CN110858557A - 缓冲单元以及用该缓冲单元处理基板的装置和方法 - Google Patents

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Abstract

用于储存基板的缓冲单元包括：壳体，其内部具有缓冲空间；基板支撑单元，其在缓冲空间中支撑一个或多个基板；压力调节单元，其调节缓冲空间中的压力；和控制器，其控制压力调节单元。压力调节单元包括：供气管线，其供应气体以用于对缓冲空间进行加压；和排气管线，其降低缓冲空间内的压力。控制器控制压力调节单元以将缓冲空间保持在填充模式和排气模式中所选择的一种模式下，在填充模式下缓冲空间被填充气体，在排气模式下缓冲空间被抽空。

Description

缓冲单元以及用该缓冲单元处理基板的装置和方法
技术领域
本文描述的发明构思的实施方式涉及一种基板处理装置，更具体地，涉及一种用于储存基板的装置。
背景技术
为了制造半导体器件，执行各种工艺，例如光刻工艺、蚀刻工艺、灰化工艺、离子注入工艺、薄膜沉积工艺等，以在基板上形成图案。在这些工艺中，蚀刻工艺、离子注入工艺和薄膜沉积工艺在真空气氛中处理基板。当从真空气氛移至大气气氛的基板暴露于氧气时，在基板上形成颗粒和烟雾。因此，在基板处理工艺之后，在将基板储存在缓冲单元中的同时执行去除颗粒和烟雾的工艺。
执行调节储存基板的空间中的压力的工艺，以去除缓冲单元中的颗粒和烟雾。压力调节工艺具有：正压模式，在该正压模式中储存空间中的压力被调节到正压力；负压模式，在该负压模式中储存空间中的压力被调节到负压力。例如，在正压模式下，通过用气体填充储存空间来吹掉和去除残留在基板上的异物。相反，在负压模式下，通过减小储存空间中的压力来排出和去除残留在基板上的异物。
图1是示出现有技术中的缓冲单元的视图。参考图1，缓冲单元包括各种类型的单元，例如第一单元2、第二单元4和第三单元6。第一单元2具有供气管线2a，并且供气管线2a将气体供应到第一单元2中以执行正压模式。第二单元4具有排气管线4a，并且排气管线4a降低第二单元4中的压力以执行负压模式。第三单元6具有供气管线6a和排气管线6b，并且同时执行气体的供应和释放以在第三单元6中形成气流。
然而，第一单元2和第二单元4可以仅执行正压模式和负压模式中的一个，并且不能执行另一模式。此外，第三单元6比第一单元2和第二单元4需要更多的设备，并且需要用于设备的大空间。
发明内容
本发明构思的实施方式提供一种用于通过在储存基板时以不同方式调节储存空间中的压力来清洁基板的装置。
本发明构思的实施方式提供一种用于在没有装置空间限制的情况下将缓冲单元切换到不同压力模式的装置。
根据示例性实施方式，提供了一种用于储存基板的装置。
用于储存基板的缓冲单元包括：壳体，其内部具有缓冲空间；基板支撑单元，其在缓冲空间中支撑一个或多个基板；压力调节单元，其调节缓冲空间中的压力；以及控制器，其控制压力调节单元。压力调节单元包括：供气管线，其供应气体用于对缓冲空间加压；以及排气管线，其减小缓冲空间中的压力。控制器控制压力调节单元以将缓冲空间保持在填充模式和排气模式中所选择的一种模式下，在填充模式下缓冲空间被填充气体，在排气模式下缓冲空间被排空。
压力调节单元还可以包括：主管线；供气单元，其将气体供应到主管线中；以及减压构件，其降低主管线中的压力。供气管线和排气管线可以通过三通阀与主管线连接。
控制器可以控制三通阀以：在填充模式下打开供气管线并阻塞排气管线并且在排气模式下阻塞供气管线并打开排气管线。
控制器可以控制压力调节单元以在基板被储存在缓冲空间中之前根据用于处理基板的气体将缓冲空间保持在填充模式和排气模式中所选定的一种模式下。
控制器可以控制压力调节单元以：当气体包括氟(F)、氯(Cl)或溴(Br)时，将缓冲空间保持在排气模式下；并且当气体包括氨(NH3)时将缓冲空间保持在填充模式下。
