CN110641755A - 一种多晶硅表金属去除装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种多晶硅表金属去除装置，可包括倾斜式上料输送带机构和水平输送带机构，所述倾斜式上料输送带机构的上端滚筒安装有永磁体并且在其下方设有第一抽吸罩，所述永磁体用于将多晶硅表金属吸附在所述倾斜式上料输送带机构的输送带上，所述第一抽吸罩用于收集并带走从输送带掉落的多晶硅表金属，所述水平输送带机构横向于所述倾斜式上料输送带机构布置，其输送带位于所述倾斜式上料输送带机构的上端的正下方并且设有第二抽吸罩，所述第二抽吸罩用于吸走多晶硅从所述倾斜式上料输送带机构落到所述水平输送带机构的输送带上产生的多晶硅粉尘。

Description

一种多晶硅表金属去除装置
技术领域
本发明涉及输送设备领域，具体地涉及一种多晶硅表金属去除装置。
背景技术
多晶硅具有容易吸附金属颗粒的特点，并且多晶硅越小，其越容易吸附金属颗粒。而这些金属颗粒对于多晶硅的应用是有害的。当多晶硅吸附的表金属超过行业标准时，这些多晶硅就只能作为废料去除，造成极大的浪费。多晶硅在出厂时需要分装成固定重量的袋装产品，而在分装的过程中，容易出现表金属超标的情况。
发明内容
本发明旨在提供一种多晶硅表金属去除装置，以解决现有多晶硅容易出现表金属超标的问题。为此，本发明采用的具体技术方案如下：
一种多晶硅表金属去除装置，可包括倾斜式上料输送带机构和水平输送带机构，所述倾斜式上料输送带机构的上端滚筒安装有永磁体并且在其下方设有第一抽吸罩，所述永磁体用于将多晶硅表金属吸附在所述倾斜式上料输送带机构的输送带上，所述第一抽吸罩用于收集并带走从输送带掉落的多晶硅表金属，所述水平输送带机构横向于所述倾斜式上料输送带机构布置，其输送带位于所述倾斜式上料输送带机构的上端的正下方并且设有第二抽吸罩，所述第二抽吸罩用于吸走多晶硅从所述倾斜式上料输送带机构落到所述水平输送带机构的输送带上产生的多晶硅粉尘。
进一步地，所述上端滚筒包括转轴、滚筒主体、永磁体套筒和端部固定套筒，所述滚筒主体固定套设在所述转轴上，所述永磁体套筒固定套设在所述滚筒主体上，所述永磁体套筒安装有永磁体，所述端部固定套筒固定套设在所述滚筒主体上以将所述永磁体套筒夹紧。
进一步地，所述永磁体为多根磁棒。
优选地，磁棒的数量为24根，每根磁棒的磁场强度为1万高斯
进一步地，所述永磁体套筒固定套设在所述滚筒主体上是通过键槽结构实现的。
进一步地，所述倾斜式上料输送带机构的输送带上安装有多个横向挡板以及左右波浪形挡板。
进一步地，所述倾斜式上料输送带机构的输送带的进料段和出料段均为水平的，并且所述进料段的上方设有第三抽吸罩，用于吸走进料时产生的多晶硅粉尘。
进一步地，所述倾斜式上料输送带机构的输送带上方安装有防尘罩。
进一步地，所述水平输送带机构的输送带可双向运动，并且所述倾斜式上料输送带机构的上端位于其中间。
进一步地，所述水平输送带机构还包括分别布置在其输送带前后两侧的前挡板和后挡板，所述后挡板的中间部分上设有规则排列的吸尘孔，所述第二抽吸罩与所述吸尘孔流体连通。
进一步地，所述第一抽吸罩固定安装在水平输送带机构的支架上，其与所述前挡板之间通过一倾斜集料槽连通。
本发明采用上述技术方案，具有的有益效果是：本发明通过设置永磁体和第一抽吸罩，能够去除多晶硅的表金属，并且通过第二抽吸罩，将细小的多晶硅去除，以避免其吸附表金属而造成多晶硅袋装产品不合格。
附图说明
为进一步说明各实施例，本发明提供有附图。这些附图为本发明揭露内容的一部分，其主要用以说明实施例，并可配合说明书的相关描述来解释实施例的运作原理。配合参考这些内容，本领域普通技术人员应能理解其他可能的实施方式以及本发明的优点。图中的组件并未按比例绘制，而类似的组件符号通常用来表示类似的组件。
图1是根据本发明实施例的多晶硅表金属去除装置的立体图；
图2是图1所示的多晶硅表金属去除装置的倾斜式输送带机构的立体图，其中部分外壳去除以示出输送带结构；
图3是图2所示的倾斜式输送带机构的上端滚筒的立体图；
图4是图3所示的上端滚筒的分解图；
图5是图1所示的多晶硅表金属去除装置的水平输送带机构的立体图。
具体实施方式
现结合附图和具体实施方式对本发明进一步说明。
如图1-5所示，一种多晶硅表金属去除装置可包括倾斜式上料输送带机构1和水平输送带机构2。其中，倾斜式上料输送带机构1的上端滚筒124安装有永磁体3并且在其下方设有第一抽吸罩4，所述永磁体3用于将多晶硅表金属吸附在所述倾斜式上料输送带机构1的输送带11上，所述第一抽吸罩4用于收集并带走从输送带11掉落的多晶硅表金属。水平输送带机构2横向于所述倾斜式上料输送带机构1布置，其中间位于所述倾斜式上料输送带机构1的上端的正下方，即，两者形成T字形。为了描述方便，将倾斜式上料输送带机构1的输送方向称为前后方向，将水平输送带机构2输送方向称为左右方向。在本实施例中，水平输送带机构2可双向移动，可以将多晶硅输送至两边(左右)的包装工位，以使两个包装工位的包装作业能够交替进行，大大提高了工作效率。应该理解，水平输送带机构2也可以是单向的。在这种情况下，倾斜式上料输送带机构1的上端可以不用布置在水平输送带机构2的输送带21中间。水平输送带机构2上安装有第二抽吸罩5，所述第二抽吸罩5用于吸走多晶硅从倾斜式上料输送带机构1落到水平输送带机构2的输送带21上产生的多晶硅粉尘。由于多晶硅粉尘被吸走，因此大大降低了表金属被吸附到多晶硅袋装产品中而导致产品不合格的风险。
如图1和2，倾斜式上料输送带机构1可包括输送带11及其驱动装置12。输送带11上安装有多个横向挡板13以及左右波浪形挡板14。这种输送带结构有利于多晶硅的输送，防止其在输送过程中滑动碰撞而产生多晶硅粉尘颗粒，进而避免表金属吸附。驱动装置包括电机121、齿轮链条传动机构122、下端滚筒123和上端滚筒124等。输送带11和驱动装置12的连接方式为本领域技术人员所熟知，这里不再进行描述。
在本实施例中，输送带11的进料段111和出料段112均为水平的。进料段111的上方设有第三抽吸罩6，第三抽吸罩6用于吸收进料时产生的多晶硅粉尘。这可以防止多晶硅粉尘吸附表金属。
为了防止空气中金属粉尘在输送过程中污染多晶硅(即，表金属吸附)以及多晶硅在输送过程中产生的粉尘逸到空气中，输送带11上方可安装有防尘罩7。
如图3和4所示，上端滚筒124可包括转轴1241、滚筒主体1242、永磁体套筒1243和端部固定套筒1244。转轴1241通过轴承(未示出)可转动地安装在倾斜式上料输送带机构1的支架上。滚筒主体1242固定套设在转轴1241上，例如通过键槽配合的方式。永磁体套筒1243固定套设在滚筒主体1242上，例如通过键槽配合的方式。在本实施例中，滚筒主体1242的外表面上设有一条凸起12421，永磁体套筒1243的内壁上设有一条凹槽12431，滚筒主体1242和永磁体套筒1243通过凸起12421和凹槽12431的配合而固定套设在一起。永磁体套筒1243其上安装有永磁体3。在本实施例中，永磁体3为24根磁棒，每个磁棒的磁场强度为1万高斯。应该理解，永磁体3也可以是其它形式，例如圆环形。此外，磁棒的数量也不限于所示实施例。端部固定套筒1244固定套设在滚筒主体1242上以将永磁体套筒1243夹紧。
如图5所示，水平输送带机构2可包括可向左向右运动的输送带21和分别布置在输送带21前后两侧的前挡板22和后挡板23。输送带21同样是环形输送带，其结构为本领域技术人员所熟知，这里不再进行描述。后挡板23的中间部分上设有规则排列的吸尘孔231，第二抽吸罩5与吸尘孔231流体连通，以吸走多晶硅块料从倾斜式上料输送带机构1落到输送带21上时产生的多晶硅粉尘。
