CN110658947B - 一种一体黑触摸屏及其制作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种一体黑触摸屏，其包括由上到下依次叠加设置的阵列基板、油墨层、第一AR膜、第一ITO镀膜层、第二ITO镀膜层、钼铝钼镀膜层和第二AR膜，所述第一AR膜的堆叠方式为氮化硅‑氧化硅，所述第一AR膜的氮化硅和氧化硅的堆叠厚度分别为10nm‑30nm和20nm‑40nm，所述第二ITO镀膜层的厚度为70nm‑90nm，所述第二AR膜的堆叠方式为氧化硅‑氮化硅，所述第二AR膜的氧化硅和氮化硅的堆叠厚度均为10nm‑30nm。由于第二ITO镀膜层的厚度、第一AR膜堆叠厚度和第二AR膜堆叠厚度相对应，以保证有ITO走线位置与无ITO走线位置的反射率基本保持一致，以防止ITO走线被用户看到，从而实现黑屏时保持一体黑的效果，改善其外观和使用体验。

Description

一种一体黑触摸屏及其制作方法
技术领域
本发明涉及一种显示技术领域，特别涉及一种一体黑触摸屏及其制作方法。
背景技术
传统的OGS结构的触摸屏将sensor做到了保护玻璃上，大大减小了触摸屏的厚度，但是这样的结构设计也有一定的弊端，其弊端为制作的ITO电极走线比较容易被用户看到，黑屏时不能实现一体黑的视觉效果，严重影响其外观和使用体验，这种情形在镀了减反射膜后更为明显。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供了一种一体黑触摸屏及其制作方法，由于第二ITO镀膜层的厚度为70nm-90nm，而设置的第一AR膜的氮化硅和氧化硅的堆叠厚度分别为10nm-30nm和20nm-40nm，第二AR膜的氧化硅和氮化硅的堆叠厚度均为10nm-30nm，其厚度相对应以保证有ITO走线位置与无ITO走线位置的反射率基本保持一致，以防止ITO走线被用户看到，从而实现黑屏时保持一体黑的效果，改善其外观和使用体验。
本发明所要解决的技术问题通过以下技术方案予以实现：
为解决上述技术问题，本发明提供了一种一体黑触摸屏，其包括由上到下依次叠加设置的阵列基板、油墨层、第一AR膜、第一ITO镀膜层、第二ITO镀膜层、钼铝钼镀膜层和第二AR膜，所述第一AR膜的堆叠方式为氮化硅-氧化硅，所述第一AR膜的氮化硅和氧化硅的堆叠厚度分别为10nm-30nm和20nm-40nm，所述第二ITO镀膜层的厚度为70nm-90nm，所述第二AR膜的堆叠方式为氧化硅-氮化硅，所述第二AR膜的氧化硅和氮化硅的堆叠厚度均为10nm-30nm。
进一步地，所述一体黑触摸屏在400nm-700nm距离内的反射率为5%±0.5%。
进一步地，所述阵列基板的上表面设有第三AR膜，所述第三AR膜的颜色与所述油墨层的颜色相匹配。
进一步地，所述第三AR膜的堆叠方式为氧化硅-氧化铌-氧化硅-氧化铌-氧化硅。
进一步地，所述第三AR膜在波长450nm-650nm内的平均反射率为1.5%±0.1%，其色度值a为-2±2，色度值b为3±2。
本发明还提供了一种一体黑触摸屏的制作方法，其包括以下步骤：
步骤1：在阵列基板的下方进行油墨层制作；
步骤2：在油墨层的下方制作堆叠方式为氮化硅-氧化硅的第一AR膜，第一AR膜的氮化硅和氧化硅的堆叠厚度分别为10nm-30nm和20nm-40nm；
步骤3：在第一AR膜的下方制作第一ITO镀膜层；
步骤4：在第一ITO镀膜层的下方制作厚度为70nm-90nm的第二ITO镀膜层；
步骤5：在第二ITO镀膜层的下方制作钼铝钼镀膜层；
步骤6：在钼铝钼镀膜层的下方制作堆叠方式为氧化硅-氮化硅的第二AR膜，第二AR膜的氧化硅和氮化硅的堆叠厚度均为10nm-30nm。
进一步地，所述步骤3包括在第一AR膜的下方制作第一ITO镀膜层、PR光阻涂布、曝光显影、第一ITO镀膜层酸刻和PR光阻脱膜工艺。
进一步地，所述步骤4包括在第一ITO层的下方制作第二ITO镀膜层、PR光阻涂布、曝光显影、第二ITO镀膜层酸刻和PR光阻脱膜工艺。
