CN110775966A - 一种柔性石墨烯膜及其应用 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种柔性石墨烯膜及其应用，属于纳米材料技术领域。所述柔性石墨烯膜为三维立体石墨烯经过模压或者辊压压制而成。本发明的石墨烯膜通过将三维立体石墨烯进行模压或者辊压处理得到，由于三维立体石墨烯片层较大，且富含大量孔洞，经过模压或者辊压之后，孔洞坍塌，形成了大量褶皱结构，这些大量的褶皱结构为石墨烯膜提供了柔性；而且，三维立体石墨烯经模压或者辊压之后，孔洞变成了褶皱，同时孔洞内的空气被挤赶出来，石墨烯片层与片层之间相互接触，从而使得石墨烯膜具有较高的导热与导电性能。实施例的数据表明：本发明所得柔性石墨烯膜的热导率为1400～1500W/m·k，电导率为(1.35～1.5)×105S/m。

Description

一种柔性石墨烯膜及其应用
技术领域
本发明涉及纳米材料技术领域，尤其涉及一种柔性石墨烯膜及其应用。
背景技术
目前，电子设备朝着多元化方向发展，电子设备为人们呈现出了越来越多的功能，但是，随之而来的就是电子设备的散热问题。我们知道，目前应用最为广泛的手机，笔记本电脑，其散热元件一般都是金属板，金属板的散热效果较好，但是其重量较大，在一些大型电子设备中应用不便，所以发展一种质轻、散热效果好的散热膜已然成为了电子设备发展中不可或缺的一类技术。
石墨烯是一种由单层碳原子以sp2杂化轨道组成六角型呈蜂巢晶格的二维碳纳米材料，具有优异的光学、电学和力学性能，在材料学、微纳加工、能源、生物医学和药物传递等方面具有重要的应用前景。更为重要的是，石墨烯具有十分优异的导热性能，通过合适的工艺将其制备成为散热薄膜，不仅可以加速石墨烯的应用，同时也会促进电子设备朝着更加多元化方向发展。
目前，石墨烯薄膜一般为还原氧化石墨烯薄膜和气相沉积石墨烯薄膜：还原氧化石墨烯薄膜首先使用Hummers方法制备氧化石墨烯，然后将氧化石墨烯经过超声处理，得到氧化石墨烯分散液，将分散液进行抽滤，可以得到柔韧性、强度都较高的薄膜，再将此薄膜进行高温还原或者还原剂还原即可得到石墨烯薄膜，但是经过还原的石墨烯薄膜的柔韧性及强度均有大幅度下降，而且石墨烯理论电导率及热导率均呈现几个数量级的下降。气相沉积石墨烯薄膜是将含有碳原子的气体经过极高温度处理，使其发生裂解，碳原子在基底上沉积并发生重排，最终形成石墨烯薄膜。该方法制备的石墨烯薄膜导电性与导热性均较高，但是其制备成本过高，且石墨烯薄膜从基底上分离也是一个技术难题，且剥离得到的石墨烯薄膜柔性很难控制。
因此，开发一种导电率和热导率高、且制备方法简单的石墨烯薄膜尤为重要。
发明内容
有鉴于此，本发明的目的在于提供一种柔性石墨烯膜及其应用。本发明的石墨烯散热膜具有优异的柔性、导热性和导电性，且其是通过模压或者辊压得到，避免了石墨烯从基底上剥离，方法简单。
为了实现上述发明目的，本发明提供以下技术方案：
本发明提供了一种柔性石墨烯膜，所述柔性石墨烯膜为三维立体石墨烯经过模压或者辊压压制而成；所述三维立体石墨烯为长度为5～20mm、直径为0.1～1mm的纤维；所述三维立体石墨烯的片层厚度为5～50nm；所述三维立体石墨烯的电导率为1000～1500S/m，热导率为200～300W/m·k；所述柔性石墨烯膜的厚度为20～200μm，所述柔性石墨烯膜的电导率为1000～1500S/m，热导率为1200～1500W/m·k。
优选地，所述模压的压强为10～100MPa。
优选地，所述辊压的压强为1～100MPa。
优选地，所述三维立体石墨烯由包括以下步骤的方法制备得到：
