CN110857476B - 一种低电阻率低位错密度的n型SiC单晶的生长方法 - Google Patents
一种低电阻率低位错密度的n型SiC单晶的生长方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110857476B CN110857476B CN201810964680.7A CN201810964680A CN110857476B CN 110857476 B CN110857476 B CN 110857476B CN 201810964680 A CN201810964680 A CN 201810964680A CN 110857476 B CN110857476 B CN 110857476B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- growth
- single crystal
- sic single
- crystal
- type sic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/36—Carbides
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
本发明涉及一种低电阻率低位错密度的n型SiC单晶的生长方法，属于晶体生长技术领域，包括步骤如下：(1)在坩埚中放置SiC粉料及辅助掺杂剂，并将坩埚置于生长室内；(2)对生长室内进行抽真空处理，通入氩气作为载气，开启中频电源，加热坩埚至一定温度，在生长室内建立合适的温度梯度；(3)生长室内通入一定流量的N2(或N2、Ar混合气)，SiC粉料及掺杂剂发生升华，气体组分传输至SiC籽晶，进行晶体生长；(4)晶体生长结束后，降至室温，得到n型SiC单晶。(5)进行切磨抛处理，得到n型SiC单晶衬底。并对获得n型SiC衬底进行测试表征，本发明中采用的生长方法与目前商业化的生长设备兼容，利于推广。
Description
技术领域
本发明涉及一种低电阻率、低位错密度、高结晶质量n型SiC单晶的制备方法，属于晶体生长技术领域。
背景技术
SiC作为宽禁带半导体的重要一员，禁带宽度大、临界击穿场强高、热导率高、化学性能稳定等优良特性，特别适合用于制备高温、高频、大功率器件。其中n型SiC材料在电力电子器件中具有重要应用。在采用垂直导电结构制备电力电子器件时，需要在衬底的背面制作欧姆接触电极。为了降低器件的功率损耗，要求衬底的电阻率和欧姆接触电阻尽可能的小。物理气相传输法是生长SiC单晶最成熟的方法。在该方法中，通过向生长室内通入一定量的N2实现n型SiC单晶的生长。在一定范围内，生长室内N2含量越高，晶体中掺入的N原子浓度越高，获得的n型SiC衬底电阻率越低。目前商业化n型SiC衬底的N掺杂浓度在1×1018～1×1019cm-3，电阻率在15～28mΩ·cm。为了进一步降低n型SiC的电阻率，生长室内需要加大N2在载气中的比例。但当晶体为重N掺杂时，N原子会在SiC晶格中引起晶格畸变，并产生大量位错，严重影响晶体的质量。如：Polytype stability and defects in differentlydoped bulk SiC(Journal of Crystal Growth[J]2008，310：966–970)文章中，德国SiCrystal AG公司为了降低n型SiC电阻率，在纯N2气氛下生长n型SiC单晶，但生长的晶体全部被位错覆盖，晶体无法进行后续的使用。
中国专利CN105492667B公开了一种n型SiC单晶及其制造方法。该方法中采用溶液法生长n型SiC单晶，通过在Si-C溶液的原料中添加金属锗和氮化物，实现锗与氮的密度比满足0.17<[Ge/N]<1.6，生长低电阻率(低于10mΩ·cm)且贯穿位错密度小(7×103～107cm-2)的n型SiC单晶。采用溶液法生长SiC单晶时，晶体为近平衡态生长，生长速率慢，自然容易生长低贯穿位错密度的SiC单晶。与溶液法生长机制完全不同，物理气相传输法是通过高温加热SiC粉料使其发生升华生长SiC单晶，在该过程中，晶体在非平衡态下生长，生长速率大，极易产生大量缺陷，因此该专利中的发明方法不适用于物理气相传输法生长低电阻率、低位错密度、高结晶质量的SiC单晶。