进一步地，所述步骤5包括在第二ITO镀膜层的下方制作钼铝钼镀膜层、PR光阻涂布、曝光显影、钼铝钼镀膜层酸刻和PR光阻脱膜工艺。
进一步地，所述步骤6包括在钼铝钼镀膜层的下方制作第二AR膜、丝印蚀刻膏、蚀刻第二AR膜和蚀刻膏脱膜工艺。
本发明具有如下有益效果：
由于第二ITO镀膜层的厚度为70nm-90nm，而设置的第一AR膜的氮化硅和氧化硅的堆叠厚度分别为10nm-30nm和20nm-40nm，第二AR膜的氧化硅和氮化硅的堆叠厚度均为10nm-30nm，其厚度相对应以保证有ITO走线位置与无ITO走线位置的反射率基本保持一致，以防止ITO走线被用户看到，从而实现黑屏时保持一体黑的效果，改善其外观和使用体验。
一体黑触摸屏在400nm-700nm距离内的反射率为5%±0.5%，以使得ITO走线不可见，从而实现黑屏时保持一体黑的效果，改善其外观和使用体验。
阵列基板的上表面设有第三AR膜，第三AR膜的颜色与油墨层的颜色相匹配。第三AR膜即为减反射膜，也称为增透膜，采用该结构的OGS触摸屏即使镀了第三AR膜仍能有非常好的一体黑效果，第三AR膜的颜色与油墨层的颜色相匹配，如油墨层的颜色为黑色，则采用无色透明的第三AR膜以使得视区不可见颜色，油墨层呈现其本身的黑色，以更好的达到一体黑的效果。
附图说明
图1为本发明提供的一种一体黑触摸屏的结构示意图。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明进行详细的说明，实施例仅是本发明的优选实施方式，不是对本发明的限定。
请参阅图1，为本发明提供的一种一体黑触摸屏，其包括由上到下依次叠加设置的阵列基板1、油墨层2、第一AR膜3、第一ITO镀膜层4、第二ITO镀膜层5、钼铝钼镀膜层6和第二AR膜7，所述第一AR膜3的堆叠方式为氮化硅-氧化硅，所述第一AR膜3的氮化硅和氧化硅的堆叠厚度分别为10nm-30nm和20nm-40nm，所述第二ITO镀膜层5的厚度为70nm-90nm，所述第二AR膜7的堆叠方式为氧化硅-氮化硅，所述第二AR膜7的氧化硅和氮化硅的堆叠厚度均为10nm-30nm。第一ITO镀膜层4是制作OGS结构的架桥中的桥，第二ITO镀膜层5是实现触摸功能的菱形结构。第一AR膜3的堆叠方式为先铺设氮化硅，再铺设氧化硅，而第二AR膜7的堆叠方式为先铺设氧化硅再铺设氮化硅，由于第二ITO镀膜层5的厚度为70nm-90nm，而设置的第一AR膜3的氮化硅和氧化硅的堆叠厚度分别为10nm-30nm和20nm-40nm，第二AR膜7的氧化硅和氮化硅的堆叠厚度均为10nm-30nm，其厚度相对应以保证有ITO走线位置与无ITO走线位置的反射率基本保持一致，以防止ITO走线被用户看到，从而实现黑屏时保持一体黑的效果，改善其外观和使用体验。
进一步地，所述第一ITO镀膜层4的厚度为30nm-50nm。
进一步地，所述一体黑触摸屏在400nm-700nm距离内的反射率为5%±0.5%，以使得ITO走线不可见，从而实现黑屏时保持一体黑的效果，改善其外观和使用体验。
进一步地，所述阵列基板1的上表面设有第三AR膜8，所述第三AR膜8的颜色与所述油墨层2的颜色相匹配。第三AR膜8即为减反射膜，也称为增透膜，采用该结构的OGS触摸屏即使镀了第三AR膜8仍能有非常好的一体黑效果，第三AR膜8的颜色与油墨层2的颜色相匹配，如油墨层2的颜色为黑色，则采用无色透明的第三AR膜8以使得视区不可见颜色，油墨层2呈现其本身的黑色，以更好的达到一体黑的效果。
进一步地，所述第三AR膜8的堆叠方式为氧化硅-氧化铌-氧化硅-氧化铌-氧化硅。
进一步地，所述第三AR膜8在波长450nm-650nm内的平均反射率为1.5%±0.1%，其色度值a为-2±2，色度值b为3±2，该反射率下既不会因为反射率过低使走线清晰，又可搭配油墨层2的颜色使得屏幕呈现一体黑效果。
本发明还提供了一种一体黑触摸屏的制作方法，其包括以下步骤：
步骤1：在阵列基板的下方进行油墨层制作；
