CN110622293A - 用于连接晶片舟和电力供应的接触装置 - Google Patents

Abstract

本文描述一种用于连接晶片舟和电力供应的接触装置，此种接触装置实现了可靠的接触。该接触装置具有包含第一基本元件及至少两个接触元件的第一连接件，其中该等接触元件中的至少一个与该基本元件弹性连接。该接触元件还具有包含至少一接触元件的第二连接件，该接触元件在连接状态下透过接触面或接触线与该第一连接件的该等接触元件中的一个发生接触。该第一及第二连接件的接触元件如此地构建，使得在分离或连接该第一与第二连接件时，该第一连接件的该至少一弹性接触元件在该接触面或接触线的区域内沿该第二连接件的该至少一接触元件滑动。由此，该二连接件间的接触面远大于现有技术中的情形。此外，通过滑动而将该二连接件相匹配并对接触面进行清洁，从而防止在接触区域内产生沉积物或脏物并确保可靠的电接触。通过此种接触装置便能与现有技术相比降低电损耗，并能在晶片舟内实现均匀的温度分布。

Description

用于连接晶片舟和电力供应的接触装置

本发明涉及一种用于连接晶片舟和电力供应的接触装置。

为在半导体工业及光伏中对晶片实施加工步骤，通常将晶片布置在适于容置多个晶片的保持件中。此类保持件称作晶片舟(wafer boat)并且通常具有舟框架或舟体以及多个用于晶片的容置部，如缝隙。视加工步骤的类型而定地，晶片舟亦具用于电力供应的端子，以便(例如)进行等离子体加工、高频加工或微波加工。现有技术公开某种接触装置，其中在晶片舟上设有锥形凹处，其与电力供应的棒形电流端子的锥形末端相匹配。电流端子例如设置在处理室中，具有晶片的晶片舟插入该处理室。将晶片舟插入时，将电流端子的锥形末端送入该锥形凹处，从而将晶片舟与电力供应连接在一起。视晶片舟及电力供应的类型而定地，设有多个凹处及棒形电流端子。

上述接触装置中会出现以下问题：棒形电流端子在将晶片舟插入时发生弹性弯曲，棒形电流端子的所送入的锥形末端仅在某个点或某个短线上与锥形凹处发生接触。如此便增大了电流密度及阻抗，从而特别是在电力供应的频率较高时产生问题。处理晶片时通常使用频率大于40kHz的交流电压，此种频率亦可能大得多，如大于10MHz。采用此类高频时，位移电流会起主要作用并造成极高的总电流及损耗功率。损耗功率会转换为热能，从而可能因晶片舟中及晶片上的不均匀电流分布而造成晶片舟中的不同温度分布以及不同加工结果，并可能造成接触点过热乃至端子熔化。此外还会削弱实际处理过程的有效功率，从而降低制程效率。

本发明的目的在于克服上述缺点，并特别是在晶片舟与电力供应之间实现可靠的接触。

有鉴于此，本文描述一种用于连接晶片舟和电力供应的接触装置，此种接触装置达成上述目的。该接触装置具有包含第一基本元件及至少两个接触元件的第一连接件，其中该等接触元件中的至少一个与该基本元件弹性连接。该接触元件还具有包含至少一接触元件的第二连接件，该接触元件在连接状态下通过接触面或接触线与该第一连接件的该等接触元件中的一个发生接触。该第一及第二连接件的接触元件如此地构建，使得在分离或连接该第一与第二连接件时，该第一连接件的该至少一弹性接触元件在该接触面或接触线的区域内沿该第二连接件的该至少一接触元件滑动。由此，该二连接件间的接触面远大于现有技术中的情形。此外，通过滑动而将该二连接件相匹配并对接触面进行清洁。从而防止在接触区域内产生沉积物或脏物并确保可靠的电接触。通过此种接触装置便能与现有技术相比降低电损耗，并能在晶片舟内实现均匀的温度分布。

本文所描述的接触装置的优点在于：该电力供应适于产生频率大于30kHz的交流电压。在电接触较差的情况下，特别是因集肤效应(skin-effect)会在此类高频下出现局部衰减。因此，可靠的电连接在大于30kHz的高频下具有重大影响。该等连接件中的一个较佳由石墨制成，因为在此情形下实现了接触面的良好匹配以及可靠的电连接。在某些情形下使用至少部分由石墨构成的晶片舟。在此种情形下有利地，该晶片舟上的连接件由石墨制成，其中该连接件例如构建为由石墨构成的晶片舟的部件的缝隙或凹处。

