CN110896069A - 光传感器组件制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种光传感器组件制造方法,包括如下步骤:基底步骤:配置引线框架与输出端子;元器件配置步骤,将接收IR带宽信号的收光电二极管与放大芯片配置于所述引线框架;连接步骤,通过电线连接所述收光电二极管与放大芯片,将所述放大芯片通过电线与所述输出端子连接;盒子配置步骤,所述收光电二极管与放大芯片被配置于内侧,将在一面形成有开口部的密封盒子以侧部与所述引线框架相接的方式配置;及涂覆剂注入步骤,将IR涂覆剂注入所述开口部,将IR涂覆剂注入所述密封盒子内部。

Description

光传感器组件制造方法
技术领域
本技术涉及光传感器组件制造方法。
尤其涉及一种接收红外线(IR)带宽的信号与可见光带宽的信号的元器 件被贴装至一个框架的光传感器组件的制造方法。
背景技术
技术的进步对用户带来便利,但对技术人员带来应解决的问题。现有的 显示器(例如CRT)具有基于所积累的技术而在产品本身的性能上显色性能优 秀而具有呈现颜色准确且容易实现等优点,但存在占据大的体积,并无法对 用户呈现更鲜明的画质的缺点,因而,近来,实现高清画质且体积非常小的 TFT-LED及OLED(Organic Light-EmittingDiode)备受瞩目。.
因而,近来,在体现高画质的同时,体现体积非常小的TFT-LED及4K,8K水 平的高画质的OLED(Organic Light-Emitting Diode)TV及QLED(Quantum dot Light-EmittingDiode)TV受到了瞩目.
最近的显示器基于数字信号驱动,与模拟式设备相比,容易控制色相的 补正或控制电。设置用于控制对用于检测周边的亮度的照度或颜色传感器与 所述照度或颜色传感器的亮度检测水准仪的色相补正及需求相应的其它设备 而安装的遥控传感器,以用于显示器的色相补正及位置变换。而且,在当前 上市的显示器产品中,也能够安装发光显示所述遥控传感器的接收的发光装 置。
对于显示器的体积小的情况,对用户提供追求美感、不受特定位置限制 设置的便利性,但在技术人员的立场上,引起减少设置零件的位置的问题。 用于缩小零件的大小的最优选的方法为将不同地制造的两个产品设置于一个 基板,而制造为一体式组件。即,将遥控传感器与照度或颜色传感器.制造为 一个组件。
但为了制造该一体式组件,存在了极大的问题,因为遥控传感器与照度 或颜色传感器接收各不相同的带宽的信号。
在遥控传感器接收可见光带宽的信号时,因执行错误动作,将整个壳体 的外部涂覆仅供透过IR带宽的信号的黑色的IR涂覆剂,以用于仅接收IR带宽 的信号,即,包括遥控传感器的组件形成得壳体本身切断可见光。
照度或颜色传感器与此相反,因需要透过可见光带宽,即,所有的带宽 的信号,因而,制造为透明的壳体。
壳体的差异在将照度或颜色传感器与遥控传感器贴装于一个基板上而造 成大的问题。将照度或颜色传感器配置于以遥控传感器运行的方式涂覆有IR 涂覆剂的遥控传感器的壳体内时,可见光带宽的信号无法到达照度或颜色传 感器,与此相反,在遥控传感器配置在透明的壳体的情况下,可见光带宽的 信号达到遥控传感器,由此,引发遥控传感器产生错误动作。
为了解决此问题,将照度或颜色传感器与遥控传感器配置于一个基板, 而考虑对其分别进行塑造而形成壳体,但在该情况下,塑造中会遇到新的难 题。
照度或颜色传感器、遥控传感器全部通过非常微小的元器件制造壳体, 为此,配置于具有腔的模具,将腔用塑造材料填充的方式制造。
将照度或颜色传感器与遥控传感器配置于一个基板而制造为一体式组件 时,为了制造为一个组件,分别制造仅包裹遥控传感器的模具、仅包裹照度 或颜色传感器的模具,也能够双重塑造元器件,但在该情况下,存在如下问 题,因元器件的大小,而极难以制造所需形状的模具,并且,假设制造出了 该模具,也极难以进行双重塑造的过程且极为复杂,并且,制造成本上升。
现有技术文献
【专利文献】
(专利文献1)韩国公开专利申请号“10-2016-0004013”“一体式光传感器
组件(Lighting Sensor of United Package Type)”
(专利文献2)韩国注册专利注册号“10-1487931”“照明用光传感器组件 (Photosensor package for lighting)”
