CN110691497A - 电磁屏蔽膜、线路板及电磁屏蔽膜的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及电子技术领域，公开了一种电磁屏蔽膜、线路板及电磁屏蔽膜的制备方法，其中，电磁屏蔽膜包括多个凸状颗粒以及依次层叠设置的第一屏蔽层、N个第二屏蔽层、第三屏蔽层和胶膜层，通过将第一屏蔽层靠近胶膜层的一面设置为非平整表面，并且通过将多个凸状颗粒分布于第一屏蔽层和第二屏蔽层之间以及第二屏蔽层和第三屏蔽层之间，以便于第三屏蔽层靠近胶膜层的一面形成非平整表面，从而便于第三屏蔽层的非平整表面在电磁屏蔽膜与线路板压合时刺穿胶膜层并与线路板的地层连接，以避免现有电磁屏蔽膜的胶膜层高温膨胀时胶膜层的导电粒子被拉开造成接地失效，从而确保了电磁屏蔽膜与线路板的地层连接。
Description
技术领域
本发明涉及电子技术领域，特别是涉及一种电磁屏蔽膜、线路板及电磁屏蔽膜的制备方法。
背景技术
随着电子工业的迅速发展，电子产品进一步向小型化，轻量化，组装高密度化发展，极大地推动挠性电路板的发展，从而实现元件装置和导线连接一体化。挠性电路板可广泛应用于手机、液晶显示、通信和航天等行业。
在国际市场的推动下，功能挠性电路板在挠性电路板市场中占主导地位，而评价功能挠性电路板性能的一项重要指标是电磁屏蔽(Electromagnetic InterferenceShielding，简称EMI Shielding)。随着手机等通讯设备功能的整合，其内部组件急剧高频高速化。例如：手机功能除了原有的音频传播功能外，照相功能已成为必要功能，且WLAN(Wireless Local Area Networks，无线局域网)、GPS(Global Positioning System，全球定位系统)以及上网功能已普及，再加上未来的感测组件的整合，组件急剧高频高速化的趋势更加不可避免。在高频及高速化的驱动下所引发的组件内部及外部的电磁干扰、信号在传输中衰减以及插入损耗和抖动问题逐渐严重。
目前，现有线路板常用的电磁屏蔽膜包括屏蔽层和含有导电粒子的胶膜层，屏蔽层通过含有导电粒子的胶膜层与线路板的地层接地导通，但是，由于在高温压合下，胶膜层容易膨胀并胶膜层的导电粒子被拉开，使得屏蔽层无法通过胶膜层与线路板的地层接地导通，从而影响接地的可靠性。
发明内容
本发明实施例的目的是提供一种电磁屏蔽膜、线路板及电磁屏蔽膜的制备方法，其能够有效地避免现有电磁屏蔽膜的胶膜层高温膨胀时胶膜层的导电粒子被拉开造成接地失效，以保证电磁屏蔽膜接地，从而将干扰电荷导出。
为了解决上述技术问题，本发明实施例提供一种电磁屏蔽膜，包括第一屏蔽层、N个第二屏蔽层、第三屏蔽层、胶膜层和多个凸状颗粒；所述第一屏蔽层、N个所述第二屏蔽层、所述第三屏蔽层和所述胶膜层依次层叠设置；所述第一屏蔽层靠近所述胶膜层的一面为非平整表面，多个所述凸状颗粒分布于所述第一屏蔽层和所述第二屏蔽层之间以及所述第二屏蔽层和所述第三屏蔽层之间，所述第三屏蔽层靠近所述胶膜层的一面为非平整表面，所述胶膜层设于所述第三屏蔽层上；其中，N大于或等于1。
作为优选方案，所述第二屏蔽层包覆所述第一屏蔽层和所述第二屏蔽层之间的凸状颗粒并形成凸部，所述第二屏蔽层包覆该凸状颗粒以外的其他位置形成凹陷部；
所述第三屏蔽层包覆所述第二屏蔽层和所述第三屏蔽层之间的凸状颗粒并形成凸部，所述第三屏蔽层包覆该凸状颗粒以外的其他位置形成凹陷部。
作为优选方案，所述第二屏蔽层的凸部与所述第三屏蔽层的凸部一一对应，所述第二屏蔽层的凹陷部与所述第三屏蔽层的凹陷部一一对应。
作为优选方案，其中一个或多个所述第二屏蔽层靠近所述胶膜层的一面上附着有多个所述凸状颗粒。
作为优选方案，所述第一屏蔽层靠近所述胶膜层的一面上设有导电凸起；和/或，其中一个或多个所述第二屏蔽层靠近所述胶膜层的一面上设有导电凸起；和/或，所述第三屏蔽层靠近所述胶膜层的一面上设有导电凸起。
作为优选方案，所述凸状颗粒包括导体颗粒、半导体颗粒、绝缘体颗粒和包覆复合颗粒的一种或多种。
作为优选方案，所述胶膜层包括含有导电粒子的黏着层；或，所述胶膜层包括不含导电粒子的黏着层。
