JP2018180490A - 光モジュール - Google Patents

Abstract

【課題】小型化を実現させることができる光モジュールを提供する。【解決手段】光モジュール１は、前面１１及び背面１２のそれぞれからレーザ光Ｌ１，Ｌ２を出射する波長可変ＬＤ１０と、前面１１からのレーザ光Ｌ１を出力する第１の光出力ポート６１と、背面１２からのレーザ光Ｌ２を出力する第２の光出力ポート６２と、ＬＤ１０を収容し、光出力ポート６１，６２が設けられる第１の面２ａを有するハウジング２を備え、ハウジング２は、第１の面２ａ、第１の面２ａに対向して電気接続端子６０が設けられる第２の面２ｂ、並びに、第１の面２ａ及び第２の面２ｂを互いに接続する一対の側面２ｃ，２ｄを有し、第１の面２ａ、第２の面２ｂ、及び一対の側面２ｃ，２ｄで形成される空間に波長可変ＬＤ１０が搭載され、側面２ｃ，２ｄに電気接続端子６０を有しない。【選択図】図１

Description

本発明は、光モジュールに関するものである。

特許文献１には、内部空間を形成するハウジングを備えた波長可変レーザが記載されている。ハウジングは矩形の本体を含み、本体は、底部と、蓋と、第１及び第２の端部と、対向する側壁を含む。ハウジングの第１の端部上には、ピンを含む電気インタフェースが位置決めされる。

ハウジングの第２の端部上には光出力インタフェースが位置決めされる。光出力インタフェースは、レーザ構成要素から放出された連続波光ビームを、光ファイバを通じて伝達する。連続波光ビームの経路上には、ビームスプリッタ及び光ダイオードが、ビームの放出強度を決定するために配置される。ビームスプリッタの下流には光アイソレータが位置決めされており、光アイソレータは、ビームスプリッタからの光が再帰反射するのを防止する。この波長可変レーザでは、光出力が１つの光出力ポートによって行われる。

ところで、光モジュールでは、振幅変調と他の変調方式を併用して総伝送容量を高める努力がなされている。他の変調方式として、偏波、位相及び振幅を相互に組み合わせた変調方式は、所謂コヒーレント方式による伝送モードとして知られている。このコヒーレントトランシーバの光源として波長可変レーザを用いる場合、変調器への信号光と、受信器への局発光が必要である。前述の波長可変レーザでは、信号光と局発光を出力するため、ビームスプリッタによって光源からの光出力を分岐している。

特開２０１４−１６５４９７号公報

コヒーレントトランシーバにおいては更なる小型化の要求がある。現状は、幅４１．５ｍｍ、長さ９１．５ｍｍ、高さ１２．４ｍｍのＣＦＰ２規格に準拠するが、更に小型のＣＦＰ４規格（幅２１．５ｍｍ）の筐体に搭載可能な光モジュールを実現する要求が高まっている。

本発明は、小型化を実現させることができる光モジュールを提供することを目的とする。

本発明の一形態に係る光モジュールは、前面及び背面のそれぞれからレーザ光を出射する半導体レーザ（ＬＤ）と、前面からのレーザ光を出力する第１の光出力ポートと、背面からのレーザ光を出力する第２の光出力ポートと、ＬＤを収容し、第１の光出力ポート及び第２の光出力ポートが設けられる第１の面を有するハウジングを備え、ハウジングは、第１の面、第１の面に対向して電気接続端子が設けられる第２の面、並びに、第１の面及び第２の面を互いに接続する一対の側面を有し、第１の面、第２の面、及び一対の側面で形成される空間にＬＤが搭載され、側面に電気接続端子を有しない。

本発明によれば、小型化を実現させることができる。

図１は、第１実施形態に係る光モジュールの内部構造を示す平面図である。 図２は、図１の光モジュールを示す断面図である。 図３は、半導体レーザの断面を模式的に示す図である。 図４は、光出力ポートを示す断面図である。 図５は、光出力ポートを、その光軸が延びる方向から見た図である。 図６は、第２実施形態に係る光モジュールの内部構造を示す平面図である。 図７は、図６の光モジュールを示す断面図である。