在该接触装置的一实施例中，该第二连接件具有第二基本元件及两个相对的接触元件。该等接触元件自该第二基本元件出发并且形成向前朝其末端曝露且朝至少一侧曝露的接触缝隙。该第一连接件的该二接触元件中的至少一个呈板簧状或者为扁平的长形面元件，其沿一侧与该基本元件连接。该第一连接件的该等接触元件可自一侧被送入该第二连接件的接触缝隙。从而在该等连接件间产生线接触，并确保去除前一处理过程中的脏物或沉积物。

在该接触装置的另一实施例中，该第二连接件具有第二基本元件及两个相对的接触元件。该等接触元件同样自该第二基本元件出发并且形成向前朝其末端曝露且朝至少一侧曝露的接触缝隙。在此情形下，该第二连接件的该二相对的接触元件中的至少一个呈板簧状。替代地，该第二连接件的该二接触元件中的一个为扁平的长形面元件，其沿一侧与该基本元件连接。在此情形下，该第一连接件的该等接触元件亦可自一侧被送入该第二连接件的接触缝隙。因而同样能够确保去除前一处理过程中的脏物或沉积物。

在上述各实施例中，该接触缝隙的长度至少双倍于该第一连接件的接触元件在自一侧的送入方向上的尺寸。如此，该等接触元件便能在其整个长度上沿着彼此滑过，而不会造成脏物或沉积物的积聚。

在该接触装置的替代实施例中，该第一连接件的该等接触元件中的至少一个弹性支承在该基本元件上，其中在该第一连接件的基本元件上设有保持装置。该保持装置适于将该至少一弹性支承的接触元件保持在张紧(压缩或伸展)位置中。该保持装置亦具触发器，其适于将该至少一弹性支承的接触元件自该张紧位置释放出来。如此便能将第一连接件与第二连接件非接触式地插接在一起。从而降低此等接触元件的使用寿命，因为在插接过程中不会出现或者大幅减轻了摩擦接触或滑动接触。

在该接触装置的该替代实施例的第一方案中，该第二连接件较佳具有槽形或圆形的凹处。在此情形下，该凹处的内壁形成该第二连接件的该至少一接触元件。

在该替代实施例的该第一方案中，该第二连接件特别是可具有圆形凹处，其中该凹处的内壁形成该第二连接件的该至少一接触元件。该第一连接件具有至少两个弹性支承的接触元件，该等接触元件相对地布置或者环绕该第一连接件的基本元件布置。该等弹性支承的接触元件在闭合(张紧)位置与曝露(触发)位置之间可动且适于在该曝露位置中接触该凹处的内壁。采用此种布置方案时，产生的是具有较小电流密度的面接触，从而减轻了晶片舟上的不均匀温度分布。

该替代实施例的第二方案是采用反向布置方案，其中一连接件在曝露(即张紧)状态下被推移并在闭合(即松弛或触发)状态下包围/平面接触另一连接件的外壁。从而产生具有较小电流密度的面接触。在该第二方案中，该第二连接件具有杆形或球形本体，其中该本体的外壁形成该第二连接件的该至少一接触元件。

在该替代实施例的该第二方案中，该第二连接件特别是可具有杆形或球形本体，其中该本体的外壁形成该第二连接件的该至少一接触元件。该第一连接件具有至少两个弹性支承的接触元件，该等接触元件相对地布置或者环绕该第一连接件的基本元件布置。该等弹性支承的接触元件在闭合位置与曝露位置之间可动且适于在该曝露位置中接触该本体的外壁。该替代实施例的该第二方案具有等同于该第一方案的优点。

在该接触装置的该替代实施例的该二方案中，该触发器较佳如此布置，使其在连接该第一与该第二连接件时可被该第二连接件的一部分自该张紧位置触发出来。在触发完毕后，将弹性支承的接触元件压在该第二连接件的相对的表面上并建立可靠接触。如此便能在该替代实施例的该二方案中，在某个时间点上建立接触。还能在连接过程中减小跳火的危险。分离第一与第二连接件时，该第一连接件的该至少一弹性支承的接触元件较佳沿该第二连接件的该至少一接触元件滑动。分离过程结束时，将该弹性支承的接触元件移回张紧(压缩或伸展)位置。亦即，在该替代实施例中，该等接触元件在其整个长度上沿着彼此滑过，而不会造成脏物或沉积物的积聚。

