CN110911510A - 一种含超晶格结构的硅基氮化物五结太阳电池 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种含超晶格结构的硅基氮化物五结太阳电池，包括Si衬底，为双面抛光的p型或n型Si单晶片；在Si衬底的上表面按照层状叠加结构从上至下依次设置有GaNP子电池、GaNAsP子电池、GaNAs/GaNP超晶格子电池和Si子电池；在Si衬底的下表面设置有GaNAs子电池；GaNP子电池和GaNAsP子电池之间通过第四隧道结连接，GaNAsP子电池和GaNAs/GaNP超晶格子电池之间通过第三隧道结连接，GaNAs/GaNP超晶格子电池和Si子电池之间通过第二隧道结连接，Si衬底和GaNAs子电池之间通过第一隧道结连接。本发明在降低五结电池生产成本的同时，利用五结电池结构可以更加充分地利用太阳光谱，提升电池的光电转换效率。
Description
技术领域
本发明涉及太阳能光伏的技术领域，尤其是指一种含超晶格结构的硅基氮化物五结太阳电池。
背景技术
太阳能作为一种可再生绿色能源一直被人们所关注，在太阳能利用方面主要分为光热利用技术和光伏发电技术。其中，光伏发电技术的发展日新月异，太阳电池的光电转换效率越来越高。以砷化镓等化合物半导体材料为主的多结太阳电池技术发展迅速，其转换效率可以达到30％以上，远远高于普通的晶硅电池。传统砷化镓多结电池的主流结构是由GaInP、GaInAs和Ge子电池组成的GaInP/GaInAs/Ge三结太阳电池，电池结构上整体保持晶格匹配，带隙组合为1.85/1.40/0.67eV。然而这种电池存在着两个主要问题，一方面是该多结电池需要以价格昂贵的Ge单晶材料为衬底来制备，总体制作成本较高，难以大规模使用；另一方面是该电池结构中GaInAs子电池和Ge子电池之间较大的带隙差距，造成Ge子电池的短路电流远大于其它两个子电池(V.Sabnis,H.Yuen and M.Wiemer,AIP ConferenceProceedings 1477(1),14-19(2012))，由于串联结构的电流限制原因，会造成很大一部分太阳光能量不能被充分转换利用，从而限制了电池性能的提高。
单晶硅太阳电池由于成本低廉，在地面大规模电站上已经成熟应用，但是硅材料一直没有有效地应用于高效多结电池。如果能够基于Si衬底制备得到多结太阳电池，就可以获得一种低成本高效率的多结电池，在地面大规模光伏电站中将会有巨大的应用前景。
同时理论分析表明，采用三结以上的多结太阳电池可以优化带隙组合，提高电池的光电转换效率，但是为了保证电池的材料质量必须使所有子电池与衬底保持晶格匹配。GaP材料与Si的晶格常数非常接近，然而GaP的光学带隙为2.26eV，由于其带隙较高应用于多结电池时会造成整体电流偏低。研究者发现在GaP材料中掺入少量的N原子形成GaNP材料后，不仅晶格常数与Si更加匹配，而且材料光学带隙还能降低至1.95-2.05eV之间(W.Shan,W.Walukiewicz,K.M.Yu,et al.,Applied Physics Letters 76(22),3251-3253(2000))，比GaP材料更加适合应用于多结电池。
如果在GaAsP合金中掺入少量的N可形成GaN1-x-yAsxPy四元合金，当满足y＝0.98-1.214x条件时即可使得GaN1-x-yAsxPy材料的晶格常数与Si材料完美匹配。同时根据GaN1-x- yAsxPy材料的带隙计算公式，当x为0.08-0.12时，GaN1-x-yAsxPy的光学带隙为1.65-1.75eV之间(R.Kudrawiec,Journal of Applied Physics 101(11),116101(2007))。
GaAs材料是一种常见的化合物半导体材料，根据GaAs和Si的晶格常数关系可以得到如果在GaNAs三元合金中N原子组分达到20％，即可实现与Si材料的晶格匹配。研究表明，如果在GaAs材料中掺入一定量的N原子将会降低材料带隙，当N组分为20％左右时，GaNAs材料的带隙将会达到0.7eV(J.Wu,W.Walukiewicz,K.M.Yu,et al.,Physical Review B 70(11),115214(2004))。
与Si材料晶格匹配的GaNP和GaNAs材料带隙可以分别达到2.0eV和0.7eV，因此基于Si衬底交替生长多周期的GaNAs和GaNP薄膜材料就可以制备出晶格匹配的GaNAs/GaNP超晶格材料，每层材料的厚度一般要小于材料中的电子德布罗意波波长(纳米量级)。超晶格材料中由于多个量子阱之间的耦合效应，会在导带势阱和价带势阱中形成各自的微带，不同微带之间可形成超晶格材料的有效吸收带隙。通过调节GaNP和GaNAs材料层的厚度可使得超晶格材料的有效光学带隙在0.7至2.0eV之间连续可调，采用常规的结构参数即可达到1.35～1.45eV的光学带隙，适合应用于基于Si衬底的多结太阳电池。