发明的内容
发明要解决的技术问题
本发明是为了解决上述问题而研发,其目的为提供一种将接收相互不同 的带宽的信号的遥控传感器与照度或颜色传感器制造为一体式组件的制造方 法。
并且,本发明的目的为提供一种光传感器组件制造方法,无需另外制造 用于双重塑造的模具,而追求制造的便利性,并避免制造成本的上升。
本发明要实现的技术课题并非限定于上述言及的技术课题,未言及的或 其它技术课题通过下面的记载而使本发明所属技术领域的普通技术人员明确 理解。
用于解决问题的技术方案
本发明的光传感器组件制造方法包括如下步骤:基底步骤:配置引线框 架与输出端子;元器件配置步骤,将接收IR带宽信号的收光电二极管与放大 芯片配置于所述引线框架;连接步骤,通过电线连接所述收光电二极管与放 大芯片,并将所述放大芯片通过电线与所述输出端子连接;盒子配置步骤, 所述收光电二极管与放大芯片被配置于内侧,将在一面形成有开口部的密封 盒子以侧部与所述引线框架相接的方式配置;及涂覆剂注入步骤,将IR涂覆 剂注入所述开口部,而将IR涂覆剂注入所述密封盒子内部。
在盒子配置步骤中,所述密封盒子在与所述收光电二极管的一面对应的 部分形成有开口部,在与所述放大芯片对应的部分未形成开口部。
在盒子配置步骤中,所述密封盒子包括:侧部,配置于所述收光电二极 管或放大芯片的侧面;上部,与所述侧部连接,而配置于与所述收光电二极 管的上面对应的方向,并包括:封闭部,在配置有所述输出端子的对侧与所 述侧部和上部连接。
在盒子配置步骤中,所述密封盒子的开口部形成使得开放所述侧部的一 部分区域与所述上部的一部分区域或所述上部的一部分区域与封闭部的一部 分区域。
在盒子配置步骤中,在所述引线框架形成有固定孔,并在所述侧部形成 有配置于所述固定孔的固定部。
在盒子配置步骤中,所述固定部通过导电粘合剂固定在所述固定孔,由 此,所述密封盒子被固定于所述引线框架。
并且,引线框架与所述密封盒子中未与所述引线框架相接的面之间的长 度至少不小于0.1mm。
在涂覆剂注入步骤中,包括:混合步骤,将IR涂覆液与固化剂以1:1或1: 0.7的比例混合,而制造IR涂覆剂。
在涂覆剂注入步骤中,IR涂覆剂包括:搅拌步骤,所述IR涂覆液与固化 剂搅拌一分钟至十分钟,包括在5小时内使用的条件。
在涂覆剂注入步骤中,所述IR涂覆剂还包括:脱泡步骤,在搅拌所述IR 涂覆液与固化剂之后,在一分钟至十五分钟内去除空气。
光传感器组件制造方法包括:固化步骤,将IR涂覆剂配置在烘干炉,并 从25度至160度逐步升高温度而固化IR涂覆剂。
光传感器组件制造方法包括:透明塑造步骤,在与所述密封盒子的开口 部对应的位置形成具有透镜的透明壳体。
发明的效果
本发明将密封盒子运用为模箱而用IR涂覆剂仅塑造遥控传感器,由此, 遥控传感器与照度或颜色传感器能够被贴装为一体式。
并且,本发明将必须设置的密封盒子运用为模具模型,而进行双重塑造, 以用于去除干扰,由此,制造一种追求制造便利,且未提高制造成本且一体 式光传感器组件。
附图说明
图1为本发明的光传感器组件的制造方法的框图;
图2中(a)为本发明的光传感器组件的制造方法的基底步骤的构成即引线 框架、输出端子、接地端子的立体图,(b)为图2的(a)中沿着A方向观察的附图, (c)为图2的(a)中沿着B方向观察的附图;
图3为本发明的光传感器组件的制造方法的元器件配置步骤中配置有各 个结构的状态的立体图;
图4为本发明的光传感器组件的制造方法的连接步骤中连接各个结构的 状态的立体图;
图5中(a)显示本发明的光传感器组件的制造方法中所利用的密封盒子的 立体图,(b)为沿着A方向观察图5(a)的附图,(c)为沿着B方向观察图5(a)的附图;
图6中(a)显示将密封盒子设置于引线框架的状态的立体图,图6的(b)为从 A方向观察图6(a)的附图;
图7为显示将密封盒子的固定部配置于引线框架的固定孔之后,涂覆导电 粘合剂的状态的附图;
图8为将本发明的光传感器组件的制造方法的涂覆剂注入步骤中的具体 步骤显示为框图;
图9中(a)为显示本发明的光传感器组件的制造方法的涂覆剂注入步骤中 将IR涂覆剂注入密封盒子内部而塑造的状态的立体图,(b)为显示从A方向观察 图9(a)的附图,(c)为显示从B方向观察图9(a)的附图。
图10中(a)为通过本发明的光传感器组件的制造方法而制造的透明壳体的 立体图,(b)为显示从A方向观察图10(a)的附图,(c)为显示从B方向观察图10(a) 的附图。
附图标记说明
S1:基底步骤 S2:元器件配置步骤
S3:连接步骤 S4:盒子配置步骤
S5:涂覆剂注入步骤 S6:透明塑造步骤
A1:混合步骤 A2:搅拌步骤
A3:脱泡步骤 A4:固化步骤
10:导电粘合剂 20:电线
100:引线框架 110:第一主体部
120:第二主体部 130:固定孔
200:输出端子
300:接地端子
400:密封盒子 410:侧部
411:固定部 420:上部
430:封闭部 440:第一杆
450:第二杆 460:开口部
500:收光电二极管 600:放大芯片
700:受光元器件 800:发光元器件
900:IR涂覆剂
1000:透明壳体 1100:第一凸起部
1200:第二凸起部 1300:透镜
具体实施方式
下面,通过例示的附图对本发明的一个实施例进行具体说明。但其并非 意图限定本发明的范围。
在各个附图的构成要素中附加附图符号,对相同的构成要素,即使显示 在不同的附图上,也应当注意尽可能地具有相同的符号。并且,在说明本发 明时,对于判断相关的公知的构成或功能的具体说明混淆本发明的要旨的情 况下,省略其具体说明。
并且,附图图示的构成要素的大小或形状等在说明的明了性与便利性方 面,进行夸张显示。并且,基于本发明的构成及作用而特别定义的用语仅用 于说明本发明的实施例,并非限定本发明的范围。
在整个说明书中,在称某一部分“包括”某一构成要素时,其在未作特别排 它性记载的情况下,并非排除其它构成要素,是指也包括其它构成要素。
并且,为了便于说明,基于图3,分为一侧、另一侧、前侧、后侧、上侧、 下侧。但其仅用于便于说明而区分,并非用于将本发明限定于上述事项。
图1为本发明的光传感器组件的制造方法的框图。
图2中(a)为本发明的光传感器组件的制造方法的基底步骤的构成即引线 框架、输出端子、接地端子的立体图,(b)为图2的(a)中沿着A方向观察的附图, (c)为图2的(a)中沿着B方向观察的附图。
本发明的光传感器组件制造方法包括:基底步骤(S1)、元器件配置步骤 (S2)、连接步骤(S3)、盒子配置步骤(S4)、涂覆剂注入步骤(S5)、透明塑造步骤 (S6)。
基底步骤(S1)是指配置成为组件的基础的引线框架100、输出端子200、接 地端子300的步骤。引线框架100成为贴装各个元器件的组件的骨架。引线框 架100贴装有:收光电二极管500,接收IR带宽的信号;放大芯片600,放大收 光电二极管500的信号而输出;及受光元器件700,接收其余元器件即可见光 带宽的信号;及发光元器件800,与受光元器件700连接而在受光元器件700接 收信号时发光。
引线框架100基于中央而在一侧配置有收光电二极管500及放大芯片600, 在另一侧配置有发光元器件800与受光元器件700。在引线框架100的一侧将放 大芯片600设于之间而配置有两个收光电二极管500。
引线框架100具有所设定的厚度,并形成为从一侧向另一侧延伸的形状。 但引线框架100并未形成为长方形。即,引线框架100的上侧的面与下侧的面 都平整,但以与各个元器件的大小对应的方式形成得前侧突出的程度发生变 形。例如,收光电二极管500的大小形成得比放大芯片600的大小更大。与此 对应,引线框架100的前侧突出的程度形成各异。即,配置收光电二极管500 的部分比配置放大芯片600的部分更突出。
由此,引线框架100并非形成为平整的四方形,而是前侧突出并凹陷且形 成缝隙的理由为与引线框架100并非由块构成而是由两块构成的理由如出一 辙。
引线框架100由第一主体部110、第二主体部120构成。
第一主体部110由一侧向另一侧延伸形成并由一侧趋向另一侧而配置有 收光电二极管500、放大芯片600、收光电二极管500、受光元器件700。第二 主体部120与第一主体部110分隔配置,以使基于放大芯片600而在配置于另一 侧的收光电二极管500与受光元器件700之间配置发光元器件800。配置第二主 体部120的位置的第一主体部110应当向后侧凹陷形成。
由此,第一主体部110与第二主体部120被分隔配置的理由为在导电粘合 剂10被涂覆至下面要说明的固定孔130时,导电粘合剂10向配置于第二主体部 120的发光元器件800侧移动,从而,起到防止导电粘合剂10接触发光元器件 800的作用。
其在导电粘合剂10被涂覆至受光元器件700时也同样如此。即,将各个构 成配置于引线框架100,在对其进行粘合时,防止发生涂覆至各个元器件的导 电粘合剂10向结构流动而造成两个结构因导电粘合剂10连接的情况。
在引线框架100的一侧形成有固定孔130。固定孔130形成为椭圆形,并非 圆形,在引线框架100的一侧分隔,而形成两个,其形成的位置非对称形成。
固定孔130起到配置下面要述的密封盒子400的固定部411而固定密封盒 子400的位置的作用,具体的内容下面进行说明。
在引线框架100的前侧配置有向下侧延伸并弯曲而再次延伸的形状的输 出端子200。该输出端子200分别与引线框架100的前侧连接。 观察输出端子200为
Figure BDA0001891879500000101
的形状。
另外,配置有与输出端子200的形状对应的形状且配置于引线框架100的 后侧的接地端子300。
输出端子200根据一实施例而配置为八个,引线框架100的前侧以与此对 应的方式形成有八个突出的部分,接地端子300根据一实施例而配置有两个, 引线框架100的后侧以与其对应的方式形成突出两个部分。
输出端子200与接地端子300对称形成,输出端子200与接地端子300之后 经过透明塑造步骤(S6)而形成透明壳体1000时,在透明壳体1000的下面起到支 撑一体式光传感器组件的支撑腿的作用。因此,优选地,形成为对称的形状 。基底步骤(S1)是指将按此方式形成的引线框架100和输出端子200、接地端子 300配置在各自位置的基础步骤。
图3为在本发明的光传感器组件的制造方法的元器件配置步骤中配置各 个结构的状态的立体图。
元器件配置步骤(S2)是指将收光电二极管500、放大芯片600、发光元器件 800、受光元器件700配置于引线框架100而固定元器件的位置的步骤。
从引线框架100的一侧向另一侧配置有收光电二极管500、放大芯片600、 收光电二极管500、发光元器件800、受光元器件700。各个元器件涂覆有导电 粘合剂10而与引线框架100连接。导电粘合剂10稳定固定引线框架100与各个 元器件。
图4为在本发明的光传感器组件的制造方法的连接步骤中连接各个结构 的状态的立体图。
连接步骤(S3)是指连接配置于引线框架100的元器件并连接至输出端子 200的步骤。在此,优选地,多个元器件的连接、元器件与输出端子200的连 接通过具有导电性的电线20,例如金线20连接。
配置于引线框架100的一侧的收光电二极管500与放大芯片600连接,放大 芯片600与引线框架100及输出端子200连接。
即,优选地,基于放大芯片600而配置于一侧的收光电二极管500通过电 线20而与放大芯片600连接,配置于另一侧的收光电二极管500也通过电线20 而与放大芯片600连接。放大芯片600通过电线20而与引线框架100连接,并与 前侧的相互不同的输出端子200连接。
发光元器件800通过电线20而与第一主体部110连接,通过其它电线20而 与配置于第二主体部120的前侧的输出端子200连接。
受光元器件700借助四个电线20,任一个电线20与第一主体部110连接, 剩下的三个电线20分别与不同的输出端子200连接。
在将配置于引线框架100的各个元器件通过电线20连接之后,配置密封盒 子400。
图5中(a)显示本发明的光传感器组件的制造方法中所利用的密封盒子的 立体图,(b)为沿着A方向观察图5(a)的附图,(c)为沿着B方向观察图5(a)的附图。
图6中(a)显示将密封盒子设置于引线框架的状态的立体图,图6(b)为从A 方向观察图6(a)的附图。
图7为显示将密封盒子的固定部配置于引线框架的固定孔之后,涂覆导电 粘合剂的状态的附图。
盒子配置步骤(S4)设置遮蔽到达收光电二极管500、放大芯片600的干扰的 密封盒子400。密封盒子400形成为截面以90度旋转的
Figure BDA0001891879500000121
形状。密封盒子400 由侧部410、上部420、封闭部430构成。侧部410为形成于密封盒子400的一侧 与另一侧的部分,上部420为形成于密封盒子400的上部420的部分,封闭部43 0为密封盒子400配置在引线框架100时形成于后侧的部分。.