较佳地，将上述接触装置应用于一种用于处理半导体晶片的装置，该装置具有适于容置至少一半导体晶片的晶片保持件，以及适于容置至少一晶片保持件的处理室。该接触装置的该第一及第二连接件中的一个设置在该晶片保持件上，该第一及第二连接件中的另一个设置在该处理室中。在该晶片保持件容置在该处理室中的情况下，该第一与该第二连接件相接触。

下面结合附图所示实施例对本发明及其更多细节及优点进行说明。

图1a及图1b是本文所描述的接触装置的一实施例；

图2a及图2b是本文所描述的接触装置的另一实施例；及

图3a至图3d是本文所描述的接触装置的替代实施例的第一方案的不同工作位置，

图4a至图4d是本文所描述的接触装置的替代实施例的第二方案的不同工作位置。

本说明书中的上、下、右及左等术语以及类似说明皆以附图的定向或布置方案为准，并且仅用于对该等实施例进行描述。此等术语可指出较佳布置方案，但不对本发明构成任何限制。此外，“大体上”、“大致”、“约”等术语及类似术语表明：允许与所列出的值存在+/-10％，较佳+/-5％的偏差。

图1a为用于连接晶片舟和电力供应的接触装置1的一实施例的透视图。图1b为该接触装置的俯视图，即沿图1a中的箭头A的视图。图中未示出晶片舟及电力供应，以便更清楚地看清接触装置1的细节。

接触装置1具有包含第一基本元件5及至少两个接触元件7a、7b的第一连接件3，其中该等接触元件7a、7b中的至少一个与基本元件5弹性连接。在图1a及图1b所示实施例中，该弹性连接构建为第一基本元件5与接触元件7a、7b之间的可弯曲区域。需要注意的是，两个接触元件7a、7b可皆与第一基本元件5弹性连接，亦可仅有一个接触元件7a、7b与其弹性连接。接触元件7a、7b呈板簧状或者形状为扁平的长形面元件，其沿一侧与该基本元件连接。接触元件7a、7b由金属或另一导电材料构成且被缝隙隔开。

接触元件1还具有包含两个接触元件11a、11b的第二连接件9，该接触元件在(图1a及图1b所示的)连接状态下与该第一连接件的接触元件7a、7b发生接触。接触元件11a、11b通过第二基本元件13而连接且同样被接触缝隙15隔开，该接触缝隙略小于该二接触元件7a、7b在松弛状态下的厚度。接触缝隙15向前朝接触元件11a、11b的末端曝露且侧向(朝图1a及图1b中的上方及下方)同样曝露。

第一连接件3的接触元件7a、7b可自一侧(沿箭头A)送入第二连接件9的接触缝隙15。在工作过程中，将第一连接件3与第二连接件9合拢在一起以建立电连接。在合拢过程中对第一连接件3的弹性接触元件7a、7b进行挤压。在合拢状态下，接触元件7a、7b与11a、11b通过接触线抵靠在一起。为解除电接触，反向于箭头A地将接触元件7a、7b与11a、11b推离开来。亦可垂直于箭头A地将该等接触元件合拢或推离开来。在第一与第二连接件3与9合拢及分离时，接触元件7a、7b与11a、11b彼此滑过。

需要注意的是，第一连接件3的接触元件7a、7b亦可在垂直方向上(沿箭头A)分为若干弹性区段，其中在该等弹性区段之间各设有另一缝隙(未示出)。该等弹性区段朝该另一缝隙呈倒圆状，以免第二连接件9发生磨损。

图2a为用于连接晶片舟和电力供应的接触装置20的另一实施例。图2b为接触装置20的俯视图，即沿图2a中的箭头A的视图。图2a及图2b中未示出晶片舟及电力供应，以便更清楚地看清接触装置20的细节。

图2a及图2b所示接触装置20与图1a及图1b的实施例大体相同，但结构相反。接触装置20具有包含第一基本元件24及至少两个接触元件26a、26b的连接件22，其中该等接触元件26a、26b中的至少一个与基本元件24弹性连接。在图2a及图2b的实施例中，该弹性连接构建为基本元件24与接触元件26a、26b之间的可弯曲区域，或者构建为接触元件26a、26b的弹性部分。接触元件26a、26b呈板簧状或者形状为扁平的长形面元件，其沿一侧与基本元件24连接。接触元件26a、26b由金属或另一导电材料构成且被接触缝隙15隔开。接触缝隙15向前朝接触元件26a、26b的末端曝露且侧向(朝图2a及图2b中的上方及下方)同样曝露。接触元件20还具有包含接触元件30的连接件28，该接触元件在(图2a及图2b所示的)连接状态下与该连接件22的接触元件26a、26b发生接触。接触缝隙15略小于接触元件30的厚度。

连接件28的接触元件30可自一侧(沿箭头A)送入连接件22的接触缝隙15。在工作过程中，将连接件22与28合拢在一起以建立电连接。在合拢过程中将连接件22的弹性接触元件26a、26b挤压开来。在合拢状态下，接触元件26a、26b与30通过接触线抵靠在一起。为解除电接触，反向于箭头A地或者垂直于箭头A地将接触元件26a、26b与30推到一起或拉开来。在连接件22与28合拢及分离时，接触元件26a、26b与30彼此滑过。

需要注意的是，连接件22的接触元件26a、26b亦可在垂直方向上(沿箭头A)分为若干弹性区段，其中在该等弹性区段之间各设有另一缝隙(未示出)。该等弹性区段朝该另一缝隙呈倒圆状，以免连接件28发生磨损。

在图1a至图2b的实施例中，接触缝隙15的长度至少双倍于第一连接件3、28的接触元件7a、7b、30在自侧面(箭头A)、自上方/下方或者自前/后的送入方向上的尺寸。如此，接触元件7a、7b与11a、11b(或者26a、26b与30)便能在其整个长度上沿着彼此滑过，而不会造成脏物或沉积物的积聚。

在未示出实施例中，亦可垂直于箭头A地将连接件3、28与9、22合拢。此点适用于图1a至图2b。该实施例同样能去除接触区域内的沉积物，且即使在电压频率较高时亦能确保无干扰的电接触。

图3a至图3d示出用于连接晶片舟和电力供应的接触装置40的替代实施例的第一方案。图3a至图3d中的箭头A示出连接接触装置40时的方向。图3a至图3d中未示出完整的晶片舟及电力供应，以便更清楚地看清接触装置40的细节。

接触装置40具有包含第一基本元件44及两个接触元件46a、46b的第一连接件42，该等接触元件与基本元件44弹性连接。在第一连接件42的基本元件44上设有未详细示出的保持装置。该保持装置例如可具有锁止钩或可移动的环体，其用来将接触元件46a、46b保持在张紧位置中(图3a及图3b)。该保持装置亦具触发器47，其适于将弹性支承的接触元件46a、46b自张紧位置释放出来。

接触装置40亦具包含接触元件50的第二连接件48，该接触元件在图3a至

图3d的示例中由一圆形凹处的内壁构成。接触元件50在连接状态下(参阅图3c)通过接触面52与第一连接件42的接触元件46a、46b发生接触。

触发器47如此地布置，使其在连接第一与第二连接件42、48时通过与第二连接件48的接触元件50发生接触来进行触发。在触发完毕后，将弹性支承的接触元件46a、46b压在第二连接件48的相对的接触元件50上并建立可靠接触。分离第一与第二连接件42与48时，如图3d所示，第一连接件42的弹性支承的接触元件46a、46b沿第二连接件48的接触元件52滑动。在此情形下，接触元件46a、46b及50亦如此地构建，使其在接触面52的区域内直至该凹处的边缘54沿第二连接件48的接触元件50滑动。分离过程结束时，将弹性支承的接触元件46a、46b移回张紧位置(参阅图3d及图3a)。

在图3a至图3d所示实施例中，第二连接件48具有横截面呈圆形的凹处。该凹处例如可呈球形或桶形。替代地，该凹处亦可呈槽形，其中在此情形下亦会在接触元件46a、46b与50间形成线接触。在此情况下，该凹处的内壁形成第二连接件48的至少一接触元件50。

图4a至图4d示出用于连接晶片舟和电力供应的接触装置60的替代实施例的第二方案。图4a至图4d中的箭头A示出连接接触装置60时的方向。图4a至图4d中未示出完整的晶片舟及电力供应，以便更清楚地看清接触装置60的细节。

接触装置60具有包含第一基本元件64及两个接触元件66a、66b的第一连接件62，该等接触元件与基本元件64弹性连接。在第一连接件62的基本元件64上设有未详细示出的保持装置。该保持装置例如可具有锁止钩或可移动的环体，其用来将接触元件66a、66b保持在张紧位置中(图4a及图4b)。该保持装置亦具触发器67，其适于将弹性支承的接触元件66a、66b自张紧位置释放出来。

