CN110783221A - 一种排除前层缺陷干扰的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种排除前层缺陷干扰的方法，一次扫描获得缺陷信号的缺陷图，该缺陷图中包含前层干扰信号和当层缺陷信号；在一次扫描获得的缺陷图中设定前层干扰信号的坐标区间；二次扫描获得缺陷信号的缺陷图，并根据前层干扰信号的坐标区间滤除前层干扰信号；重复步骤一至步骤三直到将绝大部分或全部前层缺陷信号被滤除，能够将当层缺陷信号暴露出来为止，从而进行缺陷程式的优化，本发明提高了产品良率以及工作效率。

Description

一种排除前层缺陷干扰的方法
技术领域
本发明涉及半导体制造领域，特别是涉及一种排除前层缺陷干扰的方法。
背景技术
项目开发阶段，由于进度问题，一般各类项目关键站点的工艺调试都会同时开展。在这个前提背景下，会产生某个站点的缺陷由于受困于前站的已知缺陷影响而无法扫描当站缺陷问题，其原因是前站的缺陷信号过于强烈，完全覆盖了当站的缺陷信号。如图1所示，Nand项目在CTG DEP做缺陷扫描的时候，区域框选为CT hole(接触孔01)。由于BBP机台的算法，其框选区域02会外扩最小144nm(由于BBP扫描机台的不精确度，所以在自动生成框选区域时，算法计算机会设置框选区域的边界，所以框选区域会向外扩144nm，而实际生成的框选区域要比GDS上的接触孔区域大)，此时，由于前层控制栅(CG，control gate)的缺陷尚未解决，带来的影响是扫描结果均为前层CG line(控制栅线)的断线问题，其位置就在CThole的位置边缘。
由于各层缺陷的种类不同，其缺陷的信号强度也会有各种不同，当前层的缺陷过于强烈的时候，无法通过参数设置卡控，同时造成的问题是大量前层缺陷信号被捕捉，而当层缺陷由于信号较弱，无法筛别。现有缺陷的调试方法为IDO(inline defect organizer)，根据缺陷信号的不同参数组合的弱化项进行缺陷筛选。一般情况下，每颗缺陷总会有弱化项参数可以通过筛选的方法进行过滤、该方法主要通过对需求的缺陷与需筛选掉的缺陷信号对比来完成。但在工艺开发阶段，无法判断当站的缺陷信号究竟为何种组合，在常规扫描模式下，全部的缺陷都为前层的缺陷信号。因此上述方法就不适用。
因此，需要提出一种新的方法来解决上述问题。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种排除前层缺陷干扰的方法，用于解决现有技术中当前层的缺陷过于强烈时无法通过参数设置卡控，同时造成大量前层缺陷信号被捕捉，而当层缺陷由于信号较弱，无法筛别的问题。
为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种排除前层缺陷干扰的方法，该方法至少包括以下步骤：步骤一、一次扫描获得缺陷信号的缺陷图，该缺陷图中包含前层干扰信号和当层缺陷信号；步骤二、在所述一次扫描获得的缺陷图中设定前层干扰信号的坐标区间；步骤三、二次扫描获得所述缺陷信号的缺陷图，并根据所述前层干扰信号的坐标区间滤除所述前层干扰信号；步骤四、重复步骤一至步骤三直到将绝大部分或全部前层缺陷信号被滤除，能够将当层缺陷信号暴露出来为止。
优选地，步骤一中所述前层干扰信号和当层缺陷信号中包括不同种类的缺陷信号。
优选地，步骤一中所述前层干扰信号包括除当层缺陷信号以外的任何一步前道工艺带来的缺陷信号。
优选地，步骤二中设定所述前层干扰信号的坐标区间的方法为人工识别所述前层干扰信号，并选定其坐标区间值。
优选地，步骤二中设定前层干扰信号的坐标区间的方法包括：选定第一干扰信号，设定其坐标值为第一阀值；选定第二干扰信号，设定其坐标值为第二阀值。
优选地，步骤三中根据所述前层干扰信号的坐标区间滤除所述前层干扰信号的方法为：当前层干扰信号的坐标值落在所述第一阀值和第二阀值之间时，滤除该前层干扰信号。
优选地，所述第一阀值和第二阀值对应为所述第一、第二干扰信号的横坐标值。
优选地，步骤四在重复进行步骤一至步骤三的过程中，在每次重复进行步骤二时，所设定的前层干扰信号的坐标区间与以往进行步骤二时所设定的前层干扰信号的坐标区间不重叠。
如上所述，本发明的排除前层缺陷干扰的方法，具有以下有益效果：一次扫描后，通过机台端的信号图片，直接判断是否为前层干扰信号，由工程师自行定义，将该类缺陷的坐标作为筛选的元素进行缺陷筛选，然后二次扫描结果过程中，当扫描到同一坐标的缺陷时，优先过滤掉该缺陷，以此类推三次，四次等扫描，当大部分前层信号被过滤时，则当层缺陷信号会显露出来，从而进行缺陷程式的优化，本发明提高了产品良率以及工作效率。