密封盒子400的前侧开放。即,以空置的方式形成。如上所示的理由为因 各个元器件必须与配置在前侧的输出端子200连接,而相应部分需被开启。与 此同时,用于从前侧传来的IR带宽的信号到达收光电二极管500。
密封盒子400起到遮蔽干扰的作用,同时,执行模具的作用,使得IR涂覆 剂900塑造至收光电二极管500、放大芯片600。密封盒子400的侧部410为形成 于密封盒子400的一侧与另一侧的部分,起到在下侧与引线框架100相接而将 密封盒子400固定于引线框架100的作用。
更准确地,在密封盒子400的侧部410的下侧形成有固定部411,但该固定 部411配置于形成在引线框架100的固定孔130。在固定部411配置在固定孔130 时,将导电粘合剂10填充至固定孔130。由此,导电粘合剂10将密封盒子400 的固定部411附着在引线框架100的固定孔130,由此,密封盒子400被固定于 引线框架100。密封盒子400形成有在上侧形成开口部460的上部420。
上部420在与收光电二极管500对应的位置形成开口部460,在与放大芯片 600对应的位置未形成开口部460。即,将密封盒子400固定于引线框架100, 并从上侧向下侧对其进行观察时,未观察到放大芯片600。
密封盒子400的上部420形成为薄条状的第一杆440与第二杆450横贯的形 状,该第一杆440与第二杆450未经过的部分形成有开口部460。开口部460起 到使得IR带宽的信号通过密封盒子400而到达收光电二极管500的作用。另外, IR带宽的信号从一侧、另一侧、前侧、后侧、上侧、下侧等不同的方向传送 至收光电二极管500。
密封盒子400因前侧被开启,由前侧传送的IR带宽的信号未造成问题,从 下侧传送的IR带宽的信号由于向因各个收光电二极管500与放大芯片600的大 小差而形成的前侧突出的部分与未向前侧突出的部分,而向根据该突出程度 而形成的缝隙传送IR带宽,因而,也未产生问题。因上部420的未配置第一杆 440与第二杆450的部分呈开放状态而不存在问题。
具有问题的部分为侧部410与封闭部430部分。侧部410与封闭部430为全 部阻挡的结构,从一侧、另一侧及后侧传送的IR带宽的信号由密封盒子400阻 挡而未被传输至收光电二极管500。
因此,优选地,开口部460形成为连接侧部410的一部分区域与上部420的 一部分区域的形状。并且,封闭部430也同样。即,优选地,以连接封闭部430 的一部分与上部420的一部分区域的形式而呈开放状态形成开口部460。
因此,开口部460最终形成于上部420、封闭部430、侧部410。在此,优 选地,全部形成于上部420与侧部410连接的部分、连接封闭部430与上部420 的部分。另外,同时,在密封盒子400注入IR涂覆剂900时,起到对其进行关 闭的模具的作用。因此,优选地,形成于侧部410与封闭部430的开口部460具 有防止具有粘性的IR涂覆剂900流出的大小。
封闭部430形成得小于侧部410的长度。因此,在密封盒子400的固定部411 配置于固定孔130,侧部410与引线框架100相接配置的情况,在封闭部430与 引线框架100之间形成缝隙。缝隙形成得细小,并非为供具有粘性的IR涂覆剂 900流出的程度。但收光电二极管500充分接收IR带宽的信号。
侧部410的下侧由支撑部与倾斜部构成。支撑部在固定部411插入了固定 孔130时,起到与引线框架100接触而支撑的作用。倾斜部以倾斜的方式形成 至上侧,在引线框架100与密封盒子400之间形成缝隙。该缝隙与形成于封闭 部430与引线框架100之间的缝隙相同,窄而不足以IR涂覆剂900流动,但充分 供IR带宽的信号通过。
图8为将本发明的光传感器组件的制造方法的涂覆剂注入步骤中具体步 骤显示为框图。
图9中(a)为显示本发明的光传感器组件的制造方法的涂覆剂注入步骤中 将IR涂覆剂注入密封盒子内部而塑造的状态的立体图,(b)为显示从A方向观察 图9(a)的附图,(c)为显示从B方向观察图9(a)的附图。
