CN110651357A - 利用被压印的微图案的等离子蚀刻方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 58
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 title claims abstract description 43
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 44
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 21
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 21
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 claims abstract description 20
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 claims abstract description 17
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 claims abstract description 10
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910004541 SiN Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 5
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
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Abstract
本发明提供一种利用被压印的微图案的等离子蚀刻方法,其包括:在玻璃基板上形成的金属层的上面涂布紫外线固化树脂,执行加压微图案母模的压印工序,并在所述紫外线固化树脂上形成微图案之后照射紫外线,以固化所述微图案的步骤;对被固化的所述微图案的一侧面与上面执行倾斜蒸镀工序,以形成微图案强化部的步骤;执行第一等离子蚀刻工序,以去除所述微图案中因没有形成所述微图案强化部而以垂直方向露出的区域的紫外线固化树脂的步骤;执行第二等离子蚀刻工序,以去除所述金属层中以垂直方向露出的区域的金属层的步骤;以及去除残存于已去除所述以垂直方向露出的区域的金属层的上部的微图案及微图案强化部的步骤。
Description
技术领域
本发明涉及一种当利用通过执行压印工序并照射紫外线而形成的微图案执行去除金属层的等离子蚀刻工序时,在微图案的一侧面与上面形成微图案强化部,从而能够有效地去除金属层的利用被压印的微图案的等离子蚀刻方法。
背景技术
近来,如下方法受到关注:通过在玻璃基板或在薄片上涂布紫外线固化树脂后接触执行电子束光刻等的工序而制作成的微图案母模来形成微图案,向微图案照射紫外线来固化之后,利用被固化的微图案执行等离子蚀刻,从而形成所需要的图案。
上述的利用被压印的微图案的等离子蚀刻方法的优点在于能够容易地形成微图案,然而相反地,由于在金属层上形成所需要的图案时,被压印的微图案在执行等离子蚀刻工序期间没有得到充分的维持,因而难以在金属层上有效地形成所需要的图案。
本发明的背景技术于2006年1月27日在韩国专利局以公开专利公报10-2006-0008663号公开。
发明内容
技术课题
因此,本发明旨在解决现有技术存在的问题,本发明所要解决的技术课题是提供一种当利用通过执行压印工序并照射紫外线而形成的微图案执行去除金属层的等离子蚀刻工序时,在微图案的一侧面与上面形成微图案强化部,从而能够有效地去除金属层的利用被压印的微图案的等离子蚀刻方法。
本发明所要解决的技术课题并不仅限于上面所提及的技术课题,本发明所属领域的一般技术人员通过以下记载可以准确地理解没有被提及的其他技术课题。
技术方案
为实现上述的目的,本发明的一实施例的利用被压印的微图案的等离子蚀刻方法包括:在玻璃基板上形成的金属层的上面涂布紫外线固化树脂,执行加压微图案母模的压印工序,并在所述紫外线固化树脂上形成微图案之后照射紫外线,以固化所述微图案的步骤;对被固化的所述微图案的一侧面与上面执行倾斜蒸镀工序,以形成微图案强化部的步骤;执行第一等离子蚀刻工序,以去除所述微图案中因没有形成所述微图案强化部而以垂直方向露出的区域的紫外线固化树脂的步骤;执行第二等离子蚀刻工序,以去除所述金属层中以垂直方向露出的区域的金属层的步骤;以及去除残存于已去除所述以垂直方向露出的区域的金属层的上部的微图案及微图案强化部的步骤。
本发明的一实施例的利用被压印的微图案的等离子蚀刻方法在所述形成微图案强化部的步骤中,所述微图案强化部优选由SiO2、TiO2、SiN或SiON形成。
本发明的另一实施例的利用被压印的微图案的等离子蚀刻方法包括:在玻璃基板上形成的金属层的上面涂布紫外线固化树脂,执行加压微图案母模的压印工序,并在所述紫外线固化树脂上形成微图案之后照射紫外线,以固化所述微图案的步骤;对被固化的所述微图案的一侧面与上面执行倾斜蒸镀工序之后,对被固化的所述微图案的另一侧面与上面执行倾斜蒸镀,以形成微图案强化部的步骤;执行第一等离子蚀刻工序,以去除所述微图案中因没有形成所述微图案强化部而以垂直方向露出的区域的紫外线固化树脂的步骤;执行第二等离子蚀刻工序,以去除所述金属层中因以垂直方向露出的区域的金属层的步骤;以及去除残存于已去除所述以垂直方向露出的区域的金属层的上部的微图案及微图案强化部的步骤。
