CN110854138B - 显示面板及显示装置 - Google Patents
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 60
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 60
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 14
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 7
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract description 11
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 56
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 229920008347 Cellulose acetate propionate Polymers 0.000 description 2
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000005034 decoration Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 2
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N Acrylamide Chemical compound NC(=O)C=C HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HKQOBOMRSSHSTC-UHFFFAOYSA-N cellulose acetate Chemical compound OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OC1C(CO)OC(O)C(O)C1O.CC(=O)OCC1OC(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C1OC1C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(COC(C)=O)O1.CCC(=O)OCC1OC(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C1OC1C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(COC(=O)CC)O1 HKQOBOMRSSHSTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000003203 everyday effect Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- ILJSQTXMGCGYMG-UHFFFAOYSA-N triacetic acid Chemical compound CC(=O)CC(=O)CC(O)=O ILJSQTXMGCGYMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1255—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs integrated with passive devices, e.g. auxiliary capacitors
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Abstract
本发明提供一种显示面板及显示装置。显示装置包括显示面板，显示面板设有显示区、行驱动区及绑定区，在显示区内设有阵列排布的像素单元，像素单元设有N行，沿纵向方向从上至下第M行像素单元的扫描线从像素单元的一侧延伸至行驱动区内，并连接至一金属走线与从像素单元这侧计数第N‑M+1个电阻块串联后，并与最后一个电阻所在列的所有电阻块串联后，再与绑定区内的集成电路相连接；M和N均为自然数，1≤M≤N。本发明通过用走线的方式将特定的电阻块串起来并连接到对应的像素单元及集成电路通道上，可有效减小外围走线电阻差。
Description
技术领域
本发明涉及显示领域，尤其涉及一种显示面板及显示装置。
背景技术
近年来，显示技术的发展可谓是如日中天。不仅在显示技术方面取得了重大突破，而且也在应用场景上取得了巨大成果。显示技术的突破主要体现在新型显示技术上，例如：OLED、QLED、mini-LED、micro-LED、钙钛矿量子点显示等等。这些新型显示技术与传统显示技术在制程及设计上都有很大差别；其快速发展主要得益于它们的优势，新型显示技术一般具备色域广、对比度高、响应速度快等优点。关于在应用场景的成果主要体现在显示器的外观方面，现在显示器的外观根据不同的应用场景，可以做到千变万化。其中以手机屏幕的变化最为明显，其演变经历了刘海屏到水滴屏再到挖孔屏再到折叠屏。时尚、美观的显示器是当下的潮流，人们会根据不同的应用场景设计不同的显示器以提高体验感、艺术感。
