CN110880484A

CN110880484A - 半导体装置

Info

Publication number: CN110880484A
Application number: CN201910827583.8A
Authority: CN
Inventors: 松沢大树; 巴赫曼·侯赛尼·苏丹尼; 竹内和哉
Original assignee: Denso Corp
Current assignee: Denso Corp
Priority date: 2018-09-05
Filing date: 2019-09-03
Publication date: 2020-03-13
Anticipated expiration: 2039-09-03
Also published as: DE102019121398A1; US20200075452A1; JP2020038935A; CN110880484B; JP7087850B2; US11232995B2

Abstract

为了提供能够从半导体元件有效地释放热的半导体装置，该半导体装置(1)包括半导体元件(2)、热连接至该半导体元件的散热器(3)以及面向该散热器形成的冷却剂流动通道(4)。散热器由朝向冷却剂流动通道突出的多个散热片(5)一体地构成。多个散热片中的每个散热片的线性基部(51)相对于冷却剂通过冷却剂流动通道而被供给的方向倾斜。在相对于冷却剂流动方向的方向上彼此相邻地布置的散热片中的每个散热片的线性基部的倾斜大致彼此相反。

Description

半导体装置

技术领域

本公开的实施方式涉及半导体装置。

背景技术

在已知的半导体装置中，半导体元件热连接至散热器。在这种装置中，大量的散热片从散热器的金属板的表面突出，以释放半导体元件的热。

然而，当散热片简单地从散热器突出时，半导体元件的热不能有效地释放。也就是说，常规的半导体装置需要进一步提高从半导体元件释放热的性能。

鉴于上述问题，作出本公开的各种实施方式，并且本公开的目的是提供能够从半导体元件有效地释放热的新型半导体装置。

发明内容

因此，本公开的一个方面是提供一种新型半导体装置，该半导体装置包括半导体元件、冷却剂流动通道以及热连接至半导体元件的散热器，冷却剂流动通道包括用以允许冷却剂流动的内壁。散热器一体地包括朝向冷却剂流动通道突出的多个散热片。所述多个散热片中的每个散热片包括相对于第一方向倾斜的线性基部，在该第一方向上通过冷却剂流动通道供给冷却剂。在第一方向上彼此相邻地布置的散热片中的每个散热片的线性基部的倾斜彼此相反。

如上所述，在根据本公开的一个实施方式的半导体装置中，由于散热器包括多个一体的散热片，可以降低半导体元件与散热片之间的热阻，并且因此，散热器可以来自半导体中的热有效地传递至多个散热片。

此外，在冷却剂流动通道的方向上彼此相邻地布置的散热片中的每个散热片的线性基部相对于该方向的倾斜大致彼此相反。借此，由于流经冷却剂流动通道的冷却剂有效地接触多个散热片，半导体元件传递给多个散热片的热可以进一步有效地传递给冷却剂。也就是说，半导体元件的热可以有效地释放至冷却剂。换言之，从半导体元件释放热的效率可以得以提高。

因此，如前所述，根据本公开的各个方面，可以提供一种能够从半导体元件有效地释放热的半导体装置。

附图说明

通过当结合附图考虑时参照下文的详细描述，本公开以及本公开附带的许多优点基本上变得更容易理解，由此将更容易地获得对本公开以及本公开附带的许多优点的更完整理解。其中：