将石墨与插层剂混合，进行插层反应，得到插层石墨；所述插层剂为氧化剂和酸的混合物；
将所述插层石墨微波膨胀，得到膨胀石墨；
将所述膨胀石墨与发泡剂混合，进行吸附反应，得到发泡剂/膨胀石墨；
将所述发泡剂/膨胀石墨煅烧，得到所述三维立体石墨烯。
优选地，所述石墨与插层剂的质量比为1:1～100。
优选地，所述插层反应在冰水浴条件下进行；所述插层反应的时间为1～3h。
优选地，所述微波膨胀的微波频率为300MHz～300GHz，温度为500～1000℃，时间为5～20s。
优选地，所述发泡剂为碳酸钙、碳酸镁、碳酸氢钠、硅酸钠和碳黑中的一种或多种。
优选地，所述煅烧的温度为500～1000℃，时间为1～4h。
本发明还提供了上述技术方案所述的柔性石墨烯膜在电子设备中的应用。
本发明提供了一种柔性石墨烯膜，所述柔性石墨烯膜为三维立体石墨烯经过模压或者辊压压制而成；所述三维立体石墨烯为长度为5～20mm、直径为0.1～1mm的纤维；所述三维立体石墨烯的片层厚度为5～50nm；所述三维立体石墨烯的电导率为1000～1500S/m，热导率为200～300W/m·k；所述柔性石墨烯膜的厚度为20～200μm，所述柔性石墨烯膜的电导率为1000～1500S/m，热导率为1200～1500W/m·k。本发明的柔性石墨烯膜是将三维立体石墨烯进行模压或者辊压处理得到，由于三维立体石墨烯片层较大，且富含大量孔洞，经过模压或者辊压之后，孔洞坍塌，形成了大量褶皱结构，这些大量的褶皱结构为石墨烯膜提供了柔性；而且，三维立体石墨烯经模压或者辊压之后，孔洞变成了褶皱，同时孔洞内的空气被挤赶出来，石墨烯片层与片层之间相互接触，从而使得石墨烯膜具有较高的导热与导电性能。实施例的数据表明：本发明所得柔性石墨烯膜的热导率为1400～1500W/m·k，电导率为(1.35～1.5)×105S/m。
进一步地，本发明通过控制辊压或者模压的压力，使三维立体石墨烯片层之间较好的接触，能够进一步使石墨烯膜具有较高的导热和导电性能。
本发明还提供了上述技术方案所述柔性石墨烯膜在电子设备中的应用。由于本发明提供的柔性石墨烯膜具有优异的柔性、导电性和导热性，且质轻等优点，使其能够广泛应用与电子设备中。
附图说明
图1为实施例1所得柔性石墨烯膜表面的扫描电子显微镜(SEM)照片；
图2为实施例2所得柔性石墨烯膜断面的扫描电子显微镜(SEM)照片。
具体实施方式
本发明提供了一种柔性石墨烯膜，所述柔性石墨烯膜为三维立体石墨烯经过模压或者辊压压制而成；所述三维立体石墨烯为长度为5～20mm、直径为0.1～1mm的纤维；所述三维立体石墨烯的片层厚度为5～50nm；所述三维立体石墨烯的电导率为1000～1500S/m，热导率为200～300W/m·k；所述柔性石墨烯膜的厚度为20～200μm，所述柔性石墨烯膜的电导率为1000～1500S/m，热导率为1200～1500W/m·k。
在本发明中，所述模压的压强优选为10～100MPa，进一步优选为30～80MPa，更优选为40～60MPa，所述模压的时间优选为1～20min。在本发明中，所述辊压的压强优选为1～100MPa，进一步优选为10～80MPa，更优选为40～60MPa，所述辊压的速度优选为10～50rpm。
在本发明中，所述三维立体石墨烯优选由包括以下步骤的方法制备得到：
将石墨与插层剂混合，进行插层反应，得到插层石墨；所述插层剂为氧化剂和酸的混合物；
将所述插层石墨微波膨胀，得到膨胀石墨；
将所述膨胀石墨与发泡剂混合，进行吸附反应，得到发泡剂/膨胀石墨；
将所述发泡剂/膨胀石墨煅烧，得到所述三维立体石墨烯。