所述电磁屏蔽膜还包括保护膜层，所述保护膜层设于所述第一屏蔽层远离所述胶膜层的一面上。
为了解决相同的技术问题，本发明实施例还提供一种线路板，包括线路板本体以及所述的电磁屏蔽膜，所述电磁屏蔽膜通过所述胶膜层与所述线路板本体相压合；所述第三屏蔽层刺穿所述胶膜层并与所述线路板本体的地层电连接。
本发明实施例提供一种电磁屏蔽膜和线路板，其中，电磁屏蔽膜包括多个凸状颗粒以及依次层叠设置的第一屏蔽层、N个第二屏蔽层、第三屏蔽层和胶膜层，通过将第一屏蔽层靠近胶膜层的一面设置为非平整表面，并且通过将多个凸状颗粒分布于第一屏蔽层和第二屏蔽层之间以及第二屏蔽层和第三屏蔽层之间，以便于第三屏蔽层靠近胶膜层的一面形成非平整表面，从而便于第三屏蔽层的非平整表面在电磁屏蔽膜与线路板压合时刺穿胶膜层并与线路板的地层连接，以避免现有电磁屏蔽膜的胶膜层高温膨胀时胶膜层的导电粒子被拉开造成接地失效，从而确保了电磁屏蔽膜与线路板的地层连接；此外，在电磁屏蔽膜与线路板压合时，构成胶膜层的胶类物质被挤压到第三屏蔽层的凹陷位置中，以增大容胶量，从而不容易出现爆板现象，避免了现有的电磁屏蔽膜由于容胶量不足导致高温爆板的问题，进而有效地保证了电磁屏蔽膜接地，从而将干扰电荷导出。
为了解决相同的技术问题，本发明实施例还提供一种电磁屏蔽膜的制备方法，包括以下步骤：
形成第一屏蔽层；其中，所述第一屏蔽层的一面为非平整表面；
在所述第一屏蔽层的非平整表面上形成多个凸状颗粒；
在形成有多个凸状颗粒的所述第一屏蔽层上形成N个第二屏蔽层；其中，N大于或等于1；
在所述第二屏蔽层上形成多个凸状颗粒；
在形成有多个凸状颗粒的所述第二屏蔽层上形成第三屏蔽层；其中，所述第三屏蔽层的一面为非平整表面；
在所述第三屏蔽层的非平整表面上形成胶膜层。
作为优选方案，在形成第一屏蔽层后，还包括：
在所述第一屏蔽层的非平整表面上形成导电凸起。
作为优选方案，其中一个或多个所述第二屏蔽层靠近所述胶膜层的一面上附着有多个所述凸状颗粒。
作为优选方案，其中一个或多个所述第二屏蔽层靠近所述胶膜层的一面上设有导电凸起。
作为优选方案，在形成有多个凸状颗粒的所述第二屏蔽层上形成第三屏蔽层后，还包括：
在所述第三屏蔽层的非平整表面上形成导电凸起。
本发明实施例提供一种电磁屏蔽膜的制备方法，首先，形成第一屏蔽层；其中，第一屏蔽层的一面为非平整表面；然后，在第一屏蔽层的非平整表面上形成多个凸状颗粒；再在形成有多个凸状颗粒的第一屏蔽层上形成N个第二屏蔽层；接着，在第二屏蔽层上形成多个凸状颗粒，并且在形成有多个凸状颗粒的第二屏蔽层上形成第三屏蔽层；其中，第三屏蔽层的一面为非平整表面；最后，在第三屏蔽层的非平整表面上形成胶膜层，以使得制备后的电磁屏蔽膜包括多个凸状颗粒以及依次层叠设置的第一屏蔽层、N个第二屏蔽层、第三屏蔽层和胶膜层，通过将第一屏蔽层靠近胶膜层的一面设置为非平整表面，并且通过将多个凸状颗粒分布于第一屏蔽层和第二屏蔽层之间以及第二屏蔽层和第三屏蔽层之间，以便于第三屏蔽层靠近胶膜层的一面形成非平整表面，从而便于第三屏蔽层的非平整表面在电磁屏蔽膜与线路板压合时刺穿胶膜层并与线路板的地层连接，以避免现有电磁屏蔽膜的胶膜层高温膨胀时胶膜层的导电粒子被拉开造成接地失效，从而确保了电磁屏蔽膜与线路板的地层连接；此外，在电磁屏蔽膜与线路板压合时，构成胶膜层的胶类物质被挤压到第三屏蔽层的凹陷位置中，以增大容胶量，从而不容易出现爆板现象，避免了现有的电磁屏蔽膜由于容胶量不足导致高温爆板的问题，进而有效地保证了电磁屏蔽膜接地，从而将干扰电荷导出。
附图说明
图1是本发明实施例一的电磁屏蔽膜的结构示意图；
图2是本发明实施例二的电磁屏蔽膜的结构示意图；
图3是本发明实施例三的电磁屏蔽膜的结构示意图；
图4是本发明实施例四的电磁屏蔽膜的结构示意图；
图5是本发明实施例中的线路板的结构示意图；
图6是本发明实施例中的线路板的另一实施方式的结构示意图；
图7是本发明实施例中的电磁屏蔽膜的制备方法的流程示意图；
其中，1、第一屏蔽层；2、第二屏蔽层；3、第三屏蔽层；4、胶膜层；5、凸状颗粒；6、凸部；7、凹陷部；8、导电凸起；9、保护膜层；11、线路板本体。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例一
