CN110649073A - 一种显示面板及显示装置 - Google Patents

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    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
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Abstract

本发明公开了一种显示面板及显示装置,通过在目标膜层远离衬底基板的一侧设置至少一个凹陷结构,并在凹陷结构中设置光汇聚功能层,由于光汇聚功能层的折射率大于对应的凹陷结构所在的目标膜层的折射率,这样外界环境光从遮光层的边界产生的衍射光,入射到光汇聚功能层与凹陷结构侧壁之间的界面上时,会产生折射或全反射现象,从而使衍射光重新汇聚,形成一个较小的光斑,进而提高成像的清晰度。

Description

一种显示面板及显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种显示面板及显示装置。
背景技术
随着显示技术的发展,全面屏以其具有较大的屏占比、超窄的边框,与普通的显示屏相比,可以大大提高观看者的视觉效果,从而受到了广泛的关注。目前,在采用全面屏的诸如手机的显示装置中,为了实现自拍和通话功能,通常都会在显示装置的正面设置前置摄像头、听筒等。为了实现全屏化显示,如图1所示的显示装置的平面结构示意图,在显示面板的区域1中一般设置有摄像头10。然而,为了进一步提高屏占比,区域1也会进行显示,这样使得摄像头10设置在区域1的背光侧,从而使得外界环境光先通过区域1后再进入摄像头10,进而导致摄像头10成像质量降低。
发明内容
本发明实施例提供一种显示面板及显示装置,用以提高成像质量。
本发明实施例提供了一种显示面板,包括:衬底基板;所述衬底基板包括第一显示区和第二显示区;
所述第二显示区包括遮光层和位于所述遮光层与所述衬底基板之间的目标膜层,所述目标膜层远离所述衬底基板一侧具有至少一个凹陷结构;
所述凹陷结构在所述衬底基板的正投影覆盖至少部分所述遮光层在所述衬底基板的正投影的边缘;
所述凹陷结构中填充有光汇聚功能层,且所述光汇聚功能层的折射率大于对应的凹陷结构所在的目标膜层的折射率。
本发明实施例还提供了一种显示装置,包括上述显示面板。
本发明有益效果如下:
本发明实施例提供的显示面板及显示装置,通过在目标膜层远离衬底基板的一侧设置至少一个凹陷结构,并在凹陷结构中设置光汇聚功能层,由于光汇聚功能层的折射率大于对应的凹陷结构所在的目标膜层的折射率,这样外界环境光从遮光层的边界产生的衍射光,入射到光汇聚功能层与凹陷结构侧壁之间的界面上时,会产生折射或全反射现象,从而使衍射光重新汇聚,形成一个较小的光斑,进而提高成像的清晰度。
附图说明
图1为相关技术中的显示装置的结构示意图;
图2为相关技术中显示装置的区域1的俯视结构示意图;
图3为图2所示的区域1中沿AA’方向上的剖视结构示意图;
图4为本发明实施例提供的显示面板的俯视结构示意图;
图5为图4所示的显示面板中沿AA’方向上的剖视结构示意图;
图6至图14分别为本发明实施例提供的第一显示区和第二显示区的结构示意图;
图15为图4所示的显示面板中沿AA’方向上的局部剖视结构示意图;
图16为本发明实施例提供的显示面板的一种剖视结构示意图;
图17为本发明实施例提供的凹陷结构和阳极的俯视结构示意图;
图18为本发明实施例提供的显示面板的又一种剖视结构示意图;
图19为本发明实施例提供的显示面板的又一种剖视结构示意图;
图20为本发明实施例提供的显示面板的又一种剖视结构示意图;
图21为本发明实施例提供的显示面板的又一种剖视结构示意图;
图22为本发明实施例提供的显示面板的又一种剖视结构示意图;
图23为本发明实施例提供的显示面板的又一种剖视结构示意图;
图24为本发明实施例提供的显示面板的又一种剖视结构示意图;
图25为本发明实施例提供的显示面板的又一种剖视结构示意图;
图26为本发明实施例提供的显示面板的又一种剖视结构示意图;
图27为本发明实施例提供的显示面板的又一种剖视结构示意图;
图28为本发明实施例提供的显示面板的又一种剖视结构示意图;
图29为本发明实施例提供的显示装置的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本发明实施例的附图,对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例是本发明的一部分实施例,而不是全部的实施例。并且在不冲突的情况下,本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。基于所描述的本发明的实施例,本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