本发明将石墨和插层剂混合，进行插层反应，得到插层石墨；所述插层剂为氧化剂和酸的混合物。
在本发明中，所述石墨与插层剂的质量比优选为1:1～100。在本发明中，所述石墨优选为天然鳞片石墨、人造石墨和高温定向裂解石墨中的一种或多种。在本发明中，所述插层剂为氧化剂和酸的混合物；所述氧化剂优选为过硫酸铵、双氧水、高锰酸钾或重铬酸钾，所述双氧水的质量浓度优选为10～30％；所述酸优选为浓硫酸、浓硝酸、高氯酸或冰醋酸；所述高氯酸的体积分数优选为30～70％。
在本发明中，当所述氧化剂为过硫酸铵、高锰酸钾或重铬酸钾时，所述氧化剂与酸的用量比优选为5～20g：100～500mL；当所述氧化剂为双氧水时，所述氧化剂与酸的体积比优选为20mL：100～200mL。
在本发明中，所述插层反应优选在冰水浴条件下进行；所述插层反应的时间优选为1～3h，进一步优选为2h；所述插层反应优选在搅拌的条件下进行。
插层反应结束后，本发明优选还包括将所得插层反应液过滤，将所得沉淀物洗涤后干燥，得到所述插层石墨。
在本发明中，所述洗涤用试剂优选为去离子水；本发明对所述洗涤的次数不做具体限定，只要能够将沉淀物洗涤至中性即可。
在本发明中，所述干燥的方式优选为冷冻干燥、真空干燥或者红外灯干燥。在本发明中，所述冷冻干燥的温度优选为-80～-70℃，压力优选为1～10Pa，时间优选为48～96h。在本发明中，所述真空干燥的温度优选为40℃，真空度优选低于30Pa；时间优选为26～96h。在本发明中，所述红外灯干燥的温度优选为80～200℃，进一步优选为100～150℃，时间优选为2～24h。
在本发明中，所述氧化剂的作用是将石墨进行部分氧化，使得石墨层间距增大，进而有利于酸(插层剂)被插入到石墨层间，有利于后续石墨的膨胀。
得到插层石墨后，本发明将所述插层石墨进行微波膨胀，得到膨胀石墨。
在本发明中，所述微波膨胀的微波频率优选为300MHz～300GHz，进一步优选为100～200GHz；所述微波膨胀的温度优选为500～1000℃，进一步优选为600～900℃，更优选为700～800℃；所述微波膨胀的时间优选为5～20s，进一步优选为10～15s。在本发明中，所述微波膨胀优选在保护气氛下进行，所述保护气氛优选为氮气。
在本发明中，所述微波膨胀优选在微波膨胀炉中进行。
在本发明中，所述微波膨胀使插层石墨在短时间内迅速发生膨胀，在迅速发生膨胀过程中会使得石墨产生大量孔洞；且同时将插层反应所造成的氧化部分进行还原。
得到膨胀石墨后，本发明将所述膨胀石墨与发泡剂混合，进行吸附反应，得到发泡剂/膨胀石墨。
在本发明中，所述发泡剂优选为碳酸钙、碳酸镁、碳酸氢钠、硅酸钠和碳黑中的一种或多种。在本发明中，所述发泡剂的粒径优选为20～100nm。在本发明中，所述发泡剂优选以发泡剂溶液的形式加入；当所述发泡剂为碳酸钙、碳酸镁、碳酸氢钠和硅酸钠时，所述发泡剂溶液的溶剂优选为水，所述发泡剂溶液的浓度优选为2～3mol/L；当所述发泡剂为炭黑时，所述发泡剂溶液的溶剂优选为无水乙醇，所述发泡剂溶液的浓度优选为50g/L。本发明对所述发泡剂溶液的体积不做具体限定，只要能够使发泡剂/膨胀石墨中发泡剂和膨胀石墨的质量比符合要求即可。
在本发明中，所述吸附反应的温度优选为室温，所述吸附反应的时间优选为2h。
吸附反应结束后，本发明优选将所得吸附反应液干燥，得到所述发泡剂/膨胀石墨。在本发明中，所述干燥的方式优选与插层反应液后处理时干燥的方式及参数一致，在此不再赘述。
在本发明中，经过膨胀处理的膨胀石墨含有大量孔洞，将其与发泡剂混合发生吸附反应，在物理吸附的作用下，能够使发泡剂积累在膨胀石墨的孔洞中。