根据示例性实施方式，基板处理装置包括：处理模块，其处理基板；和转位模块，其位于处理模块的一侧。转位模块包括：装载端口，在装载端口上放置有载体，在载体中容纳有基板；传送框架，其布置在装载端口和处理模块之间；和缓冲单元，其被布置在传送框架的一侧，并临时储存在处理模块中处理过的基板。缓冲单元包括：壳体，其内部具有缓冲空间；基板支撑单元，其在缓冲空间中支撑一个或多个基板；压力调节单元，其调节缓冲空间中的压力；以及控制器，其控制压力调节单元。压力调节单元包括：供气管线，其供应气体用于对缓冲空间加压；以及排气管线，其降低缓冲空间中的压力。控制器控制压力调节单元以将缓冲空间保持在填充模式和排气模式中所选择的一种模式下，在填充模式下缓冲空间被填充气体，在排气模式下缓冲空间被排空。
处理模块可以包括：第一处理单元，其执行第一处理；和第二处理单元，其独立于所述第一处理单元执行第二处理。控制器对于在其上执行第一处理的基板可将缓冲空间保持在排气模式下，并且对于在其上执行第二处理的基板可将缓冲空间保持在填充模式下。在第一处理中使用的气体包括氟(F)、氯(Cl)或溴(Br)，并且在所述第二处理中使用的气体包括氨(NH3)。
压力调节单元还可以包括：主管线；供气单元，其将气体供应到主管线中；以及减压构件，其降低主管线中的压力。供气管线和排气管线可以通过三通阀与主管线连接。控制器可以控制三通阀以在填充模式下打开供气管线并阻塞排气管线并且在所述排气模式下阻塞供气管线并打开排气管线。
根据示例性实施方式，处理基板的方法包括：处理基板的基板处理步骤；和在基板处理步骤之后将基板储存在缓冲单元中的基板储存步骤。将所述缓冲单元的内部空间保持在填充模式和排气模式中所选择的一种模式下，在填充模式下内部空间被填充气体，在排气模式下内部空间被抽空。
可以在基板处理步骤中进行用第一气体处理基板的第一处理和用第二气体处理基板的第二处理中的之一。第一气体和第二气体可以是不同类型的气体。所选择的模式可以根据基板处理步骤中使用的气体类型而变化。
当执行第一处理时可以保持排气模式，并且当执行第二处理时可以保持填充模式。第一气体可以包括氟(F)、氯(Cl)或溴(Br)，第二气体可以包括氨(NH3)。
附图说明
通过以下参考以下附图的描述，上述和其他目的和特征将变得显而易见，其中除非另外指明，否则相同的附图标记在各个附图中指代相同的部分，并且其中：
图1是示出相关技术中的缓冲单元的图；
图2是示出根据本发明构思的实施方式的基板处理装置的示意性平面图；
图3是图2的气体处理装置的截面图；
图4是示出图2的缓冲单元的立体图；
图5是示出图4的缓冲单元的平面图；
图6是沿图5中的A-A线截取的截面图；
图7是示出图4的压力调节单元的图；
图8是示出使用图7的压力调节单元执行排气模式的工艺的图；和
图9是示出使用图7的压力调节单元执行填充模式的工艺的图。
具体实施方式
可以对本发明构思的实施方式进行各种修改和变化，并且本发明构思的范围不应该被构造为限于这里阐述的实施方式。提供这些实施方式是为了使得本公开将是彻底和完整的，并且将本发明构思的范围完全传达给本领域技术人员。因此，在附图中，为了清楚说明，夸大了部件的形状。
在本发明构思的实施方式中，将描述用于使用等离子体蚀刻基板的基板处理装置。然而，不限于此，本发明构思适于用于使用气体处理基板的各种类型的装置。
图2是示出根据本发明构思的实施方式的基板处理装置的示意性平面图。
参见图2，基板处理装置1具有转位模块10、装载模块30和处理模块20。转位模块10具有装载端口120、传送框架140和缓冲单元2000。装载端口120、传送框架140和处理模块20依次设置成行。在下文中，装载端口120、传送框架140、装载模块30和处理模块20布置的方向被称为第一方向12，当俯视时垂直于第一方向12的方向被称为第二方向14，并且垂直于包括第一方向12和第二方向14的平面的方向被称为第三方向16。