其中透明显示在汽车挡风玻璃上的应用是一个比较热门的话题。透明显示在汽车挡风玻璃上的应用通常要求屏幕透明度≥60％。屏幕的外围因有很多金属走线，要保证透明度≥60％，只能将金属走线间的间距加大，但会导致外围走线电阻差变得很大，影响显示效果。
目前减少外围走线电阻差的方法有以下：(1)如图1所示，外围走线采用双层金属走线结构90，包括层叠设置的第一金属层91、绝缘层92和第二金属层93，其中，绝缘层92上设有多个过孔920，第一金属层91和第二金属层93通过过孔920而相互连接；双层金属走线结构的缺点为双层金属容易出现静电放电(ESD)及断线问题，产品的良率低；(2)如图2所示，采用改变线宽等电阻走线结构，其缺点为不能保证外围透明度；(3)外围采用低电阻金属走线，其缺点为增加制作成本；(4)采用低电阻透明金属导线，其缺点为无对应量产靶材或量产材料。
因此，需要提出一种新的显示面板及显示装置以解决现有技术所面临的难题。
发明内容
本发明的目的在于，提供一种显示面板及显示装置，有效减小了外围走线的电阻差，提高了显示均匀性，而且可以保证屏幕外围的透明度，不需特殊制程或材料，提高了产品良率。
为了解决上述问题，本发明提供一种显示面板，设有显示区、行驱动区以及绑定区，其中，在所述显示区内设有阵列排布的像素单元，所述像素单元按行延伸有扫描线、按列延伸有数据线；在所述行驱动区内设有阵列排布的电阻块；在所述绑定区内设有集成电路；所述像素单元设有N行，沿纵向方向从上至下第M行所述像素单元的扫描线从所述像素单元的一侧延伸至所述行驱动区内，并连接至一金属走线与从所述像素单元这侧计数起的N-M+1个所述电阻块串联后，并与位于该行所串联的最后一个电阻块所在列的所有电阻块串联后，再与所述集成电路的通道相连接；其中M和N均为自然数，且1≤M≤N。
进一步地，所述电阻块设有至少N行N列。
进一步地，第N行所述像素单元的扫描线延伸至所述行驱动区内与第N行所述电阻块串联，并与位于第一列的所述电阻块串联后与所述集成电路的通道相连接。
进一步地，第一行所述像素单元的扫描线延伸至所述行驱动区内，并与第一行的N个所述电阻块串联后，并与位于第N列的所述电阻块串联后，再与所述集成电路的通道相连接。
进一步地，所述电阻块呈矩形且其长度方向沿纵向排布。
进一步地，所述电阻块的行排布与所述像素单元的行排布相对应。
进一步地，每一所述电阻块的阻值相同。
进一步地，所述电阻块的材质与所述金属走线的材质相同。
进一步地，所述行驱动区包括从下至上依次层叠设置的衬底基板、栅极金属层、介电绝缘层以及源漏极金属层；具体地讲，所述栅极金属层设于所述衬底基板上；所述介电绝缘层，设于所述栅极金属层上；所述源漏极金属层，设于所述介电绝缘层上；其中，所述金属走线和所述电阻块由所述栅极金属层或所述源漏极金属层图案化形成。
本发明又一实施例中提供一种显示装置，包括以上所述的显示面板。
本发明的有益效果在于，提供一种显示面板及显示装置，通过在显示区外围的行驱动区内设置阵列排布的电阻块，用走线的方式将特定的电阻块串起来并连接到对应的像素单元及集成电路通道(IC channel)上，可以有效减小外围走线电阻差，提高显示均匀性，而且可以保证屏幕外围的透明度，不需特殊制程或材料即能提高了产品良率。
附图说明
通过附图，己示出本发明明确的实施例，后文中将有更详细的描述。这些附图和文字描述并不是为了通过任何方式限制本发明构思的范围，而是通过参考特定实施例为本领域技术人员说明本发明的概念。
图1为现有的外围走线采用双层金属走线结构的结构示意图；
图2为现有的采用变线宽等电阻走线结构的结构示意图；
图3为本发明第一实施例中一种显示面板的平面结构示意图；
图4为本发明第一实施例中一种显示面板的截面结构示意图；
图5为本发明第二实施例中一种显示面板的截面结构示意图。
图中部件标识如下：
1、衬底基板，2、栅极金属层，3、介电绝缘层，4、源漏极金属层，
5、有源层，10、显示区，11、扫描线，12、数据线，13、金属走线，
20、行驱动区，21、电阻块，30、绑定区，31、集成电路，
100、显示面板，101、像素单元，110、中轴线，111、柔性衬底层，
112、缓冲层，113、栅极绝缘层。
具体实施方式
在本发明中，相同或相对应的部件用相同的附图标记表示而与图号无关，在说明书全文中，当“第一”、“第二”等措辞可用于描述各种部件时，这些部件不必限于以上措辞。以上措辞仅用于将一个部件与另一部件区分开。
以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。
实施例1
请参阅图3所示，本发明第一实施例中提供一种显示面板100，设有显示区10、行驱动区20以及绑定区30，所述行驱动区20环绕所述显示区10设置，尤其位于所述显示区10的左右两侧，所述绑定区30位于所述显示区10和所述行驱动区20的下方。其中，在所述显示区10内设有阵列排布的像素单元101，所述像素单元101按行延伸有扫描线11、按列延伸有数据线12；在所述行驱动区20内设有阵列排布的电阻块21，呈阵列排布能够节省空间，实现窄边框；在所述绑定区30内设有集成电路31。
所述像素单元101设有N行，所述扫描线11从所述显示区10的每一行所述像素单元101的左右两侧分别延伸至所述行驱动区20内与位于同一行的所述电阻块21串联，具体地，如沿纵向方向从上至下第M行所述像素单元101的扫描线11从所述像素单元101的一侧延伸至所述行驱动区20内，所述扫描线11会连接至一金属走线13，该金属走线13与从所述像素单元101这侧计数起的N-M+1个所述电阻块21串联后，并与位于该行所串联的最后一个电阻块21所在列的所有电阻块21串联后，再与所述集成电路31的通道相连接；其中M和N均为自然数，且1≤M≤N。换句话讲，所述显示面板100在横向方向呈镜像设置，其中位线处为中轴线110，在所述中轴线110左右两侧分别设有所述行驱动区20，每一行所述像素单元101均包括一条所述扫描线11，所述扫描线11的左右两端分别从所述显示区10左侧和右侧延伸至所述行驱动区20内，并连接至所述金属走线13与从所述像素单元101这侧数共N-M+1个所述电阻块21串联后，再与位于该行所串联的最后一个电阻所在列的所有电阻块21串联。