基于上述GaNP、GaNAsP、GaNAs/GaNP超晶格以及GaNAs等材料的带隙特点和晶格常数，非常适合基于Si衬底制备高效多结太阳电池，既可以有效提高电池效率，又可以保证较低的制作成本。因此，基于Si衬底氮化物材料可以制备得到晶格匹配的多结太阳电池，采用GaNP、GaNAsP、GaNAs/GaNP超晶格、Si和GaNAs材料可以制备得到带隙结构为1.95～2.05/1.65～1.75/1.35～1.45/1.12/0.65～0.75eV的五结太阳电池，其带隙组合接近理论最优组合，地面标准光照条件下的极限效率可达40％以上，大大高于传统晶硅电池。该五结电池完全基于成本低廉的晶硅衬底进行制作，生产成本与传统晶硅电池较为接近，同时与传统GaAs三结电池相比，其带隙组合更加合理，可针对太阳光谱进行分段吸收，更加充分地利用太阳光能量，转换效率大大提高，可显著降低度电成本。
综上所述，这种含超晶格结构的硅基氮化物多结太阳电池利用了氮化物的晶格和带隙特性，同时利用了超晶格结构的微带效应，在采用了成本低廉的硅衬底材料基础上，同时满足了多结电池晶格匹配的关键要求，并达到了五结电池的理想带隙组合。该结构的硅基多结太阳电池既能充分发挥多结电池的优势提高光电转换效率，又可以降低化合物多结电池的生产成本，最大程度地提升了太阳电池单位成本的输出功率。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的不足与缺点，提出了一种含超晶格结构的硅基氮化物五结太阳电池，在降低五结电池生产成本的同时，利用五结电池结构可以更加充分地利用太阳光谱，提升电池的光电转换效率。
为实现上述目的，本发明所提供的技术方案为：一种含超晶格结构的硅基氮化物五结太阳电池，包括Si衬底，所述Si衬底为双面抛光的p型或n型Si单晶片；在所述Si衬底的上表面按照层状叠加结构从上至下依次设置有GaNP子电池、GaNAsP子电池、GaNAs/GaNP超晶格子电池和Si子电池；在所述Si衬底的下表面设置有GaNAs子电池；所述GaNP子电池和GaNAsP子电池之间通过第四隧道结连接，所述GaNAsP子电池和GaNAs/GaNP超晶格子电池之间通过第三隧道结连接，所述GaNAs/GaNP超晶格子电池和Si子电池之间通过第二隧道结连接，所述Si衬底和GaNAs子电池之间通过第一隧道结连接。
进一步，所述GaNP子电池、GaNAsP子电池、GaNP/GaNAs超晶格子电池、Si子电池和GaNAs子电池的所有材料层的晶格常数与Si衬底保持一致。
进一步，所述GaNP子电池中GaNP材料的光学带隙为1.95-2.05eV，该子电池总厚度为1-3μm。
进一步，所述GaNAsP子电池中GaNAsP材料的光学带隙为1.65-1.75eV，该子电池总厚度为2-4μm。
进一步，所述GaNAs/GaNP超晶格子电池中GaNAs/GaNP超晶格材料的有效光学带隙为1.35-1.45eV，该子电池总厚度为2-4μm。
进一步，所述Si子电池中Si材料的光学带隙为1.12eV，该子电池总厚度为200-600μm。
进一步，所述GaNAs子电池中GaNAs材料的光学带隙为0.65-0.75eV，该子电池总厚度为2-4μm。
本发明与现有技术相比，具有如下优点与有益效果：
本发明利用双面抛光的单晶Si衬底，结合GaNP、GaNAsP、GaNAs等氮化物材料和GaNAs/GaNP超晶格材料的自身特点，在Si衬底上表面设置有GaNP、GaNAsP、GaNAs/GaNP超晶格和Si材料子电池，在其下表面设置有GaNAs子电池，最终得到带隙结构为1.95～2.05/1.65～1.75/1.35～1.45/1.12/0.65～0.75eV的硅基五结太阳电池，不仅接近太阳光谱下的五结电池最优带隙组合，提升电池转换效率，而且可以降低五结电池的生产成本，从而显著降低光伏电站度电成本。
附图说明
图1为含超晶格结构的硅基氮化物五结太阳电池结构示意图。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明作进一步说明。
参见图1所示，本实施例所提供的含超晶格结构的硅基氮化物五结太阳电池，包括有Si衬底，所述Si衬底为双面抛光的p型或n型Si单晶片；在所述Si衬底的上表面按照层状叠加结构从上至下依次设置有GaNP子电池、GaNAsP子电池、GaNAs/GaNP超晶格子电池和Si子电池；在所述Si衬底的下表面设置有GaNAs子电池；所述GaNP子电池和GaNAsP子电池之间通过第四隧道结连接，所述GaNAsP子电池和GaNAs/GaNP超晶格子电池之间通过第三隧道结连接，所述GaNAs/GaNP超晶格子电池和Si子电池之间通过第二隧道结连接，所述Si衬底和GaNAs子电池之间通过第一隧道结连接。
所述GaNP子电池、GaNAsP子电池、GaNP/GaNAs超晶格子电池、Si子电池和GaNAs子电池的所有材料层的晶格常数与Si衬底保持一致。
所述GaNP子电池中GaNP材料的光学带隙为1.95-2.05eV，该子电池总厚度为1-3μm。
所述GaNAsP子电池中GaNAsP材料的光学带隙为1.65-1.75eV，该子电池总厚度为2-4μm。
所述GaNAs/GaNP超晶格子电池中GaNAs/GaNP超晶格材料的有效光学带隙为1.35-1.45eV，该子电池总厚度为2-4μm。
所述Si子电池中Si材料的光学带隙为1.12eV，该子电池总厚度为200-600μm。
所述GaNAs子电池中GaNAs材料的光学带隙为0.65-0.75eV，该子电池总厚度为2-4μm。