其中容纳有多个基板W的载体18被放置在装载端口120上。可以设置有多个装载端口120。多个装载端口120可以沿第二方向14布置成行。图2示出了转位模块10具有三个装载端口120的一个示例。然而，装载端口120的数量可以根据诸如处理模块20的处理效率和占地面积的条件而增加或减少。载体18具有形成在其中的多个槽(未示出)以支撑基板W的边缘。多个槽沿第三方向16设置，并且基板W在载体18中沿第三方向16以其间具有间隔间隙地彼此上下堆叠。正面开口标准箱(FOUP)可以用作载体18。
传送框架140在放置在装载端口120上的载体18、缓冲单元2000和装载模块30之间传送基板W。在传送框架140中设置有转位轨道142和转位机械手144。转位轨道142被布置成使得其长度方向平行于第二方向14。转位机械手144安装在转位轨道142上并沿转位轨道142沿第二方向14线性移动。转位机械手144包括基座144a、主体144b和转位臂144c。基座144a被安装成可沿转位轨道142移动。主体144b与基座144a结合。主体144b可沿第三方向16在基座144a上移动。此外，主体144b可在基座144a上旋转。转位臂144c与主体144b结合，并且可相对于主体144b前后移动。可以设置有多个转位臂144c。转位臂144c可以单独操作。转位臂144c可以沿着第三方向16以其间具有间隔间隙地彼此上下堆叠。一些转位臂144c可以用于将基板W从处理模块20传送至载体18，并且其他转位臂144c可以用于将基板W从载体18传送至处理模块20。因此，在转位机械手144传送基板的过程中，可以防止从待处理的基板W产生的颗粒粘附到处理过的基板W。
缓冲单元2000临时储存在处理模块20中处理过的基板W。缓冲单元2000去除残留在基板W上的工艺副产物。可以通过升高或降低缓冲单元2000中的压力来执行缓冲单元2000中的工艺副产物的去除。可以设置有多个缓冲单元2000。例如，可以设置有两个缓冲单元2000。两个缓冲单元2000可以设置在传送框架140的两侧，并且可以定位成彼此面对，其间具有传送框架140。或者，可以在传送框架140的一侧仅设置一个缓冲单元2000。
装载模块30设置在传送框架140和传送室242之间。装载模块30提供在基板被在传送室242和传送框架140之间传送之前供基板W停留的空间。装载模块30包括装载锁定室32和卸载锁定室34。装载锁定室32和卸载锁定室34被设置成使得其内部空间可以在真空气氛和大气气氛之间切换。
装载锁定室32提供用于供待从转位模块10被传送至处理模块20的基板W暂时停留的空间。当基板W放置在装载锁定室32中时，装载锁定室32的内部空间与转位模块10和处理模块20隔绝。此后，装载锁定室32的内部空间被从大气气氛切换到真空气氛，并且装载锁定室32在与转位模块10隔绝的状态下对处理模块20开放。
卸载锁定室34提供用于供待从处理模块20被传送到转位模块10的基板W暂时停留的空间。当基板W放置在卸载锁定室34中时，卸载锁定室34的内部空间与转位模块10和处理模块20隔绝。此后，卸载锁定室34的内部空间被从真空气氛切换到大气气氛，卸载锁定室34在与处理模块20隔绝的状态下对转位模块10开放。
处理模块20包括传送室242和多个处理单元260。
传送室242在装载锁定室32、卸载锁定室34和多个处理单元260之间传送基板W。当俯视时，传送室242可以具有六边形形状。或者，传送室242可具有矩形或五边形形状。装载锁定室32、卸载锁定室34和多个处理单元260位于传送室242周围。传送机械手250设置在传送室242中。传送机械手250可以位于传送室242的中心。传送机械手250可具有多个手部252，手部252可沿水平和竖直方向移动并可在水平面上向前或向后移动或旋转。每个手部252可独立操作，并且基板W可水平放置在手部252上。