图1是示出了根据本公开第一实施方式的示例性半导体装置的横截面图；

图2是示出了根据本公开第一实施方式的示例性半导体模块的平面图；

图3是根据本公开第一实施方式的沿图2中所示的线III-III截取的横截面图；

图4是示出了根据本公开第一实施方式的示例性散热片的立体图；

图5是部分地示出了采用根据本公开第一实施方式的散热片的示例性散热器的平面图；

图6是示出了在散热片形成在根据本公开第一实施方式的示例性半导体模块上之前的该示例性半导体模块的横截面图；

图7是示出了形成根据本公开第一实施方式的第一散热片的示例性方法的横截面图；

图8同样是示出了根据本公开第一实施方式的除了形成图7的第一散热片之外随后形成第二散热片的示例性方法的横截面图；

图9是示出了根据本公开第二实施方式的示例性半导体装置的横截面图；

图10是示出了根据本公开第三实施方式的示例性半导体装置的横截面图；

图11是示出了根据本公开第三实施方式的示例性半导体模块的平面图；

图12是示出了沿图11中所示的线XII-XII截取的横截面图；

图13是示出了在第一实验中所获得的示例性实验结果的图表；

图14是部分地示出了在第二实验中使用的样品21的立体图；

图15是部分地示出了在第二实验中使用的样品22的立体图；

图16是部分地示出了在第二实验中使用的样品23的立体图；以及

图17是示出了在第二实验中所获得的示例性实验结果的图表。

具体实施方式

现在参照附图，其中，贯穿附图的若干视图，相同的附图标记表示相同或相应的部分，对于图1至图8，描述了根据本公开第一实施方式的示例性半导体装置。首先，如图1所示，本公开的实施方式的半导体装置1包括半导体元件2、一对散热器3以及一对冷却剂流动通道4，所述一对散热器3设置在半导体元件2的两侧，所述一对冷却剂流动通道4形成在所述一对散热器3的相应的外侧部上。散热器3热连接至半导体元件2。冷却剂流动通道4形成为面向相应的散热器3。

每个散热器3构造成一体地包括朝向冷却剂流动通道4突出的多个散热片5。如图2、图4和图5所示，当在平行于散热器3的法线的X方向上观察时，多个散热片5中的每个散热片的线性基部51相对于Y方向(即，与冷却剂流动通道4平行的方向)朝右侧向上或者向下倾斜。更具体地，在Y方向上相邻的散热片5中的每个散热片5的线性基部51相对于Y方向的倾斜大致彼此相反。

如图3所示，在本公开的该实施方式中，一对散热器3分别安置在半导体元件2的两个主平面上。该半导体元件2和所述一对散热器3通过利用固化为模制树脂部21的模制树脂而一体地形成，由此构成半导体模块20。因此，一对散热器3分别从模制树脂部21向彼此相反的两侧暴露。

在下文中，平行于散热器3的法线的X方向有时简称为X方向。另外，垂直于X方向、与冷却剂流动通道4平行的Y方向在下文简称为Y方向。此外，垂直于X方向和Y方向两者的方向在下文被简称为Z方向。

如图2所示，半导体模块20还包括多个电源端子201和多个控制端子202。这些电源端子201和控制端子202在Z方向上(正向地和负向地)突出。也就是说，在本公开的该实施方式中，电源端子201和控制端子202在Z方向上相反地突出。

此外，如图3所示，在半导体模块20中，半导体元件2和所述一对的散热器3经由一对导热单元203彼此热连接，其中，所述一对导热单元203分别介于半导体元件2与所述一对的散热器3之间。然而，每个导热单元203可通过多个构件的组合而构成，如稍后在本公开的第三实施方式中所描述的。这些导热单元203构造成分别使半导体元件2与散热器3彼此电绝缘。

如图1所示，一对冷却剂流动通道4形成为分别面向半导体模块20的两个主表面。也就是说，冷却剂流动通道4形成为分别面向在X方向上从半导体模块20暴露的散热器3。

如图3所示，大量的散热片5从每个散热器3突出。如图4至图8所示，通过部分地切割和竖立每个散热器3的表面来制备散热片5，且散热片5与散热器3一体地形成。具体地，如图3和图4所示，每个散热片5均呈板状。散热片5比散热器3薄。散热片5弯曲成从散热片5竖立所沿的方向偏离。也就是说，散热片5的在X-Y平面上的横截面以规定的方向弯曲。该曲率半径可以例如是从约0.5mm到约1.5mm。此外，随着散热片5从其基部向其梢部靠近，散热片5逐渐变薄。例如，散热片5的基部的厚度可以是从约0.1mm到约0.5mm。