步骤2：在油墨层的下方制作堆叠方式为氮化硅-氧化硅的第一AR膜，第一AR膜的氮化硅和氧化硅的堆叠厚度分别为10nm-30nm和20nm-40nm；
步骤3：在第一AR膜的下方制作第一ITO镀膜层，本实施例中第一ITO镀膜层的厚度为30nm-50nm；
步骤4：在第一ITO镀膜层的下方制作厚度为70nm-90nm的第二ITO镀膜层；
步骤5：在第二ITO镀膜层的下方制作钼铝钼镀膜层；
步骤6：在钼铝钼镀膜层的下方制作堆叠方式为氧化硅-氮化硅的第二AR膜，第二AR膜的氧化硅和氮化硅的堆叠厚度均为10nm-30nm。
进一步地，所述步骤3包括在第一AR膜的下方制作第一ITO镀膜层、PR光阻涂布、曝光显影、第一ITO镀膜层酸刻和PR光阻脱膜工艺。
进一步地，所述步骤4包括在第一ITO层的下方制作第二ITO镀膜层、PR光阻涂布、曝光显影、第二ITO镀膜层酸刻和PR光阻脱膜工艺。
进一步地，所述步骤5包括在第二ITO镀膜层的下方制作钼铝钼镀膜层、PR光阻涂布、曝光显影、钼铝钼镀膜层酸刻和PR光阻脱膜工艺。
进一步地，所述步骤6包括在钼铝钼镀膜层的下方制作第二AR膜、丝印蚀刻膏、蚀刻第二AR膜和蚀刻膏脱膜工艺。
尽管本发明的内容已经通过上述优选实施例作了详细介绍，但应当认识到上述的描述不应被认为是对本发明的限制。在本领域技术人员阅读了上述内容后，对于本发明的多种修改和替代都将是显而易见的。因此，本发明的保护范围应由所附的权利要求来限定。

Claims (9)

1.一种一体黑触摸屏，其特征在于，其包括由上到下依次叠加设置的阵列基板、油墨层、第一AR膜、第一ITO镀膜层、第二ITO镀膜层、钼铝钼镀膜层和第二AR膜，所述第一AR膜的堆叠方式为氮化硅-氧化硅，所述第一AR膜的氮化硅和氧化硅的堆叠厚度分别为10nm-30nm和20nm-40nm，所述第二ITO镀膜层的厚度为70nm-90nm，所述第二AR膜的堆叠方式为氧化硅-氮化硅，所述第二AR膜的氧化硅和氮化硅的堆叠厚度均为10nm-30nm。
2.根据权利要求1所述的一体黑触摸屏，其特征在于，所述阵列基板的上表面设有第三AR膜，所述第三AR膜的颜色与所述油墨层的颜色相匹配。
3.根据权利要求2所述的一体黑触摸屏，其特征在于，所述第三AR膜的堆叠方式为氧化硅-氧化铌-氧化硅-氧化铌-氧化硅。
4.根据权利要求2所述的一体黑触摸屏，其特征在于，所述第三AR膜在波长450nm-650nm内的平均反射率为1.5%±0.1%，其色度值a为-2±2，色度值b为3±2。
5.一种一体黑触摸屏的制作方法，其特征在于：其包括以下步骤：
步骤1：在阵列基板的下方进行油墨层制作；
步骤2：在油墨层的下方制作堆叠方式为氮化硅-氧化硅的第一AR膜，第一AR膜的氮化硅和氧化硅的堆叠厚度分别为10nm-30nm和20nm-40nm；
步骤3：在第一AR膜的下方制作第一ITO镀膜层；
步骤4：在第一ITO镀膜层的下方制作厚度为70nm-90nm的第二ITO镀膜层；
步骤5：在第二ITO镀膜层的下方制作钼铝钼镀膜层；
步骤6：在钼铝钼镀膜层的下方制作堆叠方式为氧化硅-氮化硅的第二AR膜，第二AR膜的氧化硅和氮化硅的堆叠厚度均为10nm-30nm。
6.根据权利要求5所述的一体黑触摸屏的制作方法，其特征在于，所述步骤3包括在第一AR膜的下方制作第一ITO镀膜层、PR光阻涂布、曝光显影、第一ITO镀膜层酸刻和PR光阻脱膜工艺。
7.根据权利要求5所述的一体黑触摸屏的制作方法，其特征在于，所述步骤4包括在第一ITO层的下方制作第二ITO镀膜层、PR光阻涂布、曝光显影、第二ITO镀膜层酸刻和PR光阻脱膜工艺。
8.根据权利要求5所述的一体黑触摸屏的制作方法，其特征在于，所述步骤5包括在第二ITO镀膜层的下方制作钼铝钼镀膜层、PR光阻涂布、曝光显影、钼铝钼镀膜层酸刻和PR光阻脱膜工艺。
9.根据权利要求5所述的一体黑触摸屏的制作方法，其特征在于，所述步骤6包括在钼铝钼镀膜层的下方制作第二AR膜、丝印蚀刻膏、蚀刻第二AR膜和蚀刻膏脱膜工艺。
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