CN110704263A - 一种Flash读操作上电完成检测方法 - Google Patents

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谭亚伟
崔运东
王海力
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Abstract

本发明公开了一种Flash读操作上电完成的检测方法，步骤包括：在读检测地址中写入读检测识别字；主机访问Flash，读取读检测地址中的第一检测识别字；根据第一检测识别字和读检测识别字的关系，判定Flash是否完成读操作上电。通过上述方法可以避免因为Flash未完成上电，导致的主机读取数据无效的情况。

Description

一种Flash读操作上电完成检测方法
技术领域
本发明涉及存储芯片领域，尤其涉及一种Flash读操作上电完成检测方法。
背景技术
目前，存储芯片Flash，尤其是SPI Flash存在一定时长的上电时间。不同厂家不同型号的器件，上电时长不同。
图1为现有技术中一种SPI Flash的上电时序图，如图1所示，该SPI Flash在“设备完全可访问”前，存在一定时长的上电时间，即“编程、擦除和写指令被忽略”所对应的时间，该上电时间内的参数定义如表1所示：
符号 参数 最小 最大 单位
t<sub>VSL</sub> V<sub>CC</sub>(min)to CS#low 10 μs
t<sub>PUW</sub> 允许发送写指令的延迟 1 10 ms
V<sub>WI</sub> 写禁止门限电压 1 2.5 V
表1一种SPI Flash上电时间内的参数定义
结合图1和表1可知，主机在访问SPI Flash的时候，如果SPI Flash还没有完成上电，则读出的数据是无效的，写入的数据则会丢失。而且，在这个过程中，SPI Flash并不会反馈任何错误信息，通知主机，因此，会导致系统错误。
发明内容
本发明的目的在于解决现有技术存在的缺陷。
为了达到上述目的，一方面，本发明公开了一种Flash读操作上电完成的检测方法，包括下列步骤：在读检测地址中写入读检测识别字；主机访问Flash，读取读检测地址中的第一检测识别字；根据第一检测识别字和读检测识别字的关系，判定Flash是否完成读操作上电。
一个实例中，根据第一检测识别字和读检测识别字的关系，判定Flash是否完成读操作上电的过程，具体为：判断第一检测识别字是否与读检测识别字相同；当主机读取的第一检测识别字与读检测识别字相同时，则认为Flash读操作上电完成；否则认为Flash未完成读操作上电。
进一步的实例中，当主机读取的第一检测识别字与读检测识别字相同时，则认为Flash读操作上电完成，还包括步骤：预设判定次数N，当连续N次第一检测识别字与读检测识别字相同时，认为Flash读操作上电完成；其中，N为正整数。
一个实例中，在读检测地址中写入读检测识别字的步骤之前，还包括步骤：选择Flash中某一段地址空间作为读检测地址。
本发明的优点在于：通过约定的读检测识别字，在Flash上电过程中，由主机对特定的读检测地址进行多次读取。当主机读取到正确的读检测识别字时，判定Flash完成读操作的上电，即通知主机此时可以进行Flash数据的读操作。约定的读检测识别字采用特殊的编码以防止在检测过程中发生误判。通过上述方法可以避免因为Flash未完成上电，导致的主机读取数据无效的情况。
附图说明
图1为现有技术中一种SPI Flash的上电时序图；
图2为本发明的一种Flash读操作上电完成检测方法流程图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
图2为本发明中的一种Flash读操作上电完成检测方法，如图2所示。该检测方法包括下列步骤：
步骤S110：在读检测地址中写入读检测识别字。
具体的，读检测地址为Flash中的非存储空间；读检测地址被设置为主机最先进行读取的地址。
具体的，读检测识别字为公开的数据，作为验证Flash读操作上电完成的依据；读检测识别字可以为一些特定的数据，与常规的读写数据存在编码上的区别，起到防止误判的作用。
一个实例中，读检测识别字采用01交替和0011交替的方式编码，例如，形成32位的读检测识别字：32’b0101_0011_0010_0110_1100_1100_1010_1010。需要理解，根据用户需要，读检测识别字还可以为Flash可以存储的8位、16位等其他位宽，以及其他方式编码。
在步骤S110之前还包括步骤S101。
步骤S101：选择Flash中某一段地址空间作为读检测地址。
具体的，步骤S101的选择读检测地址以及步骤S110的在读检测地址中写入读检测识别字，可以在任何设备和/或任何阶段进行，例如：在Flash出厂时就确定读检测地址和读检测识别字。
步骤S120：主机访问Flash，读取读检测地址中的第一检测识别字。
具体的，将写入了读检测识别字的Flash与主机连接，并上电。主机重复访问Flash中的读检测地址，多次获取其中的第一检测识别字。
步骤S130：根据第一检测识别字和读检测识别字的关系，判定Flash是否完成读操作上电。
具体的，通过判断第一检测识别字是否与读检测识别字相同，判断Flash是否完成读操作上电。当主机读取的第一检测识别字与读检测识别字相同时，则认为Flash读操作上电完成；否则认为Flash未完成读操作上电，回到步骤S120再次读取读检测地址中的第一检测识别字，并执行后续步骤。
一个实例中，预设判定次数为N。对读检测地址进行M次读取，当连续出现N次读取的第一检测识别字为读检测识别字时，认为Flash读操作上电完成；其中，M、N为正整数，M≥N。
例如，设N＝3，当主机连续3次读取的第一检测识别字为读检测识别字时，则认为Flash读操作上电完成；否则认为Flash未完成读操作上电。
由于在上电过程中，电压变化等因素带来的影响。可能发生第一检测识别字未被正确读取，但与读检测识别字相同的情况。通过预设判定次数的方法，连续多次地判断第一检测识别字是否与读检测识别字相同，可以避免上述情况发生引起的误判。
本发明提供了一种Flash读操作上电完成检测方法。可以使用软件实现，也可以使用逻辑电路或其他手段实现。
通过约定的读检测识别字，在Flash上电过程中，由主机对特定的读检测地址进行多次读取。当主机读取到正确的读检测识别字时，判定Flash完成读操作的上电，即通知主机此时可以进行Flash数据的读操作。约定的读检测识别字采用特殊的编码以防止在检测过程中发生误判。通过上述方法可以避免因为Flash未完成上电，导致的主机读取数据无效的情况。
以上的具体实施方式，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上仅为本发明的具体实施方式而已，并不用于限定本发明的保护范围，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (4)

1.一种Flash读操作上电完成的检测方法，其特征在于，包括下列步骤：
在读检测地址中写入读检测识别字；
主机访问Flash，读取所述读检测地址中的第一检测识别字；
根据所述第一检测识别字和所述读检测识别字的关系，判定所述Flash是否完成读操作上电。
2.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述根据所述第一检测识别字和所述读检测识别字的关系，判定所述Flash是否完成读操作上电的过程，具体为，
判断所述第一检测识别字是否与所述读检测识别字相同；当主机读取的第一检测识别字与所述读检测识别字相同时，则认为所述Flash读操作上电完成；否则认为所述Flash未完成读操作上电。
3.根据权利要求2所述的检测方法，其特征在于，所述当主机读取的第一检测识别字与所述读检测识别字相同时，则认为所述Flash读操作上电完成，还包括步骤：
预设判定次数N，当连续N次所述第一检测识别字与所述读检测识别字相同时，认为所述Flash读操作上电完成；其中，N为正整数。
4.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述在读检测地址中写入读检测识别字的步骤之前，还包括步骤：选择Flash中某一段地址空间作为所述读检测地址。
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