此外，如图2和图5所示，在该示例中，大量散热片5中的每个散热片的线性基部51相对于Y方向朝右侧向上或向下倾斜，其中，如前所述，冷却剂通过冷却剂流动通道4而被供给。具体地，在Y方向上彼此相邻地布置的散热片5中的一个散热片相对于Y方向朝右侧向上倾斜，而在Y方向上彼此相邻地布置的散热片5中的另一个散热片则相对于Y方向朝右侧向下倾斜。例如，在本公开的该实施方式中，当在X方向上观察时，相邻的散热片5的这些线性基部51相对于Y方向朝右侧分别向上和向下倾斜约40度(即±40度)。也就是说，散热片的一些线性基部51相对于Y方向朝右侧向上倾斜。散热片5的其他线性基部51相对于Y方向朝右侧向下倾斜。因此，在Y方向上彼此相邻地布置的一对散热片5具有从Y方向彼此相反的偏离。

在Y方向上相邻的散热片5的每个线性基部51相对于Y方向的这种相反的倾斜也意味着：当在X方向上观察时，在Y方向上相邻的散热片5的每个线性基部51相对于Z方向反向地倾斜。此外，相对于Y方向的相同的倾斜意味着：当在X方向上观察时，在Z方向上布置的散热片5的每个线性基部51相对于Y方向同样地倾斜。

此外，如图所示，在于Y方向上彼此相邻地布置的散热片5之间形成间隙G。间隙G的尺寸可以等于或小于散热片5的基部的厚度。如图2和图4所示，例如，间隙G形成于布置在上游的散热片5的下游端511与布置在下游的散热片5的主表面512之间。此外，如图3所示，通过间隙G布置的相应的相邻散热片5的边缘在Z方向上略微彼此偏离。

此外，多个散热片5在宽度方向(即，垂直于散热器3的法线方向和冷却剂流动通道4的Y方向两者的Z方向)上线性地布置。在宽度方向上布置的多个散热片5的每个线性基部51相对于Y方向(即，流动通道方向)的倾斜大致彼此相同。也就是说，在Z方向上彼此相邻的散热片5彼此平行地布置。

另外如图3所示，散热片5的在散热器3的法线的X方向上的高度t大于散热器3的厚度d(参见图3)。例如，散热片5的高度t可以是散热器3的厚度d的约1.5倍到约3倍。

此外，如图1所示，散热片5接触冷却剂流动通道4的与散热器3相对布置的内壁表面43。在该示例中，散热片5的高度t约等于冷却剂流动通道4的厚度(即，X方向上的尺寸)。

可以使用例如天然冷却剂比如水、氨等；与乙二醇型的防冻液混合的水；以及氟碳型冷却剂比如Fluorinert(商标)等作为要流动通过冷却剂流动通道4的冷却剂。此外，可用作冷却剂的还有：氟碳型冷却剂比如HFC134a、HCFC123等；醇型冷却剂比如甲醇、乙醇等；以及酮型冷却剂比如丙酮等。

沿Y方向的冷却剂的流F可以被导向成能够使弯曲的散热片5的凹形侧位于上游。然而，弯曲的散热片5的凸形侧也可以位于上游。

如前所述，通过部分地切割和竖立散热器3的表面来制备多个散热片5。在下文中，参照图6至图8对形成散热片5的示例性方法进行更详细的描述。

作为第一步，制备包括板式散热器3的半导体模块20，如图6所示，该板式散热器3上尚未形成多个散热片5。作为第二步，通过使用切割工具B对散热器3的暴露于半导体模块20的主平面的表面层进行部分地切割和竖立，如图7所示。这里，通过切割工具B切割和竖立的散热器3的表面层的厚度为例如约0.2mm。这里，散热器3的表面层的被切割和竖立的部分保持连接至散热器3。因此，表面层的以这种方式被切割和竖立的该部分在X方向上从散热器3突出，由此构成多个散热片5中的一个散热片。如图所示，散热片5可能存在翘曲，因为表面层的由切割工具B接触的被切割和竖立的部分的表面变成凸形。

随后，如图8所示，通过使用切割工具B以规定的间隔重复地切割和竖立表面层，由此在表面层上产生多个散热片5。同样地，通过使用切割工具B以规定的间隔重复地切割和竖立半导体模块20的另一侧的散热器3的表面层，由此在该表面层上也产生多个散热片5。另外，如图2和图5所示，多个散热片5中的每个散热片的主表面512和主表面513(即凹形表面512和凸形表面513)中的每一者的取向不一定相同。因此，通过在改变切割工具B的取向和切割方向的同时切割和竖立表面层来获得多个散热片5。因此，如图2至图5所示，可以在单片的散热器3上产生大量的散热片5。

上述用于形成散热片5的方法仅为一个示例且本公开不限于此。也就是说，尽管未说明，但例如可以通过使用具有多个刀片的切割工具同时切割和竖立多个散热片5。

现在，下文将描述能够在本公开的该实施方式中获得的各种优点。首先，由于半导体装置1的散热器3是通过包括多个一体结合的散热片而构成的，因此可以降低半导体元件2与散热片5之间的热阻。因此，散热器3可以将来自半导体元件2的热有效地传递到散热片5。

此外，由于在流动通道延伸方向(即，Y方向)上彼此相邻地布置的散热片5的每个线性基部51相对于流动通道延伸方向的倾斜大致相反，流动通过冷却剂通道4的冷却剂可以有效地接触多个散热片5。因此，如上文所描述的半导体元件2的传递到多个散热片5的热也可以被再次有效地传递至冷却剂。因此，从半导体元件2释放的热可以有效地释放至冷却剂。也就是说，从半导体元件2的释放热的效果可以得到提高。

另外，由于每个散热片5都接触冷却剂流动通道4的与散热器3相对定位的内壁表面43，在冷却剂流动通道4的厚度方向上(即，在X方向上)冷却剂能够完全地接触散热片5。因此，可以增加能够与散热片5进行热交换的冷却剂的百分比。故而，从半导体元件2释放热可以更加有效。

此外，因为在Z方向上布置的多个散热片5的每个线性基部51相对于流动通道方向(即，Y方向)的倾斜大致彼此相同，在Z方向上彼此相邻地布置的一对散热片之间形成相对于Y方向倾斜的小流动通路。此外，如前所述，由于在Y方向上彼此相邻地布置的散热片5的每个线性基部51相对于Y方向的倾斜大致相反，每个小流动通路的倾斜也因此变得相反。这样，分别具有相反的倾斜的一对小流动通路重复地连续，由此产生曲折的(meandering)冷却剂流。因此，借助这种曲折的冷却剂流，由于冷却剂能够有效地接触散热片5，热释放可以更为有效。

除此之外，由于每个散热片5的高度t大于散热器3的厚度d，因此可以进一步提高从散热片5到冷却剂的热传递的性能。

如前所述，根据本公开的该实施方式，可以获得能够从半导体元件有效地释放热的半导体装置。

现在，参照图9和适用的附图对本公开的第二实施方式进行描述。如图9所示，根据本公开的该实施方式，每个散热片5接触冷却剂流动通道4的内壁表面43，其中，内壁表面43在X方向(即，与散热器3的法线平行的方向)上被弹性压缩(即，压力接触内壁表面43)。也就是说，从散热器3切割和竖立的散热片5在X方向上处于能够弹性变形的状态。同时，每个散热片5的梢部与内壁表面43压力接触，以被内壁表面43按压抵靠散热器3。因此，每个散热片5的曲率半径小于其处于自由状态时的曲率半径。