下面为本实施例上述含超晶格结构的硅基氮化物五结太阳电池的具体制备过程，其情况如下：
首先，以4英寸双面抛光的p型单晶Si片为衬底，然后采用金属有机化学气相沉积技术(MOCVD)或分子束外延技术(MBE)在Si衬底的上表面依次生长Si子电池、第二隧道结、GaNAs/GaNP超晶格子电池、第三隧道结、GaNAsP子电池、第四隧道结和GaNP子电池，然后将Si衬底翻转180，再在Si衬底的下表面依次生长第一隧道结和GaNAs子电池，即可完成含超晶格结构的硅基氮化物五结太阳电池的制备。
综上所述，本发明利用双面抛光的单晶Si衬底，结合GaNP、GaNAsP、GaNAs等氮化物材料和GaNAs/GaNP超晶格材料的自身特点，在Si衬底上表面设置有GaNP、GaNAsP、GaNAs/GaNP超晶格和Si材料子电池，在其下表面设置有GaNAs子电池，最终得到带隙结构为1.95～2.05/1.65～1.75/1.35～1.45/1.12/0.65～0.75eV的硅基五结太阳电池，不仅可以显著提升电池转换效率，而且可以降低五结电池生产成本，从而显著降低光伏电站度电成本。总之，本发明可以基于成本较低的Si衬底提升太阳电池的光电转换效率，具有实际应用价值，值得推广。
以上所述之实施例子只为本发明之较佳实施例，并非以此限制本发明的实施范围，故凡依本发明之形状、原理所作的变化，均应涵盖在本发明的保护范围内。
Claims (7)
1.一种含超晶格结构的硅基氮化物五结太阳电池，包括Si衬底，其特征在于：所述Si衬底为双面抛光的p型或n型Si单晶片；在所述Si衬底的上表面按照层状叠加结构从上至下依次设置有GaNP子电池、GaNAsP子电池、GaNAs/GaNP超晶格子电池和Si子电池；在所述Si衬底的下表面设置有GaNAs子电池；所述GaNP子电池和GaNAsP子电池之间通过第四隧道结连接，所述GaNAsP子电池和GaNAs/GaNP超晶格子电池之间通过第三隧道结连接，所述GaNAs/GaNP超晶格子电池和Si子电池之间通过第二隧道结连接，所述Si衬底和GaNAs子电池之间通过第一隧道结连接。
2.根据权利要求1所述的一种含超晶格结构的硅基氮化物五结太阳电池，其特征在于：所述GaNP子电池、GaNAsP子电池、GaNP/GaNAs超晶格子电池、Si子电池和GaNAs子电池的所有材料层的晶格常数与Si衬底保持一致。
3.根据权利要求1所述的一种含超晶格结构的硅基氮化物五结太阳电池，其特征在于：所述GaNP子电池中GaNP材料的光学带隙为1.95-2.05eV，该子电池总厚度为1-3μm。
4.根据权利要求1所述的一种含超晶格结构的硅基氮化物五结太阳电池，其特征在于：所述GaNAsP子电池中GaNAsP材料的光学带隙为1.65-1.75eV，该子电池总厚度为2-4μm。
5.根据权利要求1所述的一种含超晶格结构的硅基氮化物五结太阳电池，其特征在于：所述GaNAs/GaNP超晶格子电池中GaNAs/GaNP超晶格材料的有效光学带隙为1.35-1.45eV，该子电池总厚度为2-4μm。
6.根据权利要求1所述的一种含超晶格结构的硅基氮化物五结太阳电池，其特征在于：所述Si子电池中Si材料的光学带隙为1.12eV，该子电池总厚度为200-600μm。
7.根据权利要求1所述的一种含超晶格结构的硅基氮化物五结太阳电池，其特征在于：所述GaNAs子电池中GaNAs材料的光学带隙为0.65-0.75eV，该子电池总厚度为2-4μm。
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112713211A (zh) * | 2020-12-29 | 2021-04-27 | 中山德华芯片技术有限公司 | 一种硅基六结太阳电池及其制作方法 |
| CN113764969A (zh) * | 2021-09-08 | 2021-12-07 | 深圳市中科芯辰科技有限公司 | 一种硅基双面垂直腔面发射激光器及其制备方法 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2012367A1 (de) * | 2007-07-02 | 2009-01-07 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Mehrfachsolarzelle |
| CN101859813A (zh) * | 2010-05-07 | 2010-10-13 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 四结GaInP/GaAs/InGaAs/Ge太阳电池的制作方法 |
| EP2250664A1 (en) * | 2008-01-28 | 2010-11-17 | Amit Goyal | Ý100¨or ý110¨aligned, semiconductor-based, large-area, flexible, electronic devices |
| CN101980367A (zh) * | 2010-08-23 | 2011-02-23 | 北京工业大学 | 一种四结化合物半导体太阳能光伏电池芯片 |