请参阅图1，本发明优选实施例的一种电磁屏蔽膜，包括第一屏蔽层1、N个第二屏蔽层2、第三屏蔽层3、胶膜层4和多个凸状颗粒5；所述第一屏蔽层1、N个所述第二屏蔽层2、所述第三屏蔽层3和所述胶膜层4依次层叠设置；所述第一屏蔽层1靠近所述胶膜层4的一面为非平整表面，多个所述凸状颗粒5分布于所述第一屏蔽层1和所述第二屏蔽层2之间以及所述第二屏蔽层2和所述第三屏蔽层3之间，所述第三屏蔽层3靠近所述胶膜层4的一面为非平整表面，所述胶膜层4设于所述第三屏蔽层3上；其中，N大于或等于1。在本实施例中，N为1，即所述第二屏蔽层2为1个。
在本发明实施例中，通过将第一屏蔽层1靠近胶膜层4的一面设置为非平整表面，并且通过将多个凸状颗粒5分布于第一屏蔽层1和第二屏蔽层2之间以及第二屏蔽层2和第三屏蔽层3之间，以便于第三屏蔽层3靠近胶膜层4的一面形成非平整表面，从而便于第三屏蔽层3的非平整表面在电磁屏蔽膜与线路板压合时刺穿胶膜层4并与线路板的地层连接，以避免现有电磁屏蔽膜的胶膜层4高温膨胀时胶膜层4的导电粒子被拉开造成接地失效，从而确保电磁屏蔽膜与线路板的地层连接；此外，在电磁屏蔽膜与线路板压合时，构成胶膜层4的胶类物质被挤压到第三屏蔽层3的凹陷位置中，以增大容胶量，从而不容易出现爆板现象，避免了现有的电磁屏蔽膜由于容胶量不足导致高温爆板的问题，进而有效地保证了电磁屏蔽膜接地，从而将干扰电荷导出。
在本发明实施例中，所述非平整表面为规则的非平整表面或不规则的非平整表面。具体地，当所述非平整表面为规则的非平整表面时，所述非平整表面为周期性起伏变化的结构，所述非平整表面上起伏的幅度以及起伏的间隔相同；当所述非平整表面为不规则的非平整表面时，所述非平整表面为非周期性起伏变化的结构，所述非平整表面上起伏的幅度和/或起伏的间隔不同。
优选地，所述第一屏蔽层1的厚度为0.1μm-45μm，所述第二屏蔽层2的厚度为0.1μm-45μm，所述第三屏蔽层3的厚度为0.1μm-45μm，所述胶膜层4的厚度为1μm-80μm。所述胶膜层4所用材料选自以下几种：改性环氧树脂类、丙烯酸类、改性橡胶类、改性热塑性聚酰亚胺类。可以理解的，为了保证所述第一屏蔽层1、所述第二屏蔽层2和所述第三屏蔽层3具有良好的导电性，所述第一屏蔽层1、所述第二屏蔽层2和所述第三屏蔽层3分别包括金属屏蔽层、碳纳米管屏蔽层、铁氧体屏蔽层和石墨烯屏蔽层中的一种或多种。其中，所述金属屏蔽层包括单金属屏蔽层和/或合金屏蔽层；其中，所述单金属屏蔽层由铝、钛、锌、铁、镍、铬、钴、铜、银和金中的任意一种材料制成，所述合金屏蔽层由铝、钛、锌、铁、镍、铬、钴、铜、银和金中的任意两种或两种以上的材料制成。
需要说明的是，本实施例的所述第一屏蔽层1、所述第二屏蔽层2和所述第三屏蔽层3可分别为单层结构或多层结构。另外，根据实际生产和应用的需要，本实施例的第一屏蔽层1、所述第二屏蔽层2所述第三屏蔽层3可设置为网格状、发泡状等。
优选地，所述第三屏蔽层3靠近所述胶膜层4的一面的起伏度(即所述第三屏蔽层3靠近所述胶膜层4的一面的最高点和最低点之间的距离)为0.1μm-30μm，将所述第三屏蔽层3靠近所述胶膜层4的一面的起伏度设定在上述范围内，可增强所述第三屏蔽层3的刺穿功能，从而保证所述第一屏蔽层1、所述第二屏蔽层2和所述第三屏蔽层3中的干扰电荷顺利导入地中，进而避免了干扰电荷的积聚而形成干扰源。
请参阅图1，为了使得所述第三屏蔽层3在压合过程中更容易刺穿所述胶膜层4，本实施例中的所述第二屏蔽层2包覆所述第一屏蔽层1和所述第二屏蔽层2之间的凸状颗粒5并形成凸部6，所述第二屏蔽层2包覆该凸状颗粒5以外的其他位置形成凹陷部7；所述第三屏蔽层3包覆所述第二屏蔽层2和所述第三屏蔽层3之间的凸状颗粒5并形成凸部6，所述第三屏蔽层3包覆该凸状颗粒5以外的其他位置形成凹陷部7。通过所述第二屏蔽层2包覆凸状颗粒5并形成凸部6、所述第三屏蔽层3包覆凸状颗粒5并形成凸部6，以使得所述第三屏蔽层3在压合过程中更容易刺穿所述胶膜层4，从而确保了所述第一屏蔽层1、所述第二屏蔽层2、第三屏蔽层3与线路板的地层之间连接的可靠性；此外，在电磁屏蔽膜与线路板压合时，构成胶膜层4的胶类物质被挤压到所述第三屏蔽层3的凹陷部7中，以增大容胶量，从而不容易出现爆板现象，避免了现有的电磁屏蔽膜由于容胶量不足导致高温爆板的问题，进而有效地保证了电磁屏蔽膜接地，从而将干扰电荷导出。此外，所述第三屏蔽层3的多个所述凸部6可与所述胶膜层4的外表面存在一定的距离，也可与所述胶膜层4的外表面相接触或延伸出所述胶膜层4的外表面。