本发明的另一实施例的利用被压印的微图案的等离子蚀刻方法在所述形成微图案强化部的步骤中,所述微图案强化部优选由SiO2、TiO2、SiN或SiON形成。
发明的效果
本发明的实施例的利用被压印的微图案的等离子蚀刻方法在利用通过执行压印工序并照射紫外线而形成的微图案执行去除金属层的等离子蚀刻工序时,在微图案的一侧面与上面形成微图案强化部,从而能够有效地去除金属层。
附图说明
图1是示出在本发明的实施例的利用被压印的微图案的等离子蚀刻方法中执行压印工序的剖视图。
图2是示出在本发明的实施例的利用被压印的微图案的等离子蚀刻方法中执行细部工序的剖视图。
图3至图6是示出在本发明的一实施例的利用被压印的微图案的等离子蚀刻方法中执行细部工序的剖视图。
图7至图10是示出在本发明的另一实施例的利用被压印的微图案的等离子蚀刻方法中执行细部工序的剖视图。
符号说明
100:玻璃基板,200:金属层,300:紫外线固化树脂,301:微图案,310、320:微图案强化部,400:微图案母模,500:辊,600:紫外线。
具体实施方式
下面参照附图对本发明的优选实施例进行说明。
本发明的优点及特征,以及其实现方法能够通过参照附图与后述的详细的实施例得到阐明。然而本发明并不局限于下面所公开的实施例,可以被实现为互不相同的多种形态,提供本实施例仅是为了完整地公开本发明,并使本发明所属领域的一般技术人员完整地知晓发明的范畴。本发明仅被权利要求书的范畴所限定。在说明书全文中,相同的附图标记指代相同的构成要素。
在本发明的一实施例的利用被压印的微图案的等离子蚀刻方法中,首先,如图1及图2所示,在玻璃基板100上形成的金属层200的上面涂布紫外线固化树脂300,执行加压微图案母模400的压印工序,并在所述紫外线固化树脂300上形成微图案301之后照射紫外线600,以固化所述微图案301。
此时,可以通过执行电子束光刻工序等而预先形成微图案母模400,利用辊500使微图案母模400接触于被涂布的紫外线固化树脂300并加压,从而形成微图案301。
接下来,如图3所示,对所述被固化的微图案301的一侧面与所述上面执行倾斜蒸镀工序,以形成微图案强化部310。
此时,所述微图案强化部310可以利用SiO2、TiO2、SiN或SiON执行固化蒸镀工序,从而容易地形成。
接下来,如图4所示,执行第一等离子蚀刻工序,以去除所述微图案301中因没有形成所述微图案强化部310而以垂直方向露出的区域的紫外线固化树脂300。
接下来,如图5所示,执行第二等离子蚀刻工序,以去除所述金属层200中以垂直方向露出的区域的金属层200。
此时,所述金属层200上部残存的微图案301及微图案强化部310可以用作掩模,因此仅去除所述金属层200中以垂直方向露出的区域,从而形成所需要的图案。
在这种将微图案301及微图案强化部310用作掩模的情况下,金属层200与微图案301或微图案强化部310的蚀刻选择比可以从1:1~3:1显著地增加至5:1~50:1,上述的蚀刻选择比可以根据金属层200的厚度、密度与蚀刻条件而改变。
在以往,金属层上部仅残存有微图案,因此在执行等离子蚀刻工序期间无法得到充分的维持,相反地本发明的一实施例的利用被压印的微图案的等离子蚀刻方法中,所述金属层200上部可以同时残存有微图案301及微图案强化部310,因此在执行等离子蚀刻工序期间得到充分的维持,从而有效地去除金属层200。
最后,如图6所示,去除残存于已去除所述以垂直方向露出的区域的金属层210的上部的微图案301及微图案强化部310。
下面对本发明的另一实施例的利用被压印的微图案的等离子蚀刻方法进行说明,并且仅对与本发明的一实施例的利用被压印的微图案的等离子蚀刻方法的不同之处进行说明。
在本发明的另一实施例的利用被压印的微图案的等离子蚀刻方法中,可以对所述被固化的微图案301的一侧面与上面执行倾斜蒸镀工序之后,对所述被固化的微图案301的另一侧面与上面执行倾斜蒸镀,以形成微图案强化部310、320,由于所述金属层200上部残存的微图案301及微图案强化部310、320被用作掩模,因此仅去除所述金属层200中以垂直方向露出的区域,从而形成所需要的图案。
以上对旨在示出本发明的原理的优选实施例进行了说明并示出,但本发明并不仅限于所示出和说明的结构及作用。
相反地,该发明所属领域的一般技术人员可以理解在不脱离权利要求书中所记载的本发明的思想及领域的情况下,可以对本发明进行多种修正及变更。
因此,所有这些适当的变更及修正与等同物都行被理解为落入本发明的范围之内。
产业上利用的可能性
本发明提供一种当利用通过执行压印工序并照射紫外线而形成的微图案执行去除金属层的等离子蚀刻工序时,在微图案的一侧面与上面形成微图案强化部,从而能够有效地去除金属层的利用被压印的微图案的等离子蚀刻方法。
Claims (4)
1.一种利用被压印的微图案的等离子蚀刻方法,其特征在于,包括:
在玻璃基板上形成的金属层的上面涂布紫外线固化树脂,执行加压微图案母模的压印工序,并在所述紫外线固化树脂上形成微图案之后照射紫外线,以固化所述微图案的步骤;
对被固化的所述微图案的一侧面与上面执行倾斜蒸镀工序,以形成微图案强化部的步骤;
执行第一等离子蚀刻工序,以去除所述微图案中因没有形成所述微图案强化部而以垂直方向露出的区域的紫外线固化树脂的步骤;
执行第二等离子蚀刻工序,以去除所述金属层中以垂直方向露出的区域的金属层的步骤;以及
去除残存于已去除所述以垂直方向露出的区域的金属层的上部的微图案及微图案强化部的步骤。
2.根据权利要求1所述的利用被压印的微图案的等离子蚀刻方法,其特征在于,
在所述形成微图案强化部的步骤中,所述微图案强化部由SiO2、TiO2、SiN或SiON形成。
3.一种利用被压印的微图案的等离子蚀刻方法,其特征在于,包括:
在玻璃基板上形成的金属层的上面涂布紫外线固化树脂,执行加压微图案母模的压印工序,并在所述紫外线固化树脂上形成微图案之后照射紫外线,以固化所述微图案的步骤;
对被固化的所述微图案的一侧面与上面执行倾斜蒸镀工序之后,对被固化的所述微图案的另一侧面与上面执行倾斜蒸镀,以形成微图案强化部的步骤;
执行第一等离子蚀刻工序,以去除所述微图案中因没有形成所述微图案强化部而以垂直方向露出的区域的紫外线固化树脂的步骤;
执行第二等离子蚀刻工序,以去除所述金属层中因以垂直方向露出的区域的金属层的步骤;以及
去除残存于已去除所述以垂直方向露出的区域的金属层的上部的微图案及微图案强化部的步骤。
4.根据权利要求3所述的利用被压印的微图案的等离子蚀刻方法,其特征在于,
在所述形成微图案强化部的步骤中,所述微图案强化部由SiO2、TiO2、SiN或SiON形成。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2017-0097631 | 2017-08-01 | ||
KR1020170097631A KR20190013263A (ko) | 2017-08-01 | 2017-08-01 | 임프린트된 미세 패턴을 이용한 플라즈마 에칭 방법 |
PCT/KR2018/005616 WO2019027129A1 (ko) | 2017-08-01 | 2018-05-16 | 임프린트된 미세 패턴을 이용한 플라즈마 에칭 방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN110651357A true CN110651357A (zh) | 2020-01-03 |
Family
ID=65233859
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201880033794.8A Pending CN110651357A (zh) | 2017-08-01 | 2018-05-16 | 利用被压印的微图案的等离子蚀刻方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR20190013263A (zh) |
CN (1) | CN110651357A (zh) |
WO (1) | WO2019027129A1 (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7345334B2 (ja) * | 2019-09-18 | 2023-09-15 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法及び基板処理システム |
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KR20150141915A (ko) * | 2015-11-20 | 2015-12-21 | (재)한국나노기술원 | 가변형 임프린트용 스탬프를 이용한 비대칭형 금속 또는 금속산화물 나노구조체 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101492071B1 (ko) * | 2008-09-19 | 2015-02-10 | 삼성전자 주식회사 | 나노 임프린트를 이용한 패턴 성형방법과 패턴 성형을 위한몰드 제작방법 |
US8962484B2 (en) * | 2011-12-16 | 2015-02-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method of forming pattern for semiconductor device |
KR101695389B1 (ko) * | 2015-09-18 | 2017-01-12 | (주) 나인테크 | 임프린팅 장치 |
-
2017
- 2017-08-01 KR KR1020170097631A patent/KR20190013263A/ko not_active Application Discontinuation
-
2018
- 2018-05-16 CN CN201880033794.8A patent/CN110651357A/zh active Pending
- 2018-05-16 WO PCT/KR2018/005616 patent/WO2019027129A1/ko active Application Filing
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR20150141915A (ko) * | 2015-11-20 | 2015-12-21 | (재)한국나노기술원 | 가변형 임프린트용 스탬프를 이용한 비대칭형 금속 또는 금속산화물 나노구조체 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2019027129A1 (ko) | 2019-02-07 |
KR20190013263A (ko) | 2019-02-11 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
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Application publication date: 20200103 |