中国专利CN105189835B公开了一种减少升华生长SiC晶体中位错的方法。该发明中通过在晶体生长过程中不断变化N2流量，在晶体中形成相异氮浓度的分层的SiC晶体，实现降低晶体中位错密度的目的。但该发明中，需要至少存在一层低N掺杂浓度的层，才能降低后期晶体生长中的位错。同时为了更大程度上降低晶体中的位错，需要反复变化N2流量，即需要存在多层低N掺杂浓度的SiC层。该方法中获得的晶体分层无法使用，仅能够使用生长后期稳定N浓度的晶体。因此，该发明中极大降低了SiC单晶的使用率，增大了SiC单晶的成本。此外，该发明并未提及制备n型SiC晶体的电阻率的信息。
中国专利CN104947181A公开了一种降低物理气相传输法生长SiC单晶中位错密度的方法。该发明中通过在SiC籽晶面制作周期性图形台面和沟槽，利用晶体生长时不同晶面生长速率的各向异性，选择合适的生长条件，降低SiC单晶中的位错密度。然而该方法中，不仅需要提前对SiC籽晶进行机械方法预处理，还需在晶体生长前采用高温退火的方法消除机械方法对SiC籽晶产生的应力损伤层，极大地增大了晶体生长流程。同时该方法只能降低晶体中继承自衬底中的位错，无法实现降低晶体生长过程抑制原子掺杂在晶体中产生的位错。
发明内容
针对现有技术中n型轻掺杂SiC电阻率高、重掺杂SiC位错密度大、结晶质量差等技术难题，本发明采用共掺的方法提供了一种低电阻率、低位错密度、高结晶质量n型SiC单晶的生长方法。
本发明采用物理气相传输法生长低电阻率、低位错密度、高结晶质量的n型SiC单晶。所得n型SiC单晶电阻率低于10mΩ·cm，位错密度低于250cm-2，X射线摇摆曲线半峰宽低于20arcsec。
术语说明：
电阻率：表征半导体材料导电性的物理量。
位错：晶体材料中原子局部不规则排列导致的一种线缺陷。本申请中的位错主要指SiC材料中的螺位错、刃位错、混合位错和基平面位错。
结晶质量：评价晶体质量的物理量。本申请中采用X射线摇摆曲线半峰宽评价晶体结晶质量，半峰宽越窄，说明晶体结晶质量越高。
n型SiC：在SiC晶格中掺入施主元素，使电子作为主要载流子的SiC晶体。
本发明的技术方案如下：
一种低电阻率低位错密度的n型SiC单晶的生长方法，包括步骤如下：
(1)在坩埚中放置SiC粉料及辅助掺杂剂，并将坩埚置于生长室内；
(2)对生长室内进行抽真空处理，通入氩气作为载气，开启中频电源，加热坩埚至一定温度，在生长室内建立合适的温度梯度；
(3)生长室内通入一定流量的N2(或N2、Ar混合气)，SiC粉料及掺杂剂发生升华，气体组分传输至SiC籽晶，进行晶体生长；
(4)晶体生长结束后，调节中频电源使生长室内温度缓慢降至室温，得到n型SiC单晶。
(5)对获得的n型SiC单晶进行切磨抛处理，得到n型SiC单晶衬底。并对获得n型SiC衬底进行测试表征：采用电阻率测试仪测试衬底的电阻率、采用高分辨X射线衍射仪测试衬底的摇摆曲线、按照本领域现有技术采用熔融KOH腐蚀SiC衬底，并用光学显微镜分析、统计衬底中的位错密度。
根据本发明优选的，步骤(1)中SiC粉料中的辅助掺杂剂在SiC晶格中引入的辅助掺杂原子为替代式原子掺杂，且掺杂原子共价键半径大于被替代原子的共价键半径。进一步优选的，掺杂剂为Al2O3、Al4C3、Ge、TiO2等。
根据本发明优选的，步骤(1)中的辅助掺杂剂可以为一种或多种掺杂剂。
根据本发明优选的，步骤(1)中辅助掺杂剂质量占SiC粉料质量比为0.1％～20％。
根据本发明优选的，步骤(1)中若SiC粉料中的辅助掺杂剂在晶体生长温度下蒸气压过大时，需将调节辅助掺杂剂，使其位于SiC粉料中的低温区或将辅助掺杂剂放置在小坩埚中，以实现减小辅助掺杂剂蒸气压的目的。
根据本发明优选的，步骤(2)中坩埚上盖温度控制在2050-2300℃，坩埚内的轴向温度梯度为10-20℃/min。
根据本发明优选的，步骤(3)中所述N2的纯度不低于99.9％。
根据本发明优选的，步骤(3)中所述N2流量为2～100sccm，生长室内N2体积与生长内Ar和N2总体积占比为1％～100％。当生长室内N2体积与生长内Ar和N2总体积占比为100％时，表明生长室只通有N2，无Ar通入。
根据本发明优选的，步骤(3)中生长压力控制在5～30mbar。
根据本发明优选的，步骤(4)中所述降温速率为3-10℃/min。
根据本发明优选的，步骤(5)中对n型4H-SiC，测试其(004)面摇摆曲线，对n型6H-SiC，测试其(006)面摇摆曲线。
本发明所制备的n型SiC单晶为n型4H-SiC或n型6H-SiC单晶。
根据本发明优选的，所述n型SiC单晶的偏角为偏向<11-20>方向0°～8°，所述n型SiC单晶直径为2英寸～8英寸。
本发明中采用的SiC单晶生长炉为现有技术。
本发明中的方法对生长SiC单晶的其他方法同样适用，如溶液法、高温化学气相沉积法等。
本发明的技术特点及优良效果：
