CN100521054C - 电子发射装置及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种电子发射装置，包括：第一和第二基板，其分隔开预定距离；电子发射区域，其在所述第一基板上；驱动电极，其在所述第一基板上；聚焦电极，其在所述驱动电极之上且与所述驱动电极绝缘；以及多个间隔物，其设置在所述第一和所述第二基板之间，每个间隔物在外表面上具有导电膜。所述导电膜电连接至所述聚焦电极。

Description

电子发射装置及其制造方法

技术领域

本发明涉及电子发射装置。更特别地，本发明涉及包括间隔物支承结构的电子发射装置以及制造该电子发射装置的方法，所述间隔物支承结构有助于减小或防止电子束由于间隔物的充电而歪曲。

背景技术

通常，电子发射装置分为利用热阴极作为电子发射源的那些和利用冷阴极作为电子发射源的那些。有数种类型的冷阴极电子发射装置，包括场发射器阵列(FEA)型、金属-绝缘体-金属(MIM)型、金属-绝缘体-半导体(MIS)型和表面导电发射器(SCE)型。

MIM型和MIS型电子发射装置分别具有含有金属/绝缘体/金属(MIM)结构和金属/绝缘体/半导体(MIS)结构的电子发射区域。当电压施加到绝缘体两侧的两金属、或者金属和半导体时，电子从高电势金属或半导体迁移至低电势金属，在那里电极聚集并被发射。

SCE型电子发射装置包括形成在第一和第二电极之间的薄导电膜，所述第一和第二电极彼此面对地布置在基板上。高电阻电子发射区域或者微缝(micro-crack)电子发射区域位于薄导电膜上。当电压施加到第一和第二电极且电流施加到导电膜的表面时，电子从电子发射区域被发射。

FEA型电子发射装置利用由具有低功函数或高深宽比(aspect ratio)的材料制成的电子发射区域。当在真空环境中暴露到电场时，电子从这些电子发射区域被容易地发射。基于钼(Mo)或硅(Si)的具有尖锐的前尖端结构(tip structure)的电子发射区域已经被使用。另外，包括碳质材料例如碳纳米管的电子发射区域已经被使用。

尽管不同类型的电子发射装置具有特定的结构，但是它们基本上具有彼此密封从而形成真空容器(vacuum vessel)的第一和第二基板、形成在第一基板上的电子发射区域、用于控制电子从电子发射区域的发射的驱动电极、形成在第二基板的面对第一基板的表面上的荧光体(phosphor)层、以及用于朝向荧光体层加速从电子发射区域发射的电子从而导致发光以产生显示的阳极电极。

电子发射装置可包括布置在第一和第二基板之间的间隔物。间隔物可支承真空容器从而防止它变形和破裂并维持第一和第二基板之间的恒定距离。间隔物可以与设置在各荧光体层之间的非发光区域对应地定位。即，间隔物可对应于黑层(black layer)，使得它们不占据荧光体层的区域。

电子发射装置的运行期间电子束的一般轨迹是这样的，即从电子发射区域发射的电子中的一些并不笔直地朝向在相应像素处的荧光体层行进，而是朝向黑层或者在与目标像素相邻的不正确的像素处的荧光体层散射(diffuse)。因此，电子会碰撞间隔物的表面。电子与间隔物的碰撞会导致间隔物变得表面带电，根据材料而具有正电势或者负电势。带电的间隔物会使电子束的轨迹歪曲。因此，在具有表面带电的间隔物的电子发射装置中，间隔物周围的显示均匀性会例如通过来自荧光体层的不需要的发光而变差，从而使总体的屏幕图像质量变差。

发明内容

因此本发明针对电子发射装置以及制造该电子发射装置的方法，所述电子发射装置抑制间隔物的充电从而防止电子束路线的歪曲和屏幕图像质量的恶化。

因此本发明实施例的特征在于提供一种包括间隔物的电子发射装置，间隔物在其外表面上具有导电膜，所述导电膜电连接到聚焦电极。

因此本发明实施例的另一特征在于提供一种具有间隔物装载部分的电子发射装置，该间隔物装载部分(spacer loading portion)用于收纳间隔物。

因此本发明实施例的再一特征在于提供一种具有间隔物装载部分的电子发射装置，其中聚焦电极覆盖所述间隔物装载部分的底部和侧面。

本发明的上述和其它特征和优点中的至少一种可通过提供一种电子发射装置来实现，该电子发射装置可包括：分隔开预定距离的第一和第二基板；在所述第一基板上的电子发射区域；在所述第一基板上用来控制电子从所述电子发射区域的发射的驱动电极；在所述驱动电极上且与所述驱动电极绝缘的聚焦电极，该聚焦电极具有用于通过电子束的开口；以及设置在所述第一和第二基板之间的多个间隔物，每个间隔物在其外表面上具有导电膜，所述导电膜电连接到所述聚焦电极。

该电子发射装置在所述聚焦电极和所述绝缘层中可包括间隔物装载部分，该间隔物装载部分收纳所述间隔物的底端部。该电子发射装置在每个间隔物装载部分中可包括导电粘合层从而将所述间隔物的导电膜与聚焦电极电连接，且所述间隔物装载部分可穿透所述绝缘层。所述间隔物装载部分可以与驱动电极之间的位置对应地定位，且聚焦电极可以在所述间隔物装载部分的侧表面和底表面上。

本发明的上述和其它特征和优点中的至少一种还可以通过提供一种显示器来实现，所述显示器包括：分隔开预定距离的第一和第二基板；在所述第一基板上的电子发射单元，所述电子发射单元包括电子发射区域、用于通过接收扫描信号电压和数据信号电压而控制电子从所述电子发射区域发射的第一和第二电极、用于通过接收直流电压而控制从所述电子发射区域发射的电子的路线的第三电极、以及在所述第三电极之下的绝缘层；在所述第二基板面对所述第一基板的表面上的发光单元；以及布置在所述第一和所述第二基板之间的多个间隔物，每个间隔物具有在外表面上的导电膜，所述导电膜电连接至所述第三电极。

所述显示器可包括在所述第三电极和所述绝缘层中的间隔物装载部分，所述间隔物装载部分收纳所述间隔物的底端部分。所述显示器可包括在每个间隔物装载部分中的导电粘合层，从而将所述间隔物的导电膜与所述第三电极电连接。所述间隔物装载部分可穿透所述绝缘层。所述第三电极可以在所述间隔物装载部分的侧表面和底表面上。

本发明的上述和其它特征和优点中的至少一种还可通过提供制造电子发射装置的方法来实现，该方法包括：提供具有驱动电极和绝缘层的第一基板；在所述绝缘层上形成聚焦电极；在间隔物的外表面上提供导电膜用于将多个间隔物电耦接至所述聚焦电极；以及将第二基板附于所述第一基板，多个间隔物置于所述第一和第二基板之间。

该方法可包括，在形成所述聚焦电极之后，在所述绝缘层和所述聚焦电极中形成间隔物装载部分。形成所述间隔物装载部分可包括除去部分所述聚焦电极和所述绝缘层从而同时形成间隔物装载部分和用于通过电子束的开口。

该方法还可包括：在所述第一基板上及所述间隔物装载部分中施加含有光敏材料的导电膏(conductive paste)；通过从所述第一基板的背面照射紫外线到所述间隔物装载部分上来选择性地硬化所述间隔物装载部分中的导电膏；以及将所述间隔物装配到所述间隔物装载部分中使得所述导电膏将所述间隔物的导电膜电连接至所述聚焦电极。该方法还可包括在所述绝缘层中形成间隔物装载部分且随后在所述绝缘层上形成聚焦电极，其中形成所述聚焦电极包括在所述间隔物装载部分的底表面和侧表面上形成导电层，且可以包括，在形成所述导电层之后，用导电膏填充所述间隔物装载部分。该方法还可包括，在用导电膏填充所述间隔物装载部分之后，将所述间隔物装配到所述间隔物装载部分中，使得所述间隔物电连接至所述聚焦电极。

附图说明

通过参照附图详细描述其示例性实施例，本发明的上述和其它特征和优点对于本领域技术人员而言将变得更加明显，附图中：

图1示出根据本发明第一实施例的电子发射装置的局部分解透视图；

图2示出图1的沿线I-I截取的局部剖视图；

图3示出图1的沿线II-II截取的局部剖视图；

图4示出根据本发明第二实施例的电子发射装置的局部剖视图；

图5示出用于根据本发明第三实施例的电子发射装置的发光单元的局部剖视图；

图6至图8示出根据本发明的间隔物的不同实施例的间隔物的透视图；

图9示出用于根据本发明第四实施例的电子发射装置的间隔物装载部分的局部剖视图；

图10A至10D示出制造根据本发明第一实施例的电子发射装置的方法中的各阶段；

图11A至11C示出制造根据本发明第四实施例的电子发射装置的方法中的各阶段。

具体实施方式

下面将参照附图更全面地描述本发明，附图中示出本发明的示例性实施例。但是，本发明可以以不同的形式实现，不应被理解为局限于这里提出的实施例。更确切地，提供这些实施例使得本公开将彻底和完整，将向本领域技术人员更充分地传达本发明的范围。图中，为了说明的清楚而放大了层和区域的尺寸。还应理解，当层被称为在另一层或基板“上”时，它能够直接在其它层或基板上，或者还可以存在中间层。此外，应理解当层被称为在另一层“下”时，它能够直接在下面，还可以存在一层或更多中间层。另外，还应理解，当层被称为在两层之间时，它可以是该两层之间的唯一层，或者还可以存在一层或更多中间层。相似的附图标记始终表示相似的元件。

如图1至3所示，根据本发明的电子发射装置可包括彼此平行地布置且分隔开预定距离的第一基板2和第二基板4。密封部件(未示出)可设置在第一基板2和第二基板4的外围，从而在两个基板之间形成被抽空的内部空间。

电子发射单元100可设置在第一基板2面对第二基板4的表面上，从而朝向第二基板4发射电子。发光单元200可设置在第二基板4面对第一基板2的表面上，从而被电子激发时发出可见光，该发光产生显示。

对于电子发射单元100，阴极电极6可以沿与第一基板2平行的方向以条形图案形成在第一基板2上。第一绝缘层8可以形成在第一基板2的整个表面上且覆盖阴极电极6。栅极电极10可以以条形图案形成在第一绝缘层8上且可以垂直于阴极电极6。阴极电极6与栅极电极10的交叉区域可被定义为像素区域。

电子发射区域12可以在各像素区域处形成在阴极电极6上。开口81和101可分别形成在第一绝缘层8和栅极电极10处，对应于电子发射区域12且暴露第一基板2上的电子发射区域12。注意，所示的构造仅仅是示例性的，电子发射区域12的平面形状、每像素数量和布置不限于所示构造，可以以各种形式适当地改变。

电子发射区域12可以用在施加电场的情况下发射电子的材料形成，例如碳质材料、纳米尺寸材料等。电子发射区域12可以用例如碳纳米管、石墨、石墨纳米纤维、金刚石、类金刚石碳、C60、硅纳米线等或其组合形成，且可以通过丝网印刷、直接生长、化学气相沉积、溅射等形成。

作为驱动电极，阴极电极6和栅极电极10可控制各像素的开启或关闭以及电子发射的量。即，扫描信号电压(scanning signal voltage)可应用到阴极电极6和栅极电极10之一，数据信号电压可应用到另一个电极。数据信号可表现出与扫描信号电压的电压差，该电压差在数伏特至数十伏特的范围内。因此，电场可以在阴极电极6与栅极电极10之间的电压差超过阈值(threshold value)的像素处形成在电子发射区域12周围，因此电子可以从电子发射区域12被发射。

注意，供选地，阴极电极和栅极电极可以交换，如图4的阴极电极6′和栅极电极10′所示。在电子发射单元101中，阴极电极6′可位于栅极电极10′之上，绝缘层8′置于其间。电子发射区域12′可形成在绝缘层8′上且可以接触阴极电极6′的侧面。对电极(counter electrode)13可电连接至栅极电极10′且可以在阴极电极6′之间与电子发射区域12′间隔开。对电极13可用来将栅极电极10′的电场引到第一绝缘层8′之上，使得强的电场形成在电子发射区域12′周围。

返回到图1至3所示的装置，第二绝缘层14和聚焦电极16可形成在栅极电极10和第一绝缘层8上。开口141和161可分别形成在第二绝缘层14和聚焦电极16处，从而允许电子束通过。聚焦电极16可用来控制电子束的路线，且可以接收在数伏特至数十伏特范围内的负直流电压，从而对穿过开口161的电子产生斥力且聚焦穿过开口161的电子。第二绝缘层14和聚焦电极16的开口141和161可一个一个地对应于各像素区域。在这种情况下，聚焦电极16可将从一个像素区域发射的电子共同聚焦。

荧光体层18可以与黑层20一起形成在第二基板4面对第一基板2的表面上，黑层20可设置在各荧光体层18之间从而增强屏幕的对比度。阳极电极22可利用例如金属性材料诸如铝形成在荧光体层18和黑层20上。如图1至3所示，荧光体层18可以以条形图案形成且可以对应于阴极电极6。黑层20可以以条形图案形成在荧光体层18之间。

阳极电极22可以接收在数百伏特至数千伏特范围内的正直流电压，用于加速电子束，且可以用来将从荧光体层18朝向第一基板2辐照的可见光朝向第二基板4反射回来，从而提高屏幕的亮度。

供选地，如图5所示，阳极电极22′可首先形成在第二基板4地表面上，荧光体层18和黑层20可形成在阳极电极22′上。在这种情况下，阳极电极22′可由透明导电材料例如铟锡氧化物(ITO)形成，使得它能够透射从荧光体层18辐照的可见光。图5的附图标记201表示发光单元。

返回图1至3所示的装置，多个间隔物24可设置在第一基板2与第二基板4之间，从而维持它们之间的恒定距离。间隔物24可以与黑层20对应地定位，从而不占据荧光体层18的区域。

在此实施例中，间隔物24可形成有主体(main body)26和形成在主体26的表面上并具有预定厚度的导电膜28。主体26可通过例如机械处理玻璃或陶瓷、部分晶化光敏玻璃以及通过蚀刻去除晶化部分，或者其它的合适工艺来形成。

可形成间隔物装载部分30从而其中装配间隔物24。特别地，间隔物装载部分30可形成在聚焦电极16和第二绝缘层14处从而其中装配间隔物24的底端部。间隔物装载部分30可穿透第二绝缘层14，且可设置在第一绝缘层上栅极电极10之间，从而防止聚焦电极16和栅极电极10通过后来形成的导电粘合层32彼此电连接。

间隔物装载部分30可具有比间隔物24的宽度宽预定余量(margin)的宽度，且其中接收间隔物24的底端部分。导电粘合层32可形成在间隔物装载部分30内部。导电粘合层32可以使间隔物24附于第一基板2，且可以电连接聚焦电极16和间隔物24的导电膜28。

间隔物24可部分装配在间隔物装载部分30中，使得它刚性地固定到第一基板2。装配到间隔物装载部分30中的间隔物24的底端部分可以被导电粘合层32围绕，间隔物24与聚焦电极16之间的接触电阻可以被减小。

如图1所示，间隔物24在形状上可以是圆柱形的。但是，本发明不局限于此形状。因此，间隔物的形状可以变化。参见例如图6所示的柱形间隔物241、图7所示的十字柱形间隔物242、图8所示的壁形间隔物243等。图6至8的附图标记261、262和263表示间隔物的主体，其附图标记281、282和283表示导电膜。

在第四实施例中，如图9所示，聚焦电极16′可形成在间隔物装载部分30的内表面和第二绝缘层14上。即，在该实施例中，聚焦电极16′可形成在间隔物装载部分30的底表面上以及其侧表面上。在这种情况下，间隔物24的导电膜28与聚焦电极16′之间的接触电阻可进一步减小从而改进导电膜28与聚焦电极16′之间的电连接。

根据本发明的电子发射装置，由于阴极电极6与栅极电极10之间的电压差而电子可以从电子发射区域12发射。所发射的电子可以被施加到阳极电极22的高压吸引。所发射的电子可以碰撞在相应的像素处的荧光体层18从而诱发从荧光体层18的发光以产生显示。在该过程中，甚至考虑到聚焦电极16的聚焦操作，从电子发射区域12发射的电子中的一些也不会朝向在对应像素处的荧光体层18笔直地行进。因此，一些电子会散射(diffuse)且碰撞间隔物24。碰撞间隔物24的电子会经间隔物24的导电膜28且经导电粘合层32传导至聚焦电极16。因此，根据本发明的电子发射装置运行期间，间隔物24上产生表面电荷的可能性可被减小或者消除。

在根据本发明的实施例的电子发射装置中，可以防止间隔物24、241、242和243被充电，使得间隔物24、241、242和243周围电子束的歪曲被减小或消除。结果，间隔物24、241、242和243周围的可视性和显示均匀性可被增强。

现在将说明制造根据本发明的电子发射装置的方法。下面的说明将详细描述形成间隔物装载部分30和涂覆导电粘合层32的工艺。将参照图10A至10D说明制造根据本发明第一实施例的电子发射装置的方法，参照图11A至11C说明制造根据本发明第四实施例的电子发射装置的方法。

如图10A所示，制造根据本发明第一实施例的电子发射装置的方法可包括在第一基板2上顺序形成阴极电极6、第一绝缘层8和栅极电极10。第二绝缘层14和聚焦电极16可形成在栅极电极10和第一绝缘层8上。第一绝缘层8可以用透明材料形成。

在阴极电极6与栅极电极10的交叉区域的部分聚焦电极16和第二绝缘层14可具有通过例如蚀刻分别形成在其中的开口161和141，从而部分地暴露栅极电极10。设置在栅极电极10之间的部分聚焦电极16和第二绝缘层14可具有例如通过用来形成开口161和141的蚀刻工艺而形成在其中的间隔物装载部分30。

如图10B所示，栅极电极10和下面的绝缘层8可具有通过例如蚀刻形成在其中的开口101和81，从而部分地暴露阴极电极6。电子发射区域12可形成在开口101和81内阴极电极6上。阴极电极6可以由透明导电材料形成。

为了形成电子发射区域12，含有电子发射材料和光敏材料的膏相混合物可涂覆到第一基板2的整个表面上，曝光掩模(未示出)可置于第一基板2的背面，或者说相反面。紫外线可以从第一基板2的背面穿过透明导电阴极电极6照射到该混合物上，从而部分地硬化该混合物，任何未硬化的混合物可通过显影(developing)而被除去。保留的混合物可被干燥和烧制。

如图10C所示，间隔物装载部分30可填充以导电膏从而形成导电粘合层32。导电粘合层32可以这样形成：例如准备含有光敏材料的导电膏，将该导电膏施加到第一基板2的整个表面上，放置曝光掩模(未示出)在第一基板的背面且从第一基板2的背面照射紫外线到填充在间隔物装载部分30内的导电膏上从而选择性地将其硬化，以及通过显影除去未硬化的导电膏。因此，导电粘合层32可精确地仅形成在间隔物装载部分30内。间隔物装载部分30可部分填充以导电粘合层32。

如图10D所示，可以准备每个具有主体26和导电膜28的间隔物24。导电粘合层32可通过例如熔融而被软化，且间隔物24可装配到间隔物装载部分30中。导电粘合层32然后可被干燥。这样间隔物24可以刚性地固定到第一基板2，使得间隔物24的底端部分装配到间隔物装载部分30中。各间隔物24的导电膜28可以经粘合层32电连接至聚焦电极16。

参照图1，可以准备具有发光单元200的第二基板4，且密封部件(未示出)可施加到第一基板2或者第二基板4的外围。第一和第二基板2和4可彼此对齐，密封部件可被烧制从而将第一基板2和第二基板4密封到彼此。第一基板2与第二基板4之间的内部空间可被抽至真空从而完成根据本发明的电子发射装置。

现在将说明制造根据本发明第四实施例的电子发射装置的方法。如图11A所示，阴极电极6、第一绝缘层8和栅极电极10可顺序形成在第一基板2上，第二绝缘层14可形成在栅极电极10和第一绝缘层8上。设置在栅极电极10之间的部分第二绝缘层14可具有通过例如蚀刻形成在其中的间隔物装载部分30。

其后，如图11B所示，导电材料可涂覆到第二绝缘层14上从而形成聚焦电极16′。聚焦电极16′可设置在间隔物装载部分30的底表面上以及其侧表面上。

对应于阴极电极6与栅极电极10的交叉区域的部分聚焦电极16′和第二绝缘层14可具有例如通过蚀刻形成在其中的开口161和141从而部分地暴露栅极电极10。栅极电极10和下面地第一绝缘层8可具有例如通过蚀刻分别形成在其中的开口101和81，从而部分地暴露阴极电极6。电子发射区域12可形成在开口101和81内阴极电极6上。

如图11C所示，间隔物装载部分30可被填充以导电膏从而形成导电粘合层32。每个具有主体26和导电膜28的间隔物24可被准备且装配到间隔物装载部分30中。第一基板2与第二基板4的对齐和密封可如上所述地进行。

已经以FEA型电子发射装置为背景显示和说明了本发明的实施例，其中电子发射区域用在施加电场的情况下发射电子的材料形成。然而，本发明不限于FEA型电子发射装置，而是可以类似地应用于其它类型的电子发射装置。

这里已经公开了本发明的示例性实施例，尽管采用了特定术语，但是它们在普通和描述性意义上被使用和解释，而不是用于限制目的。因此，本领域普通技术人员应理解，在不偏离所附权利要求定义的本发明的精神和范围的情况下，可进行形式和细节上的各种变化。

Claims (15)

1.一种电子发射装置，包括：

第一和第二基板，其分隔开预定距离；

电子发射区域，其在所述第一基板上；

驱动电极，其在所述第一基板上用于控制电子从所述电子发射区域的发射；

聚焦电极，其在所述驱动电极上且通过绝缘层与所述驱动电极绝缘，所述聚焦电极具有用于通过电子束的开口；

多个间隔物，其设置在所述第一和所述第二基板之间，每个间隔物在外表面上具有导电膜，其中所述导电膜电连接至所述聚焦电极；以及

在所述聚焦电极和所述绝缘层中的间隔物装载部分，所述间隔物装载部分收纳所述间隔物的底端部分。

2.如权利要求1所述的电子发射装置，还包括在每个间隔物装载部分中用于将所述间隔物的所述导电膜与所述聚焦电极电连接的导电粘合层。

3.如权利要求1所述的电子发射装置，其中所述间隔物装载部分穿透所述绝缘层。

4.如权利要求3所述的电子发射装置，其中所述间隔物装载部分对应所述驱动电极之间的位置定位。

5.如权利要求1所述的电子发射装置，其中所述聚焦电极在所述间隔物装载部分的侧表面和底表面上。

6.一种显示器，包括：

第一和第二基板，其分隔开预定距离；

电子发射单元，其在所述第一基板上，所述电子发射单元包括：

电子发射区域；

第一和第二电极，其用于通过接收扫描信号电压和数据信号电压来控制电子从所述电子发射区域的发射；

第三电极，其用于通过接收直流电压来控制从所述电子发射区域发射的电子的路线；以及

绝缘层，其在所述第三电极之下；

发光单元，其在所述第二基板面对所述第一基板的表面上；

多个间隔物，其布置在所述第一和所述第二基板之间，每个间隔物在外表面上具有导电膜，其中所述导电膜电连接至所述第三电极；以及

在所述第三电极和所述绝缘层中的间隔物装载部分，所述间隔物装载部分收纳所述间隔物的底端部分。

7.如权利要求6所述的显示器，还包括在每个间隔物装载部分中用来将所述间隔物的所述导电膜与所述第三电极电连接的导电粘合层。

8.如权利要求6所述的显示器，其中所述间隔物装载部分穿透所述绝缘层。

9.如权利要求6所述的显示器，其中所述第三电极在所述间隔物装载部分的底表面和侧表面上。

10.一种制造电子发射装置的方法，包括：

提供具有驱动电极和绝缘层的第一基板；

在所述绝缘层上形成聚焦电极；

在所述绝缘层和所述聚焦电极中形成间隔物装载部分；

在间隔物的外表面上提供导电膜用于将间隔物电耦接至所述聚焦电极；以及

将第二基板附于所述第一基板，所述间隔物置于所述第一和第二基板之间。

11.如权利要求10所述的制造电子发射装置的方法，其中形成所述间隔物装载部分包括除去部分所述聚焦电极和所述绝缘层从而同时形成所述间隔物装载部分和用于通过电子束的开口。

12.如权利要求11所述的制造电子发射装置的方法，还包括：

在所述第一基板上及在所述间隔物装载部分中施加含有光敏材料的导电膏；

通过从所述第一基板的背面照射紫外线到所述间隔物装载部分上来选择性地硬化在所述间隔物装载部分中的所述导电膏；以及

将所述间隔物装配到所述间隔物装载部分中，使得所述导电膏将所述间隔物的所述导电膜电连接至所述聚焦电极。

13.一种制造电子发射装置的方法，包括：

提供具有驱动电极和绝缘层的第一基板；

在所述绝缘层中形成间隔物装载部分；

在所述绝缘层上形成聚焦电极，其中形成所述聚焦电极包括在所述间隔物装载部分的底部和侧表面上形成导电层；

在间隔物的外表面上提供导电膜用于将间隔物电耦接至所述聚焦电极；以及

将第二基板附于所述第一基板，所述间隔物置于所述第一和第二基板之间。

14.如权利要求13所述的制造电子发射装置的方法，还包括，在形成所述导电层之后，以导电膏填充所述间隔物装载部分。

15.如权利要求14所述的制造电子发射装置的方法，还包括，在用导电膏填充所述间隔物装载部分之后，将所述间隔物装配到所述间隔物装载部分中，使得所述间隔物电连接至所述聚焦电极。

Images