CN110741516A - 无源q开关脉冲激光装置、处理设备和医疗设备 - Google Patents

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Abstract

[概述][要解决的问题]为了在抑制脉冲激光的脉冲宽度的增加和脉冲激光的峰值强度的减小时产生具有稳定的偏振方向的脉冲激光，并且在使用非晶材料作为激光介质的基材的情况下使光谐振器和激光装置小型化。[解决方案]本发明提供一种无源Q开关脉冲激光装置，包括：激光介质和可饱和吸收体。所述激光介质设置在包括在光谐振器中的一对反射装置之间。所述激光介质被特定的激发光激发而发出发射光。所述可饱和吸收体设置在所述光谐振器的光轴上，并且在一对反射装置之间的激光介质的下游侧上。所述可饱和吸收体具有通过吸收所述发射光而增加的透射率。所述一对反射装置中的至少一个是偏振元件。所述偏振元件相对于在彼此正交的偏振方向上的发射光具有不同的反射率。

Description

无源Q开关脉冲激光装置、处理设备和医疗设备
技术领域
本发明涉及一种无源Q开关脉冲激光装置、处理设备和医疗设备。
背景技术
近年来，已经开发了各种激光装置。例如，已经开发了Q开关脉冲激光装置。Q开关脉冲激光装置是能够以预定间隔发射具有相当大水平的能量或更高能量的脉冲激光的激光装置。例如，已经积极开发了无源Q开关脉冲激光装置，其利用诸如可饱和吸收体之类的无源元件来改变Q因数。
附带地，例如，为了使用非线性光学晶体执行波长转换并且使用线性偏振光执行形状测量，优选地，控制和稳定从激光装置发出的激光的偏振方向。作为控制激光的偏振方向的方法，例如，以下的非专利文献1至3公开了在光谐振器中的激光介质与可饱和吸收体之间设置偏振元件的技术。
然而，当偏振元件设置在光谐振器中时，光谐振器的长度增加。这增加了脉冲宽度(即，脉冲的时间宽度增加)，减小了激光的峰值强度，或者使得难以使光谐振器本身或激光装置小型化。
作为解决该问题的方法，例如，以下的专利文献1公开了以下技术：将作为在三个方向上具有结晶轴的晶体的可饱和吸收体设置在光谐振器中，以相对于激光在彼此正交的偏振方向上的发射光具有各自不同的透射率，由此在沿透射率高的结晶轴的偏振方向上引起激光振荡。
引文列表
专利文献
PTL 1：日本未审查专利申请公开第2006-73962号
非专利文献
NPL 1：A.V.Kir'yanov和V.Ablites，“通过使用具有偏振的旋转方位角的激光束来增强2型光学二次谐波的产生”，Applied Physics Letters，2001年2月12日，第78卷，第7期，第874至876页。
NPL 2：Alexander V，Kir'yanov和Vicente Aboites，“由Nd3+：YAG/Cr4+：YAG激光脉冲产生的具有改变偏振态的二次谐波”，J.Opt.Soc.Am.B，2000年10月，第17卷，第10期，第1657至1664页。
NPL 3：A.V.Kir'yanov，J.J.Soto-Bernal和V.J.Pinto-Robledo，“采用Nd3+：YAG/Cr4+：YAG激光脉冲的具有随时间变化的偏振的SHG”，《先进固态激光器》，2002年，第68卷，第88至92页。
发明内容
本发明要解决的问题
然而，在使用非晶材料作为激光介质的基材的情况下，所产生的激光具有光学各向同性，并且无法获得透射率对结晶轴的依赖性。因此，激光装置无法利用结晶轴控制振荡偏振方向。
因此，鉴于上述情况而设计了本发明，并且本发明的目的是提供一种新颖且改进的无源Q开关脉冲激光装置、处理设备和医疗设备，其能够在抑制脉冲激光的脉冲宽度的增加和脉冲激光的峰值强度的减小时产生具有稳定的偏振方向的脉冲激光，并且在使用非晶材料作为激光介质的基材的情况下使光谐振器和激光装置小型化。
解决问题的手段