在物理气相传输法生长n型SiC单晶时，通常采用氩气作为载气，通过向生长室内通入一定比例的N2实现n型SiC单晶的生长。当N2比例较低时，获得的n型SiC单晶电阻率较高；而当N2比例较大时，虽然可以获得的低电阻率n型SiC单晶，但晶体中会产生大量位错，结晶质量较差。因此目前生长的n型SiC单晶基本是从平衡晶体电阻率与位错密度、结晶质量的关系，生长的晶体电阻率为18～28mΩ·cm，位错密度为103～104cm-2，摇摆曲线半峰宽为20～60arcsec。
在本发明中，通过在n型SiC单晶生长过程中，添加辅助掺杂剂，利用了不同元素的掺杂特性，提高了N原子在SiC单晶中的掺杂浓度，可以制备低电阻率低于10mΩ·cm的n型SiC单晶。同时，通过设计掺杂元素的比例，能够有效降低或消除了掺杂对SiC晶格畸变的影响，制备的重n型SiC单晶中的位错密度低于250cm-2，摇摆曲线半峰宽低于20arcsec。
本发明与现有技术相比，具有如下优点：
1、本发明中N掺杂浓度通过气体流量计精确控制，同时设计合适的辅助掺杂元素，巧妙利用N原子和其他辅助掺杂原子在SiC晶格中的掺杂特性，提高晶体中N原子含量，降低了晶体的电阻率。
2、本发明中通过采用共掺杂技术，通过在n型SiC单晶中引入适量浓度的辅助掺杂原子，降低或消除了重N掺杂SiC晶体的晶格畸变，解决了中N掺杂SiC单晶中位错密度高、结晶质量差的难题，实现了低位错密度、高结晶质量n型SiC单晶的生长。
3、本发明中采用的生长方法与目前商业化的物理气相传输法生长设备兼容，利于推广。
附图说明
附图1为本发明实施例1中生长装置图。其中，1为生长的晶体，2为生长坩埚，3为SiC粉料，4为N2流，5为辅助掺杂剂，6为辅助掺杂剂升华出的气体组分气流方向，7为SiC粉料升华的气体组分气流方向。
附图2为本发明实施例1中生长晶体中的位错分布图，视野面积为2573μm×2579μm。
附图3为本发明实施例1中生长晶体的X光(004)面摇摆曲线图。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明做进一步说明，但不限于此。
实施例中所用N2、Ar纯度均为99.999％，均为市购产品。实施例中的小坩埚均有盖，其中盛放的掺杂剂在高温下产生的蒸汽渗透过上盖及坩埚壁实现释放。
实施例中所用生长坩埚为石墨坩埚。小坩埚是石墨材质，壁厚为1～3mm。
实施例1、制备2英寸正向n型4H-SiC单晶
一种低电阻率低位错密度的n型SiC单晶的生长方法，包括步骤如下：
(1)在坩埚中放置300gSiC粉料及0.3g Al4C3，其中Al4C3粉料需放置在壁厚为2mm的小坩埚中，小坩埚位于SiC粉料中的低温区。将坩埚置于生长室内；
(2)对生长室内进行抽真空处理，通入氩气作为载气，开启中频加热电源，控制坩埚上盖温度至2100℃，坩埚内的轴向温度梯度为15℃/mm。
(3)生长室内通入流量为2sccm的N2、200slm的Ar，SiC粉料及Al4C3发生升华，气体组分传输至SiC籽晶的C面，进行晶体生长。生长过程中压力控制在5mbar，生长时间为30h。
(4)晶体生长结束后，调节中频电源使生长室内温度缓慢降至室温，降温速率为5℃/min，得到n型SiC单晶。
(5)对获得的n型SiC单晶进行切、磨、抛处理，得到n型SiC单晶衬底。并对获得n型SiC衬底进行测试表征：采用电阻率测试仪测试衬底的电阻率、采用熔融KOH腐蚀SiC衬底，腐蚀温度为500℃，腐蚀时间为5min。并用光学显微镜进行分析，统计衬底中的位错密度。
该实施例中的得到的是2英寸n型4H-SiC单晶衬底，电阻率典型值为8mΩ·cm，位错密度为211cm-2，(004)面摇摆曲线半峰宽为18.7arcsec。
实施例2、制备6英寸偏4°n型6H-SiC单晶
如实施例1所述的一种低电阻率低位错密度的n型SiC单晶的生长方法，所不同之处在于：
步骤(1)中称取3000g SiC粉料及300g Al2O3和300gGe粉，其中Al2O3和Ge粉分别放置在壁厚为1mm的小坩埚中；
步骤(2)中，控制坩埚上盖的温度为2300℃，坩埚内的轴向温度梯度为10℃/mm；
步骤(3)中，生长室内通入流量为100sccm的N2，SiC粉料及Al2O3、Ge发生升华，气体组分传输至SiC籽晶的Si面，进行晶体生长。生长过程中压力控制在20mbar，生长时间为35h；
步骤(4)中晶体生长结束后，降温速率为10℃/min，得到n型SiC单晶。
该实施例中的得到的是6英寸n型6H-SiC单晶衬底，电阻率典型值为3mΩ·cm，位错密度为240cm-2，(006)面摇摆曲线半峰宽为17.8arcsec。
实施例3、制备8英寸偏8°n型4H-SiC单晶
如实施例1所述是一种低电阻率低位错密度的n型SiC单晶的生长方法，所不同之处在于：
步骤(1)中称取4000g SiC粉料及100g Al2O3和100gTiO2粉，其中Al2O3和TiO2粉分别放置在壁厚为3mm的小坩埚中；
步骤(2)中，控制坩埚上盖的温度为2050℃，坩埚内的轴向温度梯度为20℃/mm；
步骤(3)中，生长室内通入流量为50sccm的N2和100sccm的Ar，SiC粉料及Al2O3、TiO2发生升华，气体组分传输至SiC籽晶的C面，进行晶体生长。生长过程中压力控制在30mbar，生长时间为40h；
步骤(4)中晶体生长结束后，降温速率为3℃/min，得到n型SiC单晶。
该实施例中的得到的是8英寸n型4H-SiC单晶衬底，电阻率典型值为5mΩ·cm，位错密度为180cm-2，(004)面摇摆曲线半峰宽为15.6arcsec。
通过实施例1-3的描述，结合三种实施例对得到的n型SiC单晶测试结果可以看出，应用本发明提供的方法可以获得低电阻率、低位错密度、高结晶质量的n型SiC单晶。
Claims (6)
1.一种低电阻率低位错密度的n型SiC单晶的生长方法，其特征在于，包括步骤如下：
(1)在坩埚中放置SiC粉料及辅助掺杂剂，并将坩埚置于生长室内；
SiC粉料中的辅助掺杂剂在SiC晶格中引入的辅助掺杂原子为替代式原子掺杂，且掺杂原子共价键半径大于被替代原子的共价键半径，辅助掺杂剂为Al2O3、Al4C3、Ge、TiO2中的多种；
(2)对生长室内进行抽真空处理，通入氩气作为载气，开启中频电源，加热坩埚至一定温度，使坩埚上盖温度控制在2050-2300℃，坩埚内的轴向温度梯度为10-20℃/min；
(3)生长室内通入N2，或通入N2、Ar混合气；SiC粉料及掺杂剂发生升华，气体组分传输至SiC籽晶，进行晶体生长，生长压力控制在5～30mbar；
所述N2流量为2～100sccm，生长室内N2体积与生长内Ar和N2总体积占比为1％～100％；当生长室内N2体积与生长内Ar和N2总体积占比为100％时，表明生长室只通有N2，无Ar通入；
(4)晶体生长结束后，调节中频电源使生长室内温度降至室温，降温速率为3-10℃/min，得到n型SiC单晶；
(5)对获得的n型SiC单晶进行切磨抛处理，得到n型SiC单晶衬底；
所述n型SiC单晶直径为6英寸～8英寸。
2.根据权利要求1所述的低电阻率低位错密度的n型SiC单晶的生长方法，其特征在于，步骤(1)中辅助掺杂剂质量占SiC粉料质量比为0.1％～20％。
3.根据权利要求1所述的低电阻率低位错密度的n型SiC单晶的生长方法，其特征在于，步骤(1)中若SiC粉料中的辅助掺杂剂在晶体生长温度下蒸气压过大时，需将调节辅助掺杂剂，使其位于SiC粉料中的低温区或将辅助掺杂剂放置在小坩埚中。
4.根据权利要求1所述的低电阻率低位错密度的n型SiC单晶的生长方法，其特征在于，步骤(3)中所述N2的纯度不低于99.9％。
5.根据权利要求1所述的低电阻率低位错密度的n型SiC单晶的生长方法，其特征在于，步骤(5)中对n型4H-SiC，测试其(004)面摇摆曲线，对n型6H-SiC，测试其(006)面摇摆曲线。
6.根据权利要求1所述的低电阻率低位错密度的n型SiC单晶的生长方法，其特征在于，所述n型SiC单晶的偏角为偏向<11-20>方向0°～8°。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810964680.7A CN110857476B (zh) | 2018-08-23 | 2018-08-23 | 一种低电阻率低位错密度的n型SiC单晶的生长方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810964680.7A CN110857476B (zh) | 2018-08-23 | 2018-08-23 | 一种低电阻率低位错密度的n型SiC单晶的生长方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110857476A CN110857476A (zh) | 2020-03-03 |
| CN110857476B true CN110857476B (zh) | 2022-01-18 |
Family
ID=69636073
