CN110660662A - 一种新型硅腐蚀工艺 - Google Patents

一种新型硅腐蚀工艺 Download PDF

Info

Publication number
CN110660662A
CN110660662A CN201910948925.1A CN201910948925A CN110660662A CN 110660662 A CN110660662 A CN 110660662A CN 201910948925 A CN201910948925 A CN 201910948925A CN 110660662 A CN110660662 A CN 110660662A
Authority
CN
China
Prior art keywords
silicon wafer
silicon
etching
etching process
acid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201910948925.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110660662B (zh
Inventor
崔文荣
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jiangsu Shengchi Microelectronics Co Ltd
Original Assignee
Jiangsu Shengchi Microelectronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jiangsu Shengchi Microelectronics Co Ltd filed Critical Jiangsu Shengchi Microelectronics Co Ltd
Priority to CN201910948925.1A priority Critical patent/CN110660662B/zh
Publication of CN110660662A publication Critical patent/CN110660662A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110660662B publication Critical patent/CN110660662B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30604—Chemical etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/67086—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Weting (AREA)

Abstract

本发明公开了一种新型硅腐蚀工艺,包括以下步骤：A、准备需要进行腐蚀的硅材料以及酸；B、将硅片架采用支架固定；C、调整好蚀刻用酸的温度以及浓度；D、对硅片进行蚀刻；E、对蚀刻完成的硅片进行清洗甩干，本发明中将硅片一半浸泡在腐蚀液中，一半暴露在空气中进行旋转腐蚀均匀性能达到0.2mil，能满足当前的工艺需求，该蚀刻工艺在开发后直接用于当前所有产品在生产，大大提高了蚀刻工艺的成品率，降低了生产成本。