本公开的该实施方式的其余部分大致等同于本公开的第一实施方式的相应部分。

因此，根据本公开第二实施方式，由于每个散热片5能够更可靠地接触冷却剂流动通道4的内壁表面43，故而散热片5可以在厚度方向(即，X方向)上更可靠地完全地存在于冷却剂流动通道4中。因此，可以更可靠地增加能够与散热片5进行热交换的冷却剂的百分比，由此使得能够从半导体元件2更有效和可靠地释放热。此外，在本公开的第一实施方式中获得的大致相同的优点也可以在本公开的该实施方式中获得。

现在，参照图10至图12和使用的附图对本公开的第三实施方式进行描述。如图10至图12所示，在本公开的该实施方式中，通过在X方向上堆叠多个半导体模块20来制备半导体装置1。此外，多个半导体模块20中的每个半导体模块20包括流动通道形成部段26，以部分地形成冷却剂流动通道4。如图12所示，分别布置在半导体元件2与散热器3之间的每个导热单元203具有以下所描述的具体构型。也就是说，在半导体模块20中，一对导热单元203中的每个导热单元203都由端子22、引线框架23和金属层24构成。所述一对导热单元203中的每个导热单元203还由绝缘板25构成。

端子22由金属制成并且经由焊料209结合至半导体元件2的一侧的主表面。引线框架23中的一个引线框架(即，图中的下引线框架23)经由另一焊料209接合至半导体元件2的主表面。另一引线框架23(即，图中的上引线框架23)经由焊料209接合至端子22的主表面。两个金属层24经由焊料209接合至引线框架23的相应外侧部。此外，两块绝缘板25也设置在金属层24的外侧部的相应的主表面上。最后，一对散热器3设置在绝缘板25的外侧部的相应的主表面上。

这里，金属层24、绝缘板25和散热器3可以制备成含金属的一体式绝缘板(下文有时称为绝缘金属板)。具体地，绝缘金属板是通过将金属层24和散热器3设置在由陶瓷制成的绝缘板25的相应主表面上来制备的。更具体地，如图所示，金属层24和散热器3设置在绝缘板25的除绝缘板25的边缘部分以外的相应的主表面上。

此外，这种绝缘金属板例如通过使用活性金属焊接方法将金属层24和散热器3接合至绝缘板25的相应的主表面来制备。例如，绝缘金属板可以通过使用相应的钎焊材料将散热器3和由铝制成的金属层24接合至由铝制成的绝缘板25的两个主表面来制备。可以使用对氧化铝起作用(active to)的金属钎焊材料作为将金属层24和散热器3接合至绝缘板25的两侧的钎焊材料。

另外，所述一对散热器3分别暴露于模制树脂部21的主表面，并且大量的散热片从所述一对散热器3中的每个散热器3的暴露表面突出。

此外，如图11和图12所示，半导体模块20还包括流动通道形成部段26，也用以部分地形成冷却剂流动通道4。流动通道形成部段26形成为几乎围绕模制树脂部21的外周表面。流动通道形成部段26从模制树脂部21的相应的主表面在模制树脂部21的主表面的法线的正方向和负方向上(即，在X方向上)向外延伸。此外，所述一对散热器3中的每个散热器的散热片5可以在正方向和负方向中的适用的一者上从流动通道形成部段26进一步突出。

因此，通过如图10所示将以这种方式构造的半导体模块20在X方向上多次堆叠，可以制成半导体装置1。具体地，在X方向上彼此相邻地布置的半导体模块20的相应的流动通道形成部段26的边缘经由密封构件261彼此接触。此外，仍如图10所示，具有绝缘特性的中间板12平行于散热器3插入在X方向上彼此相邻地布置的半导体模块20之间。

更具体地，中间板12介于在X方向上彼此相邻地布置的半导体模块20的相应的散热片5之间。中间板12也固定至在X方向上彼此相邻地布置的相应的半导体模块20的其中没有形成散热片5的部分。例如，中间板12可以夹持于在X方向上彼此相邻地布置的流动通道形成部段26之间。

因此，如上文所述，由于半导体模块20经由中间板12堆叠，在中间板12与散热器3的暴露于半导体模块20的表面之间形成冷却剂流动通道4。也就是说，该冷却剂流动通道4沿着散热器3(中间板12)而形成，且下文中有时称为表面流动通道4。

此外，如图10所示，具有冷却剂引入部段131和冷却剂排出部段132的第一端板141附接至在X方向上堆叠的多个半导体模块20的堆叠体的一个端部。另外，第二端板142也附接至在X方向上堆叠的多个半导体模块20的堆叠体的另一端部。具体地，第一端板141和第二端板142经由密封件261分别接触半导体模块20的流动通道形成部段26。

因此，如图10所示，用作冷却剂表面流动通道的冷却剂流动通道4形成为面向相应的半导体模块20的在相应的半导体模块20的堆叠方向上安置在最外侧的散热器3。此外，在Y方向上在模制树脂部21与流动通道形成部段26之间也形成冷却剂流动通道4。冷却剂流动通道40在X方向上连续延伸，并用作将多个表面流动通道41连结在一起的连结流动通道42。

此外，半导体模块20的散热片5暴露于表面流动通道41。更具体地，散热片5的梢部接触中间板12、第一端板141和第二端板142。因此，与散热片5接触的这些中间板12、第一端板141和第二端板142的相应的表面在冷却剂流动通道4中用作与散热器3相对定位的内壁表面43。

因此，在以这种方式构造的半导体装置1中，从冷却剂引入部段131引入到冷却剂流动通道4中的冷却剂经过位于冷却剂流动通道4的上游的连结流动通道42，然后被分配至多个表面流动通道41。随后，在每个表面流动通道41中，冷却剂在Y方向上通过该表面流动通道而被供给。此时，冷却剂与其上包括有散热片5的散热器3进行热交换。接收热的冷却剂经过在冷却剂流动通道4中位于下游的连结流动通道42，然后从冷却剂排出部段132离开。因此，热经由具有多个散热片5的散热器3从半导体元件2释放至冷却剂。

因此，根据本公开第三实施方式，可以再次获得能够有效地从半导体元件2释放热的半导体装置1。也可以获得如在本公开的第一实施方式中获得的其他优点。

现在，在下文中参照图13对执行第一实验以确认由本公开的第一实施方式的半导体装置1获得的一个或更多个优点的示例性结果进行描述。也就是说，在实验之前，通过模拟在本公开的第一实施方式中采用的半导体装置1来准备实验台模型。然而，在这个实验台模型中，用作热源的半导体元件2由加热器代替。加热器与具有大量散热片5的散热器3热接触。随后，冷却剂流动通过冷却剂流动通道4，并且基于冷却剂温度的升高来测量传热率，该传热率指示从加热器(即，相当于半导体元件2)到冷却剂的导热性。作为冷却剂，使用LLC(长寿命冷却剂)。

在实验中，加热器的温度设定为100摄氏度。冷却剂在引入冷却剂流动通道4之前的温度为25摄氏度。随后，通过改变流动通过冷却剂流动通道的冷却剂的流量，三次测量传热率和压力下降。

此外，在本实验中，将具有与本公开的第一实施方式的散热片大致相同的构型的散热片的散热器制备为第一样品。另外，其他样品通过分别使用激光和焊料(即，不切割散热器)而将散热片结合至散热器来被制备为第二样品和第三样品，并作为比较实验而类似地进行实验。

在图13中示出了每个实验的结果。如可以根据图所理解的，在第一样品至第三样品的传热率中，第一样品的传热率最高。特别是，随着压力下降的量的增加，在第一样品至第三样品的传热率中，第一样品的传热率变得最高。因此，可以理解的是，本公开的第一实施方式的半导体装置1可以从半导体元件2有效地释放热。还应理解的是，当压力下降的量增加到一定程度时，本公开的第一实施方式的半导体装置1可以有效地提高从半导体元件2的热释放。