请参阅图1，为了提高所述第三屏蔽层3的穿刺强度，本实施例中的所述第二屏蔽层2的凸部6与所述第三屏蔽层3的凸部6一一对应，所述第二屏蔽层2的凹陷部7与所述第三屏蔽层3的凹陷部7一一对应。通过将所述第二屏蔽层2的凸部6与所述第三屏蔽层3的凸部6一一对应，所述第二屏蔽层2的凹陷部7与所述第三屏蔽层3的凹陷部7一一对应，以使得所述第二屏蔽层2的凸部6和所述第三屏蔽层3的凸部6层叠在一起，从而有利于增加所述第三屏蔽层3靠近所述胶膜层4的一面的起伏度，进而有效地提高了所述第三屏蔽层3的穿刺强度。优选地，分布于所述第二屏蔽层2和所述第三屏蔽层3之间的多个所述凸状颗粒5集中分布于所述第二屏蔽层2的凸部6上。
请参阅图1，在本发明实施例中，为了进一步提高所述第三屏蔽层3的穿刺强度，本实施例中的所述第一屏蔽层1靠近所述胶膜层4的一面包括凸部6和凹陷部7，所述第一屏蔽层1的凸部6、所述第二屏蔽层2的凸部6与所述第三屏蔽层3的凸部6一一对应，所述第一屏蔽层1的凹陷部7、所述第二屏蔽层2的凹陷部7与所述第三屏蔽层3的凹陷部7一一对应。通过将所述第一屏蔽层1的凸部6、所述第二屏蔽层2的凸部6与所述第三屏蔽层3的凸部6一一对应，从而有利于增加所述第三屏蔽层3靠近所述胶膜层4的一面的起伏度，进而有效地提高了所述第三屏蔽层3的穿刺强度。优选地，分布于所述第一屏蔽层1和所述第二屏蔽层2之间的多个所述凸状颗粒5集中分布于所述第一屏蔽层1的凸部6上。
所述凸状颗粒5包括导体颗粒、半导体颗粒、绝缘体颗粒包覆复合颗粒(导体包覆的绝缘体颗粒，或者绝缘体包覆的另一种绝缘体颗粒等)的一种或多种，还包括小颗粒团聚而成的大颗粒。在实际应用中，所述凸状颗粒5为钻石粉、钛白粉、硅粉末、硅化物粉末、二氧化硅粉末、铝化物粉末、石墨烯粉体、铁粉、镍粉、铜粉、镀镍钻石粉，镀金属无机粉体等。需要说明的是，本发明中的凸状颗粒5的形状并不受图示的限制，其材料也不受上述材料的限制，只要是具有使得第二屏蔽层2和第三屏蔽层3形成所述凸部6的颗粒，均在本发明的保护范围之内。
为了满足所述第三屏蔽层3形成足够刺穿胶膜层4的凸部6，本实施例中的所述凸状颗粒5的高度为0.1μm-30μm。另外，所述胶膜层4的厚度与所述第三屏蔽层3靠近所述胶膜层4的一面的起伏度满足比例关系优选为：0.8～2，以保证足够的刺穿强度和容胶量，具体体现为：一方面防止胶膜层4的厚度相对于第三屏蔽层3靠近所述胶膜层4的一面的起伏度过小而导致容胶量不足进而导致爆板现象，另一方面防止所述第三屏蔽层3靠近所述胶膜层4的一面的起伏度相对于胶膜层4的厚度过小而导致刺穿强度不足而导致接地失效现象产生。需要说明的是，所述第三屏蔽层3靠近所述胶膜层4的一面的起伏度为所述第三屏蔽层3靠近所述胶膜层4的一面的最高点和最低点的距离。
在本发明实施例中，为了进一步确保所述电磁屏蔽膜与线路板的地层连接，本实施例中的所述胶膜层4包括含有导电粒子的黏着层。通过所述黏着层能够将所述电磁屏蔽膜与线路板紧密黏合；此外，通过所述胶膜层4包括含有导电粒子的黏着层，以提高所述胶膜层4的导电能力，从而进一步确保了所述电磁屏蔽膜与线路板的地层连接。当然，所述胶膜层4可以包括不含导电粒子的黏着层，以降低带有所述电磁屏蔽膜的线路板的涡流损耗，从而保证了传输的完整性，并且能够在提高屏蔽效能的同时改善线路板的弯折性。需要说明的是，所述导电粒子可以为相互分离的导电粒子，也可以为团聚而成的大颗粒导电粒子；当所述导电粒子为相互分离的导电粒子时，可进一步提高所述胶膜层4的接地导通性；而当所述导电粒子为团聚而成的大颗粒导电粒子时，可增加刺穿强度。
请参阅图1，本实施例的所述电磁屏蔽膜还包括保护膜层9，所述保护膜层9设于所述第一屏蔽层1远离所述胶膜层4的一面上。由于所述保护膜层9具有隔绝作用，因此保证了所述第一屏蔽层1、所述第二屏蔽层2和所述第三屏蔽层3的屏蔽效能；此外，所述保护膜层9还具有保护作用，以保证所述第一屏蔽层1在使用过程中不被划伤破损，从而维持所述第一屏蔽层1的高屏蔽效能。所述保护膜层9包括PPS薄膜层、PEN薄膜层、聚酯薄膜层、聚酰亚胺薄膜层、环氧树脂油墨固化后形成的膜层、聚氨酯油墨固化后形成的膜层、改性丙烯酸树脂固化后形成的膜层或聚酰亚胺树脂固化后形成的膜层。其中，所述保护膜层9远离所述第一屏蔽层1的一面上还可以设有载体膜，所述载体膜对保护膜层9起支撑作用，有利于后续加工。
请参阅图5，为了解决相同的技术问题，本发明实施例还提供一种线路板，包括线路板本体11以及所述的电磁屏蔽膜，所述电磁屏蔽膜通过所述胶膜层4与所述线路板本体11相压合；所述第三屏蔽层3刺穿所述胶膜层4并与所述线路板本体11的地层电连接。
在本发明实施例中，所述第三屏蔽层3在所述电磁屏蔽膜与所述线路板本体11压合时能够刺穿所述胶膜层4并与线路板本体11的地层连接，从而确保了所述第一屏蔽层1、所述第二屏蔽层2、所述第三屏蔽层3与线路板本体11的地层连接，从而实现将所述第一屏蔽层1、所述第二屏蔽层2和所述第三屏蔽层3中的干扰电荷导入地中，避免了干扰电荷的积聚而形成干扰源影响线路板的正常工作。
优选地，所述线路板本体11为挠性单面、挠性双面、挠性多层板、刚挠结合板中的一种。
实施例二
请参阅图2，本实施例的电磁屏蔽膜与实施例一的区别在于，本实施例中的其中一个或多个所述第二屏蔽层2靠近所述胶膜层4的一面上附着有多个所述凸状颗粒5。通过在其中一个或多个所述第二屏蔽层2靠近所述胶膜层4的一面上附着有多个所述凸状颗粒5，从而有利于增加所述第三屏蔽层3靠近所述胶膜层4的一面的起伏度，进而有效地提高了所述第三屏蔽层3的穿刺强度。优选地，其中一个或多个所述第二屏蔽层2靠近所述胶膜层4的一面上附着的多个所述凸状颗粒5集中附着在所述第二屏蔽层2的凸部6上。在本实施例中，N为2，即所述第二屏蔽层2为2个。
请参阅图2，为了进一步确保所述电磁屏蔽膜与线路板的地层电连接，本实施例中的所述第三屏蔽层3靠近所述胶膜层4的一面上设有导电凸起8。通过在所述第三屏蔽层3靠近所述胶膜层4的一面上设有导电凸起8，以便于刺穿所述胶膜层4，从而进一步确保所述电磁屏蔽膜与线路板的地层电连接。优选地，所述导电凸起8集中分布于所述第三屏蔽层3的凸部6上，以使得所述第三屏蔽层3在压合过程中更容易刺穿所述胶膜层4，从而实现接地，提高电磁屏蔽的质量。在具体实施当中，可以先形成第三屏蔽层3，然后再通过其他工艺在所述第三屏蔽层3上形成导电凸起8。当然，所述第三屏蔽层3和所述导电凸起8还可以是通过一次成型工艺形成的整体结构。
请参阅图2，为了进一步提高所述第三屏蔽层3的穿刺强度，本实施例中的所述第一屏蔽层1靠近所述胶膜层4的一面上设有导电凸起8。通过在所述第一屏蔽层1靠近所述胶膜层4的一面上设有导电凸起8，从而有利于增加所述第三屏蔽层3靠近所述胶膜层4的一面的起伏度，进而有效地提高了所述第三屏蔽层3的穿刺强度。在具体实施当中，可以先形成第一屏蔽层1，然后再通过其他工艺在所述第一屏蔽层1上形成导电凸起8。当然，所述第一屏蔽层1和所述导电凸起8还可以是通过一次成型工艺形成的整体结构。本实施例中的所述第一屏蔽层1靠近所述胶膜层4的一面上同时设有多个所述凸状颗粒5和导电凸起8，优选地，多个所述凸状颗粒5附着在所述导电凸起8上。
优选地，所述导电凸起8的高度为0.1μm-30μm；所述第三屏蔽层3上的导电凸起8可与所述胶膜层4的外表面存在一定的距离，也可与所述胶膜层4的外表面相接触或延伸出所述胶膜层4的外表面。此外，所述胶膜层4的外表面可以为无起伏的平整表面，也可以是平缓起伏的不平整表面。
需要说明的是，本发明附图中的所述导电凸起8的形状仅仅是示例性的，由于工艺手段及参数上的差异，所述导电凸起8还可以为团簇状、挂冰状、钟乳石状、树枝状等其他形状。此外，本发明实施例中的导电凸起8并不受图示及上述形状的限制，只要是具有刺穿及导电功能的导电凸起8，均在本发明的保护范围之内。
