CN110890408A - 一种显示面板、显示装置 - Google Patents

Abstract

本申请提供一种显示面板、显示装置，涉及显示技术领域，可提升像素单元中发光波长最短的亚像素的寿命。显示面板具有多个亚像素，且包括阵列基板、多个发光器件。阵列基板包括衬底基板、多个像素电路。发光器件位于像素电路远离衬底基板一侧，其出光侧靠近衬底基板。一个发光器件位于一个亚像素，且与像素电路耦接，像素电路包括存储电容。一个像素单元至少包括三个用于发出三原色的亚像素，发光波长最短的第一亚像素的存储电容在衬底基板上的垂直投影，与第一亚像素的发光器件在衬底基板上的垂直投影不重叠。其余亚像素的存储电容在衬底基板上的垂直投影，位于除第一亚像素以外的任意一个亚像素的发光器件，在衬底基板上的垂直投影范围内。

Description

一种显示面板、显示装置

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板、显示装置。

背景技术

有机发光二极管(organic light-emitting diode，OLED)具有自发光，高色彩饱和度以及高对比度等优点，广泛应用于包括电脑、手机等电子产品在内的各种电子设备中。

在OLED中，不同颜色的亚像素，其发光器件的寿命存在差异，特别是在一些产品中，透明电容的透明电极降低光线的透过率，进一步影响发光器件的寿命。

发明内容

本申请的实施例提供一种显示面板、显示装置，能够提升像素单元中发光波长最短的亚像素的寿命。

为达到上述目的，本申请的实施例采用如下技术方案：

本申请实施例的第一方面提供一种显示面板。显示面板具有多个亚像素。显示面板包括阵列基板和多个发光器件。阵列基板包括衬底基板以及位于衬底基板上阵列排布的多个像素电路，一个像素电路位于一个亚像素内。多个发光器件位于像素电路远离衬底基板的一侧，发光器件的出光侧靠近衬底基板。一个发光器件位于一个亚像素内，且与像素电路耦接。像素电路包括存储电容。其中，一个像素单元至少包括三个用于发出三原色的亚像素。像素单元中发光波长最短的第一亚像素中的存储电容在衬底基板上的垂直投影，与第一亚像素中的发光器件在衬底基板上的垂直投影不重叠。其余亚像素中的存储电容在衬底基板上的垂直投影，位于除第一亚像素以外的任意一个亚像素中的发光器件，在衬底基板上的垂直投影范围内。本申请实施例提供的显示面板，发光波长最短的亚像素所发出的光线不经过存储电容的透明电极，透过率不发生降低，无需提高流过发光器件的工作电流即可保证所需的显示亮度，因此可以延长发光器件的寿命。

可选的，像素单元具有非发光区、第一发光区以及第二发光区。第一发光区位于非发光区和第二发光区之间。像素电路还包括与存储电容耦接的至少一个晶体管，晶体管位于非发光区。像素单元中一个亚像素的发光器件位于第一发光区内，其余亚像素的发光器件位于第二发光区。

可选的，像素单元还包括第二亚像素以及第三亚像素。第一亚像素中的发光器件和第二亚像素中的发光器件位于第二发光区。第三亚像素中的发光器件位于第一发光区。至少第一亚像素中的存储电容、第三亚像素中的存储电容位于第一发光区。

可选的，第三亚像素用于发出白色光线，像素单元还包括第四亚像素。第一亚像素、第二亚像素以及第四亚像素用于发出三原色。第四亚像素中的发光器件位于第二发光区。

可选的，第二亚像素中的存储电容、第四亚像素中的存储电容位于第一发光区。

可选的，像素单元还包括第二亚像素以及第三亚像素。第二亚像素中的发光器件和存储电容，以及第三亚像素中的发光器件和存储电容位于第二发光区。第一亚像素中的发光器件位于第一发光区。第一亚像素中的存储电容位于第二发光区。