下面将描述设置在每个处理单元260中的基板处理装置1000。基板处理装置1000在基板W上执行蚀刻或沉积工艺。根据实施方式，基板处理装置1000可以分别执行不同的基板处理工艺。第一装置可以执行供应第一气体的第一处理，第二装置可以执行供应第二气体的第二处理。第一气体可以包括氟(F)、氯(Cl)或溴(Br)，第二气体可以包括氨(NH3)。
图3是表示图2的气体处理装置的截面图。参考图3，气体处理装置1000包括腔室1100、基板支撑单元1200、供气单元1300、等离子体源1400和排气挡板1500。
腔室1100具有供处理基板W的处理空间1106。腔室1100具有圆柱形状。腔室1100由金属形成。例如，腔室1100可以由铝形成。腔室1100具有形成在其侧壁1102中的开口。开口用作入口，基板W通过该入口被放置在腔室1100中或从腔室1100中取出。开口由门1120打开或关闭。腔室1100具有形成在其底部的下孔1150。减压构件(未示出)连接至下孔1150。腔室1100的处理空间1106可以通过减压构件被抽空，并且可以在工艺期间被保持在减压气氛中。
基板支撑单元1200在处理空间1106中支撑基板W。基板支撑单元1200可以是使用静电力支撑基板W的静电卡盘1200。或者，基板支撑单元1200可以以各种方式，例如机械夹持支撑基板W。
静电卡盘1200包括介电板1210、基座1230和聚焦环1250。介电板1210可以由介电物质形成。基板W直接放置在介电板1210的上表面上。介电板1210具有圆板形状。介电板1210可以具有比基板W小的半径。用于卡持的电极1212安装在介电板1210中。电源(未示出)连接到电极1212以用于卡持。从电源(未示出)向电极1212施加电力以用于夹持，并且通过静电力将基板W夹持到介电板1210。用于加热基板W的加热器1214安装在介电板1210中。加热器1214位于用于卡持的电极1212下方。加热器1214可以用螺旋形状的线圈实现。
基座1230支撑介电板1210。基座1230位于介电板1210下方并且与介电板1210固定地结合。基座1230的上表面具有阶梯形状，使得中心区域位于在比边缘区域更高的位置。基座1230的上表面的中心区域具有与介电板1210的底表面的区域相对应的区域。冷却流体通道1232形成在基座1230中。冷却流体通道232用作供冷却流体循环的通道。冷却流体通道1232可以在基座1230中以螺旋形状设置。基座1230与位于外部的RF电源1234连接。RF电源1234向基座1230施加电力。施加到基座1230的电力将腔室1100中产生的等离子体引向基座1230。基座1230可以由金属形成。
聚焦环1250将等离子体集中在基板W上。聚焦环1250包括内环1252和外环1254。内环1252具有围绕介电板1210的环形形状。内环1252位于基座1230的边缘区域上。内环1252具有与介电板1210的上表面处于相同高度的上表面。内环1252的上表面的内部支撑基板W的背面的边缘区域。例如，内环1252可以由导电材料形成。外环1254具有围绕内环1252的环形形状。外环1254在基座1230的边缘区域上位于内环1252附近。外环1254的上端高于内环1252的上端。外环1254可以由绝缘材料形成。
供气单元1300将工艺气体供应到被支撑在基板支撑单元1200上的基板W上。供气单元1300包括气体储器1350、供气管线1330和进气口1310。供气管线1330连接气体储器1350和进气口1310。储存在气体储器1350中的工艺气体通过供气管线1330被供应到进气口1310。进气口1310安装在腔室1100的上壁中。进气口1310位于基板支撑单元1200的对面。根据实施方式，进气口1310可以安装在腔室1100的上壁1104的中心处。阀门可以安装在供气管线1330中以打开或关闭供气管线1330的内部通道或调节流过供气管线1330的内部通道的气体的流速。例如，工艺气体可以是蚀刻气体。
等离子体源1400将腔室1100中的工艺气体激发成等离子体状态。电感耦合等离子体(ICP)源可以用作等离子体源1400。等离子体源1400包括天线1410和外部电源1430。天线1410布置在腔室1100上方。天线1410被设置为缠绕多次的螺旋形状，并与外部电源1430连接。天线1410从外部电源1430接收电力。被施加电力的天线1410在腔室1100的内部空间中形成放电空间。停留在放电空间中的工艺气体可以被激发成等离子体状态。
排气挡板1500通过区域均匀地从处理空间1106释放等离子体。排气挡板1500具有环形形状。在处理空间1106中，排气挡板1500位于腔室1100的内壁和基板支撑单元1200之间。排气挡板1500具有形成在其中的多个排气孔1502。排气孔1502沿竖直方向指向。排气孔1502从排气挡板1500的上端延伸到其下端。排气孔1502沿着排气挡板1500的周向彼此间隔开。每个排气孔1502具有狭缝形状并且具有沿径向方向指向的长度方向。
在下文中，将更详细地描述前述缓冲单元。图4是示出图2的缓冲单元的立体图。图5是示出图4的缓冲单元的平面图。图6是沿图5中的A-A线截取的截面图。参考图4至图6，缓冲单元2000包括壳体2100、基板支撑单元2300，排气口2400、气体喷嘴2600、压力调节单元3000(参考图7)和控制器3600(参考图7)。
壳体2100具有容器形状，其内部具有缓冲空间2120。壳体2100具有沿第三方向16指向的长度方向。缓冲空间2120被设置为可容纳多个基板的空间。壳体2100具有开口面2140。开口面2140与传送框架140相对。开口面2140用作入口2140a，基板W通过该入口2140a被在传送框架140和缓冲空间2120之间传送。
基板支撑单元2300在缓冲空间2120中支撑基板W。基板支撑单元2300支撑多个基板W。多个基板W通过基板支撑单元2300沿竖直方向布置。基板支撑单元2300包括多个支撑槽2330。支撑槽2330具有安放表面，基板W被分别安放在安放表面上。这里，安放表面可以是支撑槽2330的上表面。支撑槽2330从壳体2100的内表面突出。位于相同高度的两个支撑槽2330当俯视时彼此面对。此外，支撑槽2330沿第三方向16彼此间隔开。沿第三方向16彼此相邻的支撑槽2330之间的间隙可以相同。因此，多个基板W可以以彼此堆叠的状态被支撑在基板支撑单元230上。或者，当俯视时，可以在相同高度处设置三个或更多个支撑槽2330。
排气口2400用作通道，缓冲空间2120中的大气通过该通道被抽空。从基板W移除的颗粒和烟雾通过排气口2400被排出。排气口2400包括前端口2420和后端口2440。前端口2420和后端口2440用作孔，缓冲空间2120中的大气通过该孔被抽空。当俯视时，前端口2420比后端口2440更靠近壳体2100的开口面2140。例如，当俯视时，前端口2420可以位于被支撑在支撑槽2330上的基板W的一侧，后端口2440可以位于所述基板W的相反侧。前端口2420后端口2440安装在壳体2100的底部中。前端口2420具有多个前孔。前孔沿第一方向12布置。后端口2440比前孔具有更大的直径。或者，前端口2420和后端口2440可以安装在壳体2100的顶板中。
