JP2017135251A - 発光モジュール - Google Patents

Abstract

【課題】レーザ発振の特性劣化を抑制することができる発光モジュールを提供する。【解決手段】一形態に係る発光モジュールは、波長可変ＬＤ１０と、波長可変ＬＤ１０から出力された出力光Ｌ２のＴＥ偏光成分を有する光Ｐ３の偏波面を９０°回転させて波長可変ＬＤ１０に戻す偏光光学系７と、を備えた発光モジュールである。偏光光学系７は、出力光Ｌ２のＴＥ偏光成分を有する光Ｐ３の偏波面を４５°回転する回転子７ａと、回転子７ａを透過した光を受ける偏光子７ｂと、偏光子７ｂを透過した光を偏光子７ｂに向けて反射するミラー７Ｂと、を備える。【選択図】図３

Description

本発明は、発光モジュールに関するものである。

特許文献１は、高い周波数安定度を有する光信号を合成する方法及びシステムを開示している。このシステムでは、半導体レーザの出力光における波長の線幅を狭くすることが求められており、ウィスパリングギャラリーモード（ＷＧＭ）共振器を備えた半導体レーザでは、Ｑ値を高めて線幅の狭小化を実現させている。また、線幅を狭める方法として、半導体レーザと、周波数弁別器として機能する光フィルタとによって構成された光源が知られている。この光源では、光フィルタによって反射されたレーザ光を半導体レーザに負帰還して周波数変調を行うことによって、発振光の周波数の安定化と線幅の狭小化を図っている。

米国特許第８９８１２７３号公報

また、半導体レーザが出力した出力光を、偏波回転光学系を介してミラーに入射し、ミラーで反射した戻り光を偏波回転光学系を介して半導体レーザにフィードバックする方法が知られている。図６は、その方法を実現させる光学系の模式図を示す。図６に示される光学系は、半導体レーザ１０１、偏波回転光学系である波長板１０２、及びミラー１０３を有する。半導体レーザ１０１から出力した出力光のＴＥ偏光を有する光は波長板１０２に入射し、波長板１０２はＴＥ偏光を有する光の偏光面を４５°回転する。波長板１０２を透過した光は、ミラー１０３に入射する。ミラー１０３に入射した光の一部は、反射して再度波長板１０２に入射する。波長板１０２は、ミラー１０３から入射した光の偏光面を更に４５°回転させる。これにより、波長板１０２を透過した光は、半導体レーザ１０１が出力する光の偏光面に対しその偏光面が９０°回転した光に変換されて半導体レーザ１０１に入射する。ここで、半導体レーザ１０１が出力する光の偏光面（ＴＥ偏光）は、半導体レーザ１０１の活性層に平行であり、ＴＭ偏光は、半導体レーザ１０１の活性層に垂直な偏光面に対応する。

前述した光学系では、ＴＭ偏光を有する光が半導体レーザ１０１に入射しており、このとき半導体レーザ１０１の端面の反射率に応じてこの光は反射されている。その反射光は、再度波長板１０２への入射を繰り返してＴＥ偏光を有する光となり、このＴＥ偏光を有する光が半導体レーザ１０１に入射することがある。ＴＥ偏光を有する光が半導体レーザ１０１に入射すると、レーザ発振の特性劣化を引き起こすという問題が生じうる。

本発明は、レーザ発振の特性劣化を抑制することができる発光モジュールを提供することを目的とする。

本発明の一形態に係る発光モジュールは、半導体レーザと、半導体レーザから出力された出力光の偏波面を９０°回転させて半導体レーザに戻す偏光光学系と、を備えた発光モジュールであって、偏光光学系は、出力光の偏波面を４５°回転する回転子と、回転子を透過した光を受ける偏光子と、偏光子を透過した光を偏光子に向けて反射するミラーと、を備える。

本発明の一形態では、レーザ発振の特性劣化を抑制することができる。

図１は、実施形態に係る発光モジュールの内部構成を示す図である。 図２は、半導体レーザの断面を模式的に示す図である。 図３は、図１の発光モジュールの光学系を示すブロック図である。 図４は、偏光光学系の各部品を示す斜視図である。 図５の（ａ）は、半導体レーザから出射したＴＥ偏光の経路を概念的に示す図である。図５の（ｂ）は、半導体レーザから出射したＴＭ偏光の経路を概念的に示す図である。 図６は、従来の偏光光学系を示す図である。

本発明の実施形態に係る発光モジュールの具体例を、以下に図面を参照しつつ説明する。なお、本発明は、これらの例示に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内での全ての変更が含まれることが意図される。以下の説明では、図面の説明において同一又は相当する要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。

図１は、第１実施形態に係る発光モジュール１の内部の各部品を示す図である。発光モジュール１は、前壁２ａ、後壁２ｂ、並びに、前壁２ａ及び後壁２ｂを接続する２つの側壁２ｃ，２ｄを含むハウジング２を備える。発光モジュール１では、ハウジング２の内部に各部品が実装され、その後リッドによってハウジング２の内部を気密封止する。発光モジュール１は、半導体レーザである波長可変レーザダイオード（ＬＤ）１０を備えており、波長可変ＬＤ１０は、一方の光出射面である端面１０Ｂから出力光Ｌ２を出力すると共に、他方の光出射面である端面１０Ａから出力光Ｌ１を出力する。出力光Ｌ１，Ｌ２は、実質的に波長可変ＬＤ１０の活性層に平行な偏波であるＴＥ偏光のみを含み、出力光Ｌ１、Ｌ２がＴＭ偏光成分を含んでいたとしても、その割合はＴＥ偏光成分と比較して非常に小さい。

出力光Ｌ１の光路上には、コリメートレンズ３ａ、及び反射フィルタ５が設けられる。反射フィルタ５は、コリメートレンズ３ａと光学的に結合し、コリメートレンズ３ａを透過した出力光Ｌ１を受ける。出力光Ｌ１は、反射フィルタ５の前面に入射し、反射フィルタ５によって分岐される。反射フィルタ５の反射率は、例えば５％であるが、適宜変更可能である。反射フィルタ５により反射された反射光（モニタ光Ｐ２１）の光軸と、反射フィルタ５を透過した透過光Ｐ２２の光軸とは、略直角を成す。モニタ光Ｐ２１の光路上には、モニタＰＤ６ｂが設けられる。モニタＰＤ６ｂは、反射フィルタ５が反射したモニタ光Ｐ２１を受光し、受光したモニタ光Ｐ２１の強度に応じた電気信号を出力する。コリメートレンズ３ａ、反射フィルタ５及びモニタＰＤ６ｂは、ベースＢ１上に実装される。

また、反射フィルタ５を透過した透過光Ｐ２２はハウジング２の外部に出力する。ハウジング２外に取り出される透過光Ｐ２２は、ハウジング２外に設けられた集光レンズにより、シングルモードファイバが内蔵された部品に光結合される。ハウジング２外の部品とハウジング２とは、光学的に調心され、ＹＡＧ溶接によって接合される。

出力光Ｌ２の光路上には、コリメートレンズ３ｂと、偏光光学系７と、ハーフミラー８と、エタロンフィルタ９が設けられている。偏光光学系７は、出力光Ｌ２の偏波面（偏光面）を回転させ、また特定の偏光面を有する光のみを透過させる０．５段型光アイソレータ７Ａと、ミラー７Ｂとを備える。偏光光学系７の詳細な構成については後述する。ハーフミラー８は、偏光光学系７を透過した光Ｌ３を受け、光Ｌ３は、ハーフミラー８の前面に入射してハーフミラー８により分岐される。分岐された一方の光Ｌ４は、ハーフミラー８を透過してエタロンフィルタ９に入射する。分岐された他方の光Ｌ５は、ハーフミラー８によって反射されてモニタＰＤ６ｃに入射し、モニタＰＤ６ｃは光Ｌ５の強度に応じた電気信号を出力する。エタロンフィルタ９に入射した光Ｌ４は、エタロンフィルタ９を透過してモニタＰＤ６ｄに入射する。モニタＰＤ６ｃ，６ｄ、偏光光学系７、ハーフミラー８及びエタロンフィルタ９は、ベースＢ２上に実装される。

ところで、前述のモニタＰＤ６ｃで検知する光Ｌ５は特異な透過スペクトルを有する如何なる光学素子も通過していない。すなわち、モニタＰＤ６ｃの出力は、波長可変ＬＤ１０の光出力を直接的に反映していると見做せる。よって、モニタＰＤ６ｄの出力をモニタＰＤ６ｃの出力で除した値は、まさにエタロンフィルタ９の透過率を示している。エタロンフィルタ９の透過率は波長に依存しているため、２つのモニタＰＤ６ｃ，６ｄの出力により、波長可変ＬＤ１０が今現在出力している光の波長を特定することが可能となる。この様に、エタロンフィルタ９及びモニタＰＤ６ｃ，６ｄは、波長検知ユニットとして機能する。そして、この２つのモニタＰＤ６ｃ，６ｄの出力の比を波長可変ＬＤ１０の波長を決定するバイアス信号に帰還することによって波長可変ＬＤ１０の出力光の波長を目標の波長に決定し、これを維持することが可能となる。

図２は、本実施形態における波長可変ＬＤ１０の構成を示す模式的な断面図である。図２に示されるように、波長可変ＬＤ１０は、ＳＧ−ＤＦＢ（Sampled Grating Distributed Feedback）１０ｂと、ＣＳＧ−ＤＢＲ（Chirped Sampled GratingDistributed Bragg Reflector）１０ｃと、ＳＯＡ（Semiconductor Optical Amplifier）１０ａと、ＳＯＡ／ＶＯＡ１０ｄとがモノリシックに集積化された構造を備える。ＳＧ−ＤＦＢ１０ｂとＣＳＧ−ＤＢＲ１０ｃは、波長可変ＬＤ１０の波長選択要素として機能する。

波長可変ＬＤ１０では、ＳＯＡ１０ａ、ＳＧ−ＤＦＢ１０ｂ、ＣＳＧ−ＤＢＲ１０ｃ、及びＳＯＡ／ＶＯＡ１０ｄがこの順で配置されている。ＳＧ−ＤＦＢ１０ｂは、利得及びサンプルドグレーティングを有する。ＣＳＧ−ＤＢＲ１０ｃは、サンプルドグレーティングを有する。ＳＯＡ１０ａは半導体光増幅領域、ＳＯＡ／ＶＯＡ１０ｄは半導体光増幅領域及び半導体光減衰領域として機能する。

ＳＧ−ＤＦＢ１０ｂは、基板１２上に、サンプルドグレーティングを含む下クラッド層１３、光導波層１４、及び上クラッド層１５が積層された構造を有する。ＣＳＧ−ＤＢＲ１０ｃは、基板１２上に、サンプルドグレーティングを含む下クラッド層１３、光導波層２４、上クラッド層１５、絶縁膜１６、及び複数のヒータ１７が積層された構造を有する。各ヒータ１７には、電源電極１８及びグランド電極１９が設けられている。ＳＯＡ１０ａは、基板１２上に、下クラッド層１３、活性層２５、上クラッド層１５、コンタクト層２０、及び電極２１が積層された構造を有する。ＳＯＡ／ＶＯＡ１０ｄは、基板１２上に、下クラッド層１３、活性層２６、上クラッド層１５、コンタクト層２２、及び電極２３が積層された構造を有する。

ＳＯＡ１０ａ、ＳＧ−ＤＦＢ１０ｂ、ＣＳＧ−ＤＢＲ１０ｃ、及びＳＯＡ／ＶＯＡ１０ｄにおいて、基板１２、下クラッド層１３、及び上クラッド層１５は、一体的に形成されている。光導波層１４，２４及び活性層２５，２６は、同一面上に形成されている。光導波層１４は、光伝播方向に沿って、活性層１４ａと導波路層１４ｂとが交互に配置された構造を有する。導波路層１４ｂの上部に位置する上クラッド層１５には、絶縁膜１６を介してヒータ２８が設けられており、ヒータ２８には、電源電極２９及びグランド電極３０が設けられている。

ＳＧ−ＤＦＢ１０ｂ及びＣＳＧ−ＤＢＲ１０ｃには、下クラッド層１３に所定の間隔を空けて離散的に形成された標本化回折格子であるサンプルドグレーティング（Sampled Grating：ＳＧ）２７が形成されている。ＳＧ−ＤＦＢ１０ｂは、利得領域Ａ１と変調領域Ａ２とを有し、利得領域Ａ１では、その上部に配置された電極３１から活性層１４ａにキャリアが注入される。故に光学的利得を有する。一方、変調領域Ａ２は、その上部にヒータ２８を有し、ヒータ２８に電力を与えることによって導波路層１４ｂの温度を変える。ＳＧ２７は、回折格子を有する領域と、その間の回折格子を有しない領域とによって構成され、利得領域Ａ１及び変調領域Ａ２全体として複数のピークが等間隔に現れる光学利得スペクトルを示す。そして、ヒータ２８に与える電力を変化させて導波路層１４ｂの屈折率を変化させることによって、それぞれのピークの波長及びその間隔を変化させることができる。

ＣＳＧ−ＤＢＲ１０ｃは、３つのセグメントＡ３，Ａ４，Ａ５を有する。各セグメントＡ３，Ａ４，Ａ５は、それぞれ独立に駆動するヒータ１７及びＳＧ２７を有する。ＣＳＧ−ＤＢＲ１０ｃは、ＳＧ−ＤＦＢ１０ｂとは異なり、利得領域を有しない。よって、ＳＧ２７の作用により、ＣＳＧ−ＤＢＲ１０ｃは複数のピークが離散的に表れる反射スペクトルを示す。そして、ヒータ１７に与える電力によって光導波層２４の屈折率を変化させ、前述と同様、ピークの波長及びその間隔を変化させることができる。ここで、３つのセグメントＡ３，Ａ４，Ａ５のうち少なくとも１つは、他のセグメントとは異なる物理的特徴を有する。少なくとも１つのセグメントは回折格子が形成されている領域の間隔が他のセグメントとは異なる。これをチャープ回折格子（Chirped Sampled Grating：ＣＳＧ）と呼ぶ。３つのセグメントＡ３，Ａ４，Ａ５を備える理由は、各セグメントＡ３，Ａ４，Ａ５について独立に局所的に温度を変化させることにより、離散的な反射ピークが現れる波長領域を拡大するためである。

ＳＧ−ＤＦＢ１０ｂに由来する１つの利得ピークの波長と、ＣＳＧ−ＤＢＲ１０ｃに由来する１つの反射ピークの波長を、ヒータ１７，２８に与える電力を調整することによって一致させることができる。ＳＧ−ＤＦＢ１０ｂとＣＳＧ−ＤＢＲ１０ｃは共振器を構成し、一致した波長で波長可変ＬＤ１０がレーザ発振する。ＳＧ−ＤＦＢ１０ｂのヒータ２８に与える電力、及びＣＳＧ−ＤＢＲ１０ｃのヒータ１７に与える電力を調整することによって、この一致する波長を調整することができる。すなわち、波長可変ＬＤ１０のレーザ発振波長を変化させることができる。

ＳＯＡ１０ａは、ＳＧ−ＤＦＢ１０ｂとＣＳＧ−ＤＢＲ１０ｃがカプリングすることによって決定された波長の光を増幅する。電極２１から活性層２５に注入するキャリアの量により、ＳＯＡ１０ａの光増幅度、すなわち、出力光Ｌ１の強度を調整することができる。ＳＯＡ／ＶＯＡ１０ｄは、ＳＯＡ１０ａと同様、決定された波長の光を増幅する機能を有し、当該光を減衰する機能も有する。ＳＯＡ／ＶＯＡ１０ｄの光増幅器としての機能、及び光減衰器としての機能は、ＳＯＡ／ＶＯＡ１０ｄへの順方向バイアス及び逆方向バイアスによって変更することができる。

図３は、発光モジュール１が有する各部品の光学的配置を模式的に示すブロック図である。図３において実線は光信号を示しており、破線は電気信号を示している。図３に示されるように、発光モジュール１は、更に、波長可変ＬＤ１０にバイアス信号を供給するバイアス供給部４１と、モニタＰＤ６ｂ（第３光検知素子）から電気信号を受ける自動光出力制御部（Auto Power Control：ＡＰＣ）４２と、モニタＰＤ６ｃ（第２光検知素子）から電気信号を受けるＡＰＣ４３とを備えている。

バイアス供給部４１は、指定された波長で波長可変ＬＤ１０をレーザ発振させるために、指定された発振波長に応じた電流を波長可変ＬＤ１０の電極１８，２９，３１に供給する。ＡＰＣ４２（第２制御素子）は、モニタＰＤ６ｂから電気信号を受けモニタ光Ｐ２１の強度を決定する。ここで、反射フィルタ５の反射率は波長依存性および偏光依存性を有していないので、ＡＰＣ４２は、モニタ光Ｐ２１の強度からＴＥ偏光を有する光Ｐ２の強度を決定することができる。そして、ＡＰＣ４２は、ＳＯＡ１０ａの利得を制御して光増幅率を調整し、ＴＥ偏光を有する光Ｐ２の強度を所望の値に維持する。ＡＰＣ４３（第１制御素子）は、ＳＯＡ／ＶＯＡ１０ｄの光増幅率及び光減衰率を調整し、ＳＯＡ／ＶＯＡ１０ｄが出力する光強度を所望の値に維持する。

ＳＯＡ／ＶＯＡ１０ｄ側の端面１０Ｂから出力したＴＥ偏光Ｐ３を有する光Ｌ２は、偏光光学系７に入射する。図４は、偏光光学系７の０．５段型光アイソレータ７Ａを示す斜視図である。図５（ａ）及び図５（ｂ）は、偏光光学系７に入射する光の光路を示す模式図である。０．５段型光アイソレータ７Ａは、回転子７ａと偏光子７ｂとを備えており、回転子７ａ及び偏光子７ｂは一体化されている。回転子７ａは、入射したＴＥ偏光Ｐ３を有する光Ｌ２の偏光面を４５°回転する。偏光子７ｂは、ＴＥ偏光Ｐ３に対し４５°回転した偏光成分のみを透過する。

ミラー７Ｂは、偏光子７ｂの出力側に配置される。ミラー７Ｂは、偏光子７ｂを透過した偏光Ｐ４を有する光受ける。偏光Ｐ４を有する光は、ミラー７Ｂにより分岐される。ミラー７Ｂの反射率は、例えば５％であるが、適宜変更可能である。ミラー７Ｂが反射した光Ｌ５の進行方向と、ミラー７Ｂを透過した光Ｌ４の進行方向は１８０°異なっている。

図５（ａ）に示されるように、ミラー７Ｂで反射された光は偏光子７ｂに再度入射する。ここで、ミラー７Ｂによる反射に伴う偏光面の回転は存在しないので、反射光Ｐ５の偏光面と入射光Ｐ４の偏光面は同一であり、偏光Ｐ５を有する反射光は、偏光子７ｂを透過する。偏光子７ｂを透過した光は回転子７ａに再入射し、回転子７ａはその偏光面を再度４５°回転する。回転子７ａによって偏光面が更に４５°回転した光は、ＴＥ偏光Ｐ３を有する光の偏光面に対し９０°回転した偏光面（ＴＭ偏光Ｐ７）を有する光として、波長可変ＬＤ１０の端面１０Ｂに再入射する。

次に、本実施形態に係る発光モジュール１の作用効果について説明する。波長可変ＬＤ１０内でＴＭ偏光成分は実質的に吸収されないので、端面１０Ｂから入射したＴＭ偏光成分Ｐ７を有する光が、端面１０Ａから出力され、モニタＰＤ６ａに至りこのモニタＰＤ６ａで反射されて端面１０Ａから再び入射した後、端面１０Ｂから出力される可能性が残る。あるいは、端面１０Ｂに入射する偏光Ｐ５を有する光が、端面１０Ｂで反射され再び０．５段アイソレータ７Ａに至る場合も想定される。ＴＭ偏光を有する光が偏光光学系７によりその偏光面が９０°回転された後波長可変ＬＤ１０に入射した場合には、波長可変ＬＤ１０のコヒーレント性、ライン幅、等の特性を極度に劣化させてしまう。しかしながら、本発明に係る偏光光学系７では、この０．５段アイソレータに入射するＴＭ偏光Ｐ８を有する光は、回転子７ａによりその偏光面が４５°回転される。ここで、偏光子７ｂは、ＴＥ偏光Ｐ３の偏光面に対し４５°回転した偏光面を有する光しか透過しないため、ＴＭ偏光Ｐ８を有した光は偏光子７ｂによって遮断される。回転子７ａを透過した透過した光の偏光面は、ＴＥ偏光Ｐ３の偏光面に対して１３５°（−４５°）回転している。従って、ＴＭ偏光Ｐ８を有する光に基づく光が偏光光学系７によりその偏光方向がＴＥ偏光に変化し、当該ＴＥ偏光が波長可変ＬＤ１０に入射する事態を回避することができる。

偏光光学系７において、回転子７ａと偏光子７ｂとは、一体化されているので、小型化された偏光光学系７とすることができる。また、発光モジュール１は、反射フィルタ５が反射したモニタ光Ｐ２１を受けてモニタ光Ｐ２１を電気信号に変換するモニタＰＤ６ｂと、モニタＰＤ６ｂから電気信号を受けてＳＯＡ１０ａの利得を制御するＡＰＣ４２とを備える。更に、発光モジュール１は、偏光光学系７を透過した光Ｐ６を受けて光Ｐ６を電気信号に変換するモニタＰＤ６ｃと、モニタＰＤ６ｃからの電気信号に基づいて出力光Ｌ２の強度を制御するＡＰＣ４３とを備える。従って、ＡＰＣ４２は出力光Ｌ１の強度が所望の値となるようにＳＯＡ１０ａを制御し、ＡＰＣ４３はＳＯＡ／ＶＯＡ１０ｄを制御してＴＥ偏光Ｐ３を有する出力光Ｌ２の強度を所定の値に維持するので、波長可変ＬＤ１０からの出力光Ｌ１、Ｌ２における周波数雑音を低減させることができる。

また、光モジュール１はミラー７Ｂに入出力する光を減衰する光減衰器を偏光光学系に備えてもよい。具体的には、波長可変ＬＤ１０と０．５段型光アイソレータ７Ａとの間、又は、０．５段型光アイソレータ７Ａとミラー７Ｂとの間に光減衰器（Variable Optical Attenuator：ＶＯＡ）を配置してもよい。これにより、端面１０Ｂに入力するＴＭ偏光Ｐ７を有する光の強度を減衰することができる。

以上、本発明に係る実施形態について説明したが、本発明は前述した実施形態に限定されない。すなわち、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において種々の変形及び変更が可能であることは、当業者によって容易に認識される。例えば、前述の実施形態では、回転子７ａと偏光子７ｂとが一体化した０．５段型光アイソレータ７Ａについて説明したが、回転子７ａ及び偏光子７ｂは一体化していなくてもよい。

１…発光モジュール、２…ハウジング、２ａ…前壁、２ｂ…後壁、２ｃ，２ｄ…側壁、３ａ，３ｂ…コリメートレンズ、５…反射フィルタ、６ｂ，６ｄ…モニタＰＤ、６ｃ…モニタＰＤ（制御素子）、７…偏光光学系、７Ａ…０．５段型光アイソレータ、７Ｂ…ミラー、７ａ…回転子、７ｂ…偏光子、８…ハーフミラー、９…エタロンフィルタ、１０…波長可変ＬＤ（半導体レーザ）、１０Ａ，１０Ｂ…端面、１２…基板、１３…下クラッド層、１４…光導波層、１４ａ…活性層、１４ｂ…導波路層、１５…上クラッド層、１６…絶縁膜、１７，２８…ヒータ、１８，２９…電源電極、１９，３０…グランド電極、２０，２２…コンタクト層、２１，２３，３１…電極、２４…光導波層、２５，２６…活性層、２７…ＳＧ、４１…バイアス供給部、４２…ＡＰＣ、４３…ＡＰＣ（制御素子）、Ａ１…利得領域、Ａ２…変調領域、Ａ３，Ａ４，Ａ５…セグメント、Ｂ１，Ｂ２…ベース、Ｌ１，Ｌ２…出力光、Ｌ３，Ｌ４，Ｌ５…光。

Claims (7)

1. 半導体レーザと、前記半導体レーザから出力された出力光の偏波面を９０°回転させて前記半導体レーザに戻す偏光光学系と、を備えた発光モジュールであって、
   前記偏光光学系は、
   前記出力光の偏波面を４５°回転する回転子と、
   前記回転子を透過した光を受ける偏光子と、
   前記偏光子を透過した光を前記偏光子に向けて反射するミラーと、
   を備える発光モジュール。
2. 前記回転子と前記偏光子とは、一体化されている、
   請求項１に記載の発光モジュール。
3. 前記ミラーを透過した光を電気信号に変換する光検知素子と、
   前記電気信号を受け、前記出力光の強度を制御する制御素子と、
   を備える請求項１又は２に記載の発光モジュール。
4. 前記半導体レーザと前記ミラーとの間に光を減衰する光減衰器を備える、
   請求項１〜３のいずれか一項に記載の発光モジュール。
5. 前記半導体レーザは、半導体光増幅領域を有する、
   請求項１〜４のいずれか一項に記載の発光モジュール。
6. 前記出力光は、前記半導体レーザの活性層に平行な偏波面を有する光と、前記活性層に垂直な偏波面を有する光と、を有し、
   前記活性層に平行な偏波面を有する光の強度は、前記活性層に垂直な偏波面を有する光の強度よりも大きい、
   請求項１〜５のいずれか一項に記載の発光モジュール。
7. 前記ミラーを透過した光の波長を検知する波長検知ユニットを備える、
   請求項１〜６のいずれか一項に記載の発光モジュール。

Images