附图说明
图1显示为现有技术中缺陷扫描区域被扩大的示意图；
图2显示为本发明的排除前层缺陷干扰的方法的流程图；
图3显示为本发明中前层干扰信号与当层缺陷信号分布示意图；
图4显示为干扰信号与关注缺陷的坐标关系示意图。
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
请参阅图2至图4。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
本发明提供一种排除前层缺陷干扰的方法，如图2所示，图2显示为本发明的排除前层缺陷干扰的方法的流程图。该方法在本实施例中包括以下步骤：
步骤一、一次扫描获得缺陷信号的缺陷图，该缺陷图中包含前层干扰信号和当层缺陷信号；该步骤中所述一次扫描指的是对缺陷进行第一次扫描，获得包含有前层缺陷信号和当层缺陷信号的缺陷图，由于前层缺陷信号为不需要关注的缺陷信号，因此本发明中将所述前层缺陷定义为所述前层干扰信号。而前层干扰信号与当层缺陷信号中既包含相同种类的缺陷信号，也包含有不同种类的缺陷信号。本发明进一步地，步骤一中所述前层干扰信号和当层缺陷信号中包括不同种类的缺陷信号。本发明更进一步地，步骤一中所述前层干扰信号包括除当层缺陷信号以外的任何一步前道工艺带来的缺陷信号。也就是说所述当层缺陷信号为扫描关注的缺陷，除此以外，在以往的不同工艺步骤进行后产生的缺陷信号被视为所述前层干扰信号。
步骤二、在所述一次扫描获得的缺陷图中设定前层干扰信号的坐标区间；本发明进一步地，步骤二中设定所述前层干扰信号的坐标区间的方法为人工识别所述前层干扰信号，并选定其坐标区间值。进一步地，步骤二中设定前层干扰信号的坐标区间的方法包括：选定第一干扰信号，设定其坐标值为第一阀值；选定第二干扰信号，设定其坐标值为第二阀值。也就是说，该步骤中，识别所述前层干扰信号需要依靠人眼判断识别，依靠工程师对缺陷的识别进行判断是否为前层干扰信号，如图3所示，图3显示为本发明中前层干扰信号与当层缺陷信号分布示意图，其中03表示阵列，04表示接触孔(contact)，如果判断为所述前层干扰信号，则选定第一干扰信号05，将其坐标值设为第一阀值，再选定第二干扰信号06，将其坐标值设为第二阀值，落在所述第一阀值至第二阀值之间的坐标值为所述选定的坐标区间值。本发明进一步地，所述第一阀值和第二阀值对应为所述第一、第二干扰信号的横坐标值。
如图4所示，图4显示为干扰信号与关注缺陷的坐标关系示意图。例如，选定第一干扰信号的横坐标为X1作为阀值；选定第二干扰信号的横坐标为X2，作为阀值，当所述干扰信号的横坐标X在X1～X2之间时，被视为干扰信号。图4中的关注缺陷坐标表示为当层缺陷信号的横坐标。
步骤三、二次扫描获得所述缺陷信号的缺陷图，并根据所述前层干扰信号的坐标区间滤除所述前层干扰信号；本发明进一步地，步骤三中根据所述前层干扰信号的坐标区间滤除所述前层干扰信号的方法为：当前层干扰信号的坐标值落在所述第一阀值和第二阀值之间时，滤除该前层干扰信号。亦即当所述前层干扰信号的横坐标值X落在X1～X2之间时，该步骤将该前层干扰信号滤除。
步骤四、重复步骤一至步骤三直到将绝大部分或全部前层缺陷信号被滤除，能够将当层缺陷信号暴露出来为止。本发明进一步地，步骤四在重复进行步骤一至步骤三的过程中，在每次重复进行步骤二时，所设定的前层干扰信号的坐标区间与以往进行步骤二时所设定的前层干扰信号的坐标区间不重叠。也就是说，当二次扫描滤除了落在坐标区间X1～X2的所述前层干扰信号后，需要对其他区域的前层干扰信号进行滤除，因此，需要再重新设定前层干扰信号的坐标区间，重新设定的所述坐标区间与前次选定的坐标区间不同，并且二者在区间上没有重叠，亦即该次获取的是其他区域的前层干扰信号，之后根据所述前层干扰信号的坐标区间滤除所述前层干扰信号，如此循环，不断重新设定不同的坐标区间，直到所述前层干扰信号被绝大部分滤除后，所述当层缺陷信号能够被暴露出来进行识别为止。
综上所述，本发明一次扫描后，通过机台端的信号图片，直接判断是否为前层干扰信号，由工程师自行定义，将该类缺陷的坐标作为筛选的元素进行缺陷筛选，然后二次扫描结果过程中，当扫描到同一坐标的缺陷时，优先过滤掉该缺陷，以此类推三次，四次等扫描，当大部分前层信号被过滤时，则当层缺陷信号会显露出来，从而进行缺陷程式的优化。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。