气体喷嘴2600将气体分配到缓冲空间2120中。可以设置有多个气体喷嘴2600。气体喷嘴2600可以安装在壳体2100的内壁上。气体喷嘴2600可以沿竖直方向和壳体2100的周向彼此间隔开。气体喷嘴2600被分成多个组，每组的气体喷嘴布置在同一竖直线上。在该实施方式中，将举例说明气体喷嘴2600被分成四组，每组的气体喷嘴布置在同一竖直线上。然而，各自具有布置在相同竖直列中的气体喷嘴的组的数量可以是三个或更少，或者五个或更多。气体喷嘴2600具有分别面对被支撑在支撑槽2330上的基板W的排出开口。例如，沿竖直方向彼此相邻的气体喷嘴2600之间的间隙可以与支撑槽2330之间的竖直间隙相同。
参见图7，压力调节单元3000调节缓冲空间2120中的压力。压力调节单元3000将缓冲空间2120中的压力调节到高于大气压的正压或低于大气压的负压。压力调节单元3000包括供气管线3100、排气管线3200、主管线3300、三通阀3500、供气单元3320和减压构件3340。
供气管线3100供应气体以对缓冲空间2120加压。供气管线3100连接到气体喷嘴2600并将气体供应到气体喷嘴2600。例如，气体可以是惰性气体或空气。
排气管线3200输送负压以减小缓冲空间2120中的压力。排气管线3200与前端口2420和后端口2440连接。因此，缓冲空间2120通过前端口2420和后端口2440被抽空。
主管线3300与供气管线3100和排气管线3200连接。主管线3300、供气管线3100和排气管线3200通过三通阀3500连接在一起。即，三通阀3500安装在主管线3300、供气管线3100和排气管线3200连接在一起的点处。三通阀3500打开供气管线3100和排气管线3200中的一个并阻塞另一个。因此，主管线3300与供气管线3100和排气管线3200中的一个连接。
供气单元3320和减压构件3340连接到主管线3300。供气单元3320将气体供应到主管线3300中，并且减压构件3340减小主管线3300中的压力。第一阀3322和第二阀3342安装在主管线3300中。第一阀3322允许或停止从供气单元3320向主管线3300供应气体，并且第二阀3342允许或停止从减压构件3340向主管线3300输送负压。即，当第一阀3322和第二阀3342中的一个打开时，另一个关闭。因此，仅执行向主管线3300供应气体和向主管线3300输送负压中的一个。
控制器3600控制压力调节单元3000以将缓冲空间2120保持在填充模式和排气模式中所选定的一个下。这里，填充模式是将气体供应到缓冲空间2120中以对缓冲空间2120加压的模式，并且排气模式是缓冲空间2120被抽空的模式。控制器3600控制第一阀3322、第二阀3342和三通阀3500以仅保持填充模式和排气模式中的一个。可以根据在将基板W储存在缓冲空间2120中之前用于处理基板W的气体类型来不同地选择填充模式和排气模式。根据实施方式，可以对于在其上执行第一处理的基板W保持填充模式，并且可以对于在其上执行第二处理的基板W保持排气模式。
在下文中，将描述使用上述基板处理装置处理基板W的方法。将容纳在载体18中的第一基板W1通过转位机械手144传送到装载锁定室32。将装载锁定室32中的气氛切换到真空气氛，并且将第一基板W1通过传送机械手250传送到第一处理单元以进行第一处理。当完成第一处理时，将第一基板W1通过传送机械手250传送到卸载锁定室34。将卸载锁定室34中的气氛切换到大气气氛，并且转位机械手144将第一基板W1传送到缓冲单元2000。
将第一基板W1放置在支撑槽2330上，并且通过从减压构件3340递送的负压而减小缓冲空间2120中的压力。由此，将缓冲空间2120保持在排气模式下，如图8所示，通过排气口2400排出和除去残留在第一基板W1上的工艺副产物。例如，第一处理中使用的气体可以包括氟(F)、氯(Cl)或溴(Br)。
在第二处理单元中对与第一基板W1不同的第二基板W2进行第二处理。将完成进行了第二处理的第二基板W2传送到缓冲单元2000并放置在支撑槽2330上。通过从气体喷嘴2600分配的气体对缓冲空间2120加压。由此，如图9所示将缓冲空间2120保持在填充模式，然后，吹除并除去残留在第二基板W2上的工艺副产物。例如，第二处理中使用的气体可以包括氨(NH3)。
在上述实施方式中，已经描述了对第一基板W1和第二基板W2进行不同的工艺。然而，可以选择性地对一个基板进行第一处理和第二处理中的一个，并且可以根据所选工艺中使用的气体类型将缓冲空间2120保持在填充模式和排气模式中所选定的一个模式下。
根据上述实施方式，缓冲空间2120的状态模式根据用于处理基板的气体类型而变化。因此，缓冲空间2120的状态模式可以根据残留在基板上的工艺副产物的类型而变化，因此可以提高清洁效率。
此外，根据上述实施方式，供气管线3100和排气管线3200中的一个由三通阀3500选择并连接到主管线3300。由此，可以在不安装用于供气管线3100和排气管线3200的两个或更多个独立管线的情况下执行气体的供应或释放，并且可以改善用于安装供气管线3100和排气管线3200的空间效率。
根据本发明构思的实施方式，供气管线和排气管线通过三通阀连接到主管线。因此，可以将缓冲单元的内部空间保持在填充模式和排气模式中所选定的一个模式下。
此外，根据本发明构思的实施方式，供气管线和排气管线连接到主管线。因此，可以在不安装用于供气管线和排气管线的两个或更多个独立管线的情况下执行气体的供应和释放，并且可以改善供气管线和排气管线的空间效率。
此外，根据本发明构思的实施方式，可以根据用于处理基板的气体的类型来不同地选择填充模式和排气模式。因此，可以提高基板的清洁效率。
以上描述举例说明了本发明的构思。此外，上述内容描述了本发明构思的示例性实施方式，并且本发明构思可以用在各种其他组合、变化和环境中。也就是说，在不脱离说明书中公开的本发明构思的范围、与书面公开的等同范围、和/或本领域技术人员的技术或知识范围的情况下，可以对本发明构思进行变化或修改。书面实施方式描述了用于实现本发明构思的技术精神的最佳状态，并且可以进行本发明构思的特定应用和目的所需的各种改变。因此，对本发明构思的详细描述并非旨在将本发明构思限制在所公开的实施方式状态下。另外，应该理解所附权利要求包括其他实施方式。
尽管已经参考示例性实施方式描述了本发明构思，但是对于本领域技术人员显而易见的是，在不脱离本发明构思的精神和范围的情况下，可以进行各种改变和修改。因此，应该理解，上述实施方式不是限制性的，而是说明性的。

Claims (11)

1.一种用于储存基板的缓冲单元，所述缓冲单元包括：
壳体，所述壳体内部具有缓冲空间；
基板支撑单元，所述基板支撑单元被配置为在所述缓冲空间中支撑一个或多个基板；
压力调节单元，所述压力调节单元被配置为调节所述缓冲空间中的压力；和
控制器，所述控制器被配置为控制所述压力调节单元，
其中所述压力调节单元包括：
供气管线，所述供气管线被配置为供应气体以用于对所述缓冲空间加压；和
排气管线，所述排气管线被配置为降低所述缓冲空间内的压力，并且
其中，所述控制器控制所述压力调节单元以将所述缓冲空间保持在填充模式和排气模式中所选择的一种模式下，其中在所述填充模式下所述缓冲空间被填充气体，在所述排气模式下所述缓冲空间被抽空。
2.根据权利要求1所述的缓冲单元，其中，所述压力调节单元还包括：
主管线；
供气单元，所述供气单元被配置为将气体供应到所述主管线中；和
减压构件，所述减压构件被配置为减小所述主管线中的压力，并且
其中，所述供气管线和所述排气管线通过三通阀与所述主管线连接。
