CN110725007A - 一种高效碳化硅晶片制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种高效碳化硅晶片制备方法，所述制备方法包括原料混合，将碳和二氧化硅作为原料按照一定的比例配料，然后加入合适比例的催化剂进行混合，充分搅拌均匀，高温加热，将步骤（1）中混合均匀的混合料进行高温加热，操作结束后制备粗碳化硅晶片，过滤除杂，将步骤（2）中原料进行过滤除杂，得到碳化硅晶片，备用，研磨，将步骤（3）中的碳化硅晶片进行研磨，备用，抛光提高质量，将步骤（4）中碳化硅晶片进行抛光，得到高质量碳化硅晶片。该种高效碳化硅晶片制备方法，制备方法较为简单，成本较低，提高碳化硅晶片的生产量，提高碳化硅晶片的生产效率，便于将制备的碳化硅晶片进行批量研磨，适合推广使用。

Description

一种高效碳化硅晶片制备方法
技术领域
本发明涉及一种高效碳化硅晶片制备方法，具体为一种高效碳化硅晶片制备方法，属于高效碳化硅晶片制备应用技术领域。
背景技术
碳化硅晶片的主要应用领域有LED固体照明和高频率器件。该材料具有高出传统硅数倍的禁带、漂移速度、击穿电压、热导率、耐高温等优良特性，在高温、高压、高频、大功率、光电、抗辐射、微波性等电子应用领域和航天、军工、核能等极端环境应用有着不可替代的优势。国内独家碳化硅单晶供应商，在研发、技术、市场开发及商业运作等方面处绝对领先地位，已成功掌握76mm（3英寸）超大宝石级SiC2晶体生长核心技术工艺，达到国际2001年先进水平。
现有碳化硅晶片在制备过程中存在很多问题，如现有碳化硅晶片在制造过程中，碳化硅晶片制备效率较低，同时制备碳化硅晶片的质量较差，同时碳化硅晶片的制备产量较低，影响使用。因此，针对上述问题提出一种高效碳化硅晶片制备方法。
发明内容
本发明的发明目的就在于为了解决上述问题而提供一种高效碳化硅晶片制备方法。
本发明通过以下技术方案来实现上述目的，一种高效碳化硅晶片制备方法，所述制备方法包括如下步骤：
（1）原料混合，将碳和二氧化硅作为原料按照一定的比例配料，然后加入合适比例的催化剂进行混合，充分搅拌均匀；
（2）高温加热，将步骤（1）中混合均匀的混合料进行高温加热，操作结束后制备粗碳化硅晶片；
（3）过滤除杂，将步骤（2）中原料进行过滤除杂，得到碳化硅晶片，备用；
（4）研磨，将步骤（3）中的碳化硅晶片进行研磨，备用；
（5）抛光提高质量，将步骤（4）中碳化硅晶片进行抛光，得到高质量碳化硅晶片。
优选的，所述步骤（1）碳和二氧化硅通过工作者挑选无其他杂质，然后定量称取后备用。
优选的，所述步骤（1）通过电子秤对碳和二氧化硅进行称量，节省称量时间。
优选的，优选的，所述步骤（2）中加热温度为500摄氏度到700摄氏度，恒温加热6h到10h。
优选的，所述步骤（1）中催化剂采用硼酸、氧化铁、氯化钴、硝酸、镍等。
优选的，所述步骤（3）中通过过滤除杂设备将过多的碳和二氧化硅物质进行过滤，集中处理。
优选的，所述步骤（4）中通过研磨设备对过滤的粗碳化硅晶片表面进行研磨去毛刺。
优选的，所述步骤（5）中抛光采用抛光设备对研磨后的碳化硅晶片进行直接抛光，抛光废屑集中收集处理，抛光过程中采用钻石抛光液进行辅助抛光。
优选的，所述步骤（5）中抛光后的碳化硅晶片存放干燥密封箱内。
本发明的有益效果是：该种高效碳化硅晶片制备方法，制备方法较为简单，成本较低，提高碳化硅晶片的生产量，提高碳化硅晶片的生产效率，便于将制备的碳化硅晶片进行批量研磨，提高碳化硅晶片的制备效率，便于工作者加工后的碳化硅集中放置，具有良好的市场前景，适合推广使用。
附图说明
图1为本发明的方法流程图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例一：
一种高效碳化硅晶片制备方法，所述制备方法包括如下步骤：
（1）原料混合，将碳和二氧化硅作为原料按照一定的比例配料，然后加入合适比例的催化剂进行混合，充分搅拌均匀；
（2）高温加热，将步骤（1）中混合均匀的混合料进行高温加热，操作结束后制备粗碳化硅晶片；
（3）过滤除杂，将步骤（2）中原料进行过滤除杂，得到碳化硅晶片，备用；
（4）研磨，将步骤（3）中的碳化硅晶片进行研磨，备用；
（5）抛光提高质量，将步骤（4）中碳化硅晶片进行抛光，得到高质量碳化硅晶片。
优选的，所述步骤（1）碳和二氧化硅通过工作者挑选无其他杂质，然后定量称取后备用。
优选的，所述步骤（1）通过电子秤对碳和二氧化硅进行称量，节省称量时间。
优选的，优选的，所述步骤（2）中加热温度为500摄氏度到550摄氏度，恒温加热6h到7h。
优选的，所述步骤（1）中催化剂采用硼酸、氧化铁、氯化钴、硝酸、镍等。
优选的，所述步骤（3）中通过过滤除杂设备将过多的碳和二氧化硅物质进行过滤，集中处理。
优选的，所述步骤（4）中通过研磨设备对过滤的粗碳化硅晶片表面进行研磨去毛刺。
优选的，所述步骤（5）中抛光采用抛光设备对研磨后的碳化硅晶片进行直接抛光，抛光废屑集中收集处理，抛光过程中采用钻石抛光液进行辅助抛光。
优选的，所述步骤（5）中抛光后的碳化硅晶片存放干燥密封箱内。
上述制备方法适用于小批量碳化硅晶片的生产。
实施例二：
一种高效碳化硅晶片制备方法，所述制备方法包括如下步骤：
（1）原料混合，将碳和二氧化硅作为原料按照一定的比例配料，然后加入合适比例的催化剂进行混合，充分搅拌均匀；
（2）高温加热，将步骤（1）中混合均匀的混合料进行高温加热，操作结束后制备粗碳化硅晶片；
（3）过滤除杂，将步骤（2）中原料进行过滤除杂，得到碳化硅晶片，备用；
（4）研磨，将步骤（3）中的碳化硅晶片进行研磨，备用；
（5）抛光提高质量，将步骤（4）中碳化硅晶片进行抛光，得到高质量碳化硅晶片。
优选的，所述步骤（1）碳和二氧化硅通过工作者挑选无其他杂质，然后定量称取后备用。
优选的，所述步骤（1）通过电子秤对碳和二氧化硅进行称量，节省称量时间。
优选的，优选的，所述步骤（2）中加热温度为550摄氏度到600摄氏度，恒温加热7h到8h。
优选的，所述步骤（1）中催化剂采用硼酸、氧化铁、氯化钴、硝酸、镍等。
优选的，所述步骤（3）中通过过滤除杂设备将过多的碳和二氧化硅物质进行过滤，集中处理。
优选的，所述步骤（4）中通过研磨设备对过滤的粗碳化硅晶片表面进行研磨去毛刺。
优选的，所述步骤（5）中抛光采用抛光设备对研磨后的碳化硅晶片进行直接抛光，抛光废屑集中收集处理，抛光过程中采用钻石抛光液进行辅助抛光。
优选的，所述步骤（5）中抛光后的碳化硅晶片存放干燥密封箱内。
上述制备方法适用于大批量碳化硅晶片的生产。
实施例三：
一种高效碳化硅晶片制备方法，所述制备方法包括如下步骤：
（1）原料混合，将碳和二氧化硅作为原料按照一定的比例配料，然后加入合适比例的催化剂进行混合，充分搅拌均匀；
（2）高温加热，将步骤（1）中混合均匀的混合料进行高温加热，操作结束后制备粗碳化硅晶片；
（3）过滤除杂，将步骤（2）中原料进行过滤除杂，得到碳化硅晶片，备用；
（4）研磨，将步骤（3）中的碳化硅晶片进行研磨，备用；
（5）抛光提高质量，将步骤（4）中碳化硅晶片进行抛光，得到高质量碳化硅晶片。
优选的，所述步骤（1）碳和二氧化硅通过工作者挑选无其他杂质，然后定量称取后备用。
优选的，所述步骤（1）通过电子秤对碳和二氧化硅进行称量，节省称量时间。
优选的，优选的，所述步骤（2）中加热温度为600摄氏度到700摄氏度，恒温加热8h到10h。
优选的，所述步骤（1）中催化剂采用硼酸、氧化铁、氯化钴、硝酸、镍等。
优选的，所述步骤（3）中通过过滤除杂设备将过多的碳和二氧化硅物质进行过滤，集中处理。
优选的，所述步骤（4）中通过研磨设备对过滤的粗碳化硅晶片表面进行研磨去毛刺。
优选的，所述步骤（5）中抛光采用抛光设备对研磨后的碳化硅晶片进行直接抛光，抛光废屑集中收集处理，抛光过程中采用钻石抛光液进行辅助抛光。
优选的，所述步骤（5）中抛光后的碳化硅晶片存放干燥密封箱内。
上述热转印方法适用于碳化硅晶片均匀的生产。
对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。

Claims (10)

1.一种高效碳化硅晶片制备方法，其特征在于：所述制备方法包括如下步骤：
（1）原料混合，将碳和二氧化硅作为原料按照一定的比例配料，然后加入合适比例的催化剂进行混合，充分搅拌均匀；
（2）高温加热，将步骤（1）中混合均匀的混合料进行高温加热，操作结束后制备粗碳化硅晶片；
（3）过滤除杂，将步骤（2）中原料进行过滤除杂，得到碳化硅晶片，备用；
（4）研磨，将步骤（3）中的碳化硅晶片进行研磨，备用；
（5）抛光提高质量，将步骤（4）中碳化硅晶片进行抛光，得到高质量碳化硅晶片。
2.根据权利要求1所述的一种高效碳化硅晶片制备方法，其特征在于：所述步骤（1）碳和二氧化硅通过工作者挑选无其他杂质，然后定量称取后备用。
3.根据权利要求1所述的一种高效碳化硅晶片制备方法，其特征在于：所述步骤（1）通过电子秤对碳和二氧化硅进行称量，节省称量时间。
4.根据权利要求1所述的一种高效碳化硅晶片制备方法，其特征在于：所述步骤（1）通过搅拌设备进行充分均匀搅拌，搅拌时间在30min。
5.根据权利要求1所述的一种高效碳化硅晶片制备方法，其特征在于：所述步骤（2）中加热温度为500摄氏度到700摄氏度，恒温加热6h到10h。
6.根据权利要求1所述的一种高效碳化硅晶片制备方法，其特征在于：所述步骤（1）中催化剂采用硼酸、氧化铁、氯化钴、硝酸、镍等。
7.根据权利要求1所述的一种高效碳化硅晶片制备方法，其特征在于：所述步骤（3）中通过过滤除杂设备将过多的碳和二氧化硅物质进行过滤，集中处理。
8.根据权利要求1所述的一种高效碳化硅晶片制备方法，其特征在于：所述步骤（4）中通过研磨设备对过滤的粗碳化硅晶片表面进行研磨去毛刺。
9.根据权利要求1所述的一种高效碳化硅晶片制备方法，其特征在于：所述步骤（5）中抛光采用抛光设备对研磨后的碳化硅晶片进行直接抛光，抛光废屑集中收集处理，抛光过程中采用钻石抛光液进行辅助抛光。
10.根据权利要求1所述的一种高效碳化硅晶片制备方法，其特征在于：所述步骤（5）中抛光后的碳化硅晶片存放干燥密封箱内。
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1831213A (zh) * 2005-03-10 2006-09-13 戴长虹 碳化硅晶片的制备方法
CN102107391A (zh) * 2009-12-24 2011-06-29 北京天科合达蓝光半导体有限公司 一种SiC单晶晶片的加工方法
CN104551900A (zh) * 2014-12-10 2015-04-29 盐城工学院 碳化硅晶片斜面磨削、研磨和抛光机及其操作方法
JP2015157737A (ja) * 2014-02-25 2015-09-03 太平洋セメント株式会社 炭化珪素粉末の製造方法
CN105734673A (zh) * 2016-04-26 2016-07-06 北京世纪金光半导体有限公司 一种获得大尺寸碳化硅单晶片高加工精度的方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1831213A (zh) * 2005-03-10 2006-09-13 戴长虹 碳化硅晶片的制备方法
CN102107391A (zh) * 2009-12-24 2011-06-29 北京天科合达蓝光半导体有限公司 一种SiC单晶晶片的加工方法
JP2015157737A (ja) * 2014-02-25 2015-09-03 太平洋セメント株式会社 炭化珪素粉末の製造方法
CN104551900A (zh) * 2014-12-10 2015-04-29 盐城工学院 碳化硅晶片斜面磨削、研磨和抛光机及其操作方法
CN105734673A (zh) * 2016-04-26 2016-07-06 北京世纪金光半导体有限公司 一种获得大尺寸碳化硅单晶片高加工精度的方法

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