涂覆剂注入步骤(S5)是指将密封盒子400设置于引线框架100,通过开口部 460而将IR涂覆剂900注入密封盒子400内部的步骤。IR涂覆剂900切断可见光 带宽的信号,并仅供IR带宽的信号通过而到达收光电二极管500。
通过IR涂覆剂900而可见光带宽的信号被完全切断,为了仅IR带宽的信号 到达收光电二极管500,IR涂覆剂900应以超过所设定的厚度而涂覆收光电二 极管500与放大芯片600。因此,起到未使IR涂覆剂900发生移动的模具的作用 的密封盒子400具有所设定的大小。优选地,密封盒子400的上部420的内部面 (下侧的面)与引线框架100之间的距离至少不应小于0.1mm。优选地,IR涂覆 剂900具有0.1mm至0.15mm之间的厚度,并涂覆收光电二极管500、放大芯片 600。
IR涂覆剂900以不厚于0.1mm的大小涂覆收光电二极管500、发光元器件 800时,可见光带宽的信号未被切断,并到达收光电二极管500、放大芯片600 而引发错误动作,因此,IR涂覆剂900不能够具有不厚于0.1mm的大小并涂覆 于各个元器件。
该IR涂覆剂900的厚度调节起到模具作用的密封盒子400的大小,更准确 地调节引线框架100与密封盒子400的上部420之间的距离。
IR涂覆剂900借助喷嘴而通过密封盒子400的上部420的开口部460向密封 盒子400的内部注入。密封盒子400通过上部420、侧部410、封闭部430而形成 封闭的空间,但在前侧、开口部460、倾斜部形成开放的空间,供IR涂覆剂900 流动。假设IR涂覆剂900发生移动,而未与受光元器件700接触时,受光元器 件700的可见光带宽被切断。
因此,IR涂覆剂900制造得需具有粘性。为此,涂覆剂注入步骤(S5)在注 入IR涂覆剂900之前,包括制造IR涂覆剂900的混合步骤(A1)、搅拌步骤(A2)、 脱泡步骤(A3)、固化步骤(A4)。
混合步骤(A1)是指混合IR涂覆液与固化剂而制造要注入的IR涂覆剂900的 步骤。优选地,IR涂覆液(单位g)与固化剂(单位g)以1:0.15至0.25的比例混合而 制造。更有选地,IR涂覆剂900与固化剂的混合比为1:0.2。
搅拌步骤(A2)混合IR涂覆液与固化剂而制造IR涂覆液,通过很好地混合IR 涂覆液与固化剂的搅拌的步骤如混合步骤(A1)所示,将混合制造的IR涂覆液搅 拌一分钟至七分钟。不足一分钟或超过七分钟的搅拌未能很好地混合IR涂覆 液与固化剂,或因空气太多,流入IR涂覆剂900而造成脱泡时间变长,或IR涂 覆剂900其本身产生不良现象,在固化时发生问题,因而,优选地,以一分钟 以上七分钟以下进行搅拌。
脱泡步骤(A3)为在搅拌步骤(A2)中制造的IR涂覆液去除空气,涂覆液与固 化剂以1:0.15至0.25比例混合,将在一分钟至七分钟之间经过搅拌步骤(A2)的 IR涂覆剂900在两分钟至十分钟内去除空气的步骤。
经过混合步骤(A1)、搅拌步骤(A2)、脱泡步骤(A3)而制造的IR涂覆剂900 通过开口部460而注入密封盒子400的内部。
之后,在引线框架100与密封盒子400的内部塑造IR涂覆剂900的状态下, 移动至烘干炉,而执行固化IR涂覆剂900的固化步骤(A4)。
固化步骤(A4)逐步提高25度至160度的温度,并固化IR涂覆剂900。第一时 间为与第二时间不同的时间,第三时间为与第一时间、第二时间不同的时间。 下面言及的第A时间的A的数字不同时,是指不同的时间,并为任意的时间。
在此,固化步骤(A4)根据时间不同而逐步提高温度。例如,在第一时间内 将烘干炉保持为25度,在第二时间内将烘干炉保持为40度,第三时间内将烘 干炉保持为60度,渐进地增加时间与温度,在第四时间内将烘干炉保持为80 度,最终在第A时间内将烘干炉保持为160度,从而固化IR涂覆剂900。
如上所示,本发明的光传感器组件制造方法将密封盒子400作为模具使 用,将其内部空间如腔一样进行运用,仅用IR涂覆剂900塑造收光电二极管 500、放大芯片600。即,无需另外的模具,将原来用于切断对收光电二极管 500、放大芯片600产生干扰而设置的密封盒子400运用为模具,将接收IR带宽 的信号的元器件与接收可见光带宽的元器件贴装至一个引线框架100。