3.根据权利要求2所述的缓冲单元，其中，所述控制器控制所述三通阀以在所述填充模式下打开所述供气管线并阻塞所述排气管线并且在所述排气模式下阻塞所述供气管线并打开所述排气管线。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的缓冲单元，其中，所述控制器控制所述压力调节单元，以在所述基板被储存在所述缓冲空间中之前根据用于处理所述基板的气体类型将所述缓冲空间保持在所述填充模式和所述排气模式中所选定的一种模式下。
5.根据权利要求4所述的缓冲单元，其中，当所述气体包括氟(F)、氯(Cl)或溴(Br)时，所述控制器控制所述压力调节单元以将所述缓冲空间保持在所述排气模式下并且当所述气体包含氨(NH3)时将所述缓冲空间保持在所述填充模式下。
6.一种基板处理装置，所述装置包括：
处理模块，所述处理模块被配置为处理所述基板；和
转位模块，所述转位模块位于所述处理模块的一侧，
其中所述转位模块包括：
装载端口，在所述装载端口上放置有载体，在所述载体中容纳有所述基板；
传送框架，所述传送框架被布置在所述装载端口和所述处理模块之间；和
缓冲单元，所述缓冲单元被布置在所述传送框架的一侧，并被配置为临时储存在所述处理模块中处理过的所述基板，
其中所述缓冲单元包括：
壳体，所述壳体内部具有缓冲空间；
基板支撑单元，所述基板支撑单元被配置为在所述缓冲空间中支撑一个或多个基板；
压力调节单元，所述压力调节单元被配置为调节所述缓冲空间中的压力；和
控制器，所述控制器被配置为控制所述压力调节单元，
其中所述压力调节单元包括：
供气管线，所述供气管线被配置为供应气体以用于对所述缓冲空间加压；和
排气管线，所述排气管线被配置为降低所述缓冲空间内的压力，并且
其中，所述控制器控制所述压力调节单元以将所述缓冲空间保持在填充模式和排气模式中所选择的一种模式下，其中在所述填充模式下所述缓冲空间被填充气体，在所述排气模式下所述缓冲空间被抽空。
7.根据权利要求6所述的装置，其中，所述处理模块包括：
第一处理单元，所述第一处理单元用于执行第一处理；和
第二处理单元，所述第二处理单元被配置为独立于所述第一处理单元执行第二处理，
其中，所述控制器对于在其上执行所述第一处理的基板将所述缓冲空间保持在所述排气模式下，并且对于在其上执行所述第二处理的基板将所述缓冲空间保持在所述填充模式下，并且
其中在所述第一工艺中使用的气体包括氟(F)、氯(Cl)或溴(Br)，并且在所述第二处理中使用的气体包括氨(NH3)。
8.根据权利要求6或7所述的装置，其中，所述压力调节单元还包括：
主管线；
供气单元，所述供气单元被配置为将所述气体供应到所述主管线中；和
减压构件，所述减压构件被配置为减小所述主管线中的压力，并且
其中，所述供气管线和所述排气管线通过三通阀与所述主管线连接，并且
其中，所述控制器控制所述三通阀以在所述填充模式下打开所述供气管线并阻塞所述排气管线并且在所述排气模式下阻塞所述供气管线并打开所述排气管线。
9.一种基板处理方法，所述方法包括：
基板处理步骤，其处理所述基板；和
基板储存步骤，其在所述基板处理步骤之后将所述基板储存在缓冲单元中，
其中，将所述缓冲单元的内部空间保持在填充模式和排气模式中所选择的一种模式下，在所述填充模式下所述内部空间被填充气体，在所述排气模式下所述内部空间被抽空。
10.根据权利要求9所述的方法，其中在所述基板处理步骤中执行用第一气体处理所述基板的第一处理和用第二气体处理所述基板的第二处理中之一，
其中所述第一气体和所述第二气体是不同类型的气体，并且
其中所选择的模式根据在所述基板处理步骤中使用的气体类型而变化。
11.根据权利要求10所述的方法，其中当执行所述第一处理时保持所述排气模式，
其中，当执行所述第二处理时保持所述填充模式，
其中所述第一气体包括氟(F)、氯(Cl)或溴(Br)，并且
其中所述第二种气体包括氨(NH3)。
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