根据本发明，提供一种无源Q开关脉冲激光装置，包括：激光介质和可饱和吸收体。所述激光介质设置在包括在光谐振器中的一对反射装置之间。所述激光介质被特定的激发光激发而发出发射光。所述可饱和吸收体设置在所述光谐振器的光轴上，并且在一对反射装置之间的激光介质的下游侧上。所述可饱和吸收体具有通过吸收所述发射光而增加的透射率。所述一对反射装置中的至少一个是偏振元件。所述偏振元件相对于在彼此正交的偏振方向上的发射光具有各自不同的反射率。
另外，根据本发明，提供一种处理设备，包括：无源Q开关脉冲激光装置和激发光源部。所述无源Q开关脉冲激光装置包括激光介质和可饱和吸收体。所述激光介质设置在包括在光谐振器中的一对反射装置之间。所述激光介质被特定的激发光激发而发出发射光。所述可饱和吸收体设置在所述光谐振器的光轴上，并且在一对反射装置之间的激光介质的下游侧上。所述可饱和吸收体具有通过吸收所述发射光而增加的透射率。所述一对反射装置中的至少一个是偏振元件。所述偏振元件相对于在彼此正交的偏振方向上的发射光具有各自不同的反射率。所述激发光源部输出所述激发光。所述处理设备使用从所述无源Q开关脉冲激光装置发出的发射光来处理工件。
另外，根据本发明，提供一种医疗设备，包括：无源Q开关脉冲激光装置和激发光源部。所述无源Q开关脉冲激光装置包括激光介质和可饱和吸收体。所述激光介质设置在包括在光谐振器中的一对反射装置之间。所述激光介质被特定的激发光激发而发出发射光。所述可饱和吸收体设置在所述光谐振器的光轴上，并且在一对反射装置之间的激光介质的下游侧上。所述可饱和吸收体具有通过吸收所述发射光而增加的透射率。所述一对反射装置中的至少一个是偏振元件。所述偏振元件相对于在彼此正交的偏振方向上的发射光具有各自不同的反射率。所述激发光源部输出所述激发光。所述医疗设备使用从所述无源Q开关脉冲激光装置发出的发射光照射活体的一部分。
发明的效果
如上所述，根据本发明，可在抑制脉冲激光的脉冲宽度的增加和脉冲激光的峰值强度的减小时产生具有稳定的偏振方向的脉冲激光，并且在使用非晶材料作为激光介质的基材的情况下使光谐振器和激光装置小型化。
应当注意，上述效果不一定是限制性的。除了上述效果或者代替上述效果之外，可产生本说明书中指示的任何效果或可从本说明书中理解的其他效果。
附图说明
图1是图解根据本实施方式的无源Q开关脉冲激光装置的配置的示例的视图。
图2是图解可应用于无源Q开关脉冲激光装置的激光介质和可饱和吸收体的组合的表。
图3是图解将无源Q开关脉冲激光装置应用于处理设备或医疗设备的情况下的配置的视图。
具体实施方式
以下参考附图详细描述本发明的优选实施方式。应当注意，在本说明书和附图中，具有基本相同的功能配置的组成元件由相同的附图标记表示，因此省略了其多余的描述。
应当注意，以以下顺序给出描述。
1.背景
2.本实施方式的概述
3.根据本实施方式的无源Q开关脉冲激光装置的配置
4.用作偏振元件的构件
5.变型例
6.结论
<1.背景>
近年来，已经开发了各种激光装置。例如，已经开发了Q开关脉冲激光装置。Q开关脉冲激光装置是能够以预定间隔发射具有相当大水平的能量或更高能量的脉冲激光的激光装置。Q开关脉冲激光装置将光谐振器的Q值设定为低状态(损失大的状态)来进入泵浦，从而导致反转分布状态。然后，当反转分布状态达到预定水平时，急剧增加Q因数会立即引起激光振荡，并发出峰值大于或等于相当大水平的短脉冲激光。
Q开关脉冲激光装置包括利用诸如光电调制器之类的有源元件改变Q因数的有源Q开关脉冲激光装置以及利用诸如可饱和吸收体之类的无源元件改变Q因数的无源Q开关脉冲激光装置。
有源Q开关脉冲激光装置具有较大的有源元件，因此不能缩短光谐振器之间的间隔。因此，有源Q开关脉冲激光装置不能缩短脉冲的时间宽度。另外，有源Q开关脉冲激光装置还具有需要高电压来驱动有源元件的缺点。
相反，无源Q开关脉冲激光装置能够克服上述有源Q开关脉冲激光装置的缺点，因此近年来得到了积极的发展。
作为无源Q开关脉冲激光装置的配置，可想到将可饱和吸收体与激光介质一起设置在光谐振器所包含的一对反射装置之间的结构。在该配置中，当来自激光介质的发射光进入可饱和吸收体时，该发射光被可饱和吸收体吸收。可饱和吸收体的电子的密度按激发顺序随着发射光的吸收而逐渐增加。但是，当满足激发能级并且在一定时间点处于激发能级的电子密度饱和时，可饱和吸收体变得透明。此时，光谐振器的Q因数急剧增加，发生激光振荡，并产生激光。
附带地，例如，为了使用非线性光学晶体执行波长转换并且使用线性偏振光执行形状测量，优选地，控制和稳定从激光装置发出的激光的偏振方向。作为控制激光的偏振方向的方法，例如，上述非专利文献1至3公开了在激光介质与可饱和吸收体之间设置偏振元件的技术。
然而，当偏振元件设置在光谐振器中时，光谐振器的长度增加。这增加了脉冲宽度(即，脉冲的时间宽度增加)，减小了激光的峰值强度，或者使得难以使光谐振器本身或激光装置小型化。
作为解决该问题的方法，例如，上述专利文献1公开了一种技术，该技术将作为在三个方向上具有结晶轴的晶体的可饱和吸收体设置在光谐振器中，以相对于在彼此正交的偏振方向上的激光器发射光具有各自不同的透射率，由此在沿透射率高的结晶轴的偏振方向上引起激光振荡。
然而，在使用非晶材料作为激光介质的基材的情况下，所产生的激光具有光学各向同性，并且无法获得透射率对结晶轴的依赖性。因此，激光装置无法利用结晶轴控制例如振荡偏振方向。
此外，近年来已经开发了包括非晶材料作为基材的激光介质，并且已经改善了由激光介质产生的激光的光学特性。另外，包括非晶材料作为基材的激光介质特征在于在保持均匀的组成的同时容易增加面积。
因此，鉴于上述情况，本申请的发明人已经设计了本技术。以下以“2.本实施方式的概述”、“3.根据本实施方式的无源Q开关脉冲激光装置的配置”、“4.用作偏振元件的构件”和“5.变型例”的顺序详细描述本发明的实施方式。
<2.本实施方式的概述>
以上已经描述了本发明的背景。接下来，描述本发明的概述。
根据本实施方式的无源Q开关脉冲激光装置包括：激光介质，设置在光谐振器中包括的一对反射装置之间，并且被激发以发射光；以及可饱和吸收体，设置在光谐振器的光轴上并且在一对反射装置之间的激光介质的下游侧。可饱和吸收体吸收从激光介质发出的发射光，并具有通过吸收而增加的透射率。一对反射装置中的至少一个是偏振元件。偏振元件相对于在彼此正交的偏振方向上的发射光具有各自不同的反射率。
包括具有偏振选择功能的偏振元件的反射装置相对于在正交偏振方向上的发射光具有各自不同的反射率。这导致反射率较高的偏振方向上的发射光的激光振荡。换句话说，发射光的偏振方向由偏振元件控制，因此产生具有稳定偏振方向的激光。
在本实施方式中，一对反射装置中的至少一个是偏振元件。这允许与如以上非专利文献1至3中描述的技术那样将板型偏振元件倾斜地插入在反射装置之间的情况相比，根据本实施方式的无源Q开关脉冲激光装置缩短光谐振器的长度。结果，根据本实施方式的无源Q开关脉冲激光装置不仅能够产生具有稳定的偏振方向的脉冲激光，而且能够抑制由于光谐振器的长度的增加而引起的脉冲宽度的增加和峰值强度的减小，允许光谐振器和激光装置小型化。
应当注意，以下作为示例描述激光介质和可饱和吸收体均包括非晶材料作为基材的情况，但这不是限制性的。激光介质或可饱和吸收体可各自适当地包括晶体材料作为基材。应当注意，在激光介质包括单晶材料作为基材的情况下，必须同时考虑取决于结晶轴的透射率和偏振元件的反射率。激光振荡发生在引起较小损耗的偏振方向上。
<3.根据本实施方式的无源Q开关脉冲激光装置的配置>
以上已经描述了本实施方式的概述。接下来，参考图1，描述根据本实施方式的无源Q开关脉冲激光装置的配置。图1是图解根据本实施方式的无源Q开关脉冲激光装置的配置的示例的视图。