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201810964680.7A Expired - Fee Related CN110857476B (zh) | 2018-08-23 | 2018-08-23 | 一种低电阻率低位错密度的n型SiC单晶的生长方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN110857476B (zh) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111270305B (zh) * | 2020-03-30 | 2021-02-19 | 山东天岳先进科技股份有限公司 | 一种高质量n型碳化硅及其制备方法 |
| CN112030232B (zh) * | 2020-09-10 | 2021-07-23 | 中电化合物半导体有限公司 | 一种碳化硅单晶生长坩埚及生长方法 |
| CN112725893B (zh) * | 2020-12-23 | 2022-07-22 | 北京天科合达半导体股份有限公司 | 一种导电型碳化硅单晶及其制备方法 |
| CN113279065B (zh) * | 2021-04-01 | 2022-01-11 | 浙江大学杭州国际科创中心 | 一种IVB族原子和铝共掺制备p型4H-SiC的方法 |
| CN114277442B (zh) * | 2022-03-07 | 2022-05-17 | 浙江大学杭州国际科创中心 | 一种低位错密度的碳化硅单晶生长方法 |
| CN114790573A (zh) * | 2022-03-09 | 2022-07-26 | 山东大学 | 一种高掺杂均匀性p型SiC的生长方法 |
| JP7260039B1 (ja) * | 2022-06-02 | 2023-04-18 | 株式会社レゾナック | ＳｉＣ単結晶基板 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7361220B2 (en) * | 2003-03-26 | 2008-04-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of manufacturing group III nitride single crystal, device used for the method and group III nitride single crystal obtained by the method |
| CN101724906B (zh) * | 2009-11-18 | 2012-02-22 | 中国科学院物理研究所 | 一种用于生长高质量导电型碳化硅晶体的方法 |
| JP5839315B2 (ja) * | 2010-07-30 | 2016-01-06 | 株式会社デンソー | 炭化珪素単結晶およびその製造方法 |
| CN102560671B (zh) * | 2010-12-31 | 2015-05-27 | 中国科学院物理研究所 | 半绝缘碳化硅单晶 |
| JP2013177255A (ja) * | 2012-02-28 | 2013-09-09 | Nagoya Institute Of Technology | 半導体結晶材料およびその製造方法 |
| CN103696012B (zh) * | 2013-12-13 | 2016-03-30 | 山东大学 | 一种高均匀性、高产率半绝缘碳化硅衬底的制备方法 |
| CN106894090B (zh) * | 2017-03-17 | 2019-09-24 | 山东大学 | 一种高质量低电阻率的p型SiC单晶制备方法 |
| CN106968018B (zh) * | 2017-04-10 | 2019-02-05 | 山东大学 | 一种锗氮共掺的碳化硅单晶材料的生长方法 |
-
2018
- 2018-08-23 CN CN201810964680.7A patent/CN110857476B/zh not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Growth of low resistivity n-type 4H-SiC bulk crystals by sublimation method using co-doping technique;Tomohisa Kato 等;《Materials Science Forum》;20140226;第778-780卷;第47-50页 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN110857476A (zh) | 2020-03-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN110857476B (zh) | 一种低电阻率低位错密度的n型SiC单晶的生长方法 | |