以下、添付図面を参照しながら本発明に係る光モジュールの実施形態について詳細に説明する。図面の説明において、同一又は相当する要素には同一の符号を付し、重複する説明を適宜省略する。

（第１実施形態）
図１は、第１実施形態に係る光モジュール１の内部構造を示す図である。図２は、光モジュール１の断面を示す図である。光モジュール１は、その前側に位置する第１の面２ａ、後側に位置する第２の面２ｂ、並びに、第１の面２ａ及び第２の面２ｂを互いに接続する一対の側面２ｃ，２ｄを有するハウジング２を備える。ハウジング２の内部に光モジュール１の各部品が実装され、その後、蓋部３によってハウジング２を気密封止する。

光モジュール１は、半導体レーザである波長可変レーザダイオード（ＬＤ）１０を備える。波長可変ＬＤ１０は、第１の面２ａ、第２の面２ｂ、及び一対の側面２ｃ，２ｄによって形成される空間に搭載される。波長可変ＬＤ１０は、一方の光出射面である前面１１からレーザ光Ｌ１を出射すると共に、他方の光出射面である背面１２からレーザ光Ｌ２を出射する。

レーザ光Ｌ１の光路上には、コリメートレンズ１３、アイソレータ１４、光軸変換器１５、及びモニタフォトダイオード（モニタＰＤ）１６が設けられる。レーザ光Ｌ２の光路上には、コリメートレンズ２１、波長検知ユニット３０、及びアイソレータ２２が設けられる。更に、光モジュール１は、波長可変ＬＤ１０の温度調整を行うＴＥＣ４０と、波長検知ユニット３０の温度調整を行うＴＥＣ５０を備えている。

ハウジング２の第１の面２ａには、第１の光出力ポート６１及び第２の光出力ポート６２が設けられる。光モジュール１は、ハウジング２の第２の面２ｂに、外部との電気的な通信を行うＦＰＣ６３及びリードピン等の電気接続端子６０を有する。電気接続端子６０で扱う電気信号は、電源、バイアス又はＧＮＤ等、実質ＤＣ信号である。このため電気接続端子６０に高周波性能を補償する必要はない。

ハウジング２の側面２ｃ，２ｄは、光出力ポート６１，６２を設けた第１の面２ａから互いに平行に後方に延び出している。光モジュール１は、側面２ｃ，２ｄに、リードピン等の電気接続端子６０を有しない。更に、側面２ｃ，２ｄは、外部に突出する部位を有しない平坦状とされている。これにより、ＣＦＰ４規格の筐体に搭載可能なようにハウジング２の幅を抑えることが可能である。従って、小型化を実現させることができる。

波長可変ＬＤ１０はハウジング２の略中央に収容される。２つのコリメートレンズ１３，２１の光軸は互いにオフセットしている。波長可変ＬＤ１０は、コリメートレンズ１３，２１それぞれの光軸に対して０°又は９０°ではない有意の角度をもって斜めに搭載される。

このように有意の角度をもって波長可変ＬＤ１０を、サブマウント７１を介して搭載することにより前述したオフセットを吸収する。波長可変ＬＤ１０からは、レーザ光Ｌ１，Ｌ２が波長可変ＬＤ１０の光軸に対して平行に出射するが、波長可変ＬＤ１０が有意の角度をもつことにより、レーザ光Ｌ１，Ｌ２が反射によって波長可変ＬＤ１０に戻ることを抑制する。