如图1所示，根据本实施方式的无源Q开关脉冲激光装置10包括：激光介质11，设置在包括在光谐振器中的一对反射装置12(在图1中图解为反射装置12A和反射装置12B)之间，并且被激发以发出发射光21；激发光源部13，输出用于激发激光介质11的激发光22；和可饱和吸收体14，设置在光谐振器的光轴上并且在一对反射装置12之间的激光介质11的下游侧上。可饱和吸收体14吸收从激光介质11发出的发射光21，并通过吸收而增加透射率。然后，如上所述，根据本实施方式的一对反射装置12中的一个是具有偏振选择功能的偏振元件。
这里，激发光源部13发出激发激光介质11的激发光22。更具体地，激发光源部13设置在一对反射装置12的外部，并且发出具有激发Nd3+：YAG陶瓷(例如是激光介质11)的约808nm的波长的激发光22。此外，本说明书假设激发光源部13包括：半导体激光元件，发出激发光22；以及光学系统(例如透镜)，使激发光22经由反射装置12A进入激光介质11。
应当注意的是，只要可以发出能够激发激光介质11的激发光22，激发光源部13就可以用除半导体激光元件之外的其他元件产生激发光22。另外，用于激发光源部13的材料可以是晶体材料或非晶材料。另外，只要激发光源部13允许激发光22进入激光介质11，则激发光源部13就不必包括诸如透镜之类的光学系统。
另外，如上所述，在本实施方式中，一对反射装置12中的至少一个是具有偏振选择功能的偏振元件。例如，一对反射装置12中的、设置在激发光源部13侧的反射装置12A可以是偏振元件，与反射装置12A相对设置的反射装置12B可以是偏振元件，或者反射装置12A和反射装置12B可以是偏振元件。应当注意，本说明书以反射装置12B为偏振元件的情况为例进行说明。
一对反射装置12中的、设置在激发光源部13侧的反射装置12A例如是反射镜，该反射镜透射从激发光源部13发出的具有约808nm的波长的激发光22，并且以预定的反射率反射从激光介质11发出的约1064nm的发射光21。对于反射装置12A使用反射镜仅仅是示例，并且可适当地改变反射镜。例如，包括介电多层膜的元件可用作反射装置12A。在使用介电多层膜的情况下，层的厚度通常为激光振荡波长的四分之一。层的总数为几层至几百层，并且可使用SiO2、SiN等。应当注意，以上是示例，并且作为工作示例并不限于此。
另外，如上所述，被安装为与反射装置12A相对的反射装置12B是偏振元件，其中发射光21的透射率和反射率根据偏振方向而不同。应当注意，根据本实施方式的用作偏振元件的构件没有特别限制。另外，虽然主要假设通过根据本实施方式的偏振元件实现了线性偏振光，但这不是限制性的。通过根据本实施方式的偏振元件，可实现诸如圆偏振光、椭圆偏振光和径向偏振光之类的各种偏振状态。以下详细描述根据本实施方式的用作偏振元件的构件。
例如，将Nd3+：YAG陶瓷用作激光介质11，并且激光介质11被具有约808nm的波长的激发光22激发。然后，激光介质11在从高阶跃迁至低阶时发出具有约1064nm的波长的光。应当注意，以下将从激光介质11发出的光称为发射光21。
可饱和吸收体14是包括例如Cr4+：YAG陶瓷的构件，并且特征在于随着光吸收饱和而降低光吸收率。可饱和吸收体14在无源Q开关脉冲激光装置10中用作无源Q开关。换句话说，一旦来自激光介质11的发射光21入射，可饱和吸收体14就吸收该发射光21。该吸收使可饱和吸收体14的透射率增加。然后，在激发能级的电子密度增加并且满足激发能级的情况下，可饱和吸收体14变得透明，由此增加了光谐振器的Q因数，以引起激光振荡。
作为示例，根据本实施方式的可饱和吸收体14设置在激光介质11与反射装置12B之间。应当注意，可饱和吸收体14和反射装置12B在垂直于光轴的方向上的各个端面可以彼此结合。更具体地，可饱和吸收体14和反射装置12B的各个端面通过具有透明性的结合层彼此结合。结合层的透明性允许发射光21穿过结合层并适当地引起激光振荡。
在此，将任何材料用于结合层。例如，结合层的材料可以是光固化树脂或热固性树脂，或者可以是对振荡波长具有透明性的诸如YAG、蓝宝石或金刚石之类的材料。另外，虽然结合层具有任何透射率，但是优选地，结合层的透射率相对于振荡波长为10％以上，以更有效地引起激光振荡。
<4.用作偏振元件的构件>
以上已经描述了根据本实施方式的无源Q开关脉冲激光装置10的配置。接下来，在本实施方式中，描述用于一对反射装置12中的至少一个的偏振元件的构件。
如上所述，用作根据本实施方式的偏振元件的构件没有特别限制。例如，作为根据本实施方式的偏振元件，可使用使用光子晶体的光子晶体偏振元件、使用线栅的线栅偏振元件或使用树脂材料的取向的偏振元件。
应当注意，在根据本实施方式的无源Q开关脉冲激光装置10发出高功率的激光的情况下，光谐振器内部的电场幅度较大。换句话说，在偏振元件上施加了更大的负载，因此，更优选使用可承受所需功率的偏振元件。在这方面，取决于材料、结构等，光子晶体能够对与激光振荡相关的负载表现出更高的电阻。另外，线栅特征在于吸收发射光21，而光子晶体不具有这种特性。与线栅偏振元件相比，这有利于光子晶体偏振元件实现更高的振荡效率。作为示例，描述如上所述使用光子晶体作为根据本实施方式的偏振元件的光子晶体偏振元件的情况。
应当注意，为了更有效地在期望的偏振方向上相对于发射光21引起激光振荡，优选地，光子晶体偏振元件相对于在彼此正交的偏振方向上的发射光21的反射率之间的差为1％或更大。但是，这不是限制性的。可适当地改变光子晶体偏振元件相对于在彼此正交的偏振方向上的发射光21的反射率之间的差。
另外，为了更有效地引起激光振荡并提高电阻，优选地，光子晶体偏振元件中包括的每一层光子晶体的厚度与发射光21的波长基本相同。然而，这不是限制性的。可适当地改变光子晶体的每一层的厚度。例如，光子晶体的每一层的厚度可以比发射光21的波长小(或大)预定值。
另外，为了更有效地引起激光振荡并提高电阻，优选地，层叠在光子晶体中的层数为约几个周期至数百个周期。但是，这不是限制性的。可适当地改变层叠在光子晶体中的层数。
另外，作为光子晶体的材料，例如，可使用SiO2、SiN、Si、Ta2O5或类似物。但是，这些不是限制性的。可适当地改变光子晶体的材料。
应当注意，可通过预先通过气相沉积或溅射将SiO2、Si、Nb2O5、Ta2O5、Al2O3等交替层叠在具有周期性结构的基板上来形成这种光子晶体。
<5.变型例>
以上已经描述了用作偏振元件的构件。接下来，描述本发明的变型例。
在上述实施方式中，已经描述了使用Nd3+：YAG陶瓷作为激光介质11，使用Cr4+：YAG陶瓷作为可饱和吸收体14的情况。然而，这仅是示例，并且可适当地改变激光介质11和可饱和吸收体14的组合。
然后，参考图2，描述可应用于无源Q开关脉冲激光装置10的激光介质11和可饱和吸收体14的组合作为本发明的变型例。图2是图解可应用于无源Q开关脉冲激光装置10的激光介质11和可饱和吸收体14的组合的表。
如图2所示，除了Nd3+：YAG陶瓷之外，例如，Nd：YAG(发出具有约1064nm的波长的发射光21)、Nd：YVO4(发出具有约1064nm的波长的发射光21)、或Yb：YAG(发出具有约1030nm或1050nm的波长的发射光21)可用作激光介质11。
应当注意，在将Nd：YAG、Nd：YVO4或Yb：YAG用作激光介质11的情况下，Cr：YAG或SESAM(半导体可饱和吸收反射镜)或类似物可用作可饱和吸收体14。
另外，Er玻璃(发出具有约1540nm的波长的发射光21)可用作激光介质11。应当注意，在Er玻璃用作激光介质11的情况下，Co：MALO、Co2+：LaMgAl、U2+：CaF2、Er3+：CaF2或类似物可用作可饱和吸收体14。