在本发明实施例中，所述导电凸起8包括金属颗粒、碳纳米管颗粒和铁氧体颗粒中的一种或多种。此外，所述金属颗粒包括单金属颗粒和/或合金颗粒；其中，所述单金属颗粒由铝、钛、锌、铁、镍、铬、钴、铜、银和金中的任意一种材料制成，所述合金颗粒由铝、钛、锌、铁、镍、铬、钴、铜、银和金中的任意两种或两种以上的材料制成。需要说明的是，所述导电凸起8可以与所述第一屏蔽层1或所述第二屏蔽层2或所述第三屏蔽层3的材料相同，也可以不相同。
本实施例的其它结构和工作原理与实施例一相同，在此不做更多的赘述。
实施例三
请参阅图3，本实施例的电磁屏蔽膜与实施例二的区别在于，本实施例中的其中一个或多个所述第二屏蔽层2靠近所述胶膜层4的一面上设有导电凸起8。通过在其中一个或多个所述第二屏蔽层2靠近所述胶膜层4的一面上设有导电凸起8，从而有利于增加所述第三屏蔽层3靠近所述胶膜层4的一面的起伏度，进而有效地提高了所述第三屏蔽层3的穿刺强度。优选地，其中一个或多个所述第二屏蔽层2靠近所述胶膜层4的一面上的导电凸起8集中设于所述第二屏蔽层2的凸部6上。
在具体实施中，可以先形成第二屏蔽层2，然后在每形成一个所述第二屏蔽层2后通过其他工艺形成的所述第二屏蔽层2上形成导电凸起8。当然，所述第二屏蔽层2和所述导电凸起8还可以是通过一次成型工艺形成的整体结构。
本实施例的其它结构和工作原理与实施例二相同，在此不做更多的赘述。
实施例四
结合图4和图6所示，本实施例的电磁屏蔽膜与实施例三的区别在于，本实施例中的所述第二屏蔽层2靠近所述胶膜层4的一面上同时附着有多个所述凸状颗粒5和导电凸起8，优选地，多个所述凸状颗粒5附着在所述导电凸起8上。
结合图4和图6所示，所述导电凸起8可以包括多个，多个所述导电凸起8可以规则或不规则地分布在所述第一屏蔽层1、所述第二屏蔽层2和所述第三屏蔽层3上；其中，多个所述导电凸起8规则地分布在所述第一屏蔽层1、所述第二屏蔽层2和所述第三屏蔽层3上是指多个所述导电凸起8的形状相同且均匀地分布在所述第一屏蔽层1、所述第二屏蔽层2和所述第三屏蔽层3上；多个所述导电凸起8不规则地分布在所述第一屏蔽层1、所述第二屏蔽层2和所述第三屏蔽层3上是指多个所述导电凸起8的形状各异且无序地分布在所述第一屏蔽层1、所述第二屏蔽层2和所述第三屏蔽层3上。优选地，多个所述导电凸起8的形状相同，多个所述导电凸起8集中分布在所述第一屏蔽层1的凸部6、所述第二屏蔽层2的凸部6和所述第三屏蔽层3的凸部6上。此外，所述第一屏蔽层1远离所述胶膜层4的一面可以是任何形状的表面，例如，可以是平整表面，也可以是起伏状的非平整表面，或者其他粗糙面。本发明附图仅以所述第一屏蔽层1远离所述胶膜层4的一面为平整表面进行举例说明，但其他任何形状都在本发明的保护范围之内。
本实施例的其它结构和工作原理与实施例三相同，在此不做更多的赘述。
请参阅图7，为了解决相同的技术问题，本发明实施例还提供一种电磁屏蔽膜的制备方法，包括以下步骤：
S11，形成第一屏蔽层1；其中，所述第一屏蔽层1的一面为非平整表面；
S12，在所述第一屏蔽层1的非平整表面上形成多个凸状颗粒5；
S13，在形成有多个凸状颗粒5的所述第一屏蔽层1上形成N个第二屏蔽层2；其中，N大于或等于1；
S14，在所述第二屏蔽层2上形成多个凸状颗粒5；
S15，在形成有多个凸状颗粒5的所述第二屏蔽层2上形成第三屏蔽层3；其中，所述第三屏蔽层3的一面为非平整表面；
S16，在所述第三屏蔽层3的非平整表面上形成胶膜层4。
在本发明实施例中，所述电磁屏蔽膜的制备方法还包括：在所述第一屏蔽层1远离所述胶膜层4的一面上形成保护膜层9。
在步骤S11中，所述形成第一屏蔽层1，具体包括：
S21，在载体膜上形成保护膜层9；
S22，在所述保护膜层9上形成第一屏蔽层1；其中，可以通过物理打毛、化学镀、物理气相沉积、化学气相沉积、蒸发镀、溅射镀、电镀和混合镀中的一种或多种工艺在所述保护膜层9上形成第一屏蔽层1；或，
S31，在带载体的可剥离层表面形成第一屏蔽层1；
S32，在所述第一屏蔽层1上形成保护膜；
S33，将所述带载体的可剥离层剥离；其中，可以通过物理打毛、化学镀、物理气相沉积、化学气相沉积、蒸发镀、溅射镀、电镀和混合镀中的一种或多种工艺在所述带载体的可剥离层表面上形成第一屏蔽层1。
在本发明实施例中，在所述保护膜层9/所述带载体的可剥离层上形成第一屏蔽层1具体包括：