| DE102009049397A1 (de) * | 2009-10-14 | 2011-04-21 | Emcore Corp. | Surrogatsubstrate für invertierte metamorphische Multijunction-Solarzellen |
| CN104241432A (zh) * | 2014-09-18 | 2014-12-24 | 瑞德兴阳新能源技术有限公司 | 一种带隙结构优化的三结太阳电池 |
| CN106653950A (zh) * | 2016-12-30 | 2017-05-10 | 中国电子科技集团公司第十八研究所 | 一种砷化镓‑硅多结高效太阳电池的制备方法 |
-
2019
- 2019-11-20 CN CN201911139613.2A patent/CN110911510B/zh active Active
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2012367A1 (de) * | 2007-07-02 | 2009-01-07 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Mehrfachsolarzelle |
| EP2250664A1 (en) * | 2008-01-28 | 2010-11-17 | Amit Goyal | Ý100¨or ý110¨aligned, semiconductor-based, large-area, flexible, electronic devices |
| DE102009049397A1 (de) * | 2009-10-14 | 2011-04-21 | Emcore Corp. | Surrogatsubstrate für invertierte metamorphische Multijunction-Solarzellen |
| CN101859813A (zh) * | 2010-05-07 | 2010-10-13 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 四结GaInP/GaAs/InGaAs/Ge太阳电池的制作方法 |
| CN101980367A (zh) * | 2010-08-23 | 2011-02-23 | 北京工业大学 | 一种四结化合物半导体太阳能光伏电池芯片 |
| CN104241432A (zh) * | 2014-09-18 | 2014-12-24 | 瑞德兴阳新能源技术有限公司 | 一种带隙结构优化的三结太阳电池 |
| CN106653950A (zh) * | 2016-12-30 | 2017-05-10 | 中国电子科技集团公司第十八研究所 | 一种砷化镓‑硅多结高效太阳电池的制备方法 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| GUDOVSKIKH, A.S. ET.AL.: "Study of GaPN(As)/Si Multijunction Solar Cells Grown by MBE", 《29TH EUROPEAN PHOTOVOLTAIC SOLAR ENERGY CONFERENCE AND EXHIBITION (EU PVSEC 2014)》 * |
| S. ALMOSNI，ET.AL.: "Evaluation of InGaPN and GaAsPN materials lattice-matched to Si for multi-junction solar cells", 《JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 》 * |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112713211A (zh) * | 2020-12-29 | 2021-04-27 | 中山德华芯片技术有限公司 | 一种硅基六结太阳电池及其制作方法 |
| CN112713211B (zh) * | 2020-12-29 | 2022-03-15 | 中山德华芯片技术有限公司 | 一种硅基六结太阳电池及其制作方法 |
| CN113764969A (zh) * | 2021-09-08 | 2021-12-07 | 深圳市中科芯辰科技有限公司 | 一种硅基双面垂直腔面发射激光器及其制备方法 |
| CN113764969B (zh) * | 2021-09-08 | 2023-10-31 | 深圳市中科光芯半导体科技有限公司 | 一种硅基双面垂直腔面发射激光器及其制备方法 |
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| Publication number | Publication date |
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