Description

一种新型硅腐蚀工艺
技术领域
本发明涉及硅腐蚀技术领域，具体为一种新型硅腐蚀工艺。
背景技术
硅片制成的芯片是有名的“神算子”，有着惊人的运算能力。无论多么复杂的数学问题、物理问题和工程问题，也无论计算的工作量有多大，工作人员只要通过计算机键盘把问题告诉它，并下达解题的思路和指令，计算机就能在极短的时间内把答案告诉你。这样，那些人工计算需要花费数年、数十年时间的问题，计算机可能只需要几分钟就可以解决。甚至有些人力无法计算出结果的问题，计算机也能很快告诉你答案。
芯片又是现代化的微型“知识库”，它具有神话般的存储能力，在针尖大小的硅片上可以装入一部24卷本的《大英百科全书》。如今世界上的图书、杂志已多达3000多万种，而且每年都要增加50多万种，可谓浩如烟海。德国未来学家拜因豪尔指出：“今天的科学家，即使整日整夜地工作，也只能阅读本专业全部出版物的5％。”出路何在呢？唯一的办法就是由各个图书情报资料中心负责把各种情报存入硅片存储器，并用通信线路将其连接成网。这样，科技人员要查找某种资料和数据时，只要坐在办公室里操作计算机键盘，立即就会在计算机的荧光屏上显示出所要查询的内容。
微电子芯片进入医学领域，使古老的医学青春焕发，为人类的医疗保健事业不断创造辉煌。
微电子芯片的“魔力”还在于，它可以使盲人复明，聋人复聪，哑人说话和假肢能动，使全世界数以千万计的残疾者得到光明和希望。
微电子技术在航空航天、国防和工业自动化中的无比威力更是众所皆知的事实。在大型电子计算机的控制下，无人飞机可以自由地在蓝天飞翔；人造卫星、宇宙飞船、航天飞机可以准确升空、飞行、定位，并自动向地面发回各种信息。在电子计算机的指挥下，火炮、导弹可以弹无虚发，准确击中目标，甚至可以准确击中空中快速移动目标，包括敌方正在飞行中的导弹。工业中广泛使用计算机和各种传感技术，可以节省人力，提高自动化程度及加工精度，大大提高劳动生产效率。机器人已在许多工业领域中出现。它们不仅任劳任怨，而且工作速度快、精确度高，甚至在一些高温、水下及危险工段工种中也能冲锋陷阵，一往无前，智能机器人也开始显示出不凡的身手。有效的组织配合和强烈的射门意识都令人拍手叫绝。战胜了世界头号特级国际象棋大师。它的精彩表演表明，智能计算机已发展到了一个崭新的阶段。
本公司产品主要为台面TVS产品，打开P/N结使用的是硅腐蚀工艺，由于产品关键尺寸在设计，在进行硅腐蚀时腐蚀深度达到1.5-3mil，需要控制硅片中间和边缘在腐蚀深度差异小于0.2mil，同时侧向腐蚀小于1.2mil，当前实际在硅片中间和边缘差异达到0.5mil，侧向腐蚀达到1.5-2.0mil。
发明内容
本发明的目的在于提供一种新型硅腐蚀工艺，以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种新型硅腐蚀工艺,包括以下步骤：
A、准备需要进行腐蚀的硅材料以及酸；
B、将装有硅片的硅片架采用支架固定；
C、调整好蚀刻用酸的温度以及浓度；
D、对硅片进行蚀刻；
E、对蚀刻完成的硅片进行清洗甩干。
优选的，所述根据步骤A在蚀刻槽中注入二分之一至三分之二的硅腐蚀液。
优选的，所述根据步骤B硅片架固定支架采用凹字型的固定支架，固定支架的顶部设有圆柱形挡条保证支架旋转过程中的硅片稳定。
优选的，所述根据步骤C蚀刻用的硅腐蚀液温度为0℃。
优选的，所述根据步骤D将装在固定支架上的硅片架的一半浸没在蚀刻的酸溶液中，硅片架的另一半暴露在空气中进行旋转腐蚀，旋转转速为50RPM。
优选的，所述根据步骤A将蚀刻完成的硅片放置在水槽中清洗，清洗完成后放入甩干机中脱水甩干。。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
(1)蚀刻用的硅腐蚀液温度为0℃，有效接减少侧向腐蚀；
(2)将装在固定支架上的硅片架的一半浸没在蚀刻的酸溶液中，硅片架的另一半暴露在空气中进行旋转腐蚀，旋转转速为50RPM，均匀性能达到0.2mil，能满足工艺需求；
(3)该蚀刻工艺在开发后直接用于当前所有产品在生产，大大提高了蚀刻工艺的成品率，降低了生产成本。
附图说明
图1为本发明硅片时刻流程示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参阅图1,本发明提供一种技术方案：一种新型硅腐蚀工艺,包括以下步骤：
A、准备需要进行腐蚀的硅材料以及酸；
B、将硅片架采用支架固定；
C、调整好蚀刻用酸的浓度以及浓度；
D、对硅片进行蚀刻；
E、对蚀刻完成的硅片进行清洗甩干。
在蚀刻槽中注入二分之一至三分之二的硅腐蚀液。
硅片架固定支架采用凹字型的固定支架，固定支架的顶部设有圆柱形挡条保证支架旋转过程中的硅片稳定。
蚀刻用的硅腐蚀液温度为0℃，此调整直接减少侧向腐蚀，腐蚀深度3mil时侧向腐蚀控制在1.0mil左右。
将装在固定支架上的硅片架的一半浸没在蚀刻的酸溶液中，硅片架的另一半暴露在空气中进行旋转腐蚀，旋转转速为50RPM，均匀性能达到0.2mil，能满足当前的工艺需求。
实施例1，一种新型硅腐蚀工艺,包括以下步骤：
A、准备需要进行腐蚀的硅材料以及酸；
B、将硅片架采用支架固定；
C、调整好蚀刻用酸的温度以及浓度；
D、对硅片进行蚀刻；
E、对蚀刻完成的硅片进行清洗甩干。
准备需要进行腐蚀的硅材料以及酸，在蚀刻槽中注入二分之一至三分之二的硅腐蚀液。
硅片架固定支架采用凹字型的固定支架，固定支架的顶部设有圆柱形挡条保证支架旋转过程中的硅片稳定。
蚀刻用的硅腐蚀液温度为0℃，此调整直接减少侧向腐蚀，腐蚀深度3mil时侧向腐蚀控制在1.0mil左右。
将装在固定支架上的硅片架的一半浸没在蚀刻的酸溶液中，硅片架的另一半暴露在空气中进行旋转腐蚀，旋转转速为50RPM，均匀性能达到0.2mil，能满足当前的工艺需求。
实施例2，一种新型硅腐蚀工艺,包括以下步骤：
A、准备需要进行腐蚀的硅材料以及酸；
B、将硅片采用支架固定；
C、调整好蚀刻用酸的温度以及浓度；
D、对硅片进行蚀刻；
E、对蚀刻完成的硅片进行清洗甩干。
准备需要进行腐蚀的硅材料以及酸，在蚀刻槽中注入二分之一至三分之二的硅腐蚀液。
硅片架固定支架采用凹字型的固定支架，固定支架的顶部设有圆柱形挡条保证支架旋转过程中的硅片稳定。
蚀刻用的硅腐蚀液温度为1℃，腐蚀深度3mil时侧向腐蚀控制在1.2mil左右。
将装在固定支架上的硅片架的一半浸没在蚀刻的酸溶液中，硅片架的另一半暴露在空气中进行旋转腐蚀，旋转转速为50RPM，均匀性能达到0.3mil。
实施例3，一种新型硅腐蚀工艺,包括以下步骤：
A、准备需要进行腐蚀的硅材料以及酸；
B、将硅片采用支架固定；
C、调整好蚀刻用酸的温度以及浓度；
D、对硅片进行蚀刻；
E、对蚀刻完成的硅片进行清洗甩干。
准备需要进行腐蚀的硅材料以及酸，在蚀刻槽中注入二分之一至三分之二的硅腐蚀液。
硅片架固定支架采用凹字型的固定支架，固定支架的顶部设有圆柱形挡条保证支架旋转过程中的硅片稳定。
蚀刻用的硅腐蚀液温度为2℃，此调整直接减少侧向腐蚀，腐蚀深度3mil时侧向腐蚀控制在1.3mil左右。
将装在固定支架上的硅片架的一半浸没在蚀刻的酸溶液中，硅片架的另一半暴露在空气中进行旋转腐蚀，旋转转速为50RPM，均匀性能达到0.3mil。
实施例4，一种新型硅腐蚀工艺,包括以下步骤：
A、准备需要进行腐蚀的硅材料以及酸；
B、将硅片架采用支架固定；
C、调整好蚀刻用酸的温度以及浓度；
D、对硅片进行蚀刻；
E、对蚀刻完成的硅片进行清洗甩干。
准备需要进行腐蚀的硅材料以及酸，在蚀刻槽中注入二分之一至三分之二的硅腐蚀液。
硅片架固定支架采用凹字型的固定支架，固定支架的顶部设有圆柱形挡条保证支架旋转过程中的硅片稳定。
蚀刻用的硅腐蚀液温度为3℃，此调整直接减少侧向腐蚀，腐蚀深度3mil时侧向腐蚀控制在1.4mil左右。
将装在固定支架上的硅片架的一半浸没在蚀刻的酸溶液中，硅片架的另一半暴露在空气中进行旋转腐蚀，旋转转速为50RPM，均匀性能达到0.4mil，能满足当前的工艺需求。
经过调整蚀刻的温度发现，当蚀刻用的硅腐蚀液温度为0℃，旋转转速为50RPM，均匀性能达到0.2mil，大大提高了蚀刻工艺的成品率，降低了生产成本。
将蚀刻完成的硅片放置在水槽中清洗，清洗完成后放入甩干机中脱水甩干。
该蚀刻工艺在开发后直接用于当前所有产品在生产，大大提高了蚀刻工艺的成品率，降低了生产成本。
本发明的有益效果是：
(1)蚀刻用的硅腐蚀液温度为0℃，有效接减少侧向腐蚀；
(2)将装在固定支架上的硅片架的一半浸没在蚀刻的酸溶液中，硅片架的另一半暴露在空气中进行旋转腐蚀，旋转转速为50RPM，均匀性能达到0.2mil，能满足工艺需求；
(3)该蚀刻工艺在开发后直接用于当前所有产品在生产，大大提高了蚀刻工艺的成品率，降低了生产成本。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。