| US8795624B2 (en) | Monocrystalline silicon carbide ingot, monocrystalline silicon carbide wafer and method of manufacturing the same | |
| EP2230332B1 (en) | Silicon carbide single crystal ingot, and substrate and epitaxial wafer obtained from the silicon carbide single crystal ingot | |
| JP5706823B2 (ja) | ＳｉＣ単結晶ウエハーとその製造方法 | |
| US9915011B2 (en) | Low resistivity single crystal silicon carbide wafer | |
| US7314520B2 (en) | Low 1c screw dislocation 3 inch silicon carbide wafer | |
| EP2336399B1 (en) | Method of producing high quality silicon carbide single crystal in a seeded growth system | |
| US7314521B2 (en) | Low micropipe 100 mm silicon carbide wafer | |
| US9893152B2 (en) | Semi-insulating silicon carbide monocrystal and method of growing the same | |
| WO2008033994A1 (en) | Micropipe-free silicon carbide and related method of manufacture | |
| US7794842B2 (en) | Silicon carbide single crystal, silicon carbide single crystal wafer, and method of production of same | |
| CN110872731B (zh) | n型4H-SiC单晶基板和n型4H-SiC单晶基板的制造方法 | |
| TWI703242B (zh) | 摻雜少量釩的半絕緣碳化矽單晶、基材、製備方法 | |
| JP4460236B2 (ja) | 炭化珪素単結晶ウェハ | |
| US11661675B2 (en) | High-purity semi-insulating single-crystal silicon carbide wafer and crystal | |
| JP5131262B2 (ja) | 炭化珪素単結晶及びその製造方法 | |
| Ohtani et al. | Development of large single‐crystal SiC substrates | |
| CN115142123B (zh) | 一种掺锗改善碳化硅单晶衬底面型参数的方法 | |
| CN114214723B (zh) | 一种准本征半绝缘碳化硅单晶的制备方法 | |
| WO2024004314A1 (ja) | 複合基板および１３族元素窒化物エピタキシャル成長用基板 | |
| KR100821360B1 (ko) | 탄화규소 단결정, 탄화규소 단결정 웨이퍼 및 그것의 제조 방법 | |
| US20210395917A1 (en) | Semi-insulating single-crystal silicon carbide bulk material and powder | |
| JP2018188330A (ja) | ＳｉＣ単結晶基板の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20220118 |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |