CN110831343B - 一种dbc基板选择性化学沉银的表面处理方法 - Google Patents

一种dbc基板选择性化学沉银的表面处理方法 Download PDF

Info

Publication number
CN110831343B
CN110831343B CN201911065119.6A CN201911065119A CN110831343B CN 110831343 B CN110831343 B CN 110831343B CN 201911065119 A CN201911065119 A CN 201911065119A CN 110831343 B CN110831343 B CN 110831343B
Authority
CN
China
Prior art keywords
dry film
silver deposition
windowing
selective chemical
surface treatment
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201911065119.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110831343A (zh
Inventor
徐节召
贺贤汉
阳强俊
戴洪兴
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jiangsu fulehua Semiconductor Technology Co.,Ltd.
Original Assignee
Shanghai Shenhe Thermo Magnetics Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanghai Shenhe Thermo Magnetics Electronics Co Ltd filed Critical Shanghai Shenhe Thermo Magnetics Electronics Co Ltd
Priority to CN201911065119.6A priority Critical patent/CN110831343B/zh
Publication of CN110831343A publication Critical patent/CN110831343A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110831343B publication Critical patent/CN110831343B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/24—Reinforcing the conductive pattern
    • H05K3/243—Reinforcing the conductive pattern characterised by selective plating, e.g. for finish plating of pads
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/05—Patterning and lithography; Masks; Details of resist
    • H05K2203/0502—Patterning and lithography
    • H05K2203/052—Magnetographic patterning

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)

Abstract

本发明公开了一种DBC基板选择性化学沉银的表面处理方法，所述选择性化学沉银是指在DBC图形形成后，通过二次干膜把需要沉银的区域显现出来，不需要沉银的区域用干膜覆盖住；所述二次干膜包含如下步骤：第二次干膜，曝光，显影，沉银和去膜；在所述第二次干膜步骤后，曝光步骤前，对间距开窗；所述间距开窗是指：所述间距开窗是指：若两相邻铜箔图形之间的间距上的干膜存在孔隙，则开窗；若两相邻铜箔图形之间的间距上的干膜处于完全封闭状态，则不开窗。通过二次干膜曝光时在原干膜覆盖的间距处开窗及控制沉银厚度和化学沉银之后清洗流程来解决DBC基板选择性化学沉银时出现的板面污染、铜面氧化及银层脱落不良问题。

Description

一种DBC基板选择性化学沉银的表面处理方法
技术领域
本发明涉及一种DBC基板选择性化学沉银的表面处理方法，属于半导体制造、LED、光通讯领域，特别适用于半导体制冷器、LED、功率半导体等的DBC基板制造。
背景技术
DBC基板用于功率器件封装时，需要在铜箔表面组装元器件，有些区域需要锡焊接，而有些区域需要打铝线。用化学沉银对铜箔进行表面处理可以有很好的焊锡性，但不适合打铝线，所以要同时提高可焊锡性和打铝线性能，就需要对焊锡的区域进行选择性化学沉银，而其它区域仍保持为铜面。
选择性化学沉银需要在DBC图形形成后(第一次干膜→曝光→显影→蚀刻→去膜)，通过二次干膜(第二次干膜→曝光→显影→沉银→去膜)把需要沉银的区域显现出来，不需要沉银的区域用干膜覆盖住。但在实际生产中存在两个问题：
1、由于图形已经形成，二次干膜在显影时，铜箔图形之间的间距被干膜覆盖住容易藏有药水，在化学沉银时药水会流出来污染板面和沉银设备。如用湿膜来解决，容易产生显影不净与去膜不净不良。
2、二次干膜在沉银后去膜，铜面容易氧化，后续还有切割与检验等工序，随着时间加长氧化现象会加重。而用化学溶液去除氧化时如果沉银厚度偏簿，溶液会渗过银层而攻击铜面造成银层脱落不良。
发明内容
本发明提供一种DBC基板选择性化学沉银的表面处理方法，通过二次干膜曝光时在原干膜覆盖的间距处开窗及控制沉银厚度和化学沉银之后清洗流程来解决DBC基板选择性化学沉银时出现的板面污染、铜面氧化及银层脱落(后续简称peeling)不良问题。
本发明的技术方案是：一种DBC基板选择性化学沉银的表面处理方法，所述选择性化学沉银是指在DBC图形形成后，通过二次干膜把需要沉银的区域显现出来，不需要沉银的区域用干膜覆盖住；
所述二次干膜包含如下步骤：第二次干膜，曝光，显影，沉银和去膜；在所述第二次干膜步骤后，曝光步骤前，对间距开窗；所述间距开窗是指：所述间距开窗是指：若两相邻铜箔图形之间的间距上的干膜存在孔隙，则开窗；若两相邻铜箔图形之间的间距上的干膜处于完全封闭状态，则不开窗。
进一步的，所述间距开窗的开窗宽度a＝(1/3～1/2)b，b为间距宽度；开窗长度沿整个间距长度。
进一步的，所述沉银的厚度为0.3～0.6微米。
进一步的，在二次干膜中的去膜步骤后，添加如下步骤：烘干→除油→微蚀→烘干→抗氧化→烘干→切割→清洁→异丙醇浸泡→烘干。
进一步的，所述微蚀工艺微蚀量管控在0.5-1微米。
进一步的，所述DBC图形形成的方法，包含如下步骤：第一次干膜，曝光，显影，蚀刻和去膜。
本发明的有益效果是：
1、二次干膜曝光时在干膜覆盖的间距处开窗，释放间距处的药水，解决在化学沉银时药水会流出来污染板面和沉银设备的问题，保证了板面和沉银设备的干净清洁。
2、选择0.3～0.6微米沉银厚度保证清洗铜面时银层不会peeling。
3、通过烘干→除油→微蚀→烘干→抗氧化→烘干→切割→清洁→异丙醇浸泡→烘干的清洗工艺流程清洁铜面，不影响银面颜色，同时保证银层不会peeling。
附图说明
图1为曝光前在间距开窗的结构示意图。
图中：1为铜箔，2为干膜，3为陶瓷，4为间距，5为开窗处。
具体实施方式
下面结合附图对本发明做进一步的说明。
本发明通过曝光前在间距开窗、沉银时银厚控制及沉银后的工艺流程设计，来解决DBC基板板面污染、铜面氧化及peeling的问题。
以下是本发明的设计步骤:
1.设置间距开窗的位置与开窗大小。
1)所有间距均开窗(封闭孔除外)；
2)开窗宽度a＝(1/3～1/2)b，b为间距宽度；
开窗长度：沿整个间距长度；如图1
2.设置沉银厚度：0.3～0.6微米。
3.设置化学沉银后的工艺流程与管控重点。
1)工艺流程：化学沉银→去膜(碱性剥膜+水洗)→烘干→除油(酸性除油+水洗)→微蚀(硫酸双氧水系列微蚀+水洗)→烘干→抗氧化(防氧化剂+水洗)→烘干→切割→清洁(碱性清洁+水洗)→异丙醇浸泡→烘干→最终检验。
2)管控重点：全程使用水的地方全部为纯水，微蚀工艺微蚀量管控在0.5-1微米，不得使用超声波。
通过以上发明实施，可避免DBC基板化学沉银之后板面污染，铜面氧化不良，同时保证镀银层不会peeling。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (6)

1.一种DBC基板选择性化学沉银的表面处理方法，其特征在于：所述选择性化学沉银是指在DBC图形形成后，通过二次干膜把需要沉银的区域显现出来，不需要沉银的区域用干膜覆盖住；
所述二次干膜包含如下步骤：第二次干膜，曝光，显影，沉银和去膜；在所述第二次干膜步骤后，曝光步骤前，对间距开窗；所述间距开窗是指：所述间距开窗是指：若两相邻铜箔图形之间的间距上的干膜存在孔隙，则开窗；若两相邻铜箔图形之间的间距上的干膜处于完全封闭状态，则不开窗。
2.根据权利要求1所述的一种DBC基板选择性化学沉银的表面处理方法，其特征在于：所述间距开窗的开窗宽度a＝(1/3～1/2)b，b为间距宽度；开窗长度沿整个间距长度。
3.根据权利要求1所述的一种DBC基板选择性化学沉银的表面处理方法，其特征在于：所述沉银的厚度为0.3～0.6微米。
4.根据权利要求1所述的一种DBC基板选择性化学沉银的表面处理方法，其特征在于：在二次干膜中的去膜步骤后，添加如下步骤：烘干→除油→微蚀→烘干→抗氧化→烘干→切割→清洁→异丙醇浸泡→烘干。
5.根据权利要求4所述的一种DBC基板选择性化学沉银的表面处理方法，其特征在于：所述微蚀工艺微蚀量管控在0.5-1微米。
6.根据权利要求1所述的一种DBC基板选择性化学沉银的表面处理方法，其特征在于：所述DBC图形形成的方法，包含如下步骤：第一次干膜，曝光，显影，蚀刻和去膜。
CN201911065119.6A 2019-11-04 2019-11-04 一种dbc基板选择性化学沉银的表面处理方法 Active CN110831343B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201911065119.6A CN110831343B (zh) 2019-11-04 2019-11-04 一种dbc基板选择性化学沉银的表面处理方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201911065119.6A CN110831343B (zh) 2019-11-04 2019-11-04 一种dbc基板选择性化学沉银的表面处理方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110831343A CN110831343A (zh) 2020-02-21
CN110831343B true CN110831343B (zh) 2020-10-02

Family

ID=69552331

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201911065119.6A Active CN110831343B (zh) 2019-11-04 2019-11-04 一种dbc基板选择性化学沉银的表面处理方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN110831343B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112469202A (zh) * 2020-11-24 2021-03-09 绍兴德汇半导体材料有限公司 一种应用于覆铜陶瓷基板的选择性镀银方法
CN114465595B (zh) * 2022-04-12 2022-08-16 深圳新声半导体有限公司 一种体声波滤波器芯片的封装结构和方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130224513A1 (en) * 2012-02-29 2013-08-29 Kinsus Interconnect Technology Corp. Laminate circuit board with a multi-layer circuit structure
CN104582299A (zh) * 2013-10-23 2015-04-29 重庆方正高密电子有限公司 一种电路板及其镀金方法
CN104812171A (zh) * 2014-01-23 2015-07-29 深圳崇达多层线路板有限公司 印制线路板及其加工方法
CN105517362A (zh) * 2015-11-24 2016-04-20 广州兴森快捷电路科技有限公司 线路板选择性沉金方法
CN107484330A (zh) * 2016-06-07 2017-12-15 鹏鼎控股(深圳)股份有限公司 高频铜银混合导电线路结构及其制作方法
CN109699125A (zh) * 2017-10-20 2019-04-30 庆鼎精密电子（淮安）有限公司 电路板及其制作方法
CN109890145A (zh) * 2019-03-14 2019-06-14 胜宏科技（惠州）股份有限公司 一种按键板镀金方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130224513A1 (en) * 2012-02-29 2013-08-29 Kinsus Interconnect Technology Corp. Laminate circuit board with a multi-layer circuit structure
CN104582299A (zh) * 2013-10-23 2015-04-29 重庆方正高密电子有限公司 一种电路板及其镀金方法
CN104812171A (zh) * 2014-01-23 2015-07-29 深圳崇达多层线路板有限公司 印制线路板及其加工方法
CN105517362A (zh) * 2015-11-24 2016-04-20 广州兴森快捷电路科技有限公司 线路板选择性沉金方法
CN107484330A (zh) * 2016-06-07 2017-12-15 鹏鼎控股(深圳)股份有限公司 高频铜银混合导电线路结构及其制作方法
CN109699125A (zh) * 2017-10-20 2019-04-30 庆鼎精密电子（淮安）有限公司 电路板及其制作方法
CN109890145A (zh) * 2019-03-14 2019-06-14 胜宏科技（惠州）股份有限公司 一种按键板镀金方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN110831343A (zh) 2020-02-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5707893A (en) Method of making a circuitized substrate using two different metallization processes
CN110831343B (zh) 一种dbc基板选择性化学沉银的表面处理方法
KR20060114010A (ko) 알루미늄상의 전기 도금 방법
US3319317A (en) Method of making a multilayered laminated circuit board
US6370768B1 (en) Circuit board, a method for manufacturing same, and a method of electroless plating
WO2017071394A1 (zh) 印制线路板及其制作方法
RU2543518C1 (ru) Способ изготовления двусторонней печатной платы
KR20110037332A (ko) 인쇄회로기판 및 그 제조방법
CN111787708A (zh) 一种高低铜pad线路板的制作方法
CN114928945A (zh) 超细线路印刷线路板的制作工艺
CN111200903A (zh) 一种精细线路的双面板制作方法
CN113891569A (zh) 一种基于半加成法的线路保型蚀刻的制作方法
CN109219259B (zh) 柔性电路板及其制作方法
KR100772432B1 (ko) 인쇄 회로 기판 제조 방법
JP2009099831A (ja) 配線基板の製造方法
CN111315148A (zh) 一种镀金板或化金板引线渗金短路的返工方法
KR100313611B1 (ko) 인쇄회로기판 제조방법
US6159663A (en) Method of creating a solderable metal layer on glass or ceramic
JP2011181640A (ja) 配線導体の形成方法
CN113973440A (zh) 一种线路板绝缘层处理工艺
JP4350922B2 (ja) 両面可撓性回路基板の製造法
US6003225A (en) Fabrication of aluminum-backed printed wiring boards with plated holes therein
JP2004095983A (ja) プリント配線板の製造方法
CN102731170A (zh) 陶瓷基片表面镀膜工艺
JP2013229585A (ja) プリント配線基板の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20201104

Address after: 224200 No. 18 Hongda Road, Chengdong New District, Dongtai City, Yancheng City, Jiangsu Province

Patentee after: JIANGSU FULEDE SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY Co.,Ltd.

Address before: 200444 Baoshan District, Baoshan City Industrial Park Road, No., Hill Road, No. 181

Patentee before: SHANGHAI SHENHE THERMO-MAGNETICS ELECTRONICS Co.,Ltd.

CP01 Change in the name or title of a patent holder
CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: 224200 No. 18 Hongda Road, Chengdong New District, Dongtai City, Yancheng City, Jiangsu Province

Patentee after: Jiangsu fulehua Semiconductor Technology Co.,Ltd.

Address before: 224200 No. 18 Hongda Road, Chengdong New District, Dongtai City, Yancheng City, Jiangsu Province

Patentee before: JIANGSU FULEDE SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY Co.,Ltd.