接触装置60亦具包含接触元件70的第二连接件68，该接触元件在图4a至图4d的示例中由一杆形或圆形本体的外壁构成。接触元件70在连接状态下(参阅图4c)通过接触面72与第一连接件62的接触元件66a、66b发生接触。

触发器67如此地布置，使其在连接第一与第二连接件62、68时通过与第二连接件68的接触元件70发生接触来进行触发。在触发完毕后，将弹性支承的接触元件66a、66b压在第二连接件68的相对的接触元件70上并建立可靠接触。分离第一与第二连接件62与68时，如图4d所示，第一连接件62的弹性支承的接触元件66a、66b沿第二连接件68的接触元件70的接触面72滑动。在此情形下，接触元件66a、66b及70亦如此地构建，使其在接触面72的区域内滑动。分离过程结束时，将弹性支承的接触元件66a、66b移回压缩位置(参阅图4d及图4a)。

在图4a至图4d所示实施例中，第二连接件68具有横截面呈杆形或球形的本体。该本体例如可为带球形末端的突出部。替代地，该本体亦可为带杆形末端的突出部，其中在此情形下亦会在接触元件66a、66b与70间形成线接触。在此情况下，该本体的外壁形成第二连接件68的至少一接触元件70。

接触装置1、20、40、60的每个上述实施例皆可应用于未详细示出的用于处理半导体晶片的装置。该用于处理半导体晶片的装置具有晶片保持件及处理室。该晶片保持件例如为适于容置多个半导体晶片的晶片舟。在该处理室中布置有一或多个用来支承一或多个晶片保持件的底盘。接触装置1、20、40、60的第一及第二连接件3及9(或者22及28或者42及48或者62及68)中的一个设置在该晶片保持件上，第一及第二连接件中的另一个设置在该处理室中(特别是设置在用于晶片保持件的底盘上)。在将晶片保持件送入处理室的情况下，第一与第二连接件发生接触。

所有上述接触装置1、20、40、60皆具以下优点：电力供应以大于30kHz的电流频率工作。该用于处理半导体晶片的装置例如可以在不同频率下，特别是在大于30kHz的频率下，尤其在13.56MHz下通过交流电或微波实施表面处理。在电接触较差的情况下，例如因集肤效应会在此类高频下出现局部衰减及很高的电流密度。因此，可靠的电连接在大于30kHz的高频下具有重大影响。在所有上述实施例中，连接件3及9(或者22及28或者42及48或者62及68)中的一个可由石墨构成，因为在此情形下实现了接触面的良好匹配以及可靠的电连接。例如可使用至少部分由石墨或另一导电材料构成的晶片舟。在此情形下有利地，该晶片舟上的连接件由石墨制成，其中该连接件例如构建为由石墨构成的晶片舟的部件的缝隙或凹处(参阅图3a至图3d的实施例)，或者构建为具有球形或杆形末端的突出式本体(参阅图4a至图4d的实施例)。

在图3a至图3d及图4a至图4d所示该二方案中，该等弹性支承的接触元件46a、46b或66a、66b的张紧状态可指压缩或伸展状态，具体视所用弹簧及弹簧布置方案而定。在张紧状态下储存弹性能量，该弹性能量用于将接触元件46a、46b与50或者66a、66b与70压向彼此。

本发明是通过较佳实施方案而加以描述，其中上述实施方案的各项特征在彼此相容的情况下可彼此自由组合和/或互换。上述实施方案的各项特征在并非必要的情况下亦可加以删除。对相关领域技术人员而言，大量变体及技术方案是可行且显而易见的，而不会脱离发明构思。

Claims (13)

1.一种用于连接晶片舟和电力供应的接触装置，包括：

第一连接件，包含第一基本元件及至少两个接触元件，其中所述多个接触元件中的至少一个与所述基本元件弹性连接；

第二连接件，包含至少一接触元件，所述接触元件在连接状态下通过接触面或接触线与所述第一连接件的所述多个接触元件中的一个发生接触；

其中所述第一连接件及所述第二连接件的所述多个接触元件如此地构建，使得在分离或连接所述第一连接件与所述第二连接件时，所述第一连接件的所述至少一弹性接触元件在所述接触面或所述接触线的区域内沿所述第二连接件的所述至少一接触元件滑动。

