CN102731170A - 陶瓷基片表面镀膜工艺 - Google Patents
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Abstract
在该陶瓷基片表面镀膜工艺中，掩膜板上需遮蔽的部分为导电电路需要去除的部分，掩膜板上需要曝光的部分为导电电路需要保留的部分，这样经过曝光、显影后，陶瓷基片上需要形成导电电路的部分就形呈凹槽，在进行镀膜时，需要形成导电电路部分的金属层位于陶瓷基片上，而不需要形成导电电路部分的金属层则位于光刻胶上，这样只需通过丙酮将陶瓷基片上的光刻胶清洗干净，就可在陶瓷基片上形成导电电路。因为光刻胶在陶瓷基片上易于清洗，因此不存在清洗不干净的问题，这样就可有效避免陶瓷基片上的导电电路短路，进而可有效保证封装芯片的质量。
Description
技术领域
本发明涉及一种镀膜工艺，特别涉及一种在陶瓷基片表面进行镀膜的工艺。
背景技术
现代微电子技术发展异常迅猛，特别是各种光电子器件逐渐在向微型化、大规模集成化、高效率、高可靠性等方向发展。但随着电子系统集成度的提高，其功率密度随之增加，电子元件及系统整体工作产生热量上升、系统工作温度升高会引起半导体器件性能恶化、器件破坏、分层等，甚至会使封装的芯片烧毁，因此有效的电子封装必须解决电子系统的散热问题。
电子封装所用的基片是一种底座电子元件，主要为电子元器件及其相互联线提供机械承载支撑、气密性保护并可作为热沉过渡片给芯片散热。陶瓷基片具有耐高温、电绝缘性能高、介电常数和介质损耗低、热导率大、化学稳定性好、与元件的热膨胀系数相近等优点，并可对光电子器件起到较强的保护作用，因而在航空、航天和军事工程等领域都得到了非常广泛的应用。
在芯片的封装过程中，为了方便半导体裸芯片与外接管脚的连接，有时需要在陶瓷基片的表面上镀金属膜来形成导电电路，导电电路通过键合金丝与半导体裸芯片连接。
目前导电电路主要采用传统的蚀刻方法形成，即通过曝光制版、显影后，将要蚀刻区域的保护膜去除，然后使其与化学溶液接触，使需要去除的部分溶解腐蚀，从而形成导电电路。而在实际应用中，导电电路有时需要使用黄金、铂金等金属，这些金属耐腐蚀性很强，采用现有的这种蚀刻方法很难将陶瓷基片表面不需要的金属完全蚀刻掉，从而有可能使导电电路短路，这样采用这种陶瓷基片封装的芯片就不能正常工作。
发明内容
针对上述现有技术的不足，本发明要解决的技术问题是提供一种能将陶瓷基片表面上的不需要的金属完全剥离，进而保证陶瓷基片表面上导电电路质量的镀膜工艺。
为解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案：
一种陶瓷基片表面镀膜工艺，其包括如下步骤：
1)清洗陶瓷基片；
2)在清洗后的陶瓷基片上均匀涂布光刻胶；
3)根据导电电路要求制作掩膜板，掩膜板上需遮蔽的部分为导电电路需要去除的部分，掩膜板上需要曝光的部分为导电电路需要保留的部分；
4)采用掩膜板对涂有光刻胶的陶瓷基片进行曝光；
5)对曝光后的陶瓷基片进行显影处理；
6)清洗显影后的陶瓷基片；
7)在清洗后的陶瓷基片表面镀金属层；
8)将镀金属层的陶瓷基片使用丙酮溶液进行清洗。
优选的，在步骤1)中采用超声波清洗方法清洗陶瓷基片。
优选的，在步骤2)首先将光刻胶滴在陶瓷基片上，然后使陶瓷基片高速旋转从而使光刻胶均匀的涂布在陶瓷基片上。
优选的，在步骤6)中采用等离子清洗方法清洗陶瓷基片。
优选的，在步骤7)中在陶瓷基片表面镀的金属层为黄金层、铂金层或钛金属层。
优选的，在步骤7)中在陶瓷基片表面镀的金属层可以为一层或多层。
优选的，在步骤7)中采用溅射方法在陶瓷基片表面上镀金属层。
优选的，在步骤8)中采用超声波清洗方法清洗陶瓷基片。
上述技术方案具有如下有益效果：在该陶瓷基片表面镀膜工艺中，掩膜板上需遮蔽的部分为导电电路需要去除的部分，掩膜板上需要曝光的部分为导电电路需要保留的部分，这样经过曝光、显影后，陶瓷基片上需要形成导电电路的部分就形呈凹槽，在进行镀膜时，需要形成导电电路部分的金属层位于陶瓷基片上，而不需要形成导电电路部分的金属层则位于光刻胶上，这样只需通过丙酮将陶瓷基片上的光刻胶清洗干净，就可在陶瓷基片上形成导电电路。因为光刻胶在陶瓷基片上易于清洗，因此不存在清洗不干净的问题，这样就可有效避免陶瓷基片上的导电电路短路，进而可有效保证封装芯片的质量。
上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本发明的较佳实施例并配合附图详细说明如后。本发明的具体实施方式由以下实施例及其附图详细给出。
附图说明
图1为本发明实施例的流程图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的优选实施例进行详细介绍。
如图1所示，该陶瓷基片表面镀膜工艺包括如下步骤：
1)采用超声波清洗方法清洗陶瓷基片，保证陶瓷基片表面没有灰尘和杂质；
2)在清洗后的陶瓷基片上均匀涂布光刻胶，操作时首先将光刻胶滴在陶瓷基片上，然后通过电机使陶瓷基片高速旋转，从而使光刻胶均匀的涂布在陶瓷基片上；
3)根据导电电路要求制作掩膜板，掩膜板上需遮蔽的部分为导电电路需要去除的部分，掩膜板上需要曝光的部分为导电电路需要保留的部分；
4)采用掩膜板对涂有光刻胶的陶瓷基片进行曝光，曝光方法可采用接近式曝光方法、接触式曝光方法或投影式曝光方法；
5)对曝光后的陶瓷基片进行显影处理，显影方法可采用浸泡式显影、喷雾式显影或水坑式显影；
6)将显影后的陶瓷基片采用等离子清洗方法进行清洗；
7)在清洗后的陶瓷基片表面镀金属层，镀膜方式采用溅射式方法进行，陶瓷基片表面镀的金属层可以为一层或多层，该金属层可以为黄金层、铂金层、钛金属层或其他不宜腐蚀的金属层；
8)将镀金属层的陶瓷基片使用丙酮溶液采用超声波方式进行清洗，陶瓷基片上的光刻胶脱落，这样在陶瓷基片上即可形成所需要的导电电路。
在该陶瓷基片表面镀膜工艺中，掩膜板上需遮蔽的部分为导电电路需要去除的部分，掩膜板上需要曝光的部分为导电电路需要保留的部分，这样经过曝光、显影后，陶瓷基片上需要形成导电电路的部分就形呈凹槽，在进行镀膜时，需要形成导电电路部分的金属层位于陶瓷基片上，而不需要形成导电电路部分的金属层则位于光刻胶上，这样只需通过丙酮将陶瓷基片上的光刻胶清洗干净，就可在陶瓷基片上形成导电电路。因为光刻胶在陶瓷基片上易于清洗，因此不存在清洗不干净的问题，这样就可有效避免陶瓷基片上的导电电路短路，进而可有效保证封装芯片的质量。
以上对本发明实施例所提供的陶瓷基片表面镀膜工艺进行了详细介绍，对于本领域的一般技术人员，依据本发明实施例的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制，凡依本发明设计思想所做的任何改变都在本发明的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种陶瓷基片表面镀膜工艺，其特征在于，其包括如下步骤：
1)清洗陶瓷基片；
2)在清洗后的陶瓷基片上均匀涂布光刻胶；
3)根据导电电路要求制作掩膜板，掩膜板上需遮蔽的部分为导电电路需要去除的部分，掩膜板上需要曝光的部分为导电电路需要保留的部分；
4)采用掩膜板对涂有光刻胶的陶瓷基片进行曝光；
5)对曝光后的陶瓷基片进行显影处理；
6)清洗显影后的陶瓷基片；
7)在清洗后的陶瓷基片表面镀金属层；
8)将镀金属层的陶瓷基片使用丙酮溶液进行清洗。
2.根据权利要求1所述的陶瓷基片表面镀膜工艺，其特征在于：在步骤1)中采用超声波清洗方法清洗陶瓷基片。
3.根据权利要求1所述的陶瓷基片表面镀膜工艺，其特征在于：在步骤2)首先将光刻胶滴在陶瓷基片上，然后使陶瓷基片高速旋转从而使光刻胶均匀的涂布在陶瓷基片上。
4.根据权利要求1所述的陶瓷基片表面镀膜工艺，其特征在于：在步骤6)中采用等离子清洗方法清洗陶瓷基片。
5.根据权利要求1所述的陶瓷基片表面镀膜工艺，其特征在于：在步骤7)中在陶瓷基片表面镀的金属层为黄金层、铂金层或钛金属层。
6.根据权利要求1所述的陶瓷基片表面镀膜工艺，其特征在于：在步骤7)中在陶瓷基片表面镀的金属层可以为一层或多层。
7.根据权利要求1所述的陶瓷基片表面镀膜工艺，其特征在于：在步骤7)中采用溅射方法在陶瓷基片表面上镀金属层。
8.根据权利要求1所述的陶瓷基片表面镀膜工艺，其特征在于：在步骤8)中采用超声波清洗方法清洗陶瓷基片。
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN114815003A (zh) * | 2022-03-17 | 2022-07-29 | 成都国泰真空设备有限公司 | 光学薄膜边缘金属化处理工艺 |
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2011
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