Claims (6)

1.一种新型硅腐蚀工艺,其特征在于：包括以下步骤：
A、准备需要进行腐蚀的硅材料以及酸；
B、将装有硅片的硅片架采用支架固定；
C、调整好蚀刻用酸的温度以及浓度；
D、对硅片进行蚀刻；
E、对蚀刻完成的硅片进行清洗甩干。
2.根据权利要求1所述的一种新型硅腐蚀工艺,其特征在于：所述根据步骤A在蚀刻槽中注入二分之一至三分之二的硅腐蚀液。
3.根据权利要求1所述的一种新型硅腐蚀工艺,其特征在于：所述根据步骤B硅片架固定支架采用凹字型的固定支架，固定支架的顶部设有圆柱形挡条保证支架旋转过程中的硅片稳定。
4.根据权利要求1所述的一种新型硅腐蚀工艺,其特征在于：所述根据步骤C蚀刻用的硅腐蚀液温度为0℃。
5.根据权利要求1所述的一种新型硅腐蚀工艺,其特征在于：所述根据步骤D将装在固定支架上的装满硅片的硅片架的一半浸没在蚀刻的酸溶液中，硅片架的另一半暴露在空气中进行旋转腐蚀，旋转转速为50RPM。
6.根据权利要求1所述的一种新型硅腐蚀工艺,其特征在于：所述根据步骤A将蚀刻完成的硅片放置在水槽中清洗，清洗完成后放入甩干机中脱水甩干。
CN201910948925.1A 2019-10-08 2019-10-08 一种新型硅腐蚀工艺 Active CN110660662B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910948925.1A CN110660662B (zh) 2019-10-08 2019-10-08 一种新型硅腐蚀工艺

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910948925.1A CN110660662B (zh) 2019-10-08 2019-10-08 一种新型硅腐蚀工艺

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110660662A true CN110660662A (zh) 2020-01-07
CN110660662B CN110660662B (zh) 2021-02-02

