CN110828532B - 一种显示基板及其制备方法、显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及显示技术领域,公开一种显示基板及其制备方法、显示装置。显示基板包括驱动背板、以及位于驱动背板上的辅助电极、像素界定结构、发光功能层和第一电极层;辅助电极和像素界定结构位于非显示区;像素界定结构包围辅助电极,且与辅助电极围成凹槽,辅助电极被配置为凹槽的底壁;凹槽的至少部分侧壁具有电磁特性,被配置为利用电磁作用力使得带电蒸镀材料难以沉积在凹槽的底壁上;发光功能层的材料被配置为带电蒸镀材料;第一电极层覆盖凹槽、并与凹槽的底壁直接接触。上述显示基板设置有辅助电极,可以解决第一电极层的电压降问题,且该显示基板结构简单,通过简单工艺步骤即可以实现第一电极层与辅助电极的接触连接,制备方法简单。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置。
背景技术
现有OLED器件分为底发射与顶发射两种,由于顶发射可以获得更大的开口率,近年来成为研究的热点。顶发射需要兼顾透光率,因此需要较薄的透明阴极,这样会导致导电能力差,在屏幕尺寸较大时,屏幕中心区域由于离电极区域较远,长距离的电流传输使其驱动电压上升较大,易造成屏幕中心区域与边缘区域OLED器件的驱动电压差距大,即有电压降(IR Drop)的问题。因此,需对顶发射方式的阴极电阻值进行改善,提升导电率,提升屏幕显示品质。
发明内容
本发明公开了一种显示基板及其制备方法、显示装置,目的是提供一种辅助电极的方案,以改善顶发射OLED显示器件的结构。
为达到上述目的,本发明提供以下技术方案:
一种显示基板,包括驱动背板、以及位于所述驱动背板上的辅助电极、像素界定结构、发光功能层和第一电极层;
所述辅助电极和所述像素界定结构位于非显示区;
所述像素界定结构包围所述辅助电极,且与所述辅助电极围成凹槽,所述辅助电极被配置为所述凹槽的底壁;
所述凹槽的至少部分侧壁具有电磁特性,被配置为利用电磁作用力使得带电蒸镀材料难以沉积在所述凹槽的底壁上;
所述发光功能层的材料被配置为所述带电蒸镀材料;
所述第一电极层覆盖所述凹槽、并与所述凹槽的底壁直接接触。
本发明实施例提供的显示基板,在子像素之间的非显示区内设有像素界定结构和辅助电极,其中,辅助电极与第一电极层电连接,以用于改善第一电极层的电阻值,提升导电率,解决第一电极层电压降的问题。像素界定结构包围该辅助电极,且与辅助电极围成凹槽,辅助电极被配置为所述凹槽的底壁,而凹槽的至少部分侧壁具有电磁特性,能够通过电磁作用力使得带电的蒸镀材料难以沉积在所述凹槽的底壁上;由于发光功能层的材料被配置为带电的蒸镀材料,进而,在蒸镀发光功能层的材料时,上述凹槽的至少部分侧壁对带电发光功能层的材料产生电磁作用力以使得带电发光功能层的材料难以沉积在凹槽的底壁上,从而使得辅助电极不会被发光功能层覆盖,进而,在之后沉积第一电极层的工艺步骤中,第一电极层可以接触覆盖凹槽的底壁以实现与辅助电极的电连接。综上所述,本发明实施例提供的显示基板中,设置有辅助电极,可以解决第一电极层的电压降问题,并且,该显示基板的结构简单,通过简单的工艺步骤即可以实现第一电极层与辅助电极的接触连接,制备方法简单。
可选的,所述凹槽的部分侧壁为带电材料或磁性材料。
可选的,所述像素界定结构包括本体和位于所述本体面向所述凹槽一侧的磁性材料层;所述磁性材料层被配置为所述凹槽的部分侧壁。
可选的,所述凹槽呈方形,包括四个侧壁;所述磁性材料层配置为所述凹槽的一个侧壁。
可选的,所述凹槽的深度为3.9μm-4.5μm,宽度为7.8μm-9.0μm。
可选的,部分像素界定结构为带电材料,所述部分像素界定结构被配置为所述凹槽的部分侧壁。
可选的,所述部分像素界定结构与所述带电蒸镀材料所带电性相同。
可选的,所述第一电极层为阴极层。
一种显示装置,包括上述任一项所述的显示基板。
一种显示基板的制备方法,包括以下步骤:
在驱动背板的非显示区上制备辅助电极和像素界定结构;所述像素界定结构包围所述辅助电极,且与所述辅助电极围成凹槽,所述辅助电极被配置为所述凹槽的底壁;所述凹槽的部分侧壁具有电磁特性,被配置为利用电磁作用力使得带电蒸镀材料难以沉积在所述凹槽的底壁上;
在所述辅助电极和像素界定结构上蒸镀发光功能层的材料,所述发光功能层的材料被配置为所述带电蒸镀材料;
制备第一电极层,所述第一电极层覆盖所述凹槽、并与所述凹槽的底壁直接接触。
附图说明
图1为本发明一实施例提供的一种显示基板的部分截面结构示意图;
图2为图1中的显示基板制备完第一电极层后的截面结构示意图;
图3为本发明实施例提供的一种显示基板的部分像素界定结构俯视图;
图4为本发明另一实施例提供的一种显示基板的部分截面结构示意图;
图5为图4中的显示基板制备完第一电极层后的截面结构示意图;
图6为本发明实施例提供的一种显示基板的制备方法流程图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
如图1至图5所示,本发明实施例提供了一种显示基板,包括驱动背板1、以及位于所述驱动背板1上的辅助电极2、像素界定结构3、发光功能层4和第一电极层5;其中:
所述像素界定结构3和所述辅助电极2位于非显示区;
所述像素界定结构3包围所述辅助电极2,且与所述辅助电极2围成凹槽10,所述辅助电极2被配置为所述凹槽10的底壁;
所述凹槽10的至少部分侧壁具有电磁特性,被配置为利用电磁作用力使得带电蒸镀材料难以沉积在所述凹槽10的底壁上;
所述发光功能层4的材料被配置为所述带电蒸镀材料;
所述第一电极层5覆盖所述凹槽10、并与所述凹槽10的底壁直接接触。
本发明实施例提供的显示基板,在子像素之间的非显示区内设有像素界定结构3和辅助电极2,其中,辅助电极2与第一电极层5电连接,以用于改善第一电极层5的电阻值,提升导电率,解决第一电极层5电压降的问题。像素界定结构3包围该辅助电极2,且与辅助电极2围成凹槽10,辅助电极2被配置为所述凹槽10的底壁,而凹槽10的至少部分侧壁具有电磁特性,能够通过电磁作用力使得带电的蒸镀材料难以沉积在所述凹槽10的底壁上;由于发光功能层4的材料被配置为带电的蒸镀材料,进而,如图1和图4所示,在蒸镀发光功能层4的材料时,上述凹槽10的至少部分侧壁对带电发光功能层4的材料产生电磁作用力以使得带电发光功能层4的材料难以沉积在凹槽10的底壁上,从而使得辅助电极2不会被发光功能层4覆盖,进而,如图2和图5所示,在之后沉积第一电极层5的工艺步骤中,第一电极层5可以接触覆盖凹槽10的底壁以实现与辅助电极2的电连接。综上所述,本发明实施例提供的显示基板中,设置有辅助电极2,可以解决第一电极层5的电压降问题,并且,该显示基板的结构简单,通过简单的工艺步骤即可以实现第一电极层5与辅助电极2的接触连接,制备方法简单。
一种具体的实施例中,所述凹槽10的部分侧壁为带电材料或磁性材料。
如图1至图3所示,一种具体的实施方式,所述像素界定结构3包括本体31和位于本体31朝向所述凹槽10一侧的磁性材料层32;所述磁性材料层32被配置为所述凹槽10的部分侧壁。即在像素界定结构3本体31的内侧设置磁性材料层32,以使得凹槽10的侧壁具有电磁特性,从而使得凹槽10内形成有磁场。
具体的,带电发光功能层(EL)材料在磁场中会受到洛伦兹力,根据洛伦兹力公式F=qvBSinθ,该力F的方向垂直于发光功能层材料分子的速度(v)方向且垂直于磁场(B)方向,因此,在洛伦兹力的作用下,发光功能层材料分子将朝向凹槽侧壁运动并最终沉积到凹槽侧壁上,使得凹槽底部几乎没有发光功能层材料沉积,进而,如图2所示,之后蒸镀第一电极层5时,第一电极层5的材料可以直接沉积在凹槽10底壁上,从而实现第一电极层5与辅助电极2的电连接。
示例性的,如图3所示,所述凹槽10呈方形,包括四个侧壁;所述磁性材料层32被配置为所述凹槽10的一个侧壁。设定磁场(B)方向垂直于磁性材料层32,带电EL材料分子朝向凹槽10底壁移动,根据左手定则可得,洛伦兹力F方向将朝向与磁性材料层32相邻的凹槽10侧壁,如图3所示,即,原本朝向凹槽10底壁运动的EL材料分子将在洛伦兹力F作用下朝向与磁性材料层32相邻的侧壁101或侧壁102上沉积。
可选的,所述凹槽10的深度为3.9μm-4.5μm,宽度为7.8μm-9.0μm。
具体的,EL材料分子受洛伦兹力作用,在磁场中作圆弧运动,其旋转半径R的公式为R=mvsinθ/Bq,以EL材料分子为LiF为例,m=4.3*10-23kg,q=1.6*10-19库仑,设定v=5.8*10-10m/s,Sinθ=0.5(θ=30度),B=0.2*10-6T,则可得R=0.39μm。即LiF分子将沿旋转半径为0.39μm的圆弧轨迹运动,最终到达凹槽的侧壁。
具体的,本实施例中设置的凹槽深度和宽度范围,可以保证带电EL材料分子能够运动并沉积至凹槽侧壁上,避免EL材料分子接触凹槽底壁,并尽可能减小凹槽尺寸,以尽可能减小显示基板的厚度和像素间距。
如图4和图5所示,另一种具体的实施方式,部分像素界定结构33为带电材料,该部分像素界定结构33被配置为所述凹槽10的部分侧壁。即将像素界定结构3的一部分采用带电材料制备,以使的凹槽10的部分侧壁具有电磁特性。
可选的,所述部分像素界定结构33与带电蒸镀材料所带电性相同,即与发光功能层4的材料所带电性相同,具体的,部分像素界定结构33和发光功能层4的材料可以均带正电。进而,在蒸镀过程,带电EL材料分子会受到该部分像素界定结构33的排斥力,在排斥力的作用下带电EL材料分子向远离该部分像素界定结构33的方向运动,可以使得凹槽10底壁和靠近该部分像素界定结构33的侧壁几乎无EL材料的沉积,进而,如图5所示,之后蒸镀第一电极层5时,第一电极层5的材料可以直接沉积在凹槽10底壁上,从而实现第一电极层5与辅助电极2的电连接。
当然,本发明提供的显示基板中,对于具有电磁特性的凹槽侧壁的具体设置,并不限于上述实施例中的情况,还可以包括其它情况。例如,也可以在像素界定结构本体的内侧设置一层带电材料层,以使得EL材料在排斥力作用下难以进入凹槽,从而避免凹槽底壁被EL材料沉积覆盖。对于其他能够避免凹槽底壁被EL材料沉积的具体设置,也都属于本发明实施例所保护的范围,在此不一一赘述。
具体的,本发明提供的显示基板中,第一电极层5为阴极层。
具体的,如图1和图4所示,本发明实施例的显示基板中,驱动背板1上具有阵列设置阳极11,辅助电极2和像素界定结构3位于阳极11之间的非显示区。
本发明实施例还提供一种显示装置,该显示装置包括上述任一项所述的显示基板。
本发明实施例提供的显示装置为OLED装置,其中设置有与第一电极层电连接的辅助电极,可以解决第一电极层的电压降问题,并且,该显示基板的结构简单,通过简单的工艺步骤即可以实现第一电极层与辅助电极的接触连接,制备方法简单。
基于相同的发明构思,本发明实施例还提供一种显示基板的制备方法,如图6所示,该方法包括以下步骤:
在驱动背板的非显示区上制备辅助电极和像素界定结构;所述像素界定结构包围所述辅助电极,且与所述辅助电极围成凹槽,所述辅助电极被配置为所述凹槽的底壁;所述凹槽的部分侧壁具有电磁特性,被配置为利用电磁作用力使得带电蒸镀材料难以沉积在所述凹槽的底壁上;
在所述辅助电极和像素界定结构上蒸镀发光功能层的材料,所述发光功能层的材料被配置为所述带电蒸镀材料;
制备第一电极层,所述第一电极层覆盖所述凹槽、并与所述凹槽的底壁直接接触。
具体的,制备辅助电极的步骤,可以包括溅射(Sputter)成膜,以及曝光、显影、刻蚀、剥离等构图工艺。
具体的,制备像素界定结构的步骤,可以包括涂布(Coating),以及曝光、显影等构图工艺。
具体的,所述凹槽的部分侧壁为带电材料或磁性材料。
可选的,如图1所示,所述像素界定结构3包括本体31和位于本体31朝向所述凹槽10一侧的磁性材料层32;所述磁性材料层32被配置为所述凹槽10的部分侧壁。即在像素界定结构3本体31的内侧设置磁性材料层32。具体的,磁性材料层31可通过涂布(Coating)、曝光、显影等工艺制备。
示例性的,本发明实施例提供的显示基板制备方法,可以包括以下具体流程:在驱动背板的非显示区上制备辅助阴极—在驱动背板的非显示区上制备像素界定结构本体—在像素界定结构本体朝向凹槽内侧制备磁性材料层—蒸镀发光功能层—蒸镀第一电极层。
显然,本领域的技术人员可以对本发明实施例进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样,倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内,则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (8)
1.一种显示基板,其特征在于,包括驱动背板、以及位于所述驱动背板上的辅助电极、像素界定结构、发光功能层和第一电极层;
所述辅助电极和所述像素界定结构位于非显示区;
所述像素界定结构包围所述辅助电极,且与所述辅助电极围成凹槽,所述辅助电极被配置为所述凹槽的底壁;
所述凹槽的至少部分侧壁具有电磁特性,被配置为利用电磁作用力使得带电蒸镀材料难以沉积在所述凹槽的底壁上;
所述发光功能层的材料被配置为所述带电蒸镀材料;
所述第一电极层覆盖所述凹槽、并与所述凹槽的底壁直接接触;
所述像素界定结构包括本体和位于所述本体面向所述凹槽一侧的磁性材料层;所述磁性材料层被配置为所述凹槽的部分侧壁。
2.如权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述凹槽呈方形,包括四个侧壁;所述磁性材料层配置为所述凹槽的一个侧壁。
3.如权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述凹槽的深度为3.9μm-4.5μm,宽度为7.8μm-9.0μm。
4.如权利要求1所述的显示基板,其特征在于,部分像素界定结构为带电材料,所述部分像素界定结构被配置为所述凹槽的部分侧壁。
5.如权利要求4所述的显示基板,其特征在于,所述部分像素界定结构与所述带电蒸镀材料所带电性相同。
6.如权利要求1-5任一项所述的显示基板,其特征在于,所述第一电极层为阴极层。
7.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-6任一项所述的显示基板。
8.一种如权利要求1-6任一项所述的显示基板的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
在驱动背板的非显示区上制备辅助电极和像素界定结构;所述像素界定结构包围所述辅助电极,且与所述辅助电极围成凹槽,所述辅助电极被配置为所述凹槽的底壁;所述凹槽的部分侧壁具有电磁特性,被配置为利用电磁作用力使得带电蒸镀材料难以沉积在所述凹槽的底壁上;
在所述辅助电极和像素界定结构上蒸镀发光功能层的材料,所述发光功能层的材料被配置为所述带电蒸镀材料;
制备第一电极层,所述第一电极层覆盖所述凹槽、并与所述凹槽的底壁直接接触。
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