コリメートレンズ１３は、波長可変ＬＤ１０からのレーザ光Ｌ１を発散光から平行光に変換する。アイソレータ１４は、コリメートレンズ１３からのレーザ光Ｌ１を通過させ、光軸変換器１５は、レーザ光Ｌ１の光軸をオフセットする。光軸変換器１５は、レーザ光Ｌ１の光軸をオフセットするために互いに平行位置関係にある反射面１５ａ，１５ｂを備える。一方の反射面１５ａは全反射膜を有し、他方の反射面１５ｂは、例えば、透過と反射の比率が５：９５（５％が透過、９５％が反射）のビームスプリッタ膜を有する。モニタＰＤ１６は、レーザ光Ｌ１の強度をモニタする。反射面１５ｂのビームスプリッタ膜を透過するレーザ光Ｌ１の一部（例えば５％）は、モニタＰＤ１６に結合する。

コリメートレンズ１３，２１、アイソレータ１４，２２、光軸変換器１５、モニタＰＤ１６及びサブマウント７１は、ベース７３を介してＴＥＣ４０上に搭載する。本実施形態では、波長可変ＬＤ１０を搭載するＴＥＣ４０と、波長検知ユニット３０を搭載するＴＥＣ５０の２つを互いに独立としている。

波長検知ユニット３０は、ＴＥＣ４０から独立したＴＥＣ５０上に、ベース７４を介して搭載する。波長検知ユニット３０は、２つのビームスプリッタ（ＢＳ）３１，３２、２つのモニタＰＤ３３，３４、エタロンフィルタ３５、光軸変換用の全反射ミラー３６、及びサーミスタ３７を備える。ＢＳ３１，３２、モニタＰＤ３３，３４、エタロンフィルタ３５、全反射ミラー３６及びサーミスタ３７はベース７４を介してＴＥＣ５０に搭載する。

波長可変ＬＤ１０の背面１２から出射したレーザ光Ｌ２は、コリメートレンズ２１の光軸に対して有意な角度で出射する。レーザ光Ｌ２は、コリメートレンズ２１で平行光に変換された後、第１のＢＳ３１に入射する。ＢＳ３１は、例えば、透過と反射の比率が５：９５（５％が透過、９５％が反射）の平板型ＢＳである。

ＢＳ３１は、入射光の大部分（例えば９５％）を全反射ミラー３６に向けて反射する。一方、ＢＳ３１は、入射光の僅かな部分（例えば５％）をＢＳ３２に向けて透過する。ＢＳ３１の反射率は、波長可変ＬＤ１０からのレーザ光Ｌ２の強度を確保するために９０％（より好ましくは９５％）以上に設定する。ＢＳ３１は、透明平板上に誘電体多層膜を設けた平板型ＢＳである。よって、プリズム型のＢＳと比較して、ＢＳ３１の反射率を容易に高めることができ、かつ低コストであることが利点である。

ＢＳ３２は、ＢＳ３１から入射した光を分岐する。ＢＳ３２は、例えば、透過と反射の比率が５０：５０（５０％が透過、５０％が反射）の平板型ＢＳである。ＢＳ３２は、エタロンフィルタ３５への分岐比を決定する。ＢＳ３２を透過した光はモニタＰＤ３３によって検知し、ＢＳ３２を反射した光はエタロンフィルタ３５を透過した後にモニタＰＤ３４によって検知する。モニタＰＤ３３は波長可変ＬＤ１０からのレーザ光Ｌ２の強度を検知する。ＢＳ３２を透過した光を検知するモニタＰＤ３３は、波長依存性を有する光学部品の影響を受けていないレーザ光Ｌ２を検知する。

コリメートレンズ２１及びＢＳ３１，３２は、それぞれの透過特性について波長依存性を有するものの、当該波長依存性は、波長可変ＬＤ１０の波長可変範囲と比較すると無視できるほどである。従って、モニタＰＤ３３の出力により、レーザ光Ｌ２についてのＡＰＣ制御（Auto Power Control）を実行可能である。