在本实施例中，输送带21上方还防尘罩24，第二抽吸罩5安装在防尘罩24的后板上并对准吸尘孔231。应该理解，第一抽吸罩4、第二抽吸罩5和第三抽吸罩6通过相应管道连接到风机(未示出)。
在本实施例中，第一抽吸罩4固定安装在水平输送带机构2的支架上，其与前挡板22之间通过一倾斜集料槽8连通。因此，在多晶硅从倾斜式上料输送带机构1的输送带上掉落到水平输送带机构2上过程中，未掉落到水平输送带机构2的输送带上的多晶硅会通过倾斜集料槽8收集到第一抽吸罩4中，以避免污染地面。
下面简要描述一下本发明的工作原理，多晶硅随着倾斜式上料输送带机构1的输送带11向上输送，在上端滚筒处，多晶硅上的表金属被永磁体3的磁力吸附在输送带11上，而多晶硅在重力作用下掉落到水平输送带机构2的输送带21上，当输送带11离开上端滚筒后，被吸附在输送带11上的表金属在重力和第一抽吸罩4的吸力的双重作用下离开输送带11落入第一抽吸罩4并被带走，同时第二抽吸罩5吸走多晶硅掉落到水平输送带机构2的输送带21上时产生的多晶硅粉尘，去除表金属后的多晶硅被水平输送带机构2输送至包装工位。
尽管结合优选实施方案具体展示和介绍了本发明，但所属领域的技术人员应该明白，在不脱离所附权利要求书所限定的本发明的精神和范围内，在形式上和细节上可以对本发明做出各种变化，均为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种多晶硅表金属去除装置，其特征在于，包括倾斜式上料输送带机构和水平输送带机构，所述倾斜式上料输送带机构的上端滚筒安装有永磁体并且在其下方设有第一抽吸罩，所述永磁体用于将多晶硅表金属吸附在所述倾斜式上料输送带机构的输送带上，所述第一抽吸罩用于收集并带走从输送带掉落的多晶硅表金属，所述水平输送带机构横向于所述倾斜式上料输送带机构布置，其输送带位于所述倾斜式上料输送带机构的上端的正下方并且设有第二抽吸罩，所述第二抽吸罩用于吸走多晶硅从所述倾斜式上料输送带机构落到所述水平输送带机构的输送带上产生的多晶硅粉尘。
2.如权利要求1所述的多晶硅表金属去除装置，其特征在于，所述上端滚筒包括转轴、滚筒主体、永磁体套筒和端部固定套筒，所述滚筒主体固定套设在所述转轴上，所述永磁体套筒固定套设在所述滚筒主体上，所述永磁体套筒安装有所述永磁体，所述端部固定套筒固定套设在所述滚筒主体上以将所述永磁体套筒夹紧。
3.如权利要求2所述的多晶硅表金属去除装置，其特征在于，所述永磁体为多根磁棒。
4.如权利要求3所述的多晶硅表金属去除装置，其特征在于，磁棒的数量为24根，每根磁棒的磁场强度为1万高斯。
5.如权利要求2所述的多晶硅表金属去除装置，其特征在于，所述永磁体套筒固定套设在所述滚筒主体上是通过键槽结构实现的。
6.如权利要求1所述的多晶硅表金属去除装置，其特征在于，所述倾斜式上料输送带机构的输送带上安装有多个横向挡板以及左右波浪形挡板。
7.如权利要求6所述的多晶硅表金属去除装置，其特征在于，所述倾斜式上料输送带机构的输送带的进料段和出料段均为水平的，并且所述进料段的上方设有第三抽吸罩，用于吸走进料时产生的多晶硅粉尘。
8.如权利要求1所述的多晶硅表金属去除装置，其特征在于，所述水平输送带机构的输送带可双向运动，并且所述倾斜式上料输送带机构的上端位于其中间。
9.如权利要求8所述的多晶硅表金属去除装置，其特征在于，所述水平输送带机构还包括分别布置在其输送带前后两侧的前挡板和后挡板，所述后挡板的中间部分上设有规则排列的吸尘孔，所述第二抽吸罩与所述吸尘孔流体连通。
10.如权利要求9所述的多晶硅表金属去除装置，其特征在于，所述第一抽吸罩固定安装在水平输送带机构的支架上，其与所述前挡板之间通过一倾斜集料槽连通。
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