这样通过使用金属走线13将特定的电阻块21串起来并连接到对应的像素单元101及集成电路31通道(IC channel)上，可以有效均衡每一行所述像素单元101和与其串联连接的所述电阻块21的总电阻值，从而能够减小外围走线电阻差，使得电压均衡，提高显示均匀性，而且可以保证屏幕外围的透明度，不需特殊制程或材料，提高了产品良率。
所述像素单元101包括红色子像素、绿色子像素以及蓝色子像素，其电路结构及走线连接关系为现有技术，在此不做赘述。
本实施例中，所述像素单元101设有N行，所述电阻块21设有至少N行。其中N为自然数。优选的，所述像素单元101设有N行，则所述电阻块21设有N行，这样能够节省空间减少所述电阻块21的行排列宽度，减少所述行驱动区20所占空间。
本实施例中，所述电阻块21设有至少N列。在第N行所述像素单元101对应的第N行所述电阻块21的下方还设有第N+m行所述电阻块21，这样能够增多串联的电阻块21数量从而增大电阻值。
本实施例中，第N行所述像素单元101的扫描线11延伸至所述行驱动区20内与第N行所述电阻块21串联，并与位于第一列的所述电阻块21串联后与所述集成电路31的通道相连接。
本实施例中，第一行所述像素单元101的扫描线11延伸至所述行驱动区20内，并与第一行的N个所述电阻块21串联后，并与位于第N列的所述电阻块21串联后，再与所述集成电路31的通道相连接。
本实施例中，所述电阻块21呈矩形且其长度方向沿纵向排布，这样能够节省空间，实现窄边框。
本实施例中，所述电阻块21的行排布与所述像素单元101的行排布相对应。也就是说，第一行所述像素单元101与第一行所述电阻块21相对应设置在同一行，第N行所述像素单元101与第N行所述电阻块21相对应设置在同一行，这样有助于所述金属走线13对位于同一行所述像素单元101与所述电阻块21串联。
本实施例中，每一所述电阻块21的阻值相同。
本实施例中，所述电阻块21的材质与所述金属走线13的材质相同，这样有利于制作，不需特殊制程或材料，有利于减少制作成本。
请参阅图3、图4所示，本实施例中，所述行驱动区20包括从下至上依次层叠设置的衬底基板1、栅极金属层2、介电绝缘层3以及源漏极金属层4；具体地讲，所述栅极金属层2设于所述衬底基板1上；所述介电绝缘层3设于所述栅极金属层2上；所述源漏极金属层4设于所述介电绝缘层3上；其中，所述金属走线13和所述电阻块21由所述栅极金属层2图案化形成。此时所述金属走线13与所述扫描线11也位于同一层。
可以理解的是，在所述显示面板100的显示区10也包括所述衬底基板1、所述栅极金属层2、所述介电绝缘层3以及所述源漏极金属层4。所述衬底基板1包括柔性衬底层111、缓冲层112和栅极绝缘层113。在所述显示区10内的所述衬底基板1上还包括有源层5。
其中所述柔性衬底层111可以为聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚烯丙基(Polyallylate)、聚酰亚胺树脂(PI)、聚碳酸酯(PC)、三醋酸纤维素(TAC)、醋酸丙酸纤维素(CAP)或丙烯酸酯(Acrylamide)中的一种或者多种的组合。由于聚酰亚胺是综合性能最佳的有机高分子材料之一，使得柔性材料具有良好的光学，耐化以及阻水阻氧等性能，因此，本实施例中柔性衬底层111优选聚酰亚胺材质。所述缓冲层112为单层结构的氮化硅层、氧化硅层或双层结构的氮化硅层和氧化硅层，所述有源层5的材质包括铟镓锌氧化物(IndiumGallium ZincOxide，IGZO)、单晶硅(a-Si)、低温多晶硅(Low Temperature Poly-silicon，LTPS)或低温多晶氧化物(Low Temperature Polycrystalline Oxide，LTPO)中的至少一种；所述栅极绝缘层113的材质包括SiNx或SiOx中的至少一种；所述介电绝缘层3的材质包括SiNx或SiOx。
实施例2
请参阅图5所示，在第二实施例中包括第一实施例中全部的技术特征，其区别在于，第二实施例中的所述金属走线13和所述电阻块21由所述源漏极金属层4图案化形成，而不是第一实施例中的所述金属走线13和所述电阻块21由所述栅极金属层2图案化形成。此时所述金属走线13通过换线与所述扫描线11电连接。
本发明又一实施例中提供一种显示装置，包括以上所述的显示面板100。本公开实施例中的显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪、汽车挡风玻璃等任何具有显示功能的产品或部件。
本实施例提供的显示装置的工作原理，与前述显示面板100的实施例工作原理一致，具体结构关系及工作原理参见前述显示面板100实施例，此处不再赘述。
本发明的有益效果在于，提供一种显示面板100及显示装置，通过在显示区10外围的行驱动区20内设置阵列排布的电阻块21，用走线的方式将特定的电阻块21串起来并连接到对应的像素单元101及集成电路31通道(IC channel)上，可以有效减小外围走线电阻差，提高显示均匀性，而且可以保证屏幕外围的透明度，不需特殊制程或材料即能提高了产品良率。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (6)
