CN110892639A - 具有抑制的寄生信号的saw器件 - Google Patents

Abstract

在SAW器件中包括SAW芯片，SAW芯片承载SAW换能器，SAW换能器被布置在第一信号线内，由于SAW器件的操作频率的高次谐波所致的寄生信号通过补偿部件被电消除，补偿部件包括至少一个第二信号线，至少一个第二信号线具有用于产生抵消信号的部件，抵消信号在符号或相位上不同于寄生信号，或者补偿部件包括分流线，分流线用于将SAW换能器电连接到SAW芯片的背面金属化部。

Description

具有抑制的寄生信号的SAW器件

背景技术

在现代通信设备(诸如移动电话)中通常使用的声滤波器中，非线性可能出现。这些非线性产生寄生信号，诸如二次谐波和更高次谐波以及混频产物，其可能在信号处理(像例如滤波、选择性或隔离)中引起问题。

在SAW器件中，被称为H2的二次谐波与体波相关，体波在器件的所使用的通带或谐振频率的两倍处产生信号。由于其非线性，这种激励在滤波器应用中是不期望的，并且因此，已经作出了许多尝试来抑制这种激励。尽管有前述内容，但是这种非线性已经被使用在诸如卷积器等技术应用中。

这些尝试中的一些尝试旨在减弱相应SAW芯片的背面处的波，或者通过复杂的滤波器技术将它们滤除。然而，尚未发现可用于有效抑制不同设计的SAW器件中的H2谐波的解决方案。

发明内容

因此，本发明的目的是，提供一种可以有效抑制二次谐波H2和相关混频产物的SAW器件。

该目的和其他目的通过根据权利要求1的SAW器件来达到。有利的和发展出的实施例可以从另外的权利要求中得出。

一种SAW器件包括SAW芯片，SAW芯片是在其顶表面上承载有SAW换能器的压电体。换能器被适配为以器件的操作频率工作，操作频率通常与换能器的谐振频率相符。换能器可以是滤波器电路的一部分，并且被布置在第一信号线内。除了被适配为操作在操作频率处的特征之外，本发明还提供了补偿部件，补偿部件连接到信号线或者布置在信号线中，以电消除在与操作频率不同的频率处出现的非线性寄生信号。

补偿部件包括：

-至少第二信号线，具有用于产生在符号或相位上与寄生信号不同的抵消信号的部件，或者

-分流线，用于将SAW换能器电连接到SAW芯片的背面金属化部，或者

-分流元件，其在寄生信号必须被抑制的频率处(例如，在用于H2抑制的谐振频率的大约两倍处)实现到地的短接电路。

在上文提到的所有情况下，寄生信号通过以下而以电方式被抑制：将寄生信号与不同符号的对称信号组合和抵消，或者使携带寄生信号的两个金属化部短路。

针对第一种情况的简单解决方案是：提供具有如第一信号线的相同组件的第二信号线，并且组合在寄生频率处具有相互相位差π的两个信号线。这样的相位差可以通过将移相器插入到信号线中的至少一个信号线中来实现。

单个移相器要求产生相移π，而两个或更多移相器需要将它们的相移加起来达到相互相位差π或更一般的(2n+1)π，其中n是整数。一种可能的解决方案将+π/2移相器和-π/2移相器组合。

根据第二种情况的简单解决方案包括普通的导线作为分流线，以将SAW换能器的两个电极之一连接到布置在SAW芯片背面上的金属化部。这样的分流线防止了在背面与顶表面上的换能器之间的电压的积聚。这样的电压可能是根据二次谐波H2的寄生体波的结果。体波在背面反射，从而驻波积聚。取决于谐振腔体，并且因此取决于SAW芯片的厚度，该体波在不同的频率处产生不想要的信号。由此，电位差出现，并且只要不被短路，信号就可以在两个表面之间，即在其上的金属化部(如换能器)与背面金属化部之间被测量到。将这些金属化部短路消除了电压，并且抑制了所产生的寄生信号。必要的是，背面金属化部浮置并且因此不具有到地或信号源的连接。

背面金属化部可以是覆盖SAW芯片的背面的总面积的连续金属化部。然而，优选的是通过以下来构建背面金属化部：分离和电隔离其不同的部分区域。每个区域与顶表面上的仅一个单个元件相对，例如与换能器相对。部分区域可以在其横向尺寸上被限制为相应的顶表面元件的区域。

根据另外的实施例，具有位于或接近于寄生频率的谐振频率的分流谐振器被布置在分流线中，并且分流线连接到地电位。由此，根据分流谐振器的谐振频率的寄生频率处的信号被短路，而操作频率处的信号没有被影响或仅可忽略地被影响。

分流谐振器可以具体化为SAW谐振器。然后，它可以被形成在SAW芯片的顶表面上，作为另外的金属化部。

替代地，分流谐振器可以是BAW谐振器，或者以单独器件的形式以另一技术具体化的谐振器。

在第一种情况(第一实施例)中，两个或更多第二信号线与第一信号线并联连接。第一信号线和至少一个第二信号线中的每个信号线包括相同组件，以使得有用信号的幅度以及寄生信号的幅度在每个信号线中相同。移相器被布置在信号线中的至少一个信号线中，并且被适配为将至少一个第二信号线中的寄生信号的相位相对于第一信号线移动，以使得寄生信号归因于它们的相位差而彼此抵消。有用信号不经受相移，并且因此相长地干涉并且使它们的幅度相加。

在一种简单的解决方案中，移相器被具体化为具有位于或接近于寄生频率的谐振频率的SAW谐振器。SAW谐振器可以被布置在SAW器件的SAW芯片的顶表面上。

根据另外的实施例，信号线包括被级联的谐振器。这意味着，单个原始谐振器被替换为分别有两个谐振器的两个串联电路的并联电路。在这样的串联电路中，如果使两个谐振器相对于彼此相互失谐，则可以实现相移。通过在彼此相反的方向上使两个串联电路失谐，两个串联电路之间产生的相移可以在寄生频率处被设置为π。

由于现今大多数的滤波器电路包括级联谐振器，所以相对于现有技术的状态，发明性解决方案不要求任何附加的组件、空间、芯片面积、努力。

在另一实施例中，移相器可以具体化为从电容和电感中选择的阻抗元件的对称pi构件。但是，引起相移的每种其他电路也是可能的。移相器可以被形成为在相应的信号线内电路连接的分立器件。此外，移相器的阻抗元件可以被集成在载体衬底中，载体衬底是SAW芯片的封装或其壳体的一部分。移相器在小频带中工作，以使得操作频率处的信号不受影响。

在第二种情况(第二实施例)中，分流线可以被引导穿过SAW芯片，并且可以被具体化为过孔或直通接触部。替代地，分流线包括在SAW芯片的边缘上方和周围被引导的线导体。此外，分流线可以具有由壳体形成的节段，SAW芯片被布置在该壳体中。分流线甚至可以完全由壳体形成。然后，换能器的一个电极需要连接到壳体，并且壳体需要接地。与此无关地，背面金属化部也可以被接地，以使得电极背面金属化部被短路。

一种可以另外地抑制通过寄生体波激发的驻波积聚的进一步方法是，以如下方式来构建背侧，该方式实现冲击到背侧上的体波的分散。由此，延迟的(反射的)信号可以被抑制。该构建可以包括压电芯片的表面处理或对背面金属化部的构建。与通过粗糙化、锯切、喷砂或蚀刻进行的表面处理相比，最后一种情况可以用低得多的努力来实现。

最后，所提出的用于抑制所提及领域的寄生信号的方法可以在每种任意组合中被组合。特别地，第一和第二实施例彼此不相互影响，并且可以并行实施。由此，当在第一和第二信号线中使用相应的频率选择性移相器时，和/或当实施如上文已经解释的频率选择性的分流线时，不同频率的寄生信号可以被抵消或抑制。