可选的，像素单元还包括第四亚像素，第四亚像素用于发出白色光线。第四亚像素中的发光器件和存储电容位于第二发光区。

可选的，第一亚像素中的发光器件用于发出蓝色光线。或者，第一亚像素中的发光器件用于发出白色光线。显示面板还包括位于发光器件靠近衬底基板一侧的彩色滤光层，彩色滤光层对应第一亚像素的位置用于通过蓝色光线。

可选的，存储电容包括异层且绝缘的第一透明电极层和第二透明电极层，第一透明电极层靠近衬底基板。晶体管的有源层包括金属氧化物透明材料。存储电容的第一透明电极层与晶体管的有源层同层同材料。存储电容的第一透明电极层与晶体管的有源层同层同材料，可经过一次成膜、采用一次构图工艺形成，简化了工艺流程，可降低生产成本。

可选的，存储电容还包括第三透明电极层，第三透明电极层位于第一透明电极层远离第二透明电极层的一侧，且与第一透明电极层绝缘设置。阵列基板还包括多个遮光层，一个遮光层位于一个晶体管朝向衬底基板的一侧。遮光层包括异层设置的透明导电层和金属薄膜层。第三透明电极层与透明导电层同层同材料。第三透明电极层与遮光层中的透明导电层同层同材料，这样一来，可以一次构图工艺制备，可简化工艺流程，降低生产成本。

本申请实施例的第二方面提供一种显示装置，包括第一方面提供的显示面板。上述显示装置具有与前述实施例提供的显示面板相同的技术效果，此处不再赘述。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请实施例提供的一种显示装置的示意图；

图2为本申请实施例提供的一种像素单元的示意图；

图3a为本申请实施例提供的一种显示面板的示意图；

图3b为本申请实施例提供的另一种显示面板的示意图；

图4为本申请实施例提供的一种像素电路的示意图；

图5为现有技术中存储电容的设置位置示意图；

图6为不同波长光线经过透明电极后透过率的示意图；

图7a为本申请实施例提供的一种存储电容的设置位置示意图；

图7b为本申请实施例提供的另一种存储电容的设置位置示意图；

图8为本申请实施例提供的一种像素单元的示意图；

图9a为本申请实施例提供的另一种存储电容的设置位置示意图；

图9b为本申请实施例提供的另一种存储电容的设置位置示意图；

图10a为本申请另一实施例提供的一种存储电容的设置位置示意图；

图10b为本申请另一实施例提供的另一种存储电容的设置位置示意图；

图11a为本申请实施例提供的一种存储电容在阵列基板中的设置方式的示意图；

图11b为本申请实施例提供的另一种存储电容在阵列基板中的设置方式的示意图；

图12a为本申请实施例提供的一种存储电容的设置位置示意图；

图12b为本申请实施例提供的另一种存储电容的设置位置示意图；

图13为本申请另一实施例提供的另一种存储电容的设置位置示意图。

附图标记：

01-显示面板；02-中框；03-外壳；101-亚像素；101-R-红色亚像素；101-G-绿色亚像素；101-B-蓝色亚像素；100-像素单元；11-阵列基板；110-衬底基板；102-像素电路；12-发光器件；13-彩色滤光层；1011-第一亚像素；103-非发光区；104-第一发光区；105-第二发光区；1012-第二亚像素；1013-第三亚像素；1201-第一亚像素发光器件；1202-第二亚像素发光器件；1203-第三亚像素发光器件；1014-第四亚像素；1204-第四亚像素发光器件；1101-缓冲层；1102-第一透明电极层；1103-层间电介质；1104-第二透明电极层；1105-钝化层；1021-有源层；1022-栅绝缘层；1023-栅极；1024-源极；1025-漏极；1213-阳极；1214-发光功能层；1215-阴极；1106-第三透明电极层；1026-遮光层。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

以下，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。

此外，本申请中，“上”、“下”、“左”、“右”等方位术语可以包括但不限于相对附图中的部件示意置放的方位来定义的，应当理解到，这些方向性术语可以是相对的概念，它们用于相对于的描述和澄清，其可以根据附图中部件附图所放置的方位的变化而相应地发生变化。

