胺阴离子配体。
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