本发明可以用于抑制源自其他寄生效应(如源自第三谐波H3)的寄生信号。在这种情况下，频率选择性元件(移相器和/或分流元件)应当被优化为三次谐波的频率，其为3f，其中f是SAW器件或滤波器电路的操作频率。

根据不同的实施例，SAW器件可以是或可以包括梯型滤波器、DMS滤波器或谐振器。

第三实施例的分流元件的概念不限于SAW滤波器。因此，选择性地针对将被抑制的频率(如H2)的信号来提供到地的短接电路的构思也可以应用在其他滤波器技术中，例如，在BAW过滤器中。即使在不使用声信号的滤波器(例如，如LC滤波器)处，除了已知的滤波器元件之外，发明性分流元件也可以被使用。

附图说明

在下文中，参考具体实施例和附图更详细地解释本发明。附图仅是示意性的并且未按比例绘制。相同的元件或相同功能的元件通过相同的参考符号来引用。

图1示出了根据第一实施例的不同示例。

图2示出了根据第二实施例的示例。

图3示出了与第一实施例和第二实施例中使用的那些不同的用于滤波器电路的示例。

图4示出了根据第一实施例的具有两个SAW芯片的布置的横截面视图。

图5示出了根据第二实施例的SAW芯片的横截面视图。

图6示出了根据第二实施例的具有分流线的不同SAW芯片的横截面视图。

图7比较了用于形成现有技术的谐振器和根据第一实施例的信号线所必要的芯片面积。

图8示出了包括分流谐振器的根据本发明的SAW滤波器。

图9比较了根据第二实施例的具有发明性分流线和不具有发明性分流线的滤波器电路的两个传递函数。

图10示出了根据第二实施例的相同滤波器电路的S12矩阵元素的放大节段。

图11解释了在H2频率处在SAW器件中的寄生体波的激励。

图11示出了穿过SAW器件的横截面的示意视图。包括换能器指部TRF的叉指换能器被布置在压电芯片CHP的顶表面上。在普通的指状换能器中，换能器指部TRF以π/2的通常规则的图案被布置。在谐振频率f处，所施加的RF信号引起换能器指部的偏转，从而指状部交替地向上和向下移动。在处于2f频率处的换能器的谐波频率处，所有换能器指部的同步运动可以被认为如图11中所示出的。所有换能器指部的这种同步的上和下运动引起体波，该体波相对于将被激励的芯片CHP的背面传播。在芯片CHP的背面，背面金属化部BSM可以被应用。在任一种情况下，体波BWV在背面被反射以形成反射波RWV。反射波向上传播到顶表面，并且可以在顶表面处再次反射。由此，如在体波谐振器中那样，驻波积聚而形成谐振。体波在所有频率处产生寄生信号，而满足长度h的腔体中对于驻波的谐振条件，其中在该附图中，h是换能器指部TRF与背面金属化部BSM之间的距离。寄生信号可以被看作是背面金属化部BSM与换能器指部TRF之间的电位差。

具体实施方式

本发明的目的是，抑制其起源为换能器的二次谐波振动的这些寄生信号。

图1示出了根据第一实施例的可以达到该目的的不同布置。图1在a)处示出了信号线，该信号线在两个对称信号线SL1和SL2中被拆分，信号线SL1和SL2并联地电路连接在输入IN与输出OUT之间。两个信号线SL中的每个信号线包括相应的第一或第二滤波器电路FC1和FC2，它们是相同的并且因此以相同的方式进行操作。在没有另外的手段的情况下，这两个信号线SL将在输出OUT处相长地相加它们的幅度。根据本发明，移相器PS2被插入在滤波器电路FC之一与输出之间。在该图中，移相器被插入在第二信号线SL2中。移相器PS2引起对于寄生信号的频率的相移π。优选地，移相器PS2被设置为至少为二次谐波的频率提供相移。作为结果，两个信号线SL1和SL2中的信号在输出OUT处干涉，由此彼此抵消。以这种方式，寄生信号可以总计地被消除。归因于移相器操作的有限带宽，由滤波器电路使用的操作频率的信号不被移相器PS所影响。

变型b)以如下的事实与变型a)仅略微不同：移相器PS2被布置在输入IN与第二滤波器电路FC2之间。该互换的次序实现了与变型a)相同的结果，并且也产生了寄生信号的完全抵消。

根据变型c)，在将被抑制的频率处的在两个信号线SL之间的要求相移π通过布置在第一信号线SL1中的第一移相器PS1和布置在第二信号线SL2中的第二移相器PS2来实现。两个移相器PS1和PS2在相互相反的方向上引起相移，以使得在输出OUT处，总相位差π和寄生信号的抵消被实现。如果将被抑制的寄生信号具有2f的频率，其中f为滤波器的基模，则基模表现出+/-π/4的相位差。第一移相器PS1，例如，可以引起+π/2的相移，并且可以与引起-π/2相移的第二移相器PS2组合，而相加为在将被抑制的寄生信号的频率处的在两个信号线之间的总相位差π。

变型c)可以扩展到变型d)，其包括并联地电路连接的n个信号线SL1至SLn的并联电路。所有n个信号线SL包括相同的滤波器电路，如第一滤波器电路FC1和移相器PSn。移相器PS被选择以在寄生信号频率处在输出OUT处引起相应的相移，以使得寄生信号频率的所有频率分量抵消。

图2示出了根据第二实施例的布置。滤波器电路FC被布置在信号线SL中，在输入IN与输出OUT之间。信号线和滤波器电路FC被布置在SAW芯片的顶部上。背面金属化部BSM被应用到SAW芯片的背面上，与滤波器电路FC的元件相对。在该图中，背面金属化部BSM被描绘为导线，该导线可以归因于由寄生波(如二次谐波)引起的压电材料的极化而呈现电位。根据第二实施例，本发明提出在信号线SL与背面金属化部BSM之间电路连接分流线SHL。分流线可以被布置在滤波器电路FC的组件附近，滤波器电路FC位于在顶侧处的滤波器金属化部与背侧金属化部之间的最大电位差可以积聚的位置处。通过分流线SHL，积聚的电位通过短路来均衡并且因此被消除。

根据进一步的发展，另外的分流线SHL可以被布置在信号线SL与背面金属化部BSM之间的其他位置。这在如下的情况中可能是必要的：背面金属化部BSM在部分区域中被分开，这些部分区域相对于彼此被电隔离。然后，背面金属化部BSM的每个被隔离的部分区域可以通过相应的分流线SHL连接到信号线。

图3示出了本发明可以被应用到的电路FC的五个不同示例，或滤波器电路的组件的五个不同示例。图3A描绘了在输入与输出之间的信号线中被电路连接的示意性滤波器电路FC。滤波器电路可以包括串联电连接或声学连接的不同元件。图3B将在信号线内被电路连接的叉指换能器TRD示出为这种SAW滤波器电路FC的必要组件。滤波器电路FC的另一组件可以是图3C中示意性示出的谐振器RES。如图3B中示出的换能器可以是谐振器、DMS滤波器、或图3D中示出的另一纵向耦合的谐振器滤波器的一部分。作为示例，图3C中示出的谐振器可以是谐振器滤波器的一部分，该谐振器滤波器是根据图3E的梯型布置的一部分，该梯型布置包括布置在信号线中的串联谐振器和布置在并联支路中的并联谐振器，该并联支路将信号线连接到地电位。

