CN110651712A - 一种促进初美人樱离体培养中根系生长的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种促进初美人樱离体培养中根系生长的方法,属于植物组织培养技术领域。本发明公开的一种促进初美人樱离体培养中根系生长的方法,通过对外植体进行消毒、冷藏处理,克服了樱花在离体培养中难生根,根系细短,生根量少的问题;采用低温打破樱花苗休眠,采用激素促进根系生长。
Description
技术领域
本发明涉及植物组织培养技术领域,更具体的说是涉及一种促进初美人樱离体培养中根系生长的方法。
背景技术
樱花(Cerasussp.)隶属于蔷薇科、李亚科、樱属,观赏乔木。树皮光滑,叶多呈卵形,两面无毛,缘有锯齿。分布于北半球温暖地区,为北温带植物,亚洲、欧洲至北美洲均有记录。主要种类分布在我国西部和西南部以及日本和朝鲜。
樱花为早春观赏花木,其株型优美,花色艳丽,在园林上具有极大的应用价值,可广泛应用于公园、学校、街道、庭院等绿地中。不仅观赏价值极高,而且可以有效吸附空气中灰尘、甲醛、二氧化碳等。
樱属植物在我国栽培历史悠久,但一直以来国内对樱花研究较少,目前市场上樱花多引自日本,严重制约了樱花的应用和发展。国内樱花长期以来一直采用嫁接法繁殖,由于合适的砧木量少,且繁殖速度慢无法满足市场需求。目前利用组织培养方式获得樱花苗,不仅可以节约外汇,而且不受外界条件的影响,四季皆可进行。既节约成本,而且可以保留母本优良性状,可短期获得大量试管苗。虽然通过植物组织培养技术可以在短期内获得大量优质种苗,有效解决种苗繁殖速度慢的难题;但樱花组培苗较矮,生根困难,生根量少,根系细弱。因此,提供一种促进初美人樱离体培养中根系生长的方法是本领域技术人员亟需解决的问题。
发明内容
有鉴于此,本发明提供了一种促进初美人樱离体培养中根系生长的方法,采用低温打破樱花苗休眠,采用激素促进根系生长。
为了实现上述目的,本发明采用如下技术方案:
一种促进初美人樱离体培养中根系生长的方法,具体步骤如下:
(1)外植体采集:于3~4月晴天采集外植体;
(2)外植体消毒:将外植体用流水冲洗75~120min,用0.3-0.5%的洗衣粉水浸泡5min,无菌水冲洗2~4次;2g/L多菌灵浸泡10min,0.6g/L链霉素浸泡6min,无菌水冲洗3~5次;0.1%二氯化汞浸泡3min,无菌水冲洗5次;备用;
(3)外植体接种:将外植体接种在基础培养基上;21d后选取未污染的苗在4.5℃条件下冷处理40d;转接生根培养基继续培养。
进一步,步骤(1)所述外植体于3~4月晴天中午采集。
进一步,步骤(1)所述外植体选自健壮、无病虫害、腋芽饱满、生长情况良好的枝条。
进一步,步骤(1)所述外植体为带1-2个腋芽的2cm茎段。
进一步,步骤(3)所述基础培养基为MS+1mg/L 6-BA+0.1mg/L NAA+30g/L蔗糖+7.0g/L琼脂。
进一步,步骤(3)所述生根培养基为1/2MS+1mg/L NAA+0.5mg/L IBA+7.0g/L琼脂+20g/L蔗糖+20ml椰汁。
进一步,所述椰汁为新鲜成熟椰子汁。
进一步,步骤(3)所述基础培养基和生根培养基的pH为5.6-6.0。
进一步,步骤(3)所述生根培养条件为:在23-25℃、1500-2000lx、光照培养时间12h/d条件下培养。
经由上述的技术方案可知,与现有技术相比,本发明公开提供了一种促进初美人樱离体培养中根系生长的方法,克服了樱花在离体培养中难生根,根系细短,生根量少的问题;采用低温打破樱花苗休眠,采用激素促进根系生长。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1附图为本发明实施例1培养获得的无菌苗图片;
图2附图为本发明对比例培养获得的无菌苗图片。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
本次试验选用品种为椿寒樱,又名初美人樱,由福建山樱与樱桃树嫁接出的新品种,开花最早,二月中下旬便可开花,初花时粉红色,盛开后浅紫红色,满树繁华,远远望去极为壮观,有香味,能适应零下15℃以内地区栽培,具有极大的市场前景。
樱花母株选自江苏农林职业技术学院科研苗圃。
实施例1
一种促进初美人樱离体培养中根系生长的方法,具体步骤如下:
(1)外植体采集:在三月份,晴天中午11点,选择品种为初美人樱,选取母株健壮、无病虫害、腋芽饱满、生长情况良好的一年生枝条,剪去叶片,剪成2cm左右带1-2个腋芽的茎段,作为外植体;
(2)外植体消毒:准备好干净的烧杯,将外植体放在烧杯中,纱布封口,用流水冲洗75~120min,用0.3-0.5%的洗衣粉水浸泡5min,无菌水冲洗2~4次;2g/L多菌灵浸泡10min,0.6g/L链霉素浸泡6min,无菌水冲洗3~5次;0.1%二氯化汞浸泡3min,无菌水冲洗5次,75%酒精浸泡60s,无菌水冲洗3次,备用;