モニタＰＤ３４は、エタロンフィルタ３５の透過特性（透過率）の影響を受けた光を検知する。モニタＰＤ３３で検知した光の強度に対する、モニタＰＤ３４で検知した光の強度の比が、エタロンフィルタ３５の透過率に対応する。よって、エタロンフィルタ３５の光の透過率と波長依存性との関係を予め把握することにより、レーザ光Ｌ２の波長を見積もることが可能となる。

図３は、波長可変ＬＤ１０の断面構造を示す。波長可変ＬＤ１０は、ＳＧ−ＤＦＢ（Sampled Grating Distributed FeedBack）１０ｂと、ＣＳＧ−ＤＢＲ（Chirped Sampled GratingDistributed Bragg Reflector）１０ｃと、ＳＯＡ（Semiconductor Optical Amplifier）１０ａ，１０ｄを備える。

ＳＧ−ＤＦＢ１０ｂとＣＳＧ−ＤＢＲ１０ｃは共振器を形成し、この共振器により一の波長が選択される。ＳＧ−ＤＦＢ１０ｂは利得及びサンプルドグレーティングを有し、ＣＳＧ−ＤＢＲ１０ｃはサンプルドグレーティングを有する。ＳＧ−ＤＦＢ１０ｂは、基板８２上に、サンプルドグレーティングを含む下クラッド層８３、光導波層８４、及び上クラッド層８５が積層された構造を有する。

ＣＳＧ−ＤＢＲ１０ｃは、基板８２上に、サンプルドグレーティングを含む下クラッド層８３、光導波層９４、上クラッド層８５、絶縁膜８６、及び複数のヒータ８７が積層された構造を有する。各ヒータ８７には、電源電極８８及びグランド電極８９が設けられている。

ＳＯＡ１０ａは、基板８２上に、下クラッド層８３、活性層９５、上クラッド層８５、コンタクト層９０、及び電極９１が積層された構造を有する。ＳＯＡ１０ｄは、基板８２上に、下クラッド層８３、活性層９６、上クラッド層８５、コンタクト層９２、及び電極９３が積層された構造を有する。

光導波層８４は、光伝搬方向に沿って、活性層８４ａと導波路層８４ｂとが交互に並んだ構造を有する。導波路層８４ｂの上部に位置する上クラッド層８５には、絶縁膜８６を介してヒータ９８が設けられている。

ＳＧ−ＤＦＢ１０ｂ及びＣＳＧ−ＤＢＲ１０ｃには、下クラッド層８３に所定の間隔をあけて離散的に形成された標本化回折格子であるサンプルドグレーティング（Sampled Grating：ＳＧ）９７が形成されている。ＳＧ−ＤＦＢ１０ｂは、利得領域Ａ１と変調領域Ａ２を有し、利得領域Ａ１では、その上部に配置された電極から活性層８４ａにキャリアが注入される。故に光学的利得を有する。

一方、変調領域Ａ２は、その上部にヒータ９８を有し、ヒータ９８に電力を与えることによって導波路層８４ｂの温度を変える。ＳＧ９７は、回折格子を有する領域と、その間の回折格子を有しない領域とによって構成され、利得領域Ａ１及び変調領域Ａ２全体として複数のピークが等間隔に現れる光学利得スペクトルを示す。そして、ヒータ９８に与える電力を変化させて導波路層８４ｂの屈折率を変化させることにより、ピークの波長及び間隔を変化させることができる。

ＣＳＧ−ＤＢＲ１０ｃは、３つのセグメントＡ３，Ａ４，Ａ５を有する。各セグメントＡ３，Ａ４，Ａ５は、それぞれ独立に駆動するヒータ８７及びＳＧ９７を有する。ＳＧ９７の作用により、ＣＳＧ−ＤＢＲ１０ｃは複数のピークが離散的に表れる反射スペクトルを示す。そして、ヒータ８７に与える電力によって光導波層９４の屈折率を変化させ、前述と同様、ピークの波長及び間隔を変化させることができる。