在本发明中，所述发泡剂/膨胀石墨中膨胀石墨与发泡剂的质量比优选为100:10～100:1。
得到发泡剂/膨胀石墨后，本发明将所述发泡剂/膨胀石墨进行煅烧，得到所述三维立体石墨烯材料。
在本发明中，所述煅烧的温度优选为500～1000℃，进一步优选为600～900℃，更优选为700～800℃；所述煅烧的时间优选为1～4h，进一步优选为2～3h。在本发明中，所述煅烧优选在真空气氛炉中进行。
在本发明中，所述煅烧反应能够使发泡剂/膨胀石墨中的发泡剂分解产生大量气泡，从而使得膨胀石墨在气体的冲击下形成石墨烯薄片。
本发明使用较为温和的方法对石墨进行插层反应得到可膨胀的插层石墨，然后在微波膨胀的作用下得到膨胀石墨；然后在膨胀石墨上吸附发泡剂，经煅烧时发泡剂的分解，得到了缺陷较少的三维立体石墨烯。本发明通过调控各反应条件，可使得三维立体石墨烯的片层在5～50nm之间可控，同时该三维立体石墨烯富含大量孔洞，电导率可高达1.5×105S/m，这些优异的性能很大程度上拓展了石墨烯的应用领域。同时，该制备方法简便，成本低廉，绿色环保，易于实现规模化生产。
本发明对所述柔性石墨烯膜的制备方法不做具体限定，采用本领域技术人员熟知的辊压或模压方式即可。在本发明的具体实施例中，所述模压优选在模压模具中进行，所述模压模具的材质优选为高强度不锈钢材；所述辊压优选在辊压机上进行。
本发明还提供了上述技术方案所述的柔性石墨烯膜在电子设备中的应用。
在本发明中，由于所述柔性石墨烯膜具有优异的导热性，使其能够作为散热原件应用于电子设备中。
下面结合实施例对本发明提供的柔性石墨烯膜及其应用进行详细的说明，但是不能把它们理解为对本发明保护范围的限定。
实施例1
将20.0g天然石墨，20.0g高锰酸钾缓慢加入到500mL浓硫酸溶液中，在加入过程中使用冰浴控制温度在30℃以下，使用磁力搅拌反应体系，整个插层反应时间为2h，插层反应结束后，使用去离子水将所得插层反应液洗涤至中性，真空烘箱中40℃下干燥备用，得到插层石墨。将插层石墨置于高温微波膨胀炉内进行处理，设置温度800℃，微波频率为100GHz，膨胀过程在氮气氛围保护下进行，膨胀的时间为10s，得到膨胀石墨。将膨胀石墨浸泡在200mL 2mol/L的碳酸氢钠溶液中2h，然后在红外灯下干燥处理，得到发泡剂/膨胀石墨。将发泡剂/膨胀石墨置于800℃的真空气氛炉中处理2h，即可得到三维立体石墨烯材料。将三维立体石墨烯材料置于模压模具中，压强为50Mpa，压制2min，即可得到柔性石墨烯膜。
使用激光导热仪测试所得柔性石墨烯膜的热导率为1500W/m·k，使用四探针电导率仪测试其电导率为1.5×105S/m。
实施例2
将20.0g天然石墨，20.0g高锰酸钾缓慢加入到500mL浓硫酸溶液中，在加入过程中使用冰浴控制温度在30℃以下，使用磁力搅拌反应体系，整个插层反应时间为2h，插层反应结束后，使用去离子水将所得插层反应液洗涤至中性，真空烘箱中40℃下干燥备用，得到插层石墨。将插层石墨置于高温微波膨胀炉内进行处理，设置温度800℃，微波频率为100GHz，膨胀过程在氮气氛围保护下进行，膨胀的时间为15s，得到膨胀石墨。将膨胀石墨浸泡在200mL 2mol/L的碳酸氢钠溶液中2h，然后在红外灯下干燥处理，得到发泡剂/膨胀石墨。将发泡剂/膨胀石墨置于800℃的真空气氛炉中处理2h，即可得到三维立体石墨烯材料。将三维立体石墨烯材料使用50Mpa辊压处理，即可得到柔性石墨烯膜。
使用激光导热仪测试所得柔性石墨烯膜的热导率为1400W/m·k，使用四探针电导率仪测试其电导率为1.45×105S/m。
实施例3