除非另外定义,本发明使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本发明中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性,而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同,而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接,而是可以包括电性的连接,不管是直接的还是间接的。
需要注意的是,附图中各图形的尺寸和形状不反映真实比例,目的只是示意说明本发明内容。并且自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。
结合图2与图3所示,其中,图2为显示装置的区域1中的俯视结构示意图。图3为显示装置的区域1中的局部剖视结构示意图。一般,显示装置区域1中可以包括:位于阵列基板20上的有机发光二极管21,位于有机发光二极管21上的封装层22,以及位于阵列基板20背离有机发光二极管21一侧的摄像头10。其中,有机发光二极管21具有层叠设置的阳极01、发光层02以及阴极03。
在实际应用中,外界环境光S1通过区域1后进入摄像头10,以在摄像头10成像。然而,由于在区域1中设置有遮光膜层,这样使得入射光会在遮光膜层边缘产生衍射现象,形成发散的衍射光S2。这样在衍射光S2入射到摄像头10上时,会导致摄像头10成像质量降低,导致得到的图像比较模糊。例如,有机发光二极管21中的阳极01一般设置为不透光的电极,这样使得入射光会在阳极01边缘产生衍射现象,形成衍射光S2,造成入射到摄像头10上的光发散,从而导致摄像头10成像质量降低,导致得到的图像比较模糊。
有鉴于此,本发明实施例提供了一种显示面板,用于提高摄像头成像质量。
结合图4与图5所示,本发明实施例提供的显示面板,可以包括:衬底基板100;衬底基板可以包括第一显示区A1和第二显示区A2;其中,第二显示区A2包括遮光层110和位于遮光层110与衬底基板100之间的目标膜层120,目标膜层120远离衬底基板100一侧具有至少一个凹陷结构130。其中,凹陷结构130在衬底基板100的正投影覆盖至少部分遮光层110在衬底基板100的正投影的边缘。也就是说,在垂直于显示面板的方向上,遮光层110的至少部分边缘落入凹陷结构130内。并且,凹陷结构130中填充有光汇聚功能层140,且光汇聚功能层140的折射率大于对应的凹陷结构130所在的目标膜层120的折射率。
本发明实施例提供的显示面板,通过在目标膜层远离衬底基板的一侧设置至少一个凹陷结构,并在凹陷结构中设置光汇聚功能层,由于光汇聚功能层的折射率大于对应的凹陷结构所在的目标膜层的折射率,结合图5所示,这样外界环境光S1从遮光层110的边界产生的衍射光S2,入射到光汇聚功能层140与凹陷结构130侧壁之间的界面上时,会产生折射或全反射现象,从而使衍射光S2重新汇聚,形成一个较小的光斑,进而提高成像的清晰度。
在具体实施时,在本发明实施例中,如图4所示,第一显示区A1和第二显示区A2分别包括像素单元PX,这样可以将第一显示区A1和第二显示区A2形成连续的显示区域,以使第一显示区A1和第二显示区A2可以均显示图像。示例性地,显示区域的形状大致为矩形,例如,显示区域的顶角均为直角,则显示区域为矩形。或者,显示区域顶角可以为弧形的角,则显示区域的形状大致为矩形。
在具体实施时,在本发明实施例中,如图4所示,可以使第一显示区A1的像素密度大于第二显示区A2的像素密度。这样通过将显示区域设置为像素密度大(即分辨率高)的第一显示区和像素密度小(即分辨率低)的第二显示区。由于第二显示区内的像素密度较小,因此可以将摄像头等光学电子元件设置在第二显示区内。
需要说明的是,像素密度指的可以是在单位面积中均匀设置的像素单元的个数。单位面积中设置的像素单元个数多,则像素密度大,分辨率高。反之,单位面积中设置的像素单元个数少,则像素密度小,分辨率低。
在具体实施时,在本发明实施例中,第二显示区可以为一个或多个。并且,第一显示区可以为连续的区域,或者第一显示区也可以为不连续的区域,这可以根据实际应用环境来设计确定,在此不作限定。
在具体实施时,在本发明实施例中,如图6至图12所示,第二显示区A2的至少部分边与显示区域的至少部分边重合,并且,第二显示区A2的其余部分被第一显示区A1包围。这样可以将第二显示区A2设置在显示区域边缘。
在具体实施时,在本发明实施例中,如图13与图14所示,第一显示区A1包围第二显示区A2设置。这样可以将第二显示区A2设置在显示区域内部。
进一步地,在具体实施时,可以使第二显示区A2的形状设置为规则的形状,例如,如图6至图8所示,可以使第二显示区A2设置为矩形。其中,该矩形的顶角可以为直角或者也可以为弧形的角。如图9所示,可以使第二显示区A2设置为梯形(例如倒梯形)。其中,该梯形的顶角可以为正规的夹角或者也可以为弧形的角。如图13与图14所示,可以使第二显示区A2设置为圆形。当然也可以第二显示区A2的形状设置为不规则的形状。例如,如图10所示,可以使第二显示区A2设置为水滴形。当然,在实际应用中,第二显示区的形状可以根据第二显示区内设置的元件的形状进行设计,在此不作限定。
在具体实施时,在本发明实施例中,对第一显示区和第二显示区的相对位置关系以及形状不作限定,可以根据显示基板的屏幕设计设置。以手机为例,如图6所示,可以将第二显示区A2设置在第一显示区A1的左上角。如图7所示,将第二显示区A2设置在第一显示区A1的右上角,将摄像头设置于角边,可以利用第二显示区A2进行显示时间、天气、信息提醒等简易快捷功能服务,由于第二显示区A2的分辨率小于第一显示区A1,而上述简易快捷功能服务对于分辨率的要求相对较弱,不仅利于屏幕设计也提升了用户体验。如图8至图10所示,将第二显示区A2设置在第一显示区A1的中间靠上位置处。如图11所示,可以使第一显示区A1和第二显示区A2沿行方向排列。其中,可以使第二显示区A2位于第一显示区A1的上侧或下侧。如图12所示,可以使第一显示区A1和第二显示区A2沿列方向排列。其中,可以使第二显示区A2位于第一显示区A1的左侧或右侧。如图13所示,将第二显示区A2设置在第一显示区A1的中间。如图14所示,将第二显示区A2设置在显示区域的边角(例如左上角处)。这样还可以在第二显示区A2所处的区域中设置传感器,例如进行人脸识别的传感器(例如红外传感器等)。当然,在实际应用中,第二显示区A2的具体位置可以根据实际应用环境来设计确定,在此不作限定。
在具体实施时,在本发明实施例中,第二显示区内的像素密度根据要设置在第二显示区内的元件以及显示需求决定,在此不作限定。例如以在第二显示区内设置摄像头为例,当像素密度太大时能够保证好的显示效果,但是影响摄像清晰度,当像素密度太小时,能够保证高的摄像清晰度,但是影响显示。
在具体实施时,在本发明实施例中,如图6至图14所示,可以使第二显示区A2的面积小于第一显示区A1的面积。当然,在实际应用中,第二显示区的面积可以根据第二显示区内设置的元件进行设计,在此不作限定。
在具体实施时,在本发明实施例中,结合图4所示,像素单元PX可以包括多个子像素spx。每个子像素spx可以包括发光器件以及用于驱动发光器件发光的像素驱动电路。其中,发光器件包括层叠设置的阳极、发光功能层以及阴极。进一步地,发光器件可以包括:有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)、量子点发光二极管(Quantum DotLight Emitting Diodes,QLED)中的至少一种。并且,一般像素驱动电路可以包括驱动晶体管、开关晶体管等多个晶体管以及存储电容,其具体结构和工作原理可以与现有技术中的相同,在此不作赘述。
在具体实施时,在本发明实施例中,可以使像素单元PX包括红色子像素,绿色子像素、以及蓝色子像素,以通过红绿蓝混色实现图像显示功能。也可以使像素单元PX包括红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素、以及白色子像素,以通过红绿蓝白混色实现图像显示功能。
在具体实施时,在本发明实施例中,如图15所示,显示面板还可以包括:位于衬底基板100一侧的薄膜晶体管阵列层410,位于薄膜晶体管阵列层410背离衬底基板100一侧的发光器件420,以及位于薄膜晶体管阵列层410和发光器件420之间的平坦化层418。其中,发光器件420可以包括层叠设置的阳极421、发光功能层422以及阴极423。进一步地,阳极421一般为规则图形,例如矩形。
并且,薄膜晶体管阵列层410可以包括:形成上述晶体管的各个膜层以及形式上述电容的各个膜层。具体地,薄膜晶体管阵列层410包括:位于衬底基板100一侧的有源层411,位于有源层411背离衬底基板100一侧的栅极层412,位于栅极层412背离衬底基板100一侧的电容电极层413,位于电容电极层413背离衬底基板100一侧的源漏电极层414(具有源极4141与漏极4142)。其中,有源层411、栅极层412以及电容电极层413相互绝缘设置,源漏电极层414、栅极层412以及电容电极层413相互绝缘设置,源极4141与漏极4142分别与有源层411电连接。并且,薄膜晶体管阵列层410还包括:位于衬底基板100与有源层411之间的缓冲层419,位于有源层411与栅极层412之间的栅绝缘层415以使有源层411与栅极层412绝缘设置,位于栅极层412与电容电极层413之间的层间介质层416以使栅极层412与电容电极层413绝缘设置,位于电容电极层413与源漏电极层414之间的层间绝缘层417以使电容电极层413与源漏电极层414绝缘设置。平坦化层418位于源漏电极层414与发光器件420的阳极421所在层之间,以使阳极421平坦且与源漏电极层414中其余不需要进行电连接的膜层绝缘设置。
进一步地,在实际应用中,可以将阳极421设置为反射电极。可以将发光功能层422向阳极421出射的光进行反射,以使发光功能层422发出的光尽可能多的从显示面出射,从而可以提高显示面板的出光效率。一般阳极421在衬底基板100的正投影覆盖像素驱动电路中晶体管和电容在衬底基板100的正投影,这样可以遮挡晶体管和电容。
需要说明的是,图15中仅示意出了一个发光器件420和一个晶体管的结构,其余结构依次类推,在此不作赘述。
一般需要向像素驱动电路加载相应的信号,以使像素驱动电路驱动发光器件发光。例如,通常采用数据线向像素驱动电路输入数据信号,采用栅线向像素驱动电路输入栅极扫描信号,采用发光控制信号线向像素驱动电路输入发光控制信号以驱动发光器件发光。采用高电压电源线向像素驱动电路输入高电压电源信号,采用低电压电源线向像素驱动电路输入低电压电源信号,采用复位信号线向像素驱动电路输入复位信号,采用初始化信号线向像素驱动电路输入初始化信号等。当然,本发明包括但不限于此。在具体实施时,在本发明实施例中,薄膜晶体管阵列层还包括多条显示驱动信号线。示例性地,该多条显示驱动信号线可以包括:数据线、栅线、发光控制信号线、高电压电源线、低电压电源线、复位信号线、初始化信号线中的至少一种信号线。进一步地,显示面板还可以设置有触控驱动信号线,以使显示面板实现触控功能。
在具体实施时,在本发明实施例中,遮光层可以包括金属走线和阳极中的至少一种。示例性地,金属走线可以为上述显示驱动信号线和触控驱动信号线中的至少一种。下面均以遮光层为阳极为例进行说明。
结合图5与图16所示,外界环境光S1在阳极421的边缘产生的衍射光S2是以阳极421的边缘为球心的球面光波,即一束外界环境光S1在阳极421边缘经过衍射后变成多束衍射光S2,且多束衍射光S2垂直于球面向外发射。在具体实施时,在本发明实施例中,如图5、图16与图17所示,可以使凹陷结构130为环形。也就是说,凹陷结构130在衬底基板100的正投影为环形。其中,虚线L1代表凹陷结构130在衬底基板100的正投影的内部边缘,虚线L2代表凹陷结构130在衬底基板100的正投影的外部边缘,虚线L1和虚线L2之间的区域即为凹陷结构130在衬底基板100的正投影。虚线L3代表阳极421在衬底基板100的正投影的边缘。并且,由阳极421在衬底基板100的正投影的几何中心(参见图17所示的黑点)指向凹陷结构130在衬底基板100的正投影方向F1上,凹陷结构130在衬底基板100的正投影的内部边缘L1与对应的阳极421在衬底基板100的正投影的边缘L3之间具有第一距离W1,凹陷结构130在衬底基板100的正投影的外部边缘L2与对应的阳极421在衬底基板100的正投影的边缘L3之间具有第二距离W2;且,第一距离W1与第二距离W2相等。这样可以使凹陷结构130的中心对准阳极421的边缘。由于凹陷结构130中设置有光汇聚功能层140,因此凹陷结构130在衬底基板100的正投影的内部边缘L1相当于光汇聚功能层140在衬底基板100的正投影的内部边缘,凹陷结构130在衬底基板100的正投影的外部边缘L2相当于光汇聚功能层140在衬底基板100的正投影的外部边缘,也就是说,这样可以使光汇聚功能层140的中心对准阳极421的边缘。由于衍射光S2垂直于球面向外发射,则衍射光关于垂直于阳极421边缘的对称轴大致对称设置,光汇聚功能层140也关于垂直于阳极421边缘的对称轴大致对称设置,通过这种设置能够保证零级衍射光的垂直入射,将其他衍射光对称的聚拢,在摄像头10上可以形成较小的光斑,从而可以有效缩小衍射光S2的影响范围,同时,对称的将衍射光线进行收缩汇聚可以避免在拍摄时候出现叠影或者其他的显示问题。
在实际应用中,也可以使凹陷结构在衬底基板的正投影覆盖阳极在衬底基板的正投影,并且,凹陷结构在衬底基板的正投影的外部边缘与对应的阳极在衬底基板的正投影的边缘之间也具有第二距离W2。当然,在实际应用中,可以根据实际应用环境来设计确定,在此不作限定。
在具体实施时,在本发明实施例中,结合图5、图15,图16以及图18至图21所示,凹陷结构130可以包括贯穿目标膜层120的过孔121,过孔121中填充有光汇聚功能层140。薄膜晶体管阵列层410可以包括多层绝缘层,例如,多层绝缘层可以包括:缓冲层419、栅绝缘层415、层间介质层416以及层间绝缘层417。进一步地,目标膜层120可以包括多层绝缘层中的至少一层,且光汇聚功能层140的折射率大于多层绝缘层中的至少一层的折射率。在实际应用中,缓冲层419、栅绝缘层415、层间介质层416以及层间绝缘层417这四个膜层的折射率大致相同。示例性地,目标膜层120可以包括:缓冲层419、栅绝缘层415、层间介质层416以及层间绝缘层417这四个膜层,则过孔121贯穿这四个膜层。并且,缓冲层419、栅绝缘层415、层间介质层416以及层间绝缘层417这四个膜层可以相对于具有统一的折射率,这样通过使光汇聚功能层140的折射率大于这四个膜层的统一折射率,以使光汇聚功能层140为光密介质,这四个膜层为光疏介质,可以使入射到过孔121中的衍射光S2,在入射到光汇聚功能层140与目标膜层120之间的界面时会发生折射或全反射,以使发散的衍射光S2汇聚。当然,在实际应用中,目标膜层也可以包括:缓冲层419、栅绝缘层415、层间介质层416以及层间绝缘层417这四个膜层中的三个膜层、两个膜层或一个膜层,在此不作限定。
当然,缓冲层419、栅绝缘层415、层间介质层416以及层间绝缘层417这四个膜层的折射率也可以部分大致相同,部分不同,或者分别不同。当然,这可以根据实际应用环境来设计确定,在此不作限定。
需要说明的是,图18至图21仅是示意出发光器件中阳极的结构,并未示意其他结构,然而,其他结构可以参见图15所示的结构,在此不作赘述。
在具体实施时,在本发明实施例中,如图18所示,可以使光汇聚功能层140的材料与平坦化层的材料相同。这样可以在形成源漏电极层414之后且在形成平坦化层418之前,先制备过孔121。之后在制备平坦化层418时,直接采用平坦化层418的材料对过孔121进行填充,以形成光汇聚功能层140。这样可以减少额外制备光汇聚功能层140的工艺,降低工艺步骤。
结合图18与图15所示,由于衍射光S2是以阳极421的边缘为球心的球面光波,对于衍射角度较大的衍射光S2-1,其在平坦化层418与层间绝缘层417之间的界面上较容易发生全反射。而衍射角度较小的衍射光S2-2,其在平坦化层418与层间绝缘层417之间的界面上不容易发生全反射。这样导致这些不容易发生全反射的光易对成像的清晰度造成影响。因此通过设置凹陷结构130并在凹陷结构130中设置光汇聚功能层140,以使这些不容易发生全反射的光可以进行汇聚,从而提高成像效果。在具体实施时,在垂直于衬底基板100的截面(也就是沿方向X1的截面)上,凹陷结构130的开口端沿平行于衬底基板100方向X2的宽度W满足公式:
W=2d*tanθ;
θ=arcsin(n2/n1);
其中,d代表平坦化层418在垂直于衬底基板100的方向X2上的厚度,n2代表平坦化层418的折射率,n1代表多层绝缘层中靠近平坦化层418一侧的绝缘层(即层间绝缘层417)的折射率。
需要说明的是,凹陷结构130具有开口端和底端,其中,凹陷结构130的开口端指的可以为:凹陷结构130背离衬底基板100一侧的部分。凹陷结构130的底端指的可以为:凹陷结构130靠近衬底基板100一侧的部分。
在具体实施时,可以使n2/n1的范围为:1.2~1.8,这样可以使衍射光在平坦化层418与层间绝缘层417之间的界面上发生全反射的临界角度θ临界的范围为33.5°~53.5°。当然,在实际应用中,n2/n1越大,发生全反射的临界角θ临界越小。其中大于全反射临界角θ临界的衍射光在膜层间发生全反射,最终从显示面板边缘出射。而小于全反射临界角θ临界的衍射光则进入凹陷结构中的光汇聚功能层中,以进行汇聚。
在具体实施时,在本发明实施例中,在垂直于衬底基板并且由第二显示区几何中心指向第一显示区的方向上的截面,凹陷结构130的形状可以包括矩形、梯形以及弧形中的至少一种。例如,如图18所示,凹陷结构130的形状可以为矩形,例如,长方形。如图19与图20所示,凹陷结构130的形状可以为梯形。其中,图19所示的凹陷结构的形状为倒梯形,图20所示的凹陷结构的形状为正梯形。如图21所示,凹陷结构130的形状可以为弧形。当然,本发明包括但不限于此。
在具体实施时,在本发明实施例中,在垂直于衬底基板并且由第二显示区几何中心指向第一显示区的截面上,凹陷结构的形状包括矩形、梯形时;在垂直于衬底基板的截面上,凹陷结构的侧边与底边之间具有夹角β,且90°-θ<β<180°-θ;其中,θ=arcsin(n2/n1),n2代表平坦化层的折射率,n1代表多层绝缘层中靠近平坦化层一侧的绝缘层(即层间绝缘层417)的折射率。
例如,以凹陷结构的形状为梯形为例进行说明,具体地,结合图19、图20、图22至图24所示,且θ临界代表衍射光在平坦化层418与层间绝缘层417之间的界面上发生全反射的临界角。如图22所示,在β=90°-θ临界时,临界衍射光S3-1的入射方向与凹陷结构的侧边平行,导致临界衍射光S3-1未经过凹陷结构的侧边折射或反射而直接到达底边,而其它进入到凹陷结构的衍射光的入射角小于θ临界,导致入射到凹陷结构中的衍射光未经过凹陷结构的侧边折射或反射而直接到达底边,从而不能实现光汇聚功能。如图20所示,在β>90°-θ临界时,临界衍射光S3-1先到达凹陷结构130的侧边,经过凹陷结构130的侧边与光汇聚功能层140之间的界面的折射或全反射后再到达底边,以实现光汇聚功能。如图23所示,在β=180°-δ且0<δ<θ临界时,临界衍射光S3-1先到达凹陷结构130的侧边,经过凹陷结构130的侧边与光汇聚功能层140之间的界面的折射,折射光为发散状态,扩大了衍射光的影响范围,从而不能实现光汇聚功能。如图24所示,在β=180°-θ临界时,临界衍射光S3-1垂直入射到凹陷结构130的侧边,从而不能实现临界衍射光S3-1的汇聚功能。如图19所示,在β<180°-θ临界时,临界衍射光S3-1先到达凹陷结构130的侧边,经过凹陷结构130的侧边与光汇聚功能层140之间的界面的折射或全反射,使折射光或全反射光为收敛状态,缩小了衍射光的影响范围,从而实现光汇聚功能。
综上,在90°-θ<β<180°-θ时,可以实现光汇聚功能。并且,在实际应用中,不同应用环境对光汇聚的效果的需求不同。因此,可以根据实际应用环境来设计β的具体数值,在此不作限定。
并且,在工艺制备过程中,一般采用刻蚀工艺制备凹陷结构。其中,在90°<β<180°-θ时,由于凹陷结构的开口端的面积大于底端的面积,由于刻蚀工艺从凹陷结构的开口端朝向底端进行刻蚀,根据刻蚀工艺特征,凹陷结构的开口端的刻蚀时间长于凹陷结构的底端,那么保证凹陷结构的开口端的面积大于底端的面积的时候刻蚀工艺可以采用一步刻蚀,因此可以降低刻蚀工艺的难度,从而还可以有利于简化刻蚀工艺。
需要说明的是,在实际工艺中,由于工艺条件的限制或其他因素,上述各特征中的相同并不能完全相同,可能会有一些偏差,因此上述各特征之间的相同关系只要大致满足上述条件即可,均属于本发明的保护范围。例如,上述相同可以是在误差允许范围之内所允许的相同。
本发明实施例提供了又一种显示面板的结构示意图,如图25与图26所示,其针对上述实施例中的部分实施方式进行了变形。下面仅说明本实施例与上述实施例的区别之处,其相同之处在此不作赘述。
一般光从光疏介质入射到光密介质,折射角会减小。在具体实施时,在本发明实施例中,如图25所示,也可以在过孔中填充其他材料,以使光汇聚功能层140的折射率大于平坦化层418的折射率。也就是说,该光汇聚功能层140为单层结构,这样使得平坦化层418为光疏介质,光汇聚功能层140为光密介质。由于衍射光S2经过平坦化层418后折射到光汇聚功能层140中,从而入射到光汇聚功能层140与平坦化层418之间的界面上的光的折射角变小,即利用光汇聚功能层140的折射率大于平坦化层418的折射率使得衍射光S2在平坦化层与光汇聚功能膜层就能够通过一次折射起到一定的汇聚作用。并且,由于光汇聚功能层140的折射率大于目标膜层的折射率,可以使入射到光汇聚功能层140与目标膜层120之间的界面的光发生折射或全反射,以使发散的衍射光S2进一步汇聚,进一步提高成像的清晰度。
进一步地,在具体实施时,在本发明实施例中,如图26所示,光汇聚功能层140可以包括层叠设置的至少两个光汇聚层141-m(1≤m≤M,M≥2,且m与M均为整数,图26以M=2为例),在由平坦化层418指向衬底基板100的方向F2(即箭头所指的方向)上,光汇聚层141-m的折射率依次增大。示例性地,如图26所示,光汇聚功能层140可以包括层叠设置的两个光汇聚层141-1、141-2,光汇聚层141-2的折射率大于光汇聚层141-1的折射率。这样还可以使光汇聚层141-2相对于光汇聚层141-1来说,光汇聚层141-2作为光密介质,光汇聚层141-1作为光疏介质,从而进一步使光进行汇聚,进一步提高成像清晰度。当然,在实际应用中,还可以使M=3、M=4、M=5设置更多,这可以根据实际应用环境来设计确定,在此不作限定。
进一步地,在具体实施时,在本发明实施例中,如图26所示,可以使各光汇聚层141-m的折射率大于平坦化层418的折射率。例如,如图26所示,这样使得平坦化层418为光疏介质,光汇聚层141-m为光密介质,从而使入射到光汇聚层141-1与平坦化层418之间的界面上的光的折射角变小,进一步使入射到光汇聚层141-m与目标膜层120之间的界面的光发生折射或全反射,以使发散的衍射光S2进一步汇聚,进一步提高成像的清晰度。
本发明实施例提供了又一种显示面板的结构示意图,如图27所示,其针对上述实施例中的部分实施方式进行了变形。下面仅说明本实施例与上述实施例的区别之处,其相同之处在此不作赘述。
在具体实施时,在本发明实施例中,如图27所示,也可以使凹陷结构130包括位于目标膜层120的凹槽122。示例性地,目标膜层120可以包括:缓冲层419、栅绝缘层415、层间介质层416以及层间绝缘层417这四个膜层,则可以在栅绝缘层415、层间介质层416以及层间绝缘层417这三个膜层500上设置过孔,但是不在缓冲层419上设置过孔,这样可以形成凹槽122。也就是说,光汇聚功能层140为光密介质,这四个膜层为光疏介质,可以使入射到凹槽122中的衍射光,在入射到光汇聚功能层140与膜层500之间的界面时会发生折射或全反射,以使发散的衍射光汇聚。当然,在实际应用中,目标膜层也可以包括:缓冲层419、栅绝缘层415、层间介质层416以及层间绝缘层417这四个膜层中的三个膜层、两个膜层或一个膜层,在此不作限定。
本发明实施例提供了又一种显示面板的结构示意图,如图28所示,其针对上述实施例中的部分实施方式进行了变形。下面仅说明本实施例与上述实施例的区别之处,其相同之处在此不作赘述。
在具体实施时,在本发明实施例中,如图28所示,也可以使目标膜层140包括平坦化层418,光汇聚功能层140的折射率大于平坦化层418的折射率。也就是说,在平坦化层418中设置凹陷结构130,并在凹陷结构130中设置光汇聚功能层140。这样光汇聚功能层140为光密介质,平坦化层418为光疏介质,从而可以使入射到光汇聚功能层140与平坦化层418之间的界面的光发生折射或全反射,以使发散的衍射光S2进一步汇聚,进一步提高成像的清晰度。
需要说明的是,光汇聚功能层140的具体的实施方式可以参见上述实施例,在此不作赘述。
需要说明的是,在不冲突的情况下,上述实施方式与实施方式中的特征可以相互组合,在此不做赘述。
基于同一发明构思,本发明实施例还提供了一种显示装置,如图29所示,该显示装置可以包括:本发明实施例提供的上述任一种显示面板600。该显示装置解决问题的原理与前述显示面板相似,因此该显示装置的实施可以参见前述显示面板的实施,重复之处在此不再赘述。
在具体实施时,在本发明实施例提供的显示装置中,如图29(以光学电子元件包括摄像头700为例)所示,还可以包括:光学电子元件,光学电子元件位于第二显示区A2,且光学电子元件位于第二显示区A2远离显示面板发光面的一侧。示例性地,光学电子元件可以包括:摄像头、红外传感器中之一或组合。
在具体实施时,在本发明实施例提供的显示装置中,如图29(图29仅以包括摄像头为例)所示,该显示装置包括:摄像头700,并且,摄像头700在显示面板600的正投影位于第二显示区A2内。
在具体实施时,本发明实施例提供的显示装置可以为如图29所示的手机。当然,本发明实施例提供的显示装置也可以为平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。对于该显示装置的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的,在此不做赘述,也不应作为对本发明的限制。
本发明实施例提供的显示面板及显示装置,通过在目标膜层远离衬底基板的一侧设置至少一个凹陷结构,并在凹陷结构中设置光汇聚功能层,由于光汇聚功能层的折射率大于对应的凹陷结构所在的目标膜层的折射率,这样外界环境光从遮光层的边界产生的衍射光,入射到光汇聚功能层与凹陷结构侧壁之间的界面上时,会产生折射或全反射现象,从而使衍射光重新汇聚,形成一个较小的光斑,进而提高成像的清晰度。
显然,本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样,倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内,则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (16)