2.根据权利要求1所述的用于连接晶片舟和电力供应的接触装置，其中所述电力供应适于产生大于30kHz的电流频率；

且其中所述多个连接件中的一个较佳由石墨制成。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的用于连接晶片舟和电力供应的接触装置，其中所述第二连接件具有第二基本元件及两个相对的接触元件，所述多个接触元件自所述第二基本元件出发并且形成向前朝其末端曝露且朝至少一侧曝露的接触缝隙；

其中所述第一连接件的所述两个接触元件中的至少一个

-呈板簧状或者

-为扁平的长形面元件，其沿一侧与所述基本元件连接；

且其中所述第一连接件的所述等接触元件可自一侧被送入所述第二连接件的所述接触缝隙。

4.根据权利要求1或权利要求2所述的用于连接晶片舟和电力供应的接触装置，其中所述第二连接件具有第二基本元件及两个相对的接触元件，所述多个接触元件自所述第二基本元件出发并且形成向前朝其末端曝露且朝至少一侧曝露的接触缝隙；

其中所述第二连接件的所述两个相对的接触元件中的至少一个

-呈板簧状或者

-为扁平的长形面元件，其沿一侧与所述基本元件连接

且其中所述第一连接件的所述等接触元件可自一侧被送入所述第二连接件的所述接触缝隙。

5.根据权利要求3或权利要求4所述的用于连接晶片舟和电力供应的接触装置，其中所述接触缝隙的长度至少双倍于所述第一连接件的所述多个接触元件在自一侧的送入方向上的尺寸。

6.根据权利要求1或权利要求2所述的用于连接晶片舟和电力供应的接触装置，其中所述第一连接件的所述多个接触元件中的至少一个弹性支承在所述基本元件上，

其中在所述第一连接件的所述基本元件上设有保持装置，所述保持装置适于将至少一弹性支承的所述接触元件保持在张紧位置中；

且其中所述保持装置具有触发器，其适于将至少一弹性支承的所述接触元件自所述张紧位置释放出来。

7.根据权利要求6所述的用于连接晶片舟和电力供应的接触装置，其中所述第二连接件具有槽形的凹处或圆形的凹处，其中所述凹处的内壁形成所述第二连接件的所述至少一接触元件。

8.根据权利要求6至权利要求7中任一项所述的用于连接晶片舟和电力供应的接触装置，其中所述第二连接件具有圆形的凹处，其中所述凹处的内壁形成所述第二连接件的所述至少一接触元件；

其中所述第一连接件具有至少两个弹性支承的接触元件，所述多个接触元件相对地布置或者环绕所述第一连接件的基本元件布置并且在闭合位置与曝露位置之间可动；

且其中弹性支承的所述多个接触元件适于在所述曝露位置中接触所述凹处的所述内壁。

9.根据权利要求6所述的用于连接晶片舟和电力供应的接触装置，其中所述第二连接件具有杆形的本体或球形的本体，其中所述本体的外壁形成所述第二连接件的所述至少一接触元件。

10.根据权利要求6或权利要求9中任一项所述的用于连接晶片舟和电力供应的接触装置，其中所述第二连接件具有杆形的本体或球形的本体，其中所述本体的外壁形成所述第二连接件的所述至少一接触元件；

其中所述第一连接件具有至少两个弹性支承的接触元件，所述多个接触元件相对地布置或者环绕所述第一连接件的基本元件布置并且在闭合位置与曝露位置之间可动；

且其中弹性支承的所述多个接触元件适于在所述曝露位置中接触所述本体的所述外壁。

11.根据权利要求6至权利要求10中任一项所述的用于连接晶片舟和电力供应的接触装置，其中所述触发器如此布置，使其在连接所述第一连接件与所述第二连接件时可被所述第二连接件的一部分触发。

12.根据权利要求6至权利要求11中任一项所述的用于连接晶片舟和电力供应的接触装置，其中在分离所述第一连接件与所述第二连接件时，所述第一连接件的所述至少一弹性支承的所述接触元件沿所述第二连接件的所述至少一接触元件滑动并移回所述张紧位置。

13.一种用于处理半导体晶片的装置，包括：

晶片保持件，适于容置至少一半导体晶片；

处理室，适于容置至少一晶片保持件；

如权利要求任一项所述的用于连接晶片舟和电力供应的接触装置，其中所述第一连接件及所述第二连接件中的一个设置在所述晶片保持件上，且其中所述第一连接件及所述第二连接件中的另一个设置在所述处理室中；

其中在所述晶片保持件容置在所述处理室中的情况下，所述第一连接件与所述第二连接件相接触。