每个滤波器电路FC也可以包括其他组件，其他组件可以是所示出的示例的组合，或者可以包括图3中未描绘的其他元件。

图4示出了根据第一实施例的并且如根据图3E的滤波器电路来实现的示例。如图1A中示出的，滤波器电路FC包括在输入IN与输出OUT之间并联电路连接的第一信号线SL1和第二信号线SL2。在信号线SL中的每个信号线中，串联谐振器SR串联地被电路连接。此外，并联谐振器PR在相应的信号线SL与地电位GND之间并联地被电路连接。为了简化的目的，谐振器SR、PR中的每个谐振器仅通过相互交错的三个换能器指部来示意性地描绘。第一和第二滤波器电路利用单独的芯片来描绘，每个单独的芯片是第一芯片CHP1和第二芯片CHP2。因为这仅是为了更好的理解，所以真实的布置优选地仅包括一个芯片，在该芯片上，两个信号线及其相应的组件被布置。移相器PS2被布置在第二信号线SL2中，在相应的串联谐振器SR与输出OUT之间。替代地，移相器PS2可以被布置在输入IN与串联谐振器SR之间。移相器被适配为针对寄生频率的信号引起相移π。移相器PS的带宽被选择，以使得操作频率处的信号在它的相位上不被移相器PS所影响。

图5示出了根据第二实施例的本发明的另一变型。此处，图2中示意性地描绘的分流线SHL包括在信号线SL与地电位之间电路连接的分流谐振器SHR。分流谐振器SHR由于它的谐振频率而与布置在信号线中的任何谐振器不同，它的谐振频率位于或接近于寄生信号的频率。作为该布置的结果，包括分流谐振器SHR的分流线仅对于与分流谐振器的谐振频率接近的频率是活动的。因此，分流线仅对于寄生信号是频率选择性的。这样的分流谐振器SHR可以有利地被使用在根据图3E的谐振器滤波器中，并且因此可以被具体化为在SAW芯片CHP顶部上的另一谐振器。替代地，分流谐振器SHR可以是单独的器件，其仅电连接在信号线与地GND之间。该单独的器件可以是任何类型的谐振器，如SAW谐振器、体声波谐振器或另一种技术的谐振器，例如LC谐振器。分流谐振器SHR可以连接到具有并联谐振器在其中的并联支路所连接到的相同接地线GND。

图6示出了如何实现分流线和背面金属化部的三个示例。在图6A中，分流线SHL连接信号线(其一部分在该图中被描绘为换能器)和芯片CHP的相对表面上的背面金属化部BSM。分流线SHL部分地在顶表面上被引领，围绕芯片CHP的上边缘、沿着侧表面并且围绕底部边缘被引导。

图6B示出了分流线被实现为过孔的示例，该过孔将顶表面上的金属化部与芯片CHP的底表面或背面上的背面金属化部BSM连接。该过孔可以被具体化为穿过芯片CHP的贯穿孔，其至少在它的侧壁处被金属化，或者其被完全填充有导电材料。过孔VIA从顶表面上的金属化部延伸到在背面金属化部BSM下面的芯片CHP的相对表面。

如果SAW芯片CHP具有布置在顶表面上的若干换能器或若干其他滤波器组件，则有可能提供将另一组件与背面金属化部BSM连接的至少一个另外的过孔。尽管背面金属化部BSM被描绘为覆盖芯片CHP整个背面的单一层，但是可能有利的是，构建背面金属化部、并且将背面金属化部的每个部分区域限制到背面金属化部通过分流线连接到的换能器的相对区域。

图6C示出了一种变型，其中分流线至少部分地通过芯片被包封在其中的壳体或封装的金属化部来实现。在封装内部，芯片CHP以倒装式芯片布置被安装到载体上，该载体是例如印刷电路板。用于芯片的封装包括覆盖层，该覆盖层被应用到芯片上并且连接或密封到载体的表面，以使得腔体被封闭并且密封在芯片与载体之间。覆盖层包括成形材料和至少导电层，而允许将覆盖层用作分流线SHL。在载体内部，信号线需要与形成分流线的导电层连接。通过此，信号线被短路到背面金属化部BSM。在该示例中，上述覆盖层必须不连接到地。替代地，第二导电覆盖层存在于壳体上方，以将壳体连接到地，而不同时将分流线短接到地。

图7比较了根据本发明的第一实施例的谐振器RES和滤波器电路的必要芯片面积。利用声波工作的单个谐振器可以由级联谐振器来代替，以实现更高的功率耐久性，由此增进谐振器的寿命。将单个谐振器RES级联意味着，有必要提供第一谐振器和第二谐振器的串联连接，每个具有如原始单个谐振器的谐振器面积或容量的两倍。将级联谐振器的面积或容量加倍可以通过以下来实现：将第一和第二谐振器的两个串联电路并联地电路连接，第一和第二谐振器中的每个具有如原始单个谐振器的相同面积。图7B示出了被拆分成两个并联线的信号线，两个并联线在它们的两个最外端处连接。在每个部分信号线中，两个谐振器串联连接。因此，将由图7A示出的单个谐振器替换为如图7B中示出的被电路连接的四个谐振器给出了级联谐振器，如本领域已知的，该级联谐振器具有与单个谐振器相同的性质，但是具有增强的功率耐久性和降低的非线性度。

图7C示出了这样的级联谐振器，其被拆分成两个信号线并且在两个信号线中的每个信号线中提供有移相器PS。两个移相器在与另一信号线中的方向相反的方向上移动相应寄生信号线的相位。通过此，大约为π的相位差可以被实现，其仅对于根据寄生信号的频率有效。如可以看出的，用于实现根据第一实施例的本发明的必要芯片面积仅略大于用于级联谐振器的芯片面积。

不需要附加芯片面积的另一种解决方案已经在图7B和图7D中指出。谐振器通过不同的索引来引用，意味着两个谐振器略有不同。两个串联连接的谐振器在它们的谐振频率上相互被移动，以使得谐振器RES_A和谐振器RES_B具有不同的谐振频率。在相应的另一信号线中，A引用的谐振器和B引用的谐振器的次序被互换。相应的成对的两个串联连接的谐振器之间的频率差距被选择，以使得对于部分信号线产生对寄生信号的频率有效的相移。在相应的另一信号线中，并且归因于不同谐振器的互换次序，相应的相移在另一方向上有效。因此，通过恰当地选择图7B的每个部分信号线中的两个谐振器的频率，可以实现与图7C中示出的布置相同的效果。然而，不需要用于移相器的附加面积，因为此处无需实施另外的组件即可以实现移相。类似地，并且根据图7D，具有不同频率的谐振器被使用在不同的信号线中，但是相同的谐振器被使用在信号线之一内。

图8A和图8B示出了相对于没有本发明的可比较的滤波器电路提供了性质改进的两个示例性解决方案。图8A示出了梯型布置的T节段，其包括串联连接在信号线内的第一和第二串联谐振器SR1和SR2。在两个串联谐振器之间，第一和第二并联谐振器PR1、PR2(每个被布置在电路的并联支路中)耦合到信号线。在第二并联谐振器PR2与第二串联谐振器SR2之间，并联支路耦合在信号线与地之间。在该支路中，分流谐振器SHR被布置，如果寄生H2信号必须被抑制，则分流谐振器SHR的频率被选择为大约2f。如果H3必须被抑制，则频率大约为3f，并且以此类推。两个串联谐振器SR以及两个并联谐振器形成梯型布置，以提供在频率f处的通带。

图9A示出了在大约2f的频率处产生峰值的二次谐波的幅度。属于图8A中示出的结构的曲线图被描绘为曲线2。作为参考，曲线1示出了类似于图8A的结构但省略了分流谐振器的结构的二次谐波的幅度。可以容易地看出，在大约1870 MHz处的最高信号至少降低了5dB。这是根据本发明的对信号的短路的结果。

该非线性可以通过根据图8B的结构进一步被减小。图10描绘了仅寄生信号H2的幅度，并且示出了在将曲线2(根据图8B的改进)与曲线1(根据如上文所讨论的图8A的结构)进行比较时的改进。在大约1875 MHz的频率处的寄生H2信号的幅度大幅降低。