1.一种显示面板,其特征在于,包括:衬底基板;所述衬底基板包括第一显示区和第二显示区;
所述第二显示区包括遮光层和位于所述遮光层与所述衬底基板之间的目标膜层,所述目标膜层远离所述衬底基板一侧具有至少一个凹陷结构;
所述凹陷结构在所述衬底基板的正投影覆盖至少部分所述遮光层在所述衬底基板的正投影的边缘;
所述凹陷结构中填充有光汇聚功能层,且所述光汇聚功能层的折射率大于对应的凹陷结构所在的目标膜层的折射率。
2.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述遮光层包括金属走线和阳极中的至少一种。
3.如权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述遮光层为阳极,所述凹陷结构为环形;
由所述阳极在所述衬底基板的正投影的几何中心指向所述凹陷结构在所述衬底基板的正投影方向上,所述凹陷结构在所述衬底基板的正投影的内部边缘与对应的所述阳极在所述衬底基板的正投影的边缘之间具有第一距离,所述凹陷结构在所述衬底基板的正投影的外部边缘与对应的所述阳极在所述衬底基板的正投影的边缘之间具有第二距离;且,所述第一距离与所述第二距离相同。
4.如权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括:位于所述衬底基板与所述阳极之间的平坦化层以及位于所述平坦化层与所述衬底基板之间的薄膜晶体管阵列层;其中,所述薄膜晶体管阵列层包括多层绝缘层;
所述目标膜层包括多层所述绝缘层中的至少一层;所述光汇聚功能层的折射率大于多层所述绝缘层中的至少一层的折射率。
5.如权利要求4所述的显示面板,其特征在于,在垂直于所述衬底基板的截面上,所述凹陷结构的开口端沿平行于所述衬底基板方向的宽度W满足公式:
W=2d*tanθ;
θ=arcsin(n2/n1);
其中,d代表所述平坦化层在垂直于所述衬底基板的方向上的厚度,n2代表所述平坦化层的折射率,n1代表多层所述绝缘层中靠近所述平坦化层一侧的所述绝缘层的折射率。
6.如权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述光汇聚功能层的材料与所述平坦化层的材料相同。
7.如权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述光汇聚功能层的折射率大于所述平坦化层的折射率。
8.如权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括:位于所述衬底基板与所述阳极之间的平坦化层以及位于所述平坦化层与所述衬底基板之间的薄膜晶体管阵列层;
所述目标膜层包括所述平坦化层;所述光汇聚功能层的折射率大于所述平坦化层的折射率。
9.如权利要求4或8所述的显示面板,其特征在于,所述光汇聚功能层包括层叠设置的至少两个光汇聚层,在由所述平坦化层指向所述衬底基板的方向上,所述光汇聚层的折射率依次增大。
10.如权利要求9所述的显示面板,其特征在于,各所述光汇聚层的折射率大于所述平坦化层的折射率。
11.如权利要求1-8任一项所述的显示面板,其特征在于,所述凹陷结构包括贯穿所述目标膜层的过孔或位于所述目标膜层的凹槽。
12.如权利要求11所述的显示面板,其特征在于,在垂直于所述衬底基板并且由所述第二显示区几何中心指向所述第一显示区的截面上,所述凹陷结构的形状包括矩形、梯形以及弧形中的至少一种。
13.如权利要求12所述的显示面板,其特征在于,在垂直于所述衬底基板并且由所述第二显示区几何中心指向所述第一显示区的截面上,所述凹陷结构的形状包括所述矩形、所述梯形;
在垂直于所述衬底基板的截面上,所述凹陷结构的侧边与底边之间具有夹角β,且90°-θ<β<180°-θ;其中,θ=arcsin(n2/n1),n2代表所述平坦化层的折射率,n1代表多层所述绝缘层中靠近所述平坦化层一侧的所述绝缘层的折射率。
14.如权利要求1-8任一项所述的显示面板,其特征在于,所述第一显示区和第二显示区分别包括像素单元;且所述第一显示区的像素密度大于所述第二显示区的像素密度。
15.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-14任一项所述的显示面板。
16.如权利要求15所述的显示装置,其特征在于,包括:光学电子元件,所述光学电子元件位于所述第二显示区,且所述光学电子元件位于所述第二显示区远离所述显示面板发光面的一侧。
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