<6.结论>
根据本实施方式的无源Q开关脉冲激光装置10包括：激光介质11，设置在包括在光谐振器中的一对反射装置12之间，并且被激发以发出发射光21；和可饱和吸收体14，设置在光谐振器的光轴上并且在一对反射装置12之间的激光介质11的下游侧上。可饱和吸收体14吸收从激光介质11发出的发射光21，并具有通过吸收而增加的透射率。一对反射装置12中的至少一个是偏振元件。与在反射装置12之间插入偏振元件的情况相比，这缩短了光谐振器的长度。因此，根据本实施方式的无源Q开关脉冲激光装置10不仅能够产生具有稳定的偏振方向的脉冲激光，而且还抑制了由光谐振器的长度增加而引起的脉冲宽度的增加和峰值强度的减小，允许光谐振器和激光装置小型化。
应当注意，根据本实施方式的无源Q开关脉冲激光装置10可应用于各种设备、系统和类似物。例如，根据本实施方式的无源Q开关脉冲激光装置10可应用于用于处理金属、半导体、电介质、树脂、活体或类似物的设备、用于LIDAR的设备(光检测和测距或激光成像检测和测距)、用于LIBS(激光诱导击穿光谱法)的设备、用于眼内屈光手术的设备(例如LASIK或类似物)、用于LIDAR的用于观察诸如深度感测或气溶胶之类的大气的设备，或类似物。应当注意，应用根据本实施方式的无源Q开关脉冲激光装置10的设备不限于以上所述。
在将根据本实施方式的无源Q开关脉冲激光装置10应用于处理设备或医疗设备的情况下，可采用例如如图3所示的以下配置，其中根据本实施方式的无源Q开关脉冲激光装置10用作激光光源，通过控制驱动器控制快门、反射镜和功率调节机构，并通过使用聚光镜来照射自动载物台上的目标。
以上已经参考附图详细描述了本发明的优选实施方式，但是本发明的技术范围不限于这样的实施方式。本领域技术人员可在随附权利要求的范围内找到各种变更和修改，并且应当理解，它们将自然地落入本发明的技术范围内。
此外，本文描述的效果仅是说明性和示例性的，而不是限制性的。也就是说，除了上述效果或者代替上述效果，根据本发明的技术还可根据本文的描述产生对于本领域技术人员显而易见的其他效果。
应当注意，以下配置也落入本发明的技术范围内。
(1)
一种无源Q开关脉冲激光装置，包括：
激光介质，设置在构成光谐振器的一对反射装置之间，所述激光介质被特定的激发光激发而发出发射光；和
可饱和吸收体，设置在所述光谐振器的光轴上，并且在所述一对反射装置之间的所述激光介质的下游侧上，所述可饱和吸收体伴随着所述发射光的吸收而透射率增加，
所述一对反射装置中的至少一个是偏振元件，所述偏振元件相对于彼此正交的偏振方向上的发射光具有各自不同的反射率。
(2)
根据(1)所述的无源Q开关脉冲激光装置，其中所述可饱和吸收体包括非晶材料。
(3)
根据(1)或(2)的任一项所述的无源Q开关脉冲激光装置，其中设置在所述可饱和吸收体的下游侧的反射装置是所述偏振元件，并且所述偏振元件与所述可饱和吸收体结合。
(4)
根据(3)所述的无源Q开关脉冲激光装置，其中在所述偏振元件与所述可饱和吸收体之间具有结合层。
(5)
根据(4)所述的无源Q开关脉冲激光装置，其中所述结合层透射所述发射光。
(6)
根据(1)至(5)的任一项所述的无源Q开关脉冲激光装置，其中所述偏振元件是由无机材料的周期性结构来构成的光子晶体。
(7)
根据(1)至(5)的任一项所述的无源Q开关脉冲激光装置，其中所述偏振元件是线栅偏振元件。
(8)
根据(1)至(5)的任一项所述的无源Q开关脉冲激光装置，其中所述偏振元件是利用树脂材料的取向的偏振元件。
(9)
一种加工设备，包括无源Q开关脉冲激光装置和发射激发光的激发光源部，
所述加工设备通过从所述无源Q开关脉冲激光装置发出的发射光来处理工件，
所述无源Q开关脉冲激光装置包括：
激光介质，所述激光介质设置在构成光谐振器的一对反射装置之间，并且被特定的激发光激发而发出发射光；和
可饱和吸收体，所述可饱和吸收体设置在所述光谐振器的光轴上，且在所述一对反射装置之间的所述激光介质的下游侧上，并且伴随着所述发射光的吸收而透射率增加，
所述一对反射装置中的至少一个是偏振元件，所述偏振元件相对于彼此正交的偏振方向上的发射光具有各自不同的反射率。
(10)
一种医疗设备，包括无源Q开关脉冲激光装置和发射激发光的激发光源部，所述医疗设备通过从所述无源Q开关脉冲激光装置发出的发射光照射活体部位，
所述无源Q开关脉冲激光装置，包括：
激光介质，所述激光介质设置在构成光谐振器的一对反射装置之间，并且被特定的激发光激发而发出发射光；和
可饱和吸收体，所述可饱和吸收体设置在所述光谐振器的光轴上，且在所述一对反射装置之间的所述激光介质的下游侧上，并且伴随着所述发射光的吸收而透射率增加，
所述一对反射装置中的至少一个是偏振元件，所述偏振元件相对于彼此正交的偏振方向上的发射光具有各自不同的反射率。
附图标记列表
10：无源Q开关脉冲激光装置
11：激光介质
12：反射装置
13：激发光源部
14：可饱和吸收体

Claims (10)

1.一种无源Q开关脉冲激光装置，包括：
激光介质，设置在构成光谐振器的一对反射装置之间，所述激光介质被特定的激发光激发而发出发射光；和
可饱和吸收体，设置在所述光谐振器的光轴上，并且在所述一对反射装置之间的所述激光介质的下游侧上，所述可饱和吸收体伴随着所述发射光的吸收而透射率增加，
所述一对反射装置中的至少一个是偏振元件，所述偏振元件相对于彼此正交的偏振方向上的发射光具有各自不同的反射率。
2.根据权利要求1所述的无源Q开关脉冲激光装置，其中所述可饱和吸收体包括非晶材料。
3.根据权利要求1所述的无源Q开关脉冲激光装置，其中设置在所述可饱和吸收体的下游侧的反射装置是所述偏振元件，并且所述偏振元件与所述可饱和吸收体结合。
4.根据权利要求3所述的无源Q开关脉冲激光装置，其中在所述偏振元件与所述可饱和吸收体之间具有结合层。
5.根据权利要求4所述的无源Q开关脉冲激光装置，其中所述结合层透射所述发射光。
6.根据权利要求1所述的无源Q开关脉冲激光装置，其中所述偏振元件是由无机材料的周期性结构来构成的光子晶体。
7.根据权利要求1所述的无源Q开关脉冲激光装置，其中所述偏振元件是线栅偏振元件。
8.根据权利要求1所述的无源Q开关脉冲激光装置，其中所述偏振元件是利用树脂材料的取向的偏振元件。
9.一种加工设备，包括无源Q开关脉冲激光装置和发射激发光的激发光源部，
所述加工设备通过从所述无源Q开关脉冲激光装置发出的发射光来处理工件，
所述无源Q开关脉冲激光装置包括：
激光介质，所述激光介质设置在构成光谐振器的一对反射装置之间，并且被特定的激发光激发而发出发射光；和
可饱和吸收体，所述可饱和吸收体设置在所述光谐振器的光轴上，且在所述一对反射装置之间的所述激光介质的下游侧上，并且伴随着所述发射光的吸收而透射率增加，
所述一对反射装置中的至少一个是偏振元件，所述偏振元件相对于彼此正交的偏振方向上的发射光具有各自不同的反射率。
10.一种医疗设备，包括无源Q开关脉冲激光装置和发射激发光的激发光源部，所述医疗设备通过从所述无源Q开关脉冲激光装置发出的发射光照射活体部位，
所述无源Q开关脉冲激光装置，包括：
激光介质，所述激光介质设置在构成光谐振器的一对反射装置之间，并且被特定的激发光激发而发出发射光；和
可饱和吸收体，所述可饱和吸收体设置在所述光谐振器的光轴上，且在所述一对反射装置之间的所述激光介质的下游侧上，并且伴随着所述发射光的吸收而透射率增加，
所述一对反射装置中的至少一个是偏振元件，所述偏振元件相对于彼此正交的偏振方向上的发射光具有各自不同的反射率。
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