S41，在保护膜层9/带载体的可剥离层的平整表面或非平整表面上形成第一屏蔽层1；
S42，通过物理打毛、化学镀、物理气相沉积、化学气相沉积、蒸发镀、溅射镀、电镀和混合镀中的一种或多种工艺对所述第一屏蔽层1进行表面处理；或，
S51，在保护膜层9/带载体的可剥离层的非平整表面上形成第一屏蔽层1。
在本发明实施例中，在形成第一屏蔽层1后，还包括：在所述第一屏蔽层1的非平整表面上形成导电凸起8。在所述第一屏蔽层1的非平整表面上形成导电凸起8，具体包括：通过物理打毛、化学镀、物理气相沉积、化学气相沉积、蒸发镀、溅射镀、电镀和混合镀中的一种或多种工艺在所述第一屏蔽层1的非平整表面上形成凸状的导电凸起8。
在步骤S12中，在所述第一屏蔽层1的非平整表面上形成多个凸状颗粒5，具体可以采用化学镀方式、PVD、CVD、蒸发镀、溅射镀、电镀或者其复合工艺在所述第一屏蔽层1的非平整表面上形成多个凸状颗粒5。
在步骤S13中，在形成有多个凸状颗粒5的所述第一屏蔽层1上形成N个第二屏蔽层2，具体可以通过物理打毛、化学镀、物理气相沉积、化学气相沉积、蒸发镀、溅射镀、电镀和混合镀中的一种或多种工艺在形成有多个凸状颗粒5的所述第一屏蔽层1上形成N个第二屏蔽层2。
在本发明实施例中，其中一个或多个所述第二屏蔽层2靠近所述胶膜层4的一面上设有导电凸起8。所述导电凸起8可以通过物理打毛、化学镀、物理气相沉积、化学气相沉积、蒸发镀、溅射镀、电镀和混合镀中的一种或多种工艺来形成。
在本发明实施例中，其中一个或多个所述第二屏蔽层2靠近所述胶膜层4的一面上附着有多个所述凸状颗粒5。所述凸状颗粒5可以采用化学镀方式、PVD、CVD、蒸发镀、溅射镀、电镀中的一种或多种工艺来形成。
在步骤S14中，在所述第二屏蔽层2上形成多个凸状颗粒5，具体可以采用化学镀方式、PVD、CVD、蒸发镀、溅射镀、电镀或者其复合工艺在所述第二屏蔽层2上形成多个凸状颗粒5。
在步骤S15中，在形成有多个凸状颗粒5的所述第二屏蔽层2上形成第三屏蔽层3，具体可以通过物理打毛、化学镀、物理气相沉积、化学气相沉积、蒸发镀、溅射镀、电镀和混合镀中的一种或多种工艺在形成有多个凸状颗粒5的所述第二屏蔽层2上形成第三屏蔽层3。
在本发明实施例中，在形成有多个凸状颗粒5的所述第二屏蔽层2上形成第三屏蔽层3后，还包括：在所述第三屏蔽层3的非平整表面上形成导电凸起8。在所述第三屏蔽层3的非平整表面上形成导电凸起8具体包括：通过物理打毛、化学镀、物理气相沉积、化学气相沉积、蒸发镀、溅射镀、电镀和混合镀中的一种或多种工艺在所述第三屏蔽层3的非平整表面上形成凸状的导电凸起8。
在步骤S16中，在所述第三屏蔽层3的非平整表面上形成胶膜层4，具体包括：
S61，在离型膜上涂布胶膜层4；
S62，将所述胶膜层4压合转移至所述第三屏蔽层3的非平整表面上；或，
S71，在所述第三屏蔽层3的非平整表面上涂布胶膜层4。
综上，本发明实施例提供一种电磁屏蔽膜、线路板及电磁屏蔽膜的制备方法，其中，电磁屏蔽膜包括多个凸状颗粒5以及依次层叠设置的第一屏蔽层1、N个第二屏蔽层2、第三屏蔽层3和胶膜层4，通过将第一屏蔽层1靠近胶膜层4的一面设置为非平整表面，并且通过将多个凸状颗粒5分布于第一屏蔽层1和第二屏蔽层2之间以及第二屏蔽层2和第三屏蔽层3之间，以便于第三屏蔽层3靠近胶膜层4的一面形成非平整表面，从而便于第三屏蔽层3的非平整表面在电磁屏蔽膜与线路板压合时刺穿胶膜层4并与线路板的地层连接，以避免现有电磁屏蔽膜的胶膜层4高温膨胀时胶膜层4的导电粒子被拉开造成接地失效，从而确保了电磁屏蔽膜与线路板的地层连接；此外，在电磁屏蔽膜与线路板压合时，构成胶膜层4的胶类物质被挤压到第三屏蔽层3的凹陷位置中，以增大容胶量，从而不容易出现爆板现象，避免了现有的电磁屏蔽膜由于容胶量不足导致高温爆板的问题，进而有效地保证了电磁屏蔽膜接地，从而将干扰电荷导出。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和替换，这些改进和替换也应视为本发明的保护范围。
Claims (14)
1.一种电磁屏蔽膜，其特征在于，包括第一屏蔽层、N个第二屏蔽层、第三屏蔽层、胶膜层和多个凸状颗粒；所述第一屏蔽层、N个所述第二屏蔽层、所述第三屏蔽层和所述胶膜层依次层叠设置；所述第一屏蔽层靠近所述胶膜层的一面为非平整表面，多个所述凸状颗粒分布于所述第一屏蔽层和所述第二屏蔽层之间以及所述第二屏蔽层和所述第三屏蔽层之间，所述第三屏蔽层靠近所述胶膜层的一面为非平整表面，所述胶膜层设于所述第三屏蔽层上；其中，N大于或等于1。
2.如权利要求1所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，所述第二屏蔽层包覆所述第一屏蔽层和所述第二屏蔽层之间的凸状颗粒并形成凸部，所述第二屏蔽层包覆该凸状颗粒以外的其他位置形成凹陷部；
所述第三屏蔽层包覆所述第二屏蔽层和所述第三屏蔽层之间的凸状颗粒并形成凸部，所述第三屏蔽层包覆该凸状颗粒以外的其他位置形成凹陷部。
3.如权利要求2所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，所述第二屏蔽层的凸部与所述第三屏蔽层的凸部一一对应，所述第二屏蔽层的凹陷部与所述第三屏蔽层的凹陷部一一对应。
4.如权利要求1所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，其中一个或多个所述第二屏蔽层靠近所述胶膜层的一面上附着有多个所述凸状颗粒。
5.如权利要求1所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，所述第一屏蔽层靠近所述胶膜层的一面上设有导电凸起；和/或，其中一个或多个所述第二屏蔽层靠近所述胶膜层的一面上设有导电凸起；和/或，所述第三屏蔽层靠近所述胶膜层的一面上设有导电凸起。
6.如权利要求1-5任一项所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，所述凸状颗粒包括导体颗粒、半导体颗粒、绝缘体颗粒和包覆复合颗粒的一种或多种。
7.如权利要求1-5任一项所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，所述胶膜层包括含有导电粒子的黏着层；或，所述胶膜层包括不含导电粒子的黏着层。
8.如权利要求1-5任一项所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，所述电磁屏蔽膜还包括保护膜层，所述保护膜层设于所述第一屏蔽层远离所述胶膜层的一面上。
9.一种线路板，其特征在于，包括线路板本体以及如权利要求1-8任一项所述的电磁屏蔽膜，所述电磁屏蔽膜通过所述胶膜层与所述线路板本体相压合；所述第三屏蔽层刺穿所述胶膜层并与所述线路板本体的地层电连接。
10.一种电磁屏蔽膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
形成第一屏蔽层；其中，所述第一屏蔽层的一面为非平整表面；
在所述第一屏蔽层的非平整表面上形成多个凸状颗粒；
在形成有多个凸状颗粒的所述第一屏蔽层上形成N个第二屏蔽层；其中，N大于或等于1；
在所述第二屏蔽层上形成多个凸状颗粒；
在形成有多个凸状颗粒的所述第二屏蔽层上形成第三屏蔽层；其中，所述第三屏蔽层的一面为非平整表面；
在所述第三屏蔽层的非平整表面上形成胶膜层。
11.如权利要求10所述的电磁屏蔽膜的制备方法，其特征在于，在形成第一屏蔽层后，还包括：
在所述第一屏蔽层的非平整表面上形成导电凸起。
12.如权利要求10所述的电磁屏蔽膜的制备方法，其特征在于，其中一个或多个所述第二屏蔽层靠近所述胶膜层的一面上附着有多个所述凸状颗粒。
13.如权利要求10所述的电磁屏蔽膜的制备方法，其特征在于，其中一个或多个所述第二屏蔽层靠近所述胶膜层的一面上设有导电凸起。
14.如权利要求10-13任一项所述的电磁屏蔽膜的制备方法，其特征在于，在形成有多个凸状颗粒的所述第二屏蔽层上形成第三屏蔽层后，还包括：
在所述第三屏蔽层的非平整表面上形成导电凸起。
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