Claims (8)

1.一种排除前层缺陷干扰的方法，其特征在于，该方法至少包括以下步骤：
步骤一、一次扫描获得缺陷信号的缺陷图，该缺陷图中包含前层干扰信号和当层缺陷信号；
步骤二、在所述一次扫描获得的缺陷图中设定前层干扰信号的坐标区间；
步骤三、二次扫描获得所述缺陷信号的缺陷图，并根据所述前层干扰信号的坐标区间滤除所述前层干扰信号；
步骤四、重复步骤一至步骤三直到将绝大部分或全部前层缺陷信号被滤除，能够将当层缺陷信号暴露出来为止。
2.根据权利要求1所述的排除前层缺陷干扰的方法，其特征在于：步骤一中所述前层干扰信号和当层缺陷信号中包括不同种类的缺陷信号。
3.根据权利要求1所述的排除前层缺陷干扰的方法，其特征在于：步骤一中所述前层干扰信号包括除当层缺陷信号以外的任何一步前道工艺带来的缺陷信号。
4.根据权利要求1所述的排除前层缺陷干扰的方法，其特征在于：步骤二中设定所述前层干扰信号的坐标区间的方法为人工识别所述前层干扰信号，并选定其坐标区间值。
5.根据权利要求4所述的排除前层缺陷干扰的方法，其特征在于：步骤二中设定前层干扰信号的坐标区间的方法包括：选定第一干扰信号，设定其坐标值为第一阀值；选定第二干扰信号，设定其坐标值为第二阀值。
6.根据权利要求5所述的排除前层缺陷干扰的方法，其特征在于：步骤三中根据所述前层干扰信号的坐标区间滤除所述前层干扰信号的方法为：当前层干扰信号的坐标值落在所述第一阀值和第二阀值之间时，滤除该前层干扰信号。
7.根据权利要求6所述的排除前层缺陷干扰的方法，其特征在于：所述第一阀值和第二阀值对应为所述第一、第二干扰信号的横坐标值。
8.根据权利要求1所述的排除前层缺陷干扰的方法，其特征在于：步骤四在重复进行步骤一至步骤三的过程中，在每次重复进行步骤二时，所设定的前层干扰信号的坐标区间与以往进行步骤二时所设定的前层干扰信号的坐标区间不重叠。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111446179A (zh) * 2020-03-31 2020-07-24 中国科学院微电子研究所 一种晶圆测试方法及装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030160627A1 (en) * 2000-09-18 2003-08-28 Hpl Technologies, Inc. Correction of overlay offset between inspection layers
CN102637614A (zh) * 2011-02-11 2012-08-15 台湾积体电路制造股份有限公司 消除错误缺陷检测方法与系统
CN107833843A (zh) * 2017-11-02 2018-03-23 武汉新芯集成电路制造有限公司 缺陷来源的分析方法及分析系统、缺陷检测装置
CN108039326A (zh) * 2017-11-29 2018-05-15 上海华力微电子有限公司 根据电路设计图形设置扫描阈值的方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030160627A1 (en) * 2000-09-18 2003-08-28 Hpl Technologies, Inc. Correction of overlay offset between inspection layers
CN102637614A (zh) * 2011-02-11 2012-08-15 台湾积体电路制造股份有限公司 消除错误缺陷检测方法与系统
CN107833843A (zh) * 2017-11-02 2018-03-23 武汉新芯集成电路制造有限公司 缺陷来源的分析方法及分析系统、缺陷检测装置
CN108039326A (zh) * 2017-11-29 2018-05-15 上海华力微电子有限公司 根据电路设计图形设置扫描阈值的方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111446179A (zh) * 2020-03-31 2020-07-24 中国科学院微电子研究所 一种晶圆测试方法及装置
CN111446179B (zh) * 2020-03-31 2022-11-01 中国科学院微电子研究所 一种晶圆测试方法及装置

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