CN110718851A - 光学组件 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种光学组件,该光学组件包括:LD(激光二极管),其发射激光束;载体,其上安装有LD和热敏电阻;光检测器,其检测从LD输出的激光束;TEC(温度调节元件),其上安装有该载体和该光检测器;机壳,其具有由壁部界定的盒状形状,盒状形状形成其中封装有LD、TEC和光检测器的空间,其中,至少壁部具有窗口,并且热敏电阻布置在LD与光检测器之间。
Description
技术领域
本发明涉及一种光学组件。
背景技术
日本未经审查的专利公开No.2015-68854描述了光学元件和光学监测器。光学元件包括分光器、具有彼此不同的光路长度的两个波导、将经过两个波导的光束组合的光组合单元。分光器将进入光学元件的光束分开,并且使两个分开的光束进入两个波导。光组合单元将两个光束组合,并且输出两个光信号,这两个光信号均具有与进入光学元件的输入光束的光强度不同的光强度,并且这两个光信号之间具有相位差。
日本未审查专利公开No.2017-135252描述了包括波长可调谐激光二极管(LD)的光发射组件。波长可调谐LD输出来自一个光发射表面的输出光束,以及来自另一光发射表面的输出光束。在来自一个光发射表面的输出光束的光路上,设置有准直透镜、偏振分束器和反射滤波器。在来自另一光发射表面的输出光束的光路上,设置有准直透镜、偏振光学系统、半反射镜和标准具滤波器。标准具滤波器用作检测输出光束的波长检测单元。
发明内容
根据一个方面的光学组件包括:载体,其安装有温度检测元件和构造为发射激光束的波长可调谐激光器元件;光学检测元件,其构造为检测从波长可调谐激光器元件输出的激光束;温度调节元件,其安装有该载体和该光学检测元件;以及壳体,其容纳温度调节元件,并且具有窗口部,激光束通过窗口部输出。温度检测元件布置在波长可调谐激光器元件与光学检测元件之间。
附图说明
图1是示出根据本发明的实施例的光学组件的内部结构的平面图;
图2是图1中的光学组件的侧剖视图;
图3是示意性地示出图1中的光学组件的波长可调谐激光器元件的横截面的示图;
图4是示意性地示出图1中的光学组件的光学检测元件的构造的示图;
图5是示意性地示出图1中的光学组件的构件的布置的平面图;
图6是示意性地示出图1中的光学组件的构件的布置的侧剖视图;
图7是示意性地示出参考实例的光学组件的构件的布置的平面图;以及
图8是示意性地示出参考实例的光学组件的构件的布置的竖直剖视图。
具体实施方式
在光学组件中,需要减小尺寸。诸如波长可调谐LD等上述波长可调谐激光器元件是光学组件中可能的发热源。因此,光学组件包括TEC(温度调节元件),TEC调节波长可调谐激光器元件以及诸如热敏电阻等温度检测元件的温度。在该光学组件中,布置在与波长可调谐激光器元件相邻的位置处的温度检测元件检测温度,并且TEC根据温度检测元件检测到的温度控制温度。因此,使波长可调谐激光器元件的温度恒定不变,并且实现波长可调谐激光器元件的稳定运行。
然而,在光学组件内部,取决于与可能作为发热源的波长可调谐激光器元件的距离而产生温度偏差。该偏差由于外部环境的温度影响而进一步扩大。因此,例如,在波长可调谐激光器元件过度发热的状态下,TEC执行冷却,从而抑制波长可调谐激光器元件过度发热。因此,在与波长可调谐激光器元件分离的位置处,该状态为过冷状态,并且该温度有时下降。在外部环境的温度低于为TEC设定的温度的情况下,该温度偏差进一步增加。
有时使用硅基波长锁定器芯片作为光学检测元件,诸如上述波长检测单元等。光学检测元件有时布置在远离波长可调谐激光器元件和温度检测元件的位置处。在光学检测元件如此布置在远离波长可调谐激光器元件和温度检测元件的位置处的情况下,如上文所述存在温度偏差,并且因此温度检测元件检测到的温度与光学检测元件的实际温度之间的偏离可能增加。在光学检测元件为上述波长锁定器芯片的情况下,当温度之间的偏离如上文所述那样大时,硅的折射率对温度的依赖性起作用,可能导致特性的变化。由于波长锁定器芯片的特性变化可能导致波长可调谐激光器元件的振荡波长的偏移,因此该变化容易妨碍波长可调谐激光器元件的稳定运行。
本发明的目的是提供可以实现尺寸减小并且可以稳定运行波长可调谐激光器元件的光学组件。
根据本发明,可以实现尺寸减小,并且可以稳定地运行波长可调谐激光器元件。
[本发明的实施例的描述]
首先,将以列举的方式描述本发明的实施例的内容。根据实施例的光学组件包括:芯片载体,其安装有温度检测元件和构造为发射激光束的波长可调谐激光器元件;光学检测元件,其构造为检测从波长可调谐激光器元件输出的激光束;温度调节元件,其安装有该芯片载体和该光学检测元件;以及壳体,其容纳温度调节元件,并且具有窗口部,激光束通过窗口部输出。温度检测元件布置在波长可调谐激光器元件与光学检测元件之间。
该光学组件包括:芯片载体,其安装有波长可调谐激光器元件和温度检测元件;光学检测元件;以及温度调节元件,其安装有该芯片载体和该光学检测元件。温度检测元件布置在波长可调谐激光器元件与光学检测元件之间,并且因此光学检测元件可以布置在与波长可调谐激光器元件和温度检测元件相邻的位置处。因此,可以使温度检测元件检测到的温度与光学检测元件的实际温度之间的偏离较小,并且因此可以限制由于温度依赖性导致的光学检测元件的特性的变化。因此,可以限制波长可调谐激光器元件的振荡波长的偏移,并且因此可以稳定地运行波长可调谐激光器元件。光学检测元件布置在与波长可调谐激光器元件和温度检测元件相邻的位置处,并且因此可以紧凑地布置光学组件内的元件。因此,紧凑地布置元件,并且因此可以实现光学组件的尺寸减小。
光学检测元件可以由硅基半导体材料制成。在这种情况下,如上文所述,光学检测元件布置在与波长可调谐激光器元件和温度检测元件相邻的位置处,并且因此限制温度之间的偏离,并且可以减小光学检测元件中硅的折射率的特性的变化。因此,即使光学检测元件和波长可调谐激光器元件布置在一个温度调节元件上,也可以稳定地运行波长可调谐激光器元件。
上述光学组件还可以包括分束器,分束器构造为将从波长可调谐激光器元件输出的激光束向与激光束的输出方向相反的方向引导。在这种情况下,从波长可调谐激光器元件输出的激光束通过分束器朝向与输出方向相反的方向。激光束朝向与输出方向相反的方向,并且因此可以使光学组件内被激光束的光路占据的区域较小。因此,可以进一步减小光学组件的尺寸。通过分束器而朝向相反方向的激光束被输入至光学检测元件,并且因此光学检测元件可以布置在与波长可调谐激光器元件相邻的位置处。因此,可以使光学检测元件的位置靠近波长可调谐激光器元件的位置。
还可以包括位于波长可调谐激光器元件与分束器之间的隔离器。在这种情况下,波长可调谐激光器元件与分束器之间的区域可以有效地用作布置隔离器的区域。
[本申请的公开内容的实施例的细节]
在下文中,将参考附图描述根据本申请的公开内容的光学组件的具体实例。应注意的是,本发明不限于下述实例,并且旨在包括权利要求的等同范围内的全部变型。在附图的说明中,以相同的附图标记表示相同或相应的构件,并适当地省略重复描述。为了容易理解,有时部分地简化或夸大附图,并且尺寸和比率例如不限于附图上所描述的尺寸和比率。
图1是示出根据实施例的光学组件1的内部结构的示图。图2是示出光学组件1的横截面的示图。如图1和图2所示,光学组件1包括壳体2(机壳),壳体2具有位于壳体2的前侧的第一面2a、位于壳体2的后侧的第二面2b、将第一面2a和第二面2b连接起来的一对侧面2c和2d。在壳体2的内部空间中,安装有光学组件1的构件,并且利用盖部将壳体2气密密封。壳体2具有由各壁部界定的盒状形状,盒状形状形成其中封装有LD、TEC和光检测器的空间。
光学组件1包括作为半导体激光器的波长可调谐激光器元件10。波长可调谐激光器元件10为波长可调谐激光二极管(LD)。波长可调谐激光器元件10安装在由第一面2a、第二面2b和一对侧面2c和2d限定的壳体2的内部空间中。波长可调谐激光器元件10从作为一个光发射表面的前表面11发射激光束L1。
在壳体2的第一面2a上,设置有光输出端口3。在壳体2的侧面2c上,光学组件1包括诸如引线脚等电连接端子4,电连接端子4与光学组件1的外部电通信。在电连接端子4处所处理的信号基本上是DC信号,DC信号例如是电源信号、偏压信号或GND信号。侧面2c和2d彼此平行地从设置有光输出端口3的第一面2a向后侧延伸。例如,光学组件1在第二面2b和侧面2d上不具有电连接端子4,并且第二面2b和侧面2d是不具有外部突出部分的平坦部。如上文所述,提供不具有外部突出部分的第二面2b和侧面2d,因此可以抑制壳体2的尺寸,从而有助于光学组件1的尺寸的减小。
除波长可调谐激光器元件10之外,光学组件1还包括第一透镜13、隔离器14、分束器15、移束器(beam shifter)16、第二透镜17、温度检测元件18和光学检测元件(光检测器)20。光学组件1还包括:芯片载体31,其安装有波长可调谐激光器元件10和温度检测元件18;第一基体32,其安装有第一透镜13、隔离器14、第二透镜17、光学检测元件20和芯片载体31;TEC 33(温度调节元件),其安装有第一基体32;以及第二基体34,其安装有分束器15和移束器16。
壳体2容纳有TEC 33。波长可调谐激光器元件10例如布置在壳体2的沿宽度方向的中央,并且在壳体2的沿纵向的后侧(在光输出端口3的相反侧)。在要从波长可调谐激光器元件10输出的激光束L1的光路上,设置有第一透镜13、隔离器14和分束器15。波长可调谐激光器元件10具有沿特定方向伸长的形状。波长可调谐激光器元件10相对于第一透镜13的光轴以不是0°或90°的有效角度倾斜地安装。
波长可调谐激光器元件10倾斜地布置,使得波长可调谐激光器元件10从激光束L1的光轴朝向温度检测元件18侧。波长可调谐激光器元件10相对于激光束L1的光轴的倾斜角例如为20°以上且60°以下。尽管激光束L1沿与第一透镜13的光轴平行的方向输出,但波长可调谐激光器元件10相对于激光束L1的光轴倾斜地布置,并且因此抑制激光束L1返回到波长可调谐激光器元件10。即,上述倾斜角为20°以上且60°以下的角度,并且因此可以抑制从波长可调谐激光器元件10输出的激光束L1被反射并返回到波长可调谐激光器元件10。将在后文中详细描述波长可调谐激光器元件10的构造。
第一透镜13是将来自波长可调谐激光器元件10的激光束L1从发散光束转换为准直光的准直透镜。隔离器14使来自第一透镜13的激光束L1通过,并且分束器15分离激光束L1。分束器15具有第一反射平面15a和第二反射平面15b,第一反射平面15a设置有透过和反射激光束L1的分束器膜,并且第二反射平面15b设置有全反射膜。
第一反射平面15a和第二反射平面15b都相对于来自波长可调谐激光器元件10的激光束L1的光轴倾斜,并且第一反射平面15a和第二反射平面15b相对于激光束L1的光轴的倾斜角都被精确地确定。分束器15形成这样的截棱锥形状:其中从在平面图中为矩形形状的元件中去除了在平面图中具有直角三角形形状的三角形棱柱。如上所述,分束器15形成为去除了三角形棱柱的截棱锥形状,因此可以降低分束器15的成本。
透过分束器15的第一反射平面15a的激光束L2耦合到移束器16,并且从第一反射平面15a反射的激光束L3从第二反射平面15b反射,朝向与激光束L1的输出方向(前侧)相反的方向(后侧),并且耦合到第二透镜17。即,分束器15具有使激光束L1以180°的角度返回的功能。移束器16布置在分束器15与光输出端口3之间,并且设置为吸收激光束L2的光轴的水平高度(horizontal level)差。
移束器16补偿从分束器15输出的激光束L2的光轴与光输出端口3之间的水平高度。移束器16布置在分束器15与光输出端口3之间,并且因此可以调节来自分束器15的激光束L2的光轴到光输出端口3的水平高度。壳体2在第一面2a上具有窗口2f,激光束L2通过窗口2f输出,并且激光束L2通过窗口2f和光输出端口3发射至光学组件1的外部。另一方面,被第一反射平面15a反射的光束L3在第二透镜17处聚集,并且进入光学检测元件20。
温度检测元件18是检测温度的热敏电阻,并且TEC 33根据温度检测元件18检测到的温度控制波长可调谐激光器元件10和光学检测元件20的温度。光学检测元件20是波长检测元件,波长检测元件检测从波长可调谐激光器元件10输出的激光束L1的波长。光学检测元件20例如由硅基半导体材料制成,并且是内部具有分光功能的波长锁定器芯片。光学检测元件20可以由InP(磷化铟)基半导体材料制成,并且可以包括例如具有光接收功能的光接收元件。将在后文中详细描述光学检测元件20的构造。
光输出端口3包括:尾纤构件5,其结合有具有插头的保偏光纤;保持件6,其保持尾纤构件5;以及透镜架8,其保持透镜。光输出端口3利用尾纤构件5与保偏光纤尾纤连接。例如通过熔透型焊接法实现尾纤构件5在光轴方向上的对准。通过使尾纤构件5熔透穿过保持件6来执行尾纤构件5的光学对准。尾纤构件5通过YAG焊固定至保持件6,并且因此在高强度的情况下可以高精度地执行对准。通过角焊法可以将保持件6固定至透镜架8,并且可以将透镜架8固定至壳体2。
接下来,将参考图3详细描述波长可调谐激光器元件10。图3是示出波长可调谐激光器元件10的截面结构的示图。波长可调谐激光器元件10包括SG-DFG 10b(取样光栅分布反馈器)、CSG-DBR 10c(啁啾取样光栅分布式布拉格反射器)、SOA 10a和10d(半导体光放大器)。
SG-DFG 10b和CSG-DBR 10c形成谐振器。该谐振器选择一个波长。SG-DFG 10b具有增益和取样光栅。CSG-DBR 10c具有取样光栅。SG-DFG 10b具有叠层结构,其中,包括取样光栅的下覆层43、光波导层44和上覆层45层叠在基板42上。CSG-DBR 10c具有叠层结构,其中,包括取样光栅的下覆层43、光波导层54、上覆层45、绝缘膜46和多个加热器47层叠在基板42上。
加热器47各自设置有供电电极48和接地电极49。SOA 10a具有这样的结构:其中,下覆层43、有源层55、上覆层45、接触层50和电极51层叠在基板42上。SOA 10d具有这样的叠层结构:其中,下覆层43、有源层56、上覆层45、接触层52和电极53层叠在基板42上。
光波导层44具有这样的结构:有源层44a和波导层44b沿光传播方向交替排列。在位于波导层44b上的上覆层45上,通过(隔着)绝缘膜46设置有加热器58。
在SG-DFG 10b和CSG-DBR 10c上,作为取样衍射光栅的取样光栅(SG)57形成在下覆层43中,SG 57以预定间隔离散地形成。SG-DFG 10b具有增益区域A1和调制区域A2。在增益区域A1中,将载流子从布置在上方的电极注入到有源层44a。因此,SG-DFG 10b具有光增益。
另一方面,在调制区域A2中,加热器58包括在上部中,并且通过向加热器58通电来改变波导层44b的温度。SG 57由具有衍射光栅的区域以及在具有衍射光栅的区域之间的无衍射光栅的区域构成,并且示出了光学增益光谱,其中在整个增益区域A1和调制区域A2中以等间隔出现多个峰值。改变给予加热器58的电能以改变波导层44b的折射率,并且因此可以改变峰值的波长和间隔。
CSG-DBR 10c具有三个区段A3、A4和A5。区段A3、A4和A5均具有独立地驱动的加热器47和SG 57。利用SG 57的运行,CSG-DBR 10c示出离散地出现多个峰值的反射光谱。通过向加热器47通电改变了光波导层54的折射率,并且因此可以类似于以上描述改变峰值的波长和间隔。为了将所选择的一个峰值波长设定为预定波长,通过TEC 33调节整个波长可调谐激光器元件10的温度。
接下来,将参考图4详细描述光学检测元件20。图4是示意性地示出光学检测元件20的构造的示图。如上文所述,光学检测元件20是波长监测器,波长监测器监测来自波长可调谐激光器元件10的激光束L1的波长。光学检测元件20例如包括第一分光器61、第二分光器62、第一波导63、第二波导64、90度混合器(hybrid)65、第一光接收元件66、第二光接收元件67、第三光接收元件68以及TIA 71至73(跨阻放大器)。
第一分光器61将通过第二透镜17输入到光学检测元件20的激光束L3分为两个光束。被第一分光器61分开的一个光束L4进入第二分光器62,并且被第一分光器61分开的另一光束L5进入第三光接收元件68。第三光接收元件68对光束L5进行光电转换,并且通过第三光接收元件68的光电转换获得的电流信号被TIA 73转换为电压信号,TIA 73例如设置在光学组件1外的PCB上。从第一分光器61到第三光接收元件68,不布置诸如波长滤波器等光学元件,并且因此通过检测来自TIA 73的输出,可以在不依赖于波长的情况下检测到光检测元件20的输入光束的光强度。
在要从第二分光器62输出的两个光束L6和L7中,光束L6经由第一波导63进入90度混合器65的一个输入端65a。在要从第二分光器62输出的两个光束L6和L7中,光束L7经由第二波导64进入90度混合器65的另一输入端65b。第一波导63和第二波导64具有彼此不同的光路长度。因此,在第一波导63与第二波导64之间,设定了传播延迟差(相位差)。利用两个波导63和64之间的相位差,实现了透射强度相对于波长周期性地变化的滤波器特性。
即,两个波导63和64之间的相位差确定了滤光器的FSR(自由光谱区)。第一波导63和第二波导64具有将频率波动转换为光强度波动的功能。第一波导63的光学长度与第二波导64的光学长度之差为△L,第一波导63和第二波导64的折射率为n,并且光速为c,因此可以通过以下等式表示FSR
FSR=c/(n×△L)。
90度混合器65生成其中相位关系相对于波长轴线偏移π/2的两个滤波器特性。要从90度混合器65输出的一个光束L8进入第一光接收元件66,并且要从90度混合器65输出的另一光束L9进入第二光接收元件67。第一光接收元件66对光束L8进行光电转换,并且通过第一光接收元件66的光电转换获得的电流信号被输入至TIA 71,TIA 71例如设置在光学组件1外的PCB上。
TIA 71将从第一光接收元件66输出的电流信号转换为电压信号。第二光接收元件67对光束L9进行光电转换,并且通过第二光接收元件67的光电转换获得的电流信号被输入至TIA 72。TIA 72将从第二光接收元件67输出的电流信号转换为电压信号。在TIA 71和TIA72的输出中,对输出中的一个或两个的监测可以监测给定波长的波动量。
将参考图5和图6详细描述如此构造的光学组件1的构件的布置。图5是示意性地示出光学组件1的内部结构的平面图。图6是示意性地示出光学组件1的内部结构的侧剖视图。应注意的是,在图5和图6中,部分地省略光学组件1的构件。如上文所述,波长可调谐激光器元件10布置在光学组件1的后侧(壳体2的沿纵向的一侧),并且第一透镜13和分束器15设置在来自波长可调谐激光器元件10的激光束L1的光路上。第一透镜13设置在波长可调谐激光器元件10的前侧(壳体2的沿纵向的另一侧),并且分束器15设置在第一透镜13的前侧。
在分束器15与波长可调谐激光器元件10之间布置有第一透镜13、第二透镜17、温度检测元件18和光学检测元件20。要从波长可调谐激光器元件10和第一透镜13发射的激光束L1位于光学组件1的沿宽度方向的一侧,并且第二透镜17、光学检测元件20和温度检测元件18位于光学组件1的沿宽度方向的另一侧。
在分束器15与光输出端口3之间设置有空区域S1,并且移束器16布置在空区域S1中。在分束器15与第一透镜13之间设置有空区域S2,并且隔离器14布置在空区域S2中。在第二透镜17与温度检测元件18之间布置有光学检测元件20。在光学检测元件20与波长可调谐激光器元件10之间布置有温度检测元件18。
波长可调谐激光器元件10布置在与温度检测元件18相邻的位置处,并且温度检测元件18布置在与光学检测元件20相邻的位置处。这里,术语“布置在与......相邻的位置处”是指两个元件彼此相邻并且在这两个元件之间不存在其它元件(光学元件和任何其它元件)的状态。即,在波长可调谐激光器元件10与温度检测元件18之间以及在温度检测元件18与光学检测元件20之间,不存在其它元件。然而,有时存在诸如线材等连接部件。
将参考图7和图8描述不同于光学组件1的参考实例的光学组件101的构件的布置。图7是示意性地示出光学组件101的内部结构的平面图。图8是示意性地示出光学组件101的内部结构的侧剖视图。光学组件101包括波长可调谐激光器元件102和第一透镜103,并且波长可调谐激光器元件102和第一透镜103的功能类似于上述波长可调谐激光器元件10和第一透镜13的功能。在光学组件101中,波长可调谐激光器元件102和第一透镜103的位置类似于光学组件1的波长可调谐激光器元件10和第一透镜13的位置。
光学组件101包括不使激光束L1返回的分束器105,而不包括使激光束L1以180°的角度返回的分束器15。分束器105具有透射和反射激光束L1的第一反射平面105a,以及使从第一反射平面105a反射的光束L11全反射的第二反射平面105b。透过第一反射平面105a的光束L12朝向光输出端口3,而被第一反射平面105a反射的光束L11被第二反射平面105b反射,且朝向与光束L12平行的方向。
在被第二反射平面105b反射的光束L11的光路上设置有第二透镜107和光学检测元件110。被第二反射平面105b反射的光束L11在第二透镜107处聚集,并且进入光学检测元件110。第二透镜107和光学检测元件110的功能与上述第二透镜17和光学检测元件20的功能相同。
在光学组件101中,温度检测元件108设置在与波长可调谐激光器元件102的设置有第一透镜103的一侧的相反侧。温度检测元件108的功能类似于上述温度检测元件18的功能。光学组件101包括TEC 115,TEC 115安装有波长可调谐激光器元件102、第一透镜103、分束器105、第二透镜107、温度检测元件108和光学检测元件110。光学组件101中温度检测元件108的位置位于波长可调谐激光器元件102的后侧,并且靠近光学组件101的后端。另一方面,光学组件101中的光学检测元件110的位置位于光输出端口3附近,并且靠近光学组件101的前端。
在光学组件101的内,取决于与可能作为发热源的波长可调谐激光器元件102的距离而产生温度偏差;例如,温度在靠近波长可调谐激光器元件102的位置处较高,而温度在远离波长可调谐激光器元件102的位置处较低。该偏差由于外部环境的温度影响而扩大,并且由于近来要求减小壳体2的厚度,这可能使温度偏差更显著。
因此,例如,在波长可调谐激光器元件102过度发热的状态下,TEC 115执行冷却,从而抑制波长可调谐激光器元件102过度发热。因此,在与波长可调谐激光器元件102分离的位置处,该状态为过冷状态,并且该温度有时下降。在外部环境的温度低于为TEC 115设定的温度的情况下,该温度偏差进一步增加。
因此,如上文所述,在光学检测元件110布置在远离波长可调谐激光器元件102和温度检测元件108的位置处的情况下,由于温度偏差的缘故,温度检测元件108检测到的温度与光学检测元件10的实际温度之间的偏离可能增加。当温度之间的偏离如上文所述那样大时,光学检测元件110中硅的折射率对温度的依赖性起作用,可能导致特性的变化,并且该特性的变化可能导致波长可调谐激光器元件102的振荡波长的偏移。因此,温度之间的偏离容易妨碍波长可调谐激光器元件102的稳定运行。与此不同的是,根据实施例的光学组件1可以抑制这些问题。
在下文中,将详细描述从根据实施例的光学组件1获得的运行和效果。如图1和图2所示,光学组件1包括:芯片载体31,其安装有波长可调谐激光器元件10和温度检测元件18;光学检测元件20;以及TEC 33,其安装有芯片载体31和光学检测元件20。温度检测元件18布置在波长可调谐激光器元件10与光学检测元件20之间。通过将温度检测元件18布置在波长可调谐激光器元件10与光学检测元件20之间,因此可以将光学检测元件20布置在与波长可调谐激光器元件10和温度检测元件18相邻的位置处。
因此,可以使温度检测元件18检测到的温度与光学检测元件20的实际温度之间的偏离较小,并且因此可以减小由于温度依赖性导致的光学检测元件20的特性的变化。因此,可以限制波长可调谐激光器元件10的振荡波长的偏移,并且因此可以稳定地运行波长可调谐激光器元件10。光学检测元件20布置在与波长可调谐激光器元件10和温度检测元件18相邻的位置处,并且因此可以紧凑地布置光学组件1内的元件。因此,紧凑地布置元件,并且因此可以实现光学组件1的尺寸减小。
光学检测元件20由硅基半导体材料制成。因此,光学检测元件20布置在与波长可调谐激光器元件10和温度检测元件18相邻的位置处。因此,限制温度之间的偏离,并且可以减小光学检测元件20中硅的折射率的特性的变化。因此,即使光学检测元件20和波长可调谐激光器元件10布置在一个TEC 33上,也可以稳定地运行波长可调谐激光器元件10。
波长可调谐激光器元件10倾斜地布置,使得波长可调谐激光器元件10相对于激光束L1的光轴朝向温度检测元件18侧。因此,波长可调谐激光器元件10相对于激光束L1的光轴倾斜地布置,并且因此可以抑制激光束L1由于反射而返回到波长可调谐激光器元件10。波长可调谐激光器元件10向温度检测元件18侧倾斜,并且因此可以使波长可调谐激光器元件10靠近温度检测元件18。因此,可以更加适当地执行波长可调谐激光器元件10的温度管理。因此,可以进一步稳定地操作波长可调谐激光器元件10。
光学组件1包括分束器15,分束器15将从波长可调谐激光器元件10输出的激光束L1向与激光束L1的输出方向相反的方向引导。因此,从波长可调谐激光器元件10输出的激光束L1通过分束器15朝向与输出方向相反的方向。激光束L1朝向与输出方向相反的方向,并且因此可以使光学组件1内被激光束的光路占据的区域较小。因此,可以进一步减小光学组件1的尺寸。通过分束器15而朝向相反方向的激光束L3被输入至光学检测元件20,并且因此光学检测元件20可以布置在与波长可调谐激光器元件10相邻的位置处。如上文所述,可以使光学检测元件20的位置靠近波长可调谐激光器元件10的位置。
光学组件1包括隔离器14,隔离器14位于波长可调谐激光器元件10与分束器15之间。因此,波长可调谐激光器元件10与分束器15之间的空区域S2可以有效地用作布置隔离器14的区域。光学组件1包括光输出端口3,并且包括移束器16,移束器16位于光输出端口3与分束器15之间。因此,光输出端口3与分束器15之间的空区域S1可以有效地用作布置移束器16的区域。如上文所述,光学组件1内的空区域S1和S2可以有效地用作安装元件的区域,并且因此这有助于进一步减小光学组件1的尺寸。
光学组件1包括:安装有分束器15的基体34,基体34与TEC 33分离开,TEC 33安装有波长可调谐激光器元件10、温度检测元件18和光学检测元件20。如上文所述,包括与TEC33分离的安装有分束器15的基体34,并且因此可以使TEC 33较小。因此,TEC 33的尺寸减小,并且因此可以减小TEC 33的功耗。
如上文所述,描述了根据实施例的光学组件。然而,根据本申请的光学组件不限于前述实施例,并且可以进行各种变型。即,光学组件的各构件的构造可以在权利要求的要旨的范围内适当地变型。例如,在前述实施例中,描述了包括壳体2的光学组件1,壳体2具有在侧面2c上的电连接端子4。然而,光学组件的电连接端子的位置、尺寸、形状和布置形式可以适当地变型。
Claims (8)
1.一种光学组件,包括:
激光二极管,其发射激光束;
载体,其上安装有所述激光二极管和热敏电阻;
光检测器,其检测从所述激光二极管输出的所述激光束;
温度调节元件,其上安装有所述载体和所述光检测器;
机壳,其具有由壁部界定的盒状形状,所述盒状形状形成其中封装有所述激光二极管、所述温度调节元件和所述光检测器的空间,
其中,至少所述壁部具有窗口,并且所述热敏电阻布置在所述激光二极管与所述光检测器之间。
2.根据权利要求1所述的光学组件,
其中,所述光检测器由包括硅的材料制成。
3.根据权利要求1或2所述的光学组件,
还包括分束器,其输入有所述激光束,并且输出第一输出光束以及方向与所述第一输出光束相反的第二输出光束。
4.根据权利要求3所述的光学组件,
还包括布置在所述激光二极管与所述分束器之间的隔离器。
5.根据权利要求1至4中的任一项所述的光学组件,
其中,所述光检测器包括90度混合器、第一光接收元件、第二光接收元件、第三光接收元件。
6.根据权利要求1至5中的任一项所述的光学组件,
其中,所述激光二极管为波长可调谐激光器。
7.根据权利要求6所述的光学组件,
其中,所述波长可调谐激光器包括取样光栅分布反馈器、啁啾取样光栅分布式布拉格反射器和半导体光放大器。
8.根据权利要求7所述的光学组件,
其中,至少所述取样光栅分布反馈器和所述啁啾取样光栅分布式布拉格反射器具有加热器。
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Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63255983A (ja) * | 1987-04-13 | 1988-10-24 | Nec Corp | 光送信器 |
US20020012369A1 (en) * | 2000-05-16 | 2002-01-31 | Hideyuki Nasu | Semiconductor laser apparatus, semiconductor laser module, optical transmitter and wavelength division multiplexing communication system |
US20020186729A1 (en) * | 2001-06-07 | 2002-12-12 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Optical module, transmitter and WDM transmitting device |
JP2003511866A (ja) * | 1999-10-15 | 2003-03-25 | ツナミ、フォトニクス、リミテッド | 可変波長レーザを組込んだオプトエレクトロニクス・デバイスとそれの特性調整方法 |
US20050046868A1 (en) * | 2003-08-26 | 2005-03-03 | Jong-Deog Kim | System for monitoring optical output/wavelength |
US20100246627A1 (en) * | 2009-03-25 | 2010-09-30 | Sumitomo Electric Device Innovations, Inc. | Optical semiconductor device |
WO2013191213A1 (ja) * | 2012-06-22 | 2013-12-27 | 古河電気工業株式会社 | 光素子モジュール |
JP2016100468A (ja) * | 2014-11-21 | 2016-05-30 | 住友電気工業株式会社 | 光モジュール |
US20170227724A1 (en) * | 2014-10-28 | 2017-08-10 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical module implementing with optical source, optical modulator, and wavelength detector, and a method to assemble the same |
US20170353001A1 (en) * | 2016-06-01 | 2017-12-07 | Fujitsu Limited | Tunable laser |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4399541A (en) * | 1981-02-17 | 1983-08-16 | Northern Telecom Limited | Light emitting device package having combined heater/cooler |
US4779977A (en) * | 1985-11-14 | 1988-10-25 | United Technologies Corporation | High optical efficiency dual spectra pyrometer |
US6477190B1 (en) * | 1999-02-15 | 2002-11-05 | Fujitsu Limited | Optical module |
CN202025981U (zh) * | 2011-03-24 | 2011-11-02 | 武汉华工正源光子技术有限公司 | 具有电致冷和防激射的反射式半导体光放大器组件 |
JP2015068854A (ja) * | 2013-09-26 | 2015-04-13 | 住友電気工業株式会社 | 光学素子および波長モニタ |
JP6308089B2 (ja) * | 2013-09-30 | 2018-04-11 | 住友電気工業株式会社 | 光半導体装置の制御方法 |
US9804347B2 (en) * | 2014-10-28 | 2017-10-31 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of assembling the optical module implementing Mach-Zehnder modulator |
US9548817B1 (en) * | 2015-06-19 | 2017-01-17 | Inphi Corporation | Small form factor transmitting device |
US9819149B2 (en) * | 2015-11-24 | 2017-11-14 | Sumitomo Electrix Industries, Ltd. | Optical transmitter implementing wavelength tunable diode |
-
2018
- 2018-07-13 JP JP2018133540A patent/JP2020013831A/ja active Pending
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Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63255983A (ja) * | 1987-04-13 | 1988-10-24 | Nec Corp | 光送信器 |
JP2003511866A (ja) * | 1999-10-15 | 2003-03-25 | ツナミ、フォトニクス、リミテッド | 可変波長レーザを組込んだオプトエレクトロニクス・デバイスとそれの特性調整方法 |
US20020012369A1 (en) * | 2000-05-16 | 2002-01-31 | Hideyuki Nasu | Semiconductor laser apparatus, semiconductor laser module, optical transmitter and wavelength division multiplexing communication system |
US20020186729A1 (en) * | 2001-06-07 | 2002-12-12 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Optical module, transmitter and WDM transmitting device |
US20050046868A1 (en) * | 2003-08-26 | 2005-03-03 | Jong-Deog Kim | System for monitoring optical output/wavelength |
US20100246627A1 (en) * | 2009-03-25 | 2010-09-30 | Sumitomo Electric Device Innovations, Inc. | Optical semiconductor device |
WO2013191213A1 (ja) * | 2012-06-22 | 2013-12-27 | 古河電気工業株式会社 | 光素子モジュール |
US20170227724A1 (en) * | 2014-10-28 | 2017-08-10 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical module implementing with optical source, optical modulator, and wavelength detector, and a method to assemble the same |
CN107078457A (zh) * | 2014-10-28 | 2017-08-18 | 住友电气工业株式会社 | 应用光源、光调制器和波长检测器的光学模块及其组装方法 |
JP2016100468A (ja) * | 2014-11-21 | 2016-05-30 | 住友電気工業株式会社 | 光モジュール |
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