在本申请中，除非另有明确的规定和限定，术语“连接”应做广义理解，例如，“连接”可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连。此外，术语“耦接”可以是实现信号传输的电性连接的方式。“耦接”可以为直接的电性连接，也可以为通过中间媒介间接的电性连接。

本申请的一些实施例提供一种显示装置。该显示装置包括例如手机、平板电脑、电视、台式电脑、智能穿戴产品(智能手表、手环)、个人数字助理(personal digitalassistant，PDA)、车载电脑等。本申请实施例对上述显示装置的具体形式不做特殊限制。

在本申请中，如图1所示，上述显示装置包括显示面板01，用于承载显示面板01的中框02，以及位于中框02远离显示面板01一侧的壳体03。壳体03保护安装于中框02靠近壳体03一侧的各种电子元器件，例如摄像头、电池、电路板(图中未示出)等。

上述显示面板01用于显示图像。在一些实施例中，显示面板01可以为有机发光二极管(organic light-emitting diode，OLED)显示面板。该OLED显示面板中设置有阵列排布的OLED器件。OLED器件可以实现自发光，因此具有OLED显示面板的显示装置中无需设置背光源。

显示面板01为了能够显示图像，如图2所示，具有多个亚像素101。每个亚像素101内设置有一个如图3a所示的发光器件12。在本申请的一些实施例中，上述发光器件12可以为OLED器件。

如图3a所示，发光器件12位于像素电路102远离衬底基板110的一侧。本申请实施例中，发光器件12的出光侧靠近衬底基板110，这样一来，本申请提供的显示面板01为底发射OLED显示面板。

此外，如图2所示，上述多个亚像素101中至少包括三个用于发出三原色的亚像素101，上述至少三个用于发出三原色的亚像素101可以构成一个像素单元100。示例的，以三原色为红色(red，R)、绿色(green，G)以及蓝色(blue，B)为例，上述三个亚像素101可以分别为如图2所示的红色亚像素101-R、绿色亚像素101-G、蓝色亚像素101-B，这三个亚像素构成一个像素单元100。

需要说明的是，上述是以三原色分别为红色R、绿色G、蓝色B为例进行的说明。在本申请的另一些实施例中，三原色还可以分别为青色、品红色、黄色。以下为了方便说明，均是以红R、绿G、蓝B构成三原色为例进行说明的。

在本申请的一些实施例中，如图3a所示，每个亚像素101中的上述发光器件12可以发出红R、绿G、蓝B三原色中的一种光线。

或者，在另一些实施例中，如图3b所示，上述发光器件12用于发出白色光线，此时显示面板01还包括位于发光器件12靠近衬底基板110一侧的彩色滤光层13。这样一来，每个亚像素101中发光器件12发出的白色光线经过彩色滤光层13后，根据彩色滤光层颜色的不同，可以显示不同的颜色。本申请对发光器件12的发光方式不作限定，只要能使每个像素单元至少发出三原色即可。

为了驱动上述各个亚像素101中的发光器件12进行发光，在本申请的一些实施例中，如图3a所示，显示面板01包括阵列基板11。其中，阵列基板11包括衬底基板110以及位于衬底基板110上的阵列排布的多个像素电路102。其中，一个像素电路102位于一个亚像素101内，该像素电路102与上述发光器件12耦接，用于驱动发光器件12进行发光。

示例的，以像素电路102为2T1C(即像素电路包括2个晶体管以及1个电容)为例，如图4所示，像素电路102中的两个晶体管分别为开关薄膜晶体管(switch thin filmtransistor，STFT)和驱动薄膜晶体管(driver thin film transistor，DTFT)。该像素电路102中的一个电容为存储电容Cst。

基于此，如图4所示，通过逐行对阵列基板中的各条栅线(gate line，GL)施加栅极驱动信号，可以逐行对位于同一行的开关薄膜晶体管STFT进行选通。接下来，通过数据线(data line，DL)向选通的开关薄膜晶体管STFT所耦接的驱动薄膜晶体管DTFT的栅极施加电压，使驱动薄膜晶体管DTFT打开，电源线(power line，PL)通过驱动薄膜晶体管DTFT向OLED阳极施加电压，使OLED发光。同时，通过数据线(data line，DL)向选通的开关薄膜晶体管STFT所耦接的存储电容Cst进行充电，当驱动信号关断时，利用存储电容Cst存储的电能使驱动薄膜晶体管DTFT保持开启，以维持一帧画面显示所需的时间。

需要说明的是，图4仅是以像素电路102为2T1C的结构为例进行说明的。但本申请对像素电路102的结构并不仅限于此，根据实际的需要，例如对驱动薄膜晶体管DTFT进行阈值电压补偿、对驱动薄膜晶体管DTFT的栅极以及OLED器件的阳极进行初始化等，上述像素电路102还可以包括其他的电容以及晶体管。此外，在实际应用中，存储电容Cst的连接方式和作用也不限于图4所示的方式。

由上述可知，在本申请中，像素电路102包括存储电容Cst。在一些实施例中，为了提高亚像素的开口率，需要尽可能地增大亚像素中的透光面积，因此存储电容Cst可以由至少两个绝缘设置的透明电极构成。

在一些相关技术中，如图5所示，每个像素单元100中，TFT所在区域无发光器件，且TFT一般由不透明的金属材料制成，因此，TFT所在区域为非发光区。发光器件12所在的区域，由于发光器件12可以发出光线，为发光区。每个亚像素101中的存储电容Cst在衬底基板上的垂直投影，位于对应亚像素101的发光器件12在衬底基板上的垂直投影的范围内。在此情况下，对于底发射型OLED显示面板，发光器件12位于像素电路102远离衬底基板110的一侧，因此每个亚像素101中的发光器件12发出的光线需经过存储电容Cst后从衬底基板出射。

由于亚像素101发出的光线经过存储电容Cst后出射，存储电容Cst的透明电极会降低发光器件12发出的光线的透过率。此外，如图6(波长与透过率的关系图)所示，波长越短的光线透过率越低。例如，波长范围为450～480nm的蓝光B的透过率约为85％，波长范围为480～550nm的绿光G的透过率约为90％，波长范围为640～750nm的红光R的透过率约为95％。

为了方便以下举例说明，本申请中将一个像素单元中，波长最短的亚像素称为第一亚像素。

在本申请的一些实施例中，如图7a所示，像素单元100中发光波长最短的第一亚像素1011(例如为蓝色亚像素)中的存储电容Cst1在衬底基板110上的垂直投影，与第一亚像素1011中的发光器件12在衬底基板110上的垂直投影不重叠。此外，由于存储电容Cst的透明电极对其余亚像素的光线的透过率影响较小，在本申请的一些实施例中，其余亚像素中的存储电容Cst在衬底基板110上的垂直投影，位于除第一亚像素1011以外的任意一个亚像素中的发光器件12，在衬底基板110上的垂直投影范围内。

示例的，如图7a所示，第一亚像素1011中的存储电容Cst1在衬底基板110上的垂直投影位于像素单元100中其余亚像素的发光器件12在衬底基板上的垂直投影范围内。此外，如图7a所示，其余亚像素中的存储电容Cst在衬底基板110上的垂直投影，位于各自的亚像素中的发光器件12在衬底基板上的垂直投影范围内。或者，其余亚像素中的存储电容Cst在衬底基板110上的垂直投影，也可以全部位于除第一亚像素1011以外的任意一个亚像素中的存储电容Cst在衬底基板110上的垂直投影范围内。本申请对其余亚像素中的存储电容Cst的设置方式不作限定，只要满足其余亚像素中的存储电容Cst在衬底基板110上的垂直投影，位于除第一亚像素1011以外的任意一个亚像素中的发光器件12，在衬底基板110上的垂直投影范围内即可。

或者，又示例的，在一些实施例中，如图7b所示，第一亚像素1011中的存储电容Cst1在衬底基板110上的垂直投影位于第一亚像素1011的TFT在衬底基板110上的垂直投影范围内。在另一些实施例中，第一亚像素1011中的存储电容Cst1在衬底基板110上的垂直投影也可以位于其余亚像素的TFT在衬底基板110上的垂直投影范围内。

由上述可知，当一个像素单元包括红R、绿G、蓝B三个亚像素时，上述第一亚像素1011可以为如图3a所示的蓝色亚像素101-B。在此情况下，第一亚像素1011中的发光器件12用于发出蓝色光线。或者，第一亚像素1011中的发光器件12用于发出白色光线，且在第一亚像素1011中的发光器件12靠近衬底基板一侧设置有彩色滤光层13，彩色滤光层13用于通过蓝色光线。

这样一来，本申请实施例提供的显示面板，发光波长最短的第一亚像素1011中，发光器件12所发出的光线在出射显示面板时，不经过存储电容Cst的透明电极，因此不会产生存储电容Cst的透明电极使光线的透过率降低的问题，可以平衡像素单元中各个亚像素的发光亮度。此外，由于第一亚像素1011的透过率不发生降低，所以无需提高流过第一亚像素1011的发光器件12的工作电流即可保证所需的显示亮度，因此可以延长第一亚像素1011的发光器件12的寿命。

在本申请的一些实施例中，上述发光区可以分为第一发光区和第二发光区。

在此基础上，如图8所示，在本申请的一些实施例中，像素单元100具有非发光区103、第一发光区104以及第二发光区105。其中第一发光区104位于非发光区103和第二发光区105之间。像素电路包括与存储电容(图中未示出)耦接的至少一个晶体管TFT。其中，晶体管TFT位于非发光区103。

如图8所示，像素单元100中一个亚像素的发光器件12位于第一发光区内104，其余亚像素的发光器件12位于第二发光区内105。

以下对像素单元100中发光波长最短的第一亚像素1011(例如蓝色亚像素)中的存储电容Cst1在衬底基板110上的垂直投影，位于像素单元100中其余亚像素的发光器件12在衬底基板上的垂直投影范围内的设置方式进行具体说明。

示例一

以下是以第一亚像素1011(即用于发蓝光)位于第二发光区105为例进行说明的。

以像素单元100包括三个亚像素为例，例如图9a所示的第一亚像素1011、第二亚像素1012、第三亚像素1013。如图9a所示，第一亚像素中的发光器件1201和第二亚像素中的发光器件1202位于第二发光区105。第三亚像素中的发光器件1203位于第一发光区104。

在此基础上，为了避免波长最短的第一亚像素1011中的发光器件1201发出的光线经过第一亚像素1011中的存储电容Cst1，导致光线的透过率降低，在一些实施例中，至少第一亚像素1011中的存储电容Cst1、第三亚像素1013中的存储电容Cst3位于第一发光区104。

示例的，如图9a所示，第三亚像素1013中的发光器件1203位于第一发光区104，第一亚像素1011中的存储电容Cst1、第三亚像素1013中的存储电容Cst3位于第一发光区104。

或者，如图9b所示，第三亚像素1013中的发光器件1203位于第一发光区104，第一亚像素1011中的存储电容Cst1、第二亚像素1012中的存储电容Cst2以及第三亚像素1013中的存储电容Cst3均位于第一发光区104。

在此情况下，第三亚像素1013可以为第一亚像素1011、第二亚像素1012、第三亚像素1013中发光波长最长的亚像素。例如当一个像素单元包括红101-B、绿101-G、蓝101-B三个亚像素时，第一亚像素1011可以为蓝色亚像素101-B、第二亚像素1012可以为绿色亚像素101-G、第三亚像素1013可以为红色亚像素101-R。这样一来，存储电容Cst的透明电极对第三亚像素1013的透过率影响最小，从而使透明电极对整个像素单元的寿命影响最小。

上述是以三个亚像素101为例进行的说明，在一些实施例中，为了增加像素的发光亮度、降低功耗，可以增加白色亚像素。此时像素单元100包括四个亚像素101，以下对四个亚像素101的设置方式进行举例说明。

在此情况下，上述第三亚像素1013可以用于发出白色光线。

此外，如图10a所示，像素单元100还包括第四亚像素1014。其中，第一亚像素1011、第二亚像素1012以及第四亚像素1014用于发出三原色。

如图10a所示，第四亚像素1014中的发光器件1204位于第二发光区105。在此情况下，至少第一亚像素1011中的存储电容Cst1、第三亚像素1013中的存储电容Cst3位于第一发光区104，其余亚像素中的存储电容可以位于第二发光区105，也可以位于第一发光区104。

在一些实施例中，如图10b所示，第二亚像素1012中的存储电容Cst2、第四亚像素1014中的存储电容Cst4也位于第一发光区104。

这样一来，红、绿、蓝三个亚像素的存储电容Cst在衬底基板上的垂直投影均位于白色亚像素(第三亚像素1013)的发光器件1203在衬底基板上的垂直投影范围内，存储电容Cst的透明电极不会对红、绿、蓝亚像素的透过率造成影响，从而可以使红、绿、蓝亚像素的发光器件的寿命得到延长。

由上述可知，存储电容Cst可以包括至少两个异层且绝缘设置的透明电极层。以下对本示例中上述存储电容Cst中的透明电极层在阵列基板中的具体设置方式进行详细说明。

示例的，如图11a(图10b中沿A-A’方向的剖面图)所示，在一些实施例中，存储电容Cst包括异层且互相绝缘的第一透明电极层1102和第二透明电极层1104。其中，第一透明电极层1102靠近衬底基板110。第一透明电极层1102和第二透明电极层1104之间还设置有层间电介质(inter layer dielectric，ILD)1103。

如图11a所示，晶体管包括有源层1021、栅极1023、栅绝缘层1022。晶体管还包括源极1024和漏极1025，晶体管的源极1024和漏极1025通过ILD层1103中的过孔与有源层1021相耦接。

存储电容Cst的第二透明电极层1104与晶体管的漏极1025相耦接，存储电容的第一透明电极层1102还通过其他过孔与晶体管的栅极相耦接(图中未示出)。

在一些实施例中，源极1024和漏极1025采用金属材料制成。在此情况下，如图11a所示，源极1024和漏极1025可以分别通过第二透明电极层1104与有源层1021相耦接。

这样一来，可以依次沉积第二透明电极层1104和源/漏金属层，采用半曝光工艺一次构图，制作源极1024、漏极1025和第二透明电极层1104图案，从而可以简化制作工艺，降低生产成本。示例的，源/漏金属层可以为铜/钼铌叠层金属层(Cu/MoNb)或钼/铝叠层金属层(Mo/Al)，第二透明电极层1104可以为氧化铟锡(indium tin oxide，ITO)、氧化铟镓锌(indium gallium zinc oxide，IGZO)、氧化铟锌(indium zinc oxide，IZO)中的至少一种。

在一些实施例中，晶体管的有源层1021包括金属氧化物透明材料，存储电容Cst的第一透明电极层1102与晶体管的有源层同层同材料。这样一来，第一透明电极层1102与有源层1021可以经过一次成膜、采用一次构图工艺形成，简化了工艺流程，可降低生产成本。

示例的，上述金属氧化物透明材料可以为氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟锌锡(indiumzinc tin oxide，IZTO)、氧化锌(ZnO)的至少一种。

此外，如图11a所示，发光器件包括阳极1213、阴极1215以及发光功能层1214。其中，发光功能层1214可以包括依次层叠设置的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层等。其中，阳极1213采用透明材料制备而成，阴极1215为不透明的金属。

当发光功能层1214发白光时，如图11a所示，在发光功能层1214靠近衬底基板110的一侧还设置有彩色滤光层13，以实现彩色显示。

此外，如图11a所示，上述衬底基板110与第一透明电极层1102之间设置有缓冲层(buffer)1101，第二透明电极层1104和彩色滤光层13之间设置有钝化层(passivation，PVX)1105，均可以采用透明绝缘材料制成，示例的，可以为氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)等。

在一些实施例中，为了增大存储电容Cst的电容量，如图11b所示，存储电容Cst还包括第三透明电极层1106。第三透明电极层1106位于第一透明电极层1102远离第二透明电极层1104的一侧，且与第一透明电极层1102绝缘设置。

阵列基板还包括多个遮光层1026，一个遮光层1026位于一个晶体管朝向衬底基板110的一侧。遮光层1026作为晶体管的遮光图案，避免环境光入射晶体管的有源层，造成晶体管可靠性降低，保证晶体管的稳定性。

在一些实施例中，遮光层1026采用钼/铝(Mo/Al)层叠的金属材料制成。其中，第三透明电极层1106与遮光层1026均位于缓冲层1101。在进行制作时，可依次沉积透明导电层和金属薄膜层，采用半曝光工艺，通过一次构图，形成第三透明电极层1106、遮光层1026。在此情况下，遮光层1026包括异层设置的透明导电层和金属薄膜层，第三透明电极层1106与透明导电层同层同材料。这样一来，可以一次构图工艺制备，可简化工艺流程，降低生产成本。

示例的，上述第三透明电极层1106的材料可以为氧化铟锡(indium tin oxide，ITO)、氧化铟镓锌(indium gallium zinc oxide，IGZO)、氧化铟锌(indium zinc oxide，IZO)中的至少一种。

示例二

上述是以第一亚像素1011(即用于发蓝光)位于第二发光区105为例进行说明的，以下以第一亚像素1011位于第一发光区104为例进行说明。

在一些实施例中，如图12a所示，当像素单元100包括三个亚像素时，分别为第一亚像素1011、第二亚像素1012以及第三亚像素1013。第一亚像素1011、第二亚像素1012以及第三亚像素1013用于发出三原色。其中，波长最短的第一亚像素1011(蓝色亚像素)中的发光器件1201位于第一发光区104。

第二亚像素1012中的发光器件1202和存储电容Cst2，以及第三亚像素1013中的发光器件1203和存储电容Cst3位于第二发光区105。此外，第一亚像素1011中的存储电容Cst1位于第二发光区105。

在此情况下，如图12a所示，第一亚像素1011中的存储电容Cst1在衬底基板上的垂直投影可以位于第二发光区105中的第二亚像素1012的发光器件1202在衬底基板上的垂直投影范围内。

或者，如图12b所示，第一亚像素1011中的存储电容Cst1在衬底基板上的垂直投影也可以位于第三亚像素1013中的发光器件1203在衬底基板上的垂直投影范围内。

在一些实施例中，当像素单元中包括白色亚像素时，如图13所示，像素单元100还包括第四亚像素1014。在此情况下，第四亚像素1014用于发出白色光线。如图13所示，第四亚像素1014中的发光器件1204和存储电容Cst4位于第二发光区105。

在此情况下，示例的，如图13所示，第一亚像素1011中的存储电容Cst1在衬底基板上的垂直投影可以位于第四亚像素1014中的发光器件1204在衬底基板上的垂直投影范围内。这样一来，可以避免第一亚像素1011中的存储电容Cst1的透明电极对其他彩色亚像素透过率的影响，造成其他彩色亚像素寿命降低。在本申请中，第一亚像素1011中的存储电容Cst1的设置方式不限于此，第一亚像素1011中的存储电容Cst1在衬底基板上的垂直投影也可以位于第二亚像素1012中的发光器件1202在衬底基板上的垂直投影范围内，或者也可以位于第三亚像素1013中的发光器件1203在衬底基板的投影范围内，可以根据实际需要进行设置。

在本示例中，存储电容Cst中的透明电极层在阵列基板中的具体设置方式同示例一所述，在此不再赘述。

以上所述，仅为本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (11)

1.一种显示面板，其特征在于，具有多个亚像素；所述显示面板包括：

阵列基板，包括衬底基板以及位于所述衬底基板上阵列排布的多个像素电路；一个所述像素电路位于一个所述亚像素内；

多个发光器件，位于所述像素电路远离所述衬底基板的一侧；所述发光器件的出光侧靠近所述衬底基板；一个所述发光器件位于一个所述亚像素内，且与所述像素电路耦接；所述像素电路包括存储电容；

其中，一个像素单元至少包括三个用于发出三原色的所述亚像素；所述像素单元中发光波长最短的第一亚像素中的存储电容在所述衬底基板上的垂直投影，与所述第一亚像素中的发光器件在所述衬底基板上的垂直投影不重叠；其余亚像素中的存储电容在所述衬底基板上的垂直投影，位于除了所述第一亚像素以外的任意一个亚像素中的发光器件，在所述衬底基板上的垂直投影范围内。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述像素单元具有非发光区、第一发光区以及第二发光区；所述第一发光区位于所述非发光区和所述第二发光区之间；所述像素电路还包括与所述存储电容耦接的至少一个晶体管；所述晶体管位于所述非发光区；

所述像素单元中一个所述亚像素的发光器件位于所述第一发光区内，其余所述亚像素的发光器件位于所述第二发光区。

3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，

所述像素单元还包括第二亚像素以及第三亚像素；所述第一亚像素中的发光器件和所述第二亚像素中的发光器件位于所述第二发光区；所述第三亚像素中的发光器件位于所述第一发光区；

至少所述第一亚像素中的存储电容、所述第三亚像素中的存储电容位于所述第一发光区。

4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述第三亚像素用于发出白色光线；

所述像素单元还包括第四亚像素；所述第一亚像素、所述第二亚像素以及所述第四亚像素用于发出三原色；所述第四亚像素中的发光器件位于所述第二发光区。

5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述第二亚像素中的存储电容、所述第四亚像素中的存储电容位于所述第一发光区。

6.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，

所述像素单元还包括第二亚像素以及第三亚像素；所述第二亚像素中的发光器件和存储电容，以及所述第三亚像素中的发光器件和存储电容位于所述第二发光区；

所述第一亚像素中的发光器件位于所述第一发光区；所述第一亚像素中的存储电容位于所述第二发光区。

7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述像素单元还包括第四亚像素；所述第四亚像素用于发出白色光线；

所述第四亚像素中的发光器件和存储电容位于所述第二发光区。

8.根据权利要求1-7任一项所述的显示面板，其特征在于，

所述第一亚像素中的发光器件用于发出蓝色光线；

或者，

所述第一亚像素中的发光器件用于发出白色光线；所述显示面板还包括位于所述发光器件靠近所述衬底基板一侧的彩色滤光层；所述彩色滤光层对应所述第一亚像素的位置用于通过蓝色光线。

9.根据权利要求3或6所述的显示面板，其特征在于，

所述存储电容包括异层且绝缘的第一透明电极层和第二透明电极层；所述第一透明电极层靠近所述衬底基板；

所述晶体管的有源层包括金属氧化物透明材料；所述存储电容的第一透明电极层与所述晶体管的有源层同层同材料。

10.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，所述存储电容还包括第三透明电极层；所述第三透明电极层位于所述第一透明电极层远离所述第二透明电极层的一侧，且与所述第一透明电极层绝缘设置；

所述阵列基板还包括多个遮光层；一个遮光层位于一个所述晶体管朝向所述衬底基板的一侧；所述遮光层包括异层设置的透明导电层和金属薄膜层；所述第三透明电极层与所述透明导电层同层同材料。

11.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-10任一项所述的显示面板。

Images