现在，在下文中参照图14至图16描述通过改变每个散热片5的布置和形状而产生的热释放效率的分析的示例性结果，其中，图14至图16部分地示出了散热器3的立体图。

首先，如图14所示，制备了具有与本公开的第一实施方式的散热片5大致相同的布置的样品21。然而，不同于图4的具有弯曲形状的散热片5，图14的每个散热片5呈平板状。也就是说，在样品21中，大量散热片5中的每个散热片的线性基部51相对于流动通道的Y方向相似地倾斜。同时，在流动通道的Y方向上彼此相邻地布置的散热片5的每个线性基部51的倾斜方向大致彼此相反。此外，在Z方向上布置的多个散热片5的每个线性基部51相对于流动通道的Y方向的倾斜大致彼此相同。

如图15所示，又通过将多个平板状散热片50安置成在Y方向上彼此平行延伸来制备样品22。此外，如图16所示，又通过将多个方形柱销状态的散热片500从散热器3中竖立来制备样品23。

如图14到图16所示，在这三种样品中，散热片5、散热片50和散热片500的高度t和间距d相等。具体地，在样品23中，在X方向上和在Y方向上相邻的散热片之间的每个间距的值都等于值d。此外，在每个样品中，散热片5、散热片50和散热片500与散热器3成一体。

然后，通过使冷却剂流动通过形成在样品21、样品22和样品23中的每一者中的冷却剂流动通道4来模拟和分析每个样品的传热率。该模拟和分析是在下述条件下进行的：冷却剂流量为0.5L(升)/min，传递到散热器3的热量为30W(瓦特)，且冷却剂在热交换之前的温度为65摄氏度。此外，该模拟和分析中使用了与第一实验中使用的LLC大致相同的LLC。

图17中示出了实验结果，并且根据附图可以理解，样品21显示为具有最高传热率。因此，也可以理解，当散热片5布置为具有如本公开的第一实施方式中所采用的形状时，散热效率可以得到最大程度的提高。

此外，可以采用除本公开的上述实施方式以外的各种替代方案。例如，冷却剂的流动方向可以与本公开的第一实施方式中的流动方向相反。也就是说，散热片5的曲面的凸形侧可以位于冷却剂流的上游。

Claims

1.一种半导体装置，包括：

半导体元件(2)；

冷却剂流动通道(4)，所述冷却剂流动通道(4)包括允许冷却剂流动的内壁；以及

散热器(3)，所述散热器(3)热连接至所述半导体元件，

其中，所述散热器一体地包括从所述散热器朝向所述冷却剂流动通道突出的多个散热片(5)，所述多个散热片中的每个散热片包括具有线性基部(51)的弯曲的板状突出部，所述线性基部在所述散热器上相对于第一方向倾斜，所述冷却剂在所述第一方向上通过所述冷却剂流动通道而被供给，

其中，在所述第一方向上彼此相邻地布置的散热片中的每个散热片的线性基部的倾斜方向大致彼此相反。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述多个散热片中的每个散热片的梢部接触所述冷却剂流动通道的与所述散热器相对布置的内壁表面(43)。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述多个散热片中的每个散热片弹性地压力接触所述冷却剂流动通道的与所述散热器相对布置的内壁表面(43)。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其中，所述多个散热片中的一些散热片在第二方向上对准，所述第二方向垂直于所述散热器的法线方向和所述第一方向二者，

其中，所述多个散热片中的一些散热片的线性基部相对于所述第一方向大致彼此同样地倾斜。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，还包括：

连接至半导体元件的一对电源端子(201)；以及

连接至半导体元件的多个控制端子(202)。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体模块，其中，所述多个散热片由所述散热器的表面层的被切割并被竖立的部分构成。