1.一种显示面板，设有显示区、行驱动区以及绑定区，其特征在于，
在所述显示区内设有阵列排布的像素单元，所述像素单元按行延伸有扫描线、按列延伸有数据线；
在所述行驱动区内设有阵列排布的电阻块；
在所述绑定区内设有集成电路；
所述像素单元设有N行，沿纵向方向从上至下第M行所述像素单元的扫描线从所述像素单元的一侧延伸至所述行驱动区内，并连接至一金属走线与从所述像素单元这侧计数起的N-M+1个所述电阻块串联后，并与位于该行所串联的最后一个电阻块所在列的所有电阻块串联后，再与所述集成电路的通道相连接；其中M和N均为自然数，且1≤M≤N；
每一所述电阻块的阻值相同，相互串联的电阻块形成走线，所述电阻块设有至少N行N列；所述金属走线和所述电阻块由源漏极金属层图案化形成，或者所述金属走线和所述电阻块由栅极金属层图案化形成；
第N行所述像素单元的扫描线延伸至所述行驱动区内与第N行所述电阻块串联，并与位于第一列的所述电阻块串联后与所述集成电路的通道相连接；
第一行所述像素单元的扫描线延伸至所述行驱动区内，并与第一行的N个所述电阻块串联后，并与位于第N列的所述电阻块串联后，再与所述集成电路的通道相连接；
随着同一条扫描线上串联的电阻块的增加，由多个电阻块串联的走线的总电阻值减小。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述电阻块呈矩形且其长度方向沿纵向排布。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述电阻块的行排布与所述像素单元的行排布相对应。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述电阻块的材质与所述金属走线的材质相同。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述行驱动区包括：
衬底基板；
栅极金属层，设于所述衬底基板上；
介电绝缘层，设于所述栅极金属层上；以及
源漏极金属层，设于所述介电绝缘层上；
其中，所述金属走线和所述电阻块由所述栅极金属层或所述源漏极金属层图案化形成。
6.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-5中任一项所述的显示面板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911162010.4A CN110854138B (zh) | 2019-11-25 | 2019-11-25 | 显示面板及显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911162010.4A CN110854138B (zh) | 2019-11-25 | 2019-11-25 | 显示面板及显示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110854138A CN110854138A (zh) | 2020-02-28 |
| CN110854138B true CN110854138B (zh) | 2022-03-08 |
Family
ID=69604115
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201911162010.4A Active CN110854138B (zh) | 2019-11-25 | 2019-11-25 | 显示面板及显示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN110854138B (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112509476B (zh) * | 2020-11-30 | 2022-10-21 | 錼创显示科技股份有限公司 | 微发光二极管显示装置 |
| EP4130949A4 (en) | 2021-03-31 | 2023-06-14 | BOE Technology Group Co., Ltd. | TOUCH CONTROL SUBSTRATE AND DISPLAY DEVICE |
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2019
- 2019-11-25 CN CN201911162010.4A patent/CN110854138B/zh active Active
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| CN109243392A (zh) * | 2018-10-22 | 2019-01-18 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 行驱动电路结构及显示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN110854138A (zh) | 2020-02-28 |
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