图10中(a)为通过本发明的光传感器组件的制造方法而制造的透明壳体的 立体图,(b)为显示从A方向观察图10(a)的附图,(c)为显示从B方向观察图10(a) 的附图。
在IR涂覆剂900固化时,执行最终形成透明壳体1000的透明塑造步骤(S6)。 透明塑造步骤(S6)在另外的模具模型上将经过固化步骤(A4)的一体式的组件 配置在模具之后,将透明塑造材料填充至模具的腔之后固化而形成透明壳体 1000。
在此,透明壳体1000被制造得形成有透镜1300、第一凸起部1100、第二 凸起部1200。
透镜1300形成于与形成有密封盒子400的开口部460的位置对应的位置, 即,与收光电二极管500对应的位置的上侧。透镜1300在IR带宽的信号透过透 明壳体1000时,起到集中至收光电二极管500侧的作用。因此,优选地,与收 光电二极管500的数量匹配而形成透镜1300。例如,优选地,对于收光电二极 管500为两个的情况,透镜1300也形成为两个。
在透明塑造步骤(S6)中,由前侧向下侧与后侧弯曲的形状的输出端子200 与由后侧向下侧与前侧弯曲的形状的接地端子300被塑造为向透明壳体1000 的外部突出。
透明壳体1000的第一凸起部1100形成为与透明壳体1000的下侧的一侧与 另一侧对称的形状。因此,透明壳体1000的下侧配置有由前侧向后侧弯曲的 输出端子200与由后侧向前侧弯曲的接地端子300及第一凸起部1100。
通过此,本发明的一体式光传感器组件以表面贴装式形成于其它基板, 因存在有第一凸起部1100,而贴装时,因与其它基板分隔,由此,具有另外 将电路印刷至其它基板的优点。
第二凸起部1200形成得与透明壳体1000的前侧的一侧与另一侧对称。其 本发明的一体式光传感器组件前侧表面贴装于其它基板。即,第二凸起部1200 从前侧突出形成,从前侧突出而向下侧弯曲进而向后侧弯曲的输出端子200的 下侧的部分被配置在第二凸起部1200之间。
因此,通过本发明的制造方法制造的一体式光传感器组件,即使将前侧 贴装于其它基板,也能够贴装于表面。
因此,根据用户的选择,配置得透明壳体1000的下侧朝向其它基板,另 外,前侧朝向其它基板。
本发明对特定的实施例进行了图示说明,但在不脱离通过权利要求范围 提供的本发明的技术思想的范围内,对于本发明的各种改良及变化本领域普 通技术人员应当自明。

Claims (12)

1.一种光传感器组件制造方法,其特征在于,
包括如下步骤:
基底步骤:配置引线框架与输出端子;
元器件配置步骤,将接收IR带宽信号的收光电二极管与放大芯片配置于所述引线框架;
连接步骤,通过电线连接所述收光电二极管与放大芯片,将所述放大芯片通过电线与所述输出端子连接;
盒子配置步骤,所述收光电二极管与放大芯片被配置于内侧,将在一面形成有开口部的密封盒子以侧部与所述引线框架相接的方式配置;及
涂覆剂注入步骤,将IR涂覆剂注入所述开口部,将IR涂覆剂注入所述密封盒子内部。
2.根据权利要求1所述的光传感器组件制造方法,其特征在于,
在所述盒子配置步骤中,
所述密封盒子在与所述收光电二极管的一面对应的部分形成有开口部,在与所述放大芯片对应的部分未形成开口部。
3.根据权利要求2所述的光传感器组件制造方法,其特征在于,
在所述盒子配置步骤中,
所述密封盒子包括:
侧部,配置于所述收光电二极管或放大芯片的侧面;
上部,与所述侧部连接,而配置于与所述收光电二极管的上面对应的方向,
并包括:封闭部,在配置有所述输出端子的对侧与所述侧部和上部连接。
4.根据权利要求3所述的光传感器组件制造方法,其特征在于,
在所述盒子配置步骤中,
所述密封盒子的开口部形成使得开放所述侧部的一部分区域与所述上部的一部分区域或所述上部的一部分区域与封闭部的一部分区域。
5.根据权利要求1所述的光传感器组件制造方法,其特征在于,
在所述盒子配置步骤中,
在所述引线框架形成有固定孔,
在所述侧部形成有配置于所述固定孔的固定部。
6.根据权利要求5所述的光传感器组件制造方法,其特征在于,
在所述盒子配置步骤中,
所述固定部在所述固定孔通过导电粘合剂固定,而所述密封盒子被固定于所述引线框架。
7.根据权利要求1所述的光传感器组件制造方法,其特征在于,
所述引线框架与所述密封盒子中未与所述引线框架相接的面之间的长度至少不小于0.1mm。
8.根据权利要求1所述的光传感器组件制造方法,其特征在于,
在所述涂覆剂注入步骤中,
包括:将IR涂覆液与固化剂以1:0.15至0.25的比例混合,而制造IR涂覆剂的混合步骤。
9.根据权利要求8所述的光传感器组件制造方法,其特征在于,
在所述涂覆剂注入步骤中,
IR涂覆剂包括:搅拌步骤,将所述IR涂覆液与固化剂搅拌一分钟至七分钟。
10.根据权利要求9所述的光传感器组件制造方法,其特征在于,
在所述涂覆剂注入步骤中,
所述IR涂覆剂还包括:脱泡步骤,在搅拌所述IR涂覆液与固化剂之后,在两分钟至十分钟内去除空气。
11.根据权利要求1所述的光传感器组件制造方法,其特征在于,
所述光传感器组件制造方法包括:
固化步骤,将IR涂覆剂配置在烘干炉,并在25度至160度逐步升高温度而固化IR涂覆剂。
12.根据权利要求11所述的光传感器组件制造方法,其特征在于,
所述光传感器组件制造方法包括:
透明塑造步骤,在与所述密封盒子的开口部对应的位置形成具有透镜的透明壳体。
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101123036A (zh) * 2007-03-02 2008-02-13 哈尔滨海格科技发展有限责任公司 复合封装红外接收器
CN102693974A (zh) * 2012-06-14 2012-09-26 厦门华联电子有限公司 具有双层结构的红外遥控接收放大器
CN103649697A (zh) * 2012-04-23 2014-03-19 雷特龙有限公司 一体型光传感器组件
WO2014077485A1 (ko) * 2012-11-16 2014-05-22 레이트론(주) 투명하우징을 이용한 광센서 패키지
CN104421900A (zh) * 2013-08-20 2015-03-18 罗伊电子有限公司 照明用光传感器组合件

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100564947B1 (ko) * 2004-09-25 2006-03-30 (주)원반도체 적외선 수신 모듈 및 이의 제조 방법
KR20130010185A (ko) * 2011-07-18 2013-01-28 이지윤 조도센서와 리모콘 소자의 일체형 디바이스
KR101159639B1 (ko) * 2012-04-23 2012-06-27 이현영 일체형 광센서 패키지
KR101248878B1 (ko) * 2012-06-19 2013-04-02 이현영 일체형 광센서 패키지

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101123036A (zh) * 2007-03-02 2008-02-13 哈尔滨海格科技发展有限责任公司 复合封装红外接收器
CN103649697A (zh) * 2012-04-23 2014-03-19 雷特龙有限公司 一体型光传感器组件
CN102693974A (zh) * 2012-06-14 2012-09-26 厦门华联电子有限公司 具有双层结构的红外遥控接收放大器
WO2014077485A1 (ko) * 2012-11-16 2014-05-22 레이트론(주) 투명하우징을 이용한 광센서 패키지
CN104421900A (zh) * 2013-08-20 2015-03-18 罗伊电子有限公司 照明用光传感器组合件

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