(3)外植体接种:将外植体接种在基础培养基MS+1mg/L 6-BA+0.1mg/L NAA+30g/L蔗糖+7.0g/L琼脂上;21d后选取未污染的苗在4.5℃条件下冷处理40d;转接生根培养基1/2MS+1mg/LNAA+0.5mg/L IBA+7.0g/L琼脂+20g/L蔗糖+20ml椰汁,继续培养。每瓶接一个材料,置于23-25℃、1500-2000lx、光照培养时间12h/d的条件下培养60d,获得的无菌苗如图1所示,其根系长且根系数量多。
对比例
一种促进初美人樱离体培养中根系生长的方法,具体步骤如下:
(1)外植体采集:在三月份,晴天中午11点,选择品种为初美人樱,选取母株健壮、无病虫害、腋芽饱满、生长情况良好的一年生枝条,剪去叶片,剪成2cm左右带1-2个腋芽的茎段,作为外植体;
(2)外植体消毒:准备好干净的烧杯,将外植体放在烧杯中,纱布封口,用流水冲洗75~120min,用0.3-0.5%的洗衣粉水浸泡5min,无菌水冲洗2~4次;2g/L多菌灵浸泡10min,0.6g/L链霉素浸泡6min,无菌水冲洗3~5次;0.1%二氯化汞浸泡3min,无菌水冲洗5次,75%酒精浸泡60s,无菌水冲洗3次,备用;
(3)外植体接种:将外植体接种在基础培养基MS+1mg/L 6-BA+0.1mg/L NAA+30g/L蔗糖+7.0g/L琼脂上;21d后选取未污染的苗在4.5℃条件下冷处理40d;
(4)准备好配好的赤霉素,针筒,过滤灭菌器,在培养基高温灭菌后将培养基放入超净工作台,用过滤灭菌器和针筒加入赤霉素,浓度为10mg/L。综上培养基配方为:1/2MS+1mg/L NAA+0.5mg/L IBA+7.0g/L琼脂+20g/L蔗糖+20ml椰汁+10mg/L赤霉素。每瓶接一个材料,置于23-25℃、1500-2000lx、光照培养时间12h/d的条件下培养60d,获得的无菌苗如图2所示,其根系数量少且根系短。
对比例与实施例1相比,通过加入10mg/L赤霉素,抑制了根系伸长生长及其数量,表明本发明的生根培养基能够达到良好的生根效果,且能促进根系伸长生长。
对所公开的实施例的上述说明,使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的,本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下,在其它实施例中实现。因此,本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例,而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
Claims (9)
1.一种促进初美人樱离体培养中根系生长的方法,其特征在于,具体步骤如下:
(1)外植体采集:于3~4月晴天采集外植体;
(2)外植体消毒:将外植体用流水冲洗75~120min,用0.3-0.5%的洗衣粉水浸泡5min,无菌水冲洗2~4次;2g/L多菌灵浸泡10min,0.6g/L链霉素浸泡6min,无菌水冲洗3~5次;0.1%二氯化汞浸泡3min,无菌水冲洗5次;备用;
(3)外植体接种:将外植体接种在基础培养基上;21d后选取未污染的苗在4.5℃条件下冷处理40d;转接生根培养基继续培养。
2.根据权利要求1所述的一种促进初美人樱离体培养中根系生长的方法,其特征在于,步骤(1)所述外植体于3~4月晴天中午采集。
3.根据权利要求1所述的一种促进初美人樱离体培养中根系生长的方法,其特征在于,步骤(1)所述外植体选自健壮、无病虫害、腋芽饱满、生长情况良好的枝条。
4.根据权利要求1所述的一种促进初美人樱离体培养中根系生长的方法,其特征在于,步骤(1)所述外植体为带1-2个腋芽的2cm茎段。
5.根据权利要求1所述的一种促进初美人樱离体培养中根系生长的方法,其特征在于,步骤(3)所述基础培养基为MS+1mg/L 6-BA+0.1mg/L NAA+30g/L蔗糖+7.0g/L琼脂。
6.根据权利要求1所述的一种促进初美人樱离体培养中根系生长的方法,其特征在于,步骤(3)所述生根培养基为1/2MS+1mg/L NAA+0.5mg/L IBA+7.0g/L琼脂+20g/L蔗糖+20ml椰汁。
7.根据权利要求6所述的一种促进初美人樱离体培养中根系生长的方法,其特征在于,所述椰汁为新鲜成熟椰子汁。
8.根据权利要求1所述的一种促进初美人樱离体培养中根系生长的方法,其特征在于,步骤(3)所述基础培养基和生根培养基的pH为5.6-6.0。
9.根据权利要求1所述的一种促进初美人樱离体培养中根系生长的方法,其特征在于,步骤(3)所述生根培养条件为:在23-25℃、1500-2000lx、光照培养时间12h/d条件下培养。
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