なお、選択された一のピーク波長を所定の波長に設定するために波長可変ＬＤ１０全体の温度をＴＥＣ４０で調整してもよい。前述したモニタＰＤ１６の出力をＳＯＡ１０ａのバイアスに帰還することにより、ＡＰＣで前面１１からのレーザ光Ｌ１の出力を所定値に維持することが可能となる。また、モニタＰＤ３３の出力をＳＯＡ１０ｄのバイアスに帰還することにより、ＡＰＣで背面１２からのレーザ光Ｌ２の出力を所定値に維持することができる。

図１に示すように、波長可変ＬＤ１０の背面１２から出力したレーザ光Ｌ２は、コリメートレンズ２１でコリメート光に変換され、ＢＳ３１、全反射ミラー３６で進行方向を反転され、波長可変ＬＤ１０の側方を通過し、アイソレータ２２を通過した後、光出力ポート６２に向かう。波長可変ＬＤ１０の前面１１からのレーザ光Ｌ１は、コリメートレンズ１３、アイソレータ１４及び光軸変換器１５を通過した後、光出力ポート６１に向かう。

図４は、光出力ポート６１，６２の断面図である。図５は、光出力ポート６１，６２を光軸方向から見た図である。波長可変ＬＤ１０をＣＦＰ４規格の筐体内に搭載するには、ハウジング２の幅を６．７０ｍｍ以下にする必要がある。２つの光出力ポート６１，６２をハウジング２の第１の面２ａに設ける場合、光出力ポート６１の軸心６１ａ、及び光出力ポート６２の軸心６２ａ間の距離Ｄ１（軸心間距離）を３．３５ｍｍ（＝６．７０ｍｍ／２）以下にする必要がある。

一方、光モジュール１では、光出力ポート６１，６２それぞれの直径Ｄ２が４．４ｍｍである。直径Ｄ２は光出力ポート６１，６２それぞれの最大幅である。このため、光出力ポート６１，６２のそれぞれが互いに対向する部位をそれぞれ平坦面６１ｂ，６２ｂとすることにより、軸心６１ａ，６２ａ間の距離Ｄ１を１．９ｍｍとしている。

すなわち、光出力ポート６１，６２のそれぞれを１．２５ｍｍずつ削って平坦面６１ｂ，６２ｂとすることにより、軸心６１ａ，６２ａ間の距離Ｄ１を１．９ｍｍにまで小さくしている。このとき、２つの光出力ポート６１，６２を並べたときの全幅を６．３ｍｍまで狭くすることができるので、２つの光出力ポート６１，６２をハウジング２の幅（６．７ｍｍ）内に収めることができる。

光出力ポート６１，６２のそれぞれは、スタブ付きの偏波保持ファイバＦ１，Ｆ２が内蔵されたピグテール部品６４，６５と、ピグテール部品６４，６５のそれぞれを保持するホルダ６６，６７と、レンズ６８ａ，６９ａをそれぞれ保持するレンズホルダ６８，６９を備える。

例えば、ピグテール部品６４，６５の外径は１．１ｍｍであり、ホルダ６６，６７の外径は１．６ｍｍである。レンズホルダ６８，６９のそれぞれは、光出力ポート６１，６２それぞれの最大幅を規定しており、レンズホルダ６８，６９それぞれの直径が前述した直径Ｄ２に相当する。また、レンズホルダ６８のレンズホルダ６９に対向する面が平坦面６１ｂであり、レンズホルダ６９のレンズホルダ６８に対向する面が平坦面６２ｂである。

ピグテール部品６４，６５により、光出力ポート６１，６２は、それぞれ偏波保持ファイバＦ１，Ｆ２にピグテール接続する。ピグテール部品６４，６５それぞれの光軸方向の位置決めは貫通溶接によって実現される。ピグテール部品６４，６５をホルダ６６，６７に貫通してピグテール部品６４，６５の光学調芯を行う。そして、ピグテール部品６４，６５をホルダ６６，６７にＹＡＧ溶接で溶接することによって、高精度且つ高強度に位置決めを行うことができる。また、ホルダ６６，６７とレンズホルダ６８，６９との間、及びレンズホルダ６８，６９とハウジング２との間は、共に、隅肉溶接によって固定される。

貫通溶接部Ｙ１，Ｙ２の金属厚は０．３ｍｍ以上であることが好ましい。これにより、溶接時の応力が偏波保持ファイバＦ１，Ｆ２に伝わり偏波方向が変動する問題を回避することができる。本実施形態では、ピグテール部品６４，６５の外径１．１ｍｍに対して、貫通溶接部Ｙ１，Ｙ２の肉厚として０．４５ｍｍを確保するために、ピグテール部品６４，６５の中央付近に肉厚部を設け、その領域に貫通溶接を行う。ピグテール部品６４，６５の中央付近は、ピグテール部品６４，６５の圧入代が約３．０ｍｍ、貫通溶接領域が１．０ｍｍ、接着剤によるファイバ保持部の厚さを３．０ｍｍとしている。

（第２実施形態）
次に、第２実施形態に係る光モジュール１Ａについて図６及び図７を参照しながら説明する。以下では、第１実施形態と重複する説明を適宜省略する。光モジュール１Ａは、ＴＥＣ４０，５０に代えて、１つのＴＥＣ４０Ａを備える。波長可変ＬＤ１０の波長特性の温度依存性と比較して、モニタＰＤ３３Ａ及びエタロンフィルタ３５の波長特性の温度依存性が低く実質無視できる程度であるため、波長可変ＬＤ１０及び波長検知ユニット３０に対して共通のＴＥＣ４０Ａを備える。

すなわち、光モジュール１Ａは、波長可変ＬＤ１０のみをＴＥＣ４０Ａによって温度制御する構成を備える。この場合、ＴＥＣ４０Ａの数が１つであるため光モジュール１Ａ全体としての消費電力を削減できる。ＴＥＣ４０Ａは、波長可変ＬＤ１０の下部に位置するベース７３の直下に設けられる。

また、第２実施形態では、ＢＳ３１によって反射するレーザ光Ｌ２の光軸の向きと、波長可変ＬＤ１０の搭載箇所が第１実施形態と異なる。第２実施形態において、レーザ光Ｌ２は、ＢＳ３１でレーザ光Ｌ１の光軸から離れる方向に反射する。ＢＳ３１で反射したレーザ光Ｌ２は、全反射ミラー３６で反射され、波長可変ＬＤ１０の側方を通り、アイソレータ２２及びＢＳ１７Ｂを通って光出力ポート６２に向かう。一方、レーザ光Ｌ１は、コリメートレンズ１３によって平行光に変換された後、アイソレータ１４及びＢＳ１７Ａを通って光出力ポート６１に向かう。

ＢＳ１７Ａ，１７Ｂは、入射光の大部分を光出力ポート６１，６２に向けて透過する。一方、ＢＳ１７Ａ，１７Ｂは、入射光の僅かな部分をそれぞれモニタＰＤ１６Ａ，１６Ｂに向けて反射する。モニタＰＤ１６Ａ，１６Ｂは、それぞれ、レーザ光Ｌ１，Ｌ２の強度をモニタする。

また、第２実施形態では、波長可変ＬＤ１０において、第１実施形態とは反対側の側方をレーザ光Ｌ２が通過している。そして、前面１１からのレーザ光Ｌ１の光軸と、背面１２からのレーザ光Ｌ２の光軸との間隔は、光出力ポート６１，６２の間隔である距離Ｄ１に一致する。第２実施形態では、光軸変換器１５を不要とすることができる。

以上、光モジュールの各実施形態について説明したが、本発明は、前述した各実施形態に限定されない。すなわち、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において種々の変形及び変更が可能であることは当業者によって容易に認識される。