Family

ID=69040084

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910948925.1A Active CN110660662B (zh) 2019-10-08 2019-10-08 一种新型硅腐蚀工艺

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN110660662B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116631860A (zh) * 2023-07-18 2023-08-22 新美光(苏州)半导体科技有限公司 一种湿法刻蚀方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1139292A (zh) * 1995-04-19 1997-01-01 Memc电子材料有限公司 用于清洗半导体晶片的装置和方法
CN1182281A (zh) * 1996-11-11 1998-05-20 三菱电机株式会社 半导体材料的清洗装置
CN1191385A (zh) * 1997-02-21 1998-08-26 佳能株式会社 晶片处理装置、晶片处理方法和半导体衬底制备方法
US5830786A (en) * 1993-02-22 1998-11-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Process for fabricating electronic circuits with anodically oxidized scandium doped aluminum wiring
JP2013200561A (ja) * 2012-02-23 2013-10-03 Sumitomo Chemical Co Ltd レジスト組成物及び塩
CN207441659U (zh) * 2017-11-15 2018-06-01 固镒电子(芜湖)有限公司 一种化学法打磨芯片表面粗糙度的装置
CN110233126A (zh) * 2019-07-25 2019-09-13 上海华力微电子有限公司 一种清洗槽和湿法刻蚀氮氧化硅后清洗的方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5830786A (en) * 1993-02-22 1998-11-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Process for fabricating electronic circuits with anodically oxidized scandium doped aluminum wiring
CN1139292A (zh) * 1995-04-19 1997-01-01 Memc电子材料有限公司 用于清洗半导体晶片的装置和方法
CN1182281A (zh) * 1996-11-11 1998-05-20 三菱电机株式会社 半导体材料的清洗装置
CN1191385A (zh) * 1997-02-21 1998-08-26 佳能株式会社 晶片处理装置、晶片处理方法和半导体衬底制备方法
JP2013200561A (ja) * 2012-02-23 2013-10-03 Sumitomo Chemical Co Ltd レジスト組成物及び塩
CN207441659U (zh) * 2017-11-15 2018-06-01 固镒电子(芜湖)有限公司 一种化学法打磨芯片表面粗糙度的装置
CN110233126A (zh) * 2019-07-25 2019-09-13 上海华力微电子有限公司 一种清洗槽和湿法刻蚀氮氧化硅后清洗的方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
俞东海等: "常减压蒸馏装置的腐蚀与防护 ", 《石油化工腐蚀与防护》 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116631860A (zh) * 2023-07-18 2023-08-22 新美光(苏州)半导体科技有限公司 一种湿法刻蚀方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN110660662B (zh) 2021-02-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110660662B (zh) 一种新型硅腐蚀工艺
CH512625A (de) Für die Veredlung von Textilien bestimmte Lösung von aus Segmenten bestehenden Mischpolymerisaten in organischen Lösungsmitteln
CN108200778B (zh) 基板处理装置的排程制作方法以及存储介质
CN109313723A (zh) 人工智能卷积处理方法、装置、可读存储介质、及终端
CN110690104A (zh) 一种去除硅腐蚀沟槽边缘氧化膜的改进方法
CH406511A (fr) Cuir apprêté et procédé de fabrication de ce cuir
JP2022111975A5 (zh)
CN207189649U (zh) 机械手臂及具有其的scara水平多关节机器人
MY196573A (en) Autonomous Nut Paring System, Equipment and Method
CN209767957U (zh) 成品线路板用烘干箱
CN110883392B (zh) 电加工方法、装置、设备及存储介质
CN109203635A (zh) 一种便于玻璃盖板脱除保护膜的方法
Bellman On the reduction of dimensionality for classes of dynamic programming processes
Li Population, Food, and Terraforming
DK106549C (da) Fremgangsmåde til fremstilling af trialkyladipinsyrer, navnlig trimethyladipinsyre.
CN206046624U (zh) 一种化学容器清洗传送机构
Lennon D. LOWE, MONSTERS AND MONSTROSITY IN AUGUSTAN POETRY. Ann Arbor: University of Michigan Press, 2015. Pp. ix+ 274. isbn 9780472119516. US $75.00.
JPS5565927A (en) Liquid crystal display panel
SU777887A1 (ru) Раствор дл травлени резистивных сплавов
Vieira New directions for psychological emergency attendance: psychodrama as a reference
CN204314609U (zh) 光阻剥离装置
DENNISON et al. Estimating the parameters of the human cardiovascular system(computerized modelling)
CH360123A (de) Schaltungsanordnung zur Gittersteuerung eines elektrischen Entladungsgefässes
TW200933708A (en) Method of forming electroplating-free wafer surface
FR1267331A (fr) Procédé d'estérification par échange permettant d'obtenir à partir de di et de triglycérides, des monoglycérides utilisés notamment en margarinerie

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant