CN110690104A - 一种去除硅腐蚀沟槽边缘氧化膜的改进方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种去除硅腐蚀沟槽边缘氧化膜的改进方法,包括以下步骤：A、将蚀刻后的硅片进行固定；B、采用毛刷将蚀刻后的硅片表面进行清刷；C、使用超声槽振荡去除硅片上残留的氧化膜；D、对清理氧化膜的硅片进行清洗；E、放置到硅片片架的内部，本发明先使用尼龙刷子去除沟槽边缘的氧化膜，再使用超声槽振荡去除残留在沟槽边缘的氧化膜及被刷子刷掉落在沟槽中的氧化膜，有效降低了硅片时刻沟槽边缘氧化膜清理工艺的成本。
Description
技术领域
本发明涉及去除沟槽边缘氧化膜技术领域，具体为一种去除硅腐蚀沟槽边缘氧化膜的改进方法。
背景技术
硅片制成的芯片是有名的“神算子”，有着惊人的运算能力。无论多么复杂的数学问题、物理问题和工程问题，也无论计算的工作量有多大，工作人员只要通过计算机键盘把问题告诉它，并下达解题的思路和指令，计算机就能在极短的时间内把答案告诉你。这样，那些人工计算需要花费数年、数十年时间的问题，计算机可能只需要几分钟就可以解决。甚至有些人力无法计算出结果的问题，计算机也能很快告诉你答案。
芯片又是现代化的微型“知识库”，它具有神话般的存储能力，在针尖大小的硅片上可以装入一部24卷本的《大英百科全书》。如今世界上的图书、杂志已多达3000多万种，而且每年都要增加50多万种，可谓浩如烟海。德国未来学家拜因豪尔指出：“今天的科学家，即使整日整夜地工作，也只能阅读本专业全部出版物的5％。”出路何在呢？唯一的办法就是由各个图书情报资料中心负责把各种情报存入硅片存储器，并用通信线路将其连接成网。这样，科技人员要查找某种资料和数据时，只要坐在办公室里操作计算机键盘，立即就会在计算机的荧光屏上显示出所要查询的内容。
微电子芯片进入医学领域，使古老的医学青春焕发，为人类的医疗保健事业不断创造辉煌。
微电子芯片的“魔力”还在于，它可以使盲人复明，聋人复聪，哑人说话和假肢能动，使全世界数以千万计的残疾者得到光明和希望。
微电子技术在航空航天、国防和工业自动化中的无比威力更是众所皆知的事实。在大型电子计算机的控制下，无人飞机可以自由地在蓝天飞翔；人造卫星、宇宙飞船、航天飞机可以准确升空、飞行、定位，并自动向地面发回各种信息。在电子计算机的指挥下，火炮、导弹可以弹无虚发，准确击中目标，甚至可以准确击中空中快速移动目标，包括敌方正在飞行中的导弹。工业中广泛使用计算机和各种传感技术，可以节省人力，提高自动化程度及加工精度，大大提高劳动生产效率。机器人已在许多工业领域中出现。它们不仅任劳任怨，而且工作速度快、精确度高，甚至在一些高温、水下及危险工段工种中也能冲锋陷阵，一往无前，智能机器人也开始显示出不凡的身手。有效的组织配合和强烈的射门意识都令人拍手叫绝。战胜了世界头号特级国际象棋大师。它的精彩表演表明，智能计算机已发展到了一个崭新的阶段。
打开P/N结使用的是硅腐蚀沟槽的方式，由于硅腐蚀液体各向同性腐蚀的特点，硅腐蚀完成后会在槽边缘留下部分氧化膜，传统方法去除氧化膜使用的是光刻后酸腐蚀的方式，出于流程简化和成本方面的考虑，本公司创新使用物理的方式进行了氧化膜去除。
发明内容
本发明的目的在于提供一种去除硅腐蚀沟槽边缘氧化膜的改进方法，以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种去除硅腐蚀沟槽边缘氧化膜的改进方法,包括以下步骤：
A、将蚀刻后的硅片进行固定；
B、采用毛刷将蚀刻后的硅片表面进行清刷；
C、使用超声槽振荡去除硅片上残留的氧化膜；
D、放置到硅片片架内；
E、对清理氧化膜的硅片进行清洗。
优选的，所述根据步骤A将蚀刻完成的硅片采用硅片固定支架进行固定，固定支架与硅片边缘接触的位置设有橡胶垫。
优选的，所述根据步骤B采用软质的尼龙毛刷对沟槽边缘的氧化膜进行清理，尼龙毛刷密度为1.0g/cm3。
优选的，所述根据步骤C使用超声槽振荡去除残留在沟槽边缘的氧化膜及被刷子刷掉落在沟槽中的氧化膜。
优选的，所述根据步骤D将清洗后的硅片放置在无尘晾干架上自然阴干，最后将清理完成的硅片放置到片架中优选的，
优选的，所述根据步骤E采用H2SO4:H2O2＝5:1的酸性液清洗，再用超纯水对硅片进行冲洗。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
(1)采用质地较软的毛刷不仅可以达到清除氧化膜的效果，同时不会对硅片的表面造成损伤，再使用超声槽振荡去除残留在沟槽边缘的氧化膜及被刷子刷掉落在沟槽中的氧化膜，保证经过双重工艺清理后无残留氧化膜；
(2)该技术方案使用物理毛刷和超声波清洗的方式去除氧化膜，降低工艺成本。
附图说明
图1为本发明硅片蚀刻后沟槽截面图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参阅图1,本发明提供一种技术方案：一种去除硅腐蚀沟槽边缘氧化膜的改进方法,包括以下步骤：
A、将蚀刻后的硅片进行固定；
B、采用毛刷将蚀刻后的硅片表面进行清刷；
C、使用超声槽振荡去除硅片上残留的氧化膜；
D、放置到硅片片架内；
E、对清理氧化膜的硅片进行清洗。
将蚀刻完成的硅片采用硅片固定支架进行固定，固定支架与硅片边缘接触的位置设有橡胶垫，避免硅片在进行蚀刻的过程中出现松动。
首先采用软质的尼龙毛刷对沟槽边缘的氧化膜进行清理，尼龙毛刷密度为1.0g/cm3，采用质地较软的毛刷不仅可以达到清除氧化膜的效果，同时不会对硅片的表面造成损伤，再使用超声槽振荡去除残留在沟槽边缘的氧化膜及被刷子刷掉落在沟槽中的氧化膜，保证经过双重工艺清理后无残留氧化膜。
经过毛刷清理氧化膜后，将清理完成的硅片放置到片架中，避免加工完成的硅片被刮伤，再采用H2SO4:H2O2＝5:1的酸性液清洗，再用超纯水对硅片进行冲洗。
实施例1，一种去除硅腐蚀沟槽边缘氧化膜的改进方法,包括以下步骤：
A、将蚀刻后的硅片进行固定；
B、采用毛刷将蚀刻后的硅片表面进行清刷；
C、使用超声槽振荡去除硅片上残留的氧化膜；
D、放置到硅片片架内；
E、对清理氧化膜的硅片进行清洗。
将蚀刻完成的硅片采用硅片固定支架进行固定，固定支架与硅片边缘接触的位置设有橡胶垫，避免硅片在进行蚀刻的过程中出现松动。
首先采用软质的尼龙毛刷对沟槽边缘的氧化膜进行清理，尼龙毛刷密度为2.0g/cm3，再使用超声槽振荡去除残留在沟槽边缘的氧化膜及被刷子刷掉落在沟槽中的氧化膜，保证经过双重工艺清理后无残留氧化膜。
经过毛刷清理氧化膜后，将清理完成的硅片放置到片架中，避免加工完成的硅片被刮伤，再采用H2SO4:H2O2＝5:1的酸性液清洗，再用超纯水对硅片进行冲洗。
实施例2，一种去除硅腐蚀沟槽边缘氧化膜的改进方法,包括以下步骤：
A、将蚀刻后的硅片进行固定；
B、采用毛刷将蚀刻后的硅片表面进行清刷；
C、使用超声槽振荡去除硅片上残留的氧化膜；
D、放置到硅片片架内；
E、对清理氧化膜的硅片进行清洗。
将蚀刻完成的硅片采用硅片固定支架进行固定，固定支架与硅片边缘接触的位置设有橡胶垫，避免硅片在进行蚀刻的过程中出现松动。
首先采用软质的尼龙毛刷对沟槽边缘的氧化膜进行清理，尼龙毛刷密度为1.5g/cm3，再使用超声槽振荡去除残留在沟槽边缘的氧化膜及被刷子刷掉落在沟槽中的氧化膜，保证经过双重工艺清理后无残留氧化膜。
经过毛刷清理氧化膜后，将清理完成的硅片放置到片架中，避免加工完成的硅片被刮伤，再采用H2SO4:H2O2＝5:1的酸性液清洗，再用超纯水对硅片进行冲洗。
实施例3，一种去除硅腐蚀沟槽边缘氧化膜的改进方法,包括以下步骤：
A、将蚀刻后的硅片进行固定；
B、采用毛刷将蚀刻后的硅片表面进行清刷；
C、使用超声槽振荡去除硅片上残留的氧化膜；
D、放置到硅片片架内；
E、对清理氧化膜的硅片进行清洗。
将蚀刻完成的硅片采用硅片固定支架进行固定，固定支架与硅片边缘接触的位置设有橡胶垫，避免硅片在进行蚀刻的过程中出现松动。
首先采用软质的尼龙毛刷对沟槽边缘的氧化膜进行清理，尼龙毛刷密度为1.0g/cm3，再使用超声槽振荡去除残留在沟槽边缘的氧化膜及被刷子刷掉落在沟槽中的氧化膜，保证经过双重工艺清理后无残留氧化膜。
经过毛刷清理氧化膜后，将清理完成的硅片放置到片架中，避免加工完成的硅片被刮伤，再采用H2SO4:H2O2＝5:1的酸性液清洗，再用超纯水对硅片进行冲洗。
实施例4，一种去除硅腐蚀沟槽边缘氧化膜的改进方法,包括以下步骤：
A、将蚀刻后的硅片进行固定；
B、采用毛刷将蚀刻后的硅片表面进行清刷；
C、使用超声槽振荡去除硅片上残留的氧化膜；
D、放置到硅片片架内；
E、对清理氧化膜的硅片进行清洗。
将蚀刻完成的硅片采用硅片固定支架进行固定，固定支架与硅片边缘接触的位置设有橡胶垫，避免硅片在进行蚀刻的过程中出现松动。
首先采用软质的尼龙毛刷对沟槽边缘的氧化膜进行清理，尼龙毛刷密度为0.8g/cm3，再使用超声槽振荡去除残留在沟槽边缘的氧化膜及被刷子刷掉落在沟槽中的氧化膜，保证经过双重工艺清理后无残留氧化膜。
经过毛刷清理氧化膜后，将清理完成的硅片放置到片架中，避免加工完成的硅片被刮伤，再采用H2SO4:H2O2＝5:1的酸性液清洗，再用超纯水对硅片进行冲洗。
综上当采用密度为1.0g/cm3的尼龙毛刷时，能够很好地去除残留在沟槽边缘的氧化膜，并且硅片表面的氧化层损伤程度最小。
本发明先使用尼龙刷子去除沟槽边缘的氧化膜，再使用超声槽振荡去除残留在沟槽边缘的氧化膜及被刷子刷掉落在沟槽中的氧化膜，有效降低了硅片时刻沟槽边缘氧化膜清理工艺的成本。
本发明的有益效果是：
(1)采用质地较软的毛刷不仅可以达到清除氧化膜的效果，同时不会对硅片的表面造成损伤，再使用超声槽振荡去除残留在沟槽边缘的氧化膜及被刷子刷掉落在沟槽中的氧化膜，保证经过双重工艺清理后无残留氧化膜；
(2)该技术方案使用物理毛刷和超声波清洗的方式去除氧化膜，降低工艺成本。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (6)
1.一种去除硅腐蚀沟槽边缘氧化膜的改进方法,其特征在于：包括以下步骤：
A、将蚀刻后的硅片进行固定；
B、采用毛刷将蚀刻后的硅片表面进行清刷；
C、使用超声槽振荡去除硅片上残留的氧化膜；
D、放置到硅片片架内；
E、对清理氧化膜的硅片进行清洗。
2.根据权利要求1所述的一种去除硅腐蚀沟槽边缘氧化膜的改进方法,其特征在于：所述根据步骤A将蚀刻完成的硅片采用硅片固定支架进行固定，固定支架与硅片边缘接触的位置设有橡胶垫。
3.根据权利要求1所述的一种去除硅腐蚀沟槽边缘氧化膜的改进方法,其特征在于：所述根据步骤B采用软质的尼龙毛刷对沟槽边缘的氧化膜进行清理，尼龙毛刷密度为1.0g/cm3。
4.根据权利要求1所述的一种去除硅腐蚀沟槽边缘氧化膜的改进方法,其特征在于：所述根据步骤C使用超声槽振荡去除残留在沟槽边缘的氧化膜及被刷子刷掉落在沟槽中的氧化膜。
5.根据权利要求1所述的一种去除硅腐蚀沟槽边缘氧化膜的改进方法，其特征在于：所述根据步骤E将去除氧化膜的硅片放置在片架内。
6.根据权利要求1所述的一种去除硅腐蚀沟槽边缘氧化膜的改进方法,其特征在于：所述根据步骤D采用H2SO4:H2O2＝5:1或4:1的酸性液清洗，再用超纯水对硅片进行冲洗。
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