１，１Ａ…光モジュール、２…ハウジング、２ａ…第１の面、２ｂ…第２の面、２ｃ，２ｄ…側面、１０…波長可変ＬＤ（半導体レーザ）、１１…前面、１２…後面、１３，２１…コリメートレンズ、１４，２２…アイソレータ、１５…光軸変換器、１５ａ，１５ｂ…反射面、１６，１６Ａ，１６Ｂ，３３，３４…モニタＰＤ、３０…波長検知ユニット、３１，３２…ＢＳ、３５…エタロンフィルタ、３６…全反射ミラー、３７…サーミスタ、４０，５０…ＴＥＣ、６０…電気接続端子、６１…光出力ポート（第１の光出力ポート）、６１ａ，６２ａ…軸心、６１ｂ，６２ｂ…平坦面、６２…光出力ポート（第２の光出力ポート）、６３…ＦＰＣ、６４，６５…ピグテール部品、６６，６７…ホルダ、６８…レンズホルダ（第１のレンズホルダ）、６８ａ，６９ａ…レンズ、６９…レンズホルダ（第２のレンズホルダ）、７１…サブマウント、７３，７４…ベース、８２…基板、８３…下クラッド層、８４，９４…光導波層、８４ａ…活性層、８４ｂ…導波路層、８５…上クラッド層、８６…絶縁膜、８７，９８…ヒータ、８８…電源電極、８９…グランド電極、９０，９２…コンタクト層、９１，９３…電極、９２…コンタクト層、９５，９６…活性層、９７…ＳＧ、Ａ１…利得領域、Ａ２…変調領域、Ａ３，Ａ４，Ａ５…セグメント、Ｄ１…距離、Ｄ２…直径、Ｌ１，Ｌ２…レーザ光。

Claims (7)

1. 前面及び背面のそれぞれからレーザ光を出射する半導体レーザ（ＬＤ）と、
   前記前面からのレーザ光を出力する第１の光出力ポートと、
   前記背面からのレーザ光を出力する第２の光出力ポートと、
   前記ＬＤを収容し、前記第１の光出力ポート及び前記第２の光出力ポートが設けられる第１の面を有するハウジングを備え、
   前記ハウジングは、前記第１の面、前記第１の面に対向して電気接続端子が設けられる第２の面、並びに、前記第１の面及び前記第２の面を互いに接続する一対の側面を有し、
   前記第１の面、前記第２の面、及び前記一対の側面で形成される空間に前記ＬＤが搭載され、
   前記側面に電気接続端子を有しない、
   光モジュール。
2. 前記ＬＤと前記第２の面の間に、前記背面からのレーザ光の波長を検知する波長検知ユニットを備える、
   請求項１に記載の光モジュール。
3. 前記第１の光出力ポート及び前記第２の光出力ポートの軸心間距離は、前記第１の光出力ポート及び前記第２の光出力ポートそれぞれの最大幅よりも狭い、
   請求項１又は２に記載の光モジュール。
4. 前記第１の光出力ポートは、第１のレンズホルダを有し、
   前記第２の光出力ポートは、第２のレンズホルダを有し、
   前記第１のレンズホルダ及び前記第２のレンズホルダのそれぞれが前記最大幅を規定しており、
   前記第１のレンズホルダの前記第２のレンズホルダに対向する面、及び前記第２のレンズホルダの前記第１のレンズホルダに対向する面は、共に平坦に形成されている、
   請求項３に記載の光モジュール。
5. 前記前面からのレーザ光の光軸と、前記背面からのレーザ光の光軸との間隔は、前記第１の光出力ポート及び前記第２の光出力ポートの間隔に一致する、
   請求項１〜４のいずれか一項に記載の光モジュール。
6. 前記ＬＤは、波長可変ＬＤであり、
   前記波長可変ＬＤの温度を制御するＴＥＣを更に備える、
   請求項１〜５のいずれか一項に記載の光モジュール。
7. 前記第１の光出力ポート及び前記第２の光出力ポートは、それぞれ偏波保持ファイバにピグテール接続する、
   請求項１〜６のいずれか一項に記載の光モジュール。

Images