本发明已经参考有限数目的具体实施例被解释，但是不限于这些实施例。在单个特征中描绘的特征的变化和组合也被认为落在范围之下。本发明的范围应当仅由权利要求来限制。

术语和参考符号列表

BSM 背面金属化部

BWV 体波

CAR 载体

CHP SAW芯片

FC 滤波器电路

GND 地连接

IN (信号线的)输入

OUT (信号线的)输出

PR 并联谐振器

PS 移相器

RES 谐振器

RWV 反射波

SHL 分流线

SHR 分流谐振器

SL 信号线

SR 串联谐振器

TRD (叉指)换能器

TRF 换能器指部

VIA 过孔

1 参考示例的传递曲线

2 实施例的传递曲线

Claims (11)

1.一种SAW器件，包括：

-SAW芯片(CP)，承载SAW换能器，所述SAW换能器被适配为以操作频率工作并且被布置在第一信号线内，

-补偿部件，连接到所述信号线以电消除非线性寄生信号，其中所述补偿部件包括：

-至少一个第二信号线(SL2)，具有用于产生在符号或相位上与所述寄生信号不同的抵消信号的部件，或者

-分流线(SHL)，用于将所述SAW换能器电连接到所述SAW芯片的背面金属化部(BSM)，或者

-分流谐振器(SHR)，用于在将被抑制的所述寄生信号的频率处将所述SAW换能器电连接到地电位。

2.根据权利要求1所述的SAW器件，

-其中背面金属化部(BSM)被布置在与所述换能器相对的所述SAW芯片(CHP)的背面上，

-其中所述换能器包括第一电极和第二电极，

-其中所述第一电极和所述第二电极之一经由所述分流线(SHL)连接到所述背面金属化部(BSM)。

3.根据前述权利要求中一项所述的SAW器件，

-其中具有位于或接近于所述寄生频率的谐振频率的分流谐振器(SHR)耦合在所述SAW器件的信号线与地之间。

4.根据前述权利要求中一项所述的SAW器件，其中所述至少一个第二信号线(SL2)：

-包括移相器(PS)或者完成相移，

-并联连接到所述第一信号线(SL1)，

-提供在所述操作频率处的有用信号和在所述寄生频率处的抵消信号，所述抵消信号在幅度上等于但是在符号或相位上不同于所述寄生信号。

5.根据前述权利要求中一项所述的SAW器件，其中移相器(PS1，PS2)被布置在所述第一信号线(SL1)和所述至少一个第二信号线(SL)中的每个第二信号线(SL)中，其中所述抵消是通过所有的第一信号线和第二信号线的干涉来实现的。

6.根据前述权利要求中一项所述的SAW器件，

-其中第一信号和第二信号(SL1，SL2)并联地被电路连接，每个信号线包括第一谐振器和第二谐振器(RES)的串联电路，

-其中所述第一谐振器(RES_A)相对于所述第二谐振器(RES_B)在其谐振频率上被移动，以使得在优选地为二次谐波的所述寄生信号的频率处产生具有量值π/2的相移，

-其中第一谐振器和第二谐振器(RES)的次序在所述第一信号线和所述第二信号线(SL1，SL2)中被互换，以使得在所述寄生信号的所述频率处的两个所述信号线的所得到的两个所述相移相加为π。

7.根据前述权利要求中一项所述的SAW器件，其中所述移相器(PS)被具体化为谐振器(RES)，所述谐振器(RES)具有位于或接近于所述寄生频率的谐振频率。

8.根据前述权利要求中一项所述的SAW器件，其中所述移相器(PS)被具体化为SAW谐振器，所述SAW谐振器被布置在所述SAW器件的所述SAW芯片上。

9.根据前述权利要求中一项所述的SAW器件，其中所述分流线被具体化为穿过所述SAW芯片(CHP)传导的过孔(VIA)。

10.根据前述权利要求中一项所述的SAW器件，其中所述分流线(SHL)包括由壳体形成的节段，所述SAW芯片(CHP)被布置在所述壳体中。

11.根据前述权利要求中一项所述的SAW器件，被具体化为梯型滤波器、DMS滤波器或谐振器。

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