将20.0g高温定向裂解石墨，20.0g过硫酸铵缓慢加入到500mL浓硫酸溶液中，在加入过程中使用冰浴控制温度在30℃以下，使用磁力搅拌反应体系，整个插层反应时间为4h，插层反应结束后，使用去离子水将所得插层反应液洗涤至中性，真空烘箱中40℃下干燥备用，得到插层石墨。将插层石墨置于高温微波膨胀炉内进行处理，设置温度900℃，微波频率为200GHz，膨胀过程在氮气氛围保护下进行，膨胀的时间为10s，得到膨胀石墨。将膨胀石墨浸泡在200mL 2mol/L的碳酸氢钠溶液中2h，然后在红外灯下干燥处理，得到发泡剂/膨胀石墨。将发泡剂/膨胀石墨置于900℃的真空气氛炉中处理2h，即可得到三维立体石墨烯材料。将三维立体石墨烯材料置于模压模具中，压强为60Mpa，压制5min，即可得到柔性石墨烯膜。
使用激光导热仪测试柔性石墨烯膜热导率为1400W/m·k，使用四探针电导率仪测试其电导率为1.35×105S/m。
实施例4
将5.0g人造石墨，20mL双氧水(质量浓度为30％)缓慢加入到500mL浓硫酸溶液中，在加入过程中使用冰浴控制温度在30℃以下，使用磁力搅拌反应体系，整个插层反应时间为2h，插层反应结束后，使用去离子水将所得插层反应液洗涤至中性，真空烘箱中40℃下干燥备用，得到插层石墨。将插层石墨置于高温微波膨胀炉内进行处理，设置温度800℃，微波频率为100GHz，膨胀过程在氮气氛围保护下进行，膨胀的时间为10s，得到膨胀石墨。将膨胀石墨浸泡在200mL 3mol/L的碳酸氢钠溶液中2h，然后在红外灯下干燥处理，得到发泡剂/膨胀石墨。将发泡剂/膨胀石墨置于900℃的真空气氛炉中处理1h，即可得到三维立体石墨烯材料。将三维立体石墨烯材料使用100Mpa辊压处理，即可得到柔性石墨烯膜。
使用激光导热仪测试所得柔性石墨烯膜的热导率为1500W/m·k，使用四探针电导率仪测试其电导率为1.5×105S/m。
实施例5
将10.0g人造石墨，20g过硫酸铵缓慢加入到500mL浓硫酸溶液中，在加入过程中使用冰浴控制温度在30℃以下，使用磁力搅拌反应体系，整个插层反应时间为2h，插层反应结束后，使用去离子水将所得插层反应液洗涤至中性，真空烘箱中40℃下干燥备用，得到插层石墨。将插层石墨置于高温微波膨胀炉内进行处理，设置温度900℃，微波频率为200GHz，膨胀过程在氮气氛围保护下进行，膨胀的时间为15s，得到膨胀石墨。将膨胀石墨浸泡在200mL4mol/L的碳酸氢钠溶液中2h，然后在红外灯下干燥处理，得到发泡剂/膨胀石墨。将发泡剂/膨胀石墨置于900℃的真空气氛炉中处理2h，即可得到三维立体石墨烯材料。将三维立体石墨烯材料置于模压模具中，压强为80Mpa，压制2min，即可得到柔性石墨烯膜。
使用激光导热仪测试所得柔性石墨烯膜热导率为1450W/m·k，使用四探针电导率仪测试其电导率为1.48×105S/m。
实施例6
将10.0g高温定向裂解石墨，20.0g过硫酸铵缓慢加入到500mL浓硝酸溶液中，在加入过程中使用冰浴控制温度在30℃以下，使用磁力搅拌反应体系，整个插层反应时间为2h，插层反应结束后，使用去离子水将所得插层反应液洗涤至中性，真空烘箱中40℃下干燥备用，得到插层石墨。将插层石墨置于高温微波膨胀炉内进行处理，设置温度1000℃，微波频率为200GHz，膨胀过程在氮气氛围保护下进行，膨胀的时间为15s，得到膨胀石墨。将膨胀石墨浸泡在200mL 2mol/L的碳酸氢钠溶液中2h，然后在红外灯下干燥处理，得到发泡剂/膨胀石墨。将发泡剂/膨胀石墨置于800℃的真空气氛炉中处理2h，即可得到三维立体石墨烯材料。将三维立体石墨烯材料置于模压模具中，压强为80Mpa，压制2min，即可得到柔性石墨烯膜。
使用激光导热仪测试柔性石墨烯膜的热导率为1500W/m·k，使用四探针电导率仪测试其电导率为1.5×105S/m。
实施例7
将10.0g天然石墨，20.0g重铬酸钾缓慢加入到500mL冰醋酸溶液中，在加入过程中使用冰浴控制温度在30℃以下，使用磁力搅拌反应体系，整个插层反应时间为2h，插层反应结束后，使用去离子水将所得插层反应液洗涤至中性，真空烘箱中40℃下干燥备用，得到插层石墨。将插层石墨置于高温微波膨胀炉内进行处理，设置温度1000℃，微波频率为200GHz，膨胀过程在氮气氛围保护下进行，膨胀的时间为10s，得到膨胀石墨。将膨胀石墨浸泡在200mL 2mol/L的碳酸氢钠溶液中2h，然后在红外灯下干燥处理，得到发泡剂/膨胀石墨。将发泡剂/膨胀石墨置于1000℃的真空气氛炉中处理2h，即可得到三维立体石墨烯材料。将三维立体石墨烯材料使用100Mpa辊压处理，即可得到柔性石墨烯膜。
使用激光导热仪测试所得柔性石墨烯膜的热导率为1500W/m·k，使用四探针电导率仪测试其电导率为1.5×105S/m。
图1为实施例1所得柔性石墨烯膜表面的扫描电子显微镜(SEM)照片；图2为实施例2所得柔性石墨烯膜断面的扫描电子显微镜(SEM)照片。从图1和图2可以看出：石墨烯膜表面存在大量褶皱结构，经过模压后，石墨烯薄膜在水平方向上发生取向，这使得石墨烯薄膜可以具有较高的热导率。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种柔性石墨烯膜，其特征在于，所述柔性石墨烯膜为三维立体石墨烯经过模压或者辊压压制而成；所述三维立体石墨烯为长度为5～20mm、直径为0.1～1mm的纤维；所述三维立体石墨烯的片层厚度为5～50nm；所述三维立体石墨烯的电导率为1000～1500S/m，热导率为200～300W/m·k；所述柔性石墨烯膜的厚度为20～200μm，所述柔性石墨烯膜的电导率为1000～1500S/m，热导率为1200～1500W/m·k。
2.根据权利要求1所述的柔性石墨烯膜，其特征在于，所述模压的压强为10～100MPa。
3.根据权利要求1所述的柔性石墨烯膜，其特征在于，所述辊压的压强为1～100MPa。
4.根据权利要求1～3任一项所述的柔性石墨烯膜，其特征在于，所述三维立体石墨烯由包括以下步骤的方法制备得到：
将石墨与插层剂混合，进行插层反应，得到插层石墨；所述插层剂为氧化剂和酸的混合物；
将所述插层石墨微波膨胀，得到膨胀石墨；
将所述膨胀石墨与发泡剂混合，进行吸附反应，得到发泡剂/膨胀石墨；
将所述发泡剂/膨胀石墨煅烧，得到所述三维立体石墨烯。
5.根据权利要求4所述的柔性石墨烯膜，其特征在于，所述石墨与插层剂的质量比为1:1～100。
6.根据权利要求4或5所述的柔性石墨烯膜，其特征在于，所述插层反应在冰水浴条件下进行；所述插层反应的时间为1～3h。
7.根据权利要求4所述的柔性石墨烯膜，其特征在于，所述微波膨胀的微波频率为300MHz～300GHz，温度为500～1000℃，时间为5～20s。
8.根据权利要求4所述的柔性石墨烯膜，其特征在于，所述发泡剂为碳酸钙、碳酸镁、碳酸氢钠、硅酸钠和碳黑中的一种或多种。
9.根据权利要求4所述的柔性石墨烯膜，其特征在于，所述煅烧的温度为500～1000℃，时间为1～4h。
10.权利要求1～9任一项所述的柔性石墨烯膜在电子设备中的应用。
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