CN110621061A - 电流复用的射频前端结构 - Google Patents

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    • Y02D30/70—Reducing energy consumption in communication networks in wireless communication networks

Abstract

本申请公开了一种电流复用的射频前端结构，属于电子电路技术领域。该电流复用的射频前端结构包括混频器、低噪声放大器和静态偏置电流控制电路；低噪声放大器的信号输出端与混频器的信号输入端连接；低噪声放大器和混频器通过三端电感实现静态偏置电流共享；电源电压与三端电感的第三端之间连接有静态偏置电流控制电路，静态偏置电流控制电路用于增大流向低噪声放大器的电流；静态偏置电流控制电路包括PMOS管，PMOS管的源极和栅极连接，PMOS管的源极接电源电压，PMOS管的漏极与三端电感的第三端连接；解决了现有的射频前端结构功耗大的问题；达到了降低射频前端结构的功耗，实现无线传感器网络的低功耗应用的效果。

Description

电流复用的射频前端结构
技术领域
本申请涉及电子电路技术领域，具体涉及一种电流复用的射频前端结构。
背景技术
随着物联网技术的发展，无线传感器网络技术的应用也越来越广泛。在某些应用场景，对无线传感网系统的使用寿命有着较高的要求，比如10年。为了满足较高的系统寿命要求，无线传感网系统中的终端设备也相应地需要较高的电池寿命。射频前端结构作为无线传感网络中的核心功耗消耗单元，其功耗的大小直接影响无线传感网系统的整体功耗。
射频前端结构一般包括低噪声放大器和混频器，如图1所示，传统的射频前端结构中低噪声放大器LNA与混频器级联，低噪声放大器和混频器分别采用独立的静态偏置电流；图2示出了一种传统的射频前端结构的电路原理图。从图1和图2可以看出，由于低噪声放大器和混频器采用独立的静态偏置电流，导致射频前端结构的直流功耗较大，不适合无线传感网系统的低功耗应用。
发明内容
本申请提供了一种电流复用的射频前端结构，可以解决相关技术中提供的射频前端结构功耗较大的问题。
一方面，本申请实施例提供了一种电流复用的射频前端结构，至少包括混频器、低噪声放大器和静态偏置电流控制电路；
低噪声放大器的信号输出端通过交流耦合电容与混频器的信号输入端连接，混频器连接电源电压，低噪声放大器接地；
低噪声放大器和混频器通过三端电感实现静态偏置电流共享，三端电感的第一端与混频器连接，三端电感的第二端与低噪声放大器连接，三端电感的第三端通过去耦电容接地；
电源电压与三端电感的第三端之间连接有静态偏置电流控制电路，静态偏置电流控制电路用于增大流向低噪声放大器的电流；
其中，静态偏置电流控制电路包括PMOS管，PMOS管的源极和栅极连接，PMOS管的源极接电源电压，PMOS管的漏极与三端电感的第三端连接。
可选的，低噪声放大器包括第一NMOS管、反馈电感、第一电感和第一电容；第一NMOS管的栅极通过第一电容连接射频信号输入端，第一NMOS管的源极通过反馈电感接地，第一NMOS管的漏极连接三端电感的第二端，第一电容和第一NMOS管的公共端连接第一电感，第一电感接偏置电压；
混频器为包括第一PMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第一电阻、第二电阻、第三电阻；第一PMOS管的栅极通过第一电阻连接电源电压，第一PMOS管的漏极连接三端电感的第一端，第一PMOS管的源极连接电源电压；第二NMOS管的源极与第三NMOS管的源极连接，第二NMOS管的漏极通过第二电阻连接电源电压，第三NMOS管的漏极通过第三电阻连接电源电压；第二NMOS管与第三NMOS管的公共端与第一PMOS管的漏极连接；
静态偏置电流控制电路包括第二PMOS管，第二PMOS管的源极和栅极连接，第二PMOS管的源极接电源电压，第二PMOS管的漏极与三端电感的第三端连接。
可选的，低噪声放大器中的第一NMOS管的漏极通过交流耦合电容与混频器中的第一PMOS管的栅极连接。
可选的，第二NMOS管的栅极接收第一本振信号，第三NMOS管的栅极接收第二本振信号，第一本振信号和第二本振信号的相位相差180度；
第二NMOS管的漏极和第三NMOS管的漏极为混频器的中频信号输出端。
可选的，低噪声放大器为差分结构，混频器为双平衡结构；
低噪声放大器包括第一NMOS管、第二NMOS管、反馈电感、第一电容、第二电容、第一电感；第一NMOS管的栅极通过第一电容连接射频信号输入端，第一NMOS管的源极连接反馈电感的第一端，第二NMOS管的栅极通过第二电容连接射频信号输入端，第二NMOS管的源极连接反馈电感的第二端，反馈电感的第三端接地，的第一NMOS管与第一电容的公共端连接第一电感的第一端，第二NMOS管与第二电容的公共端连接第一电感的第二端，第一电感的第三端接偏置电压；
混频器包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻；第一PMOS管的栅极通过第一电阻连接电源电压，第一PMOS管的源极连接电源电压，；第二PMOS管的栅极通过第二电阻连接电源电压；第二PMOS管的源极连接电源电压；第三NMOS管的源极与第四NMOS管的源极连接，第三NMOS管与第四NMOS管的公共端与第一PMOS管的漏极连接，第五NMOS管的源极与第六NMOS管的源极连接，第五NMOS管与第六NMOS管的公共端与第二PMOS管的漏极连接；第三NMOS管的漏极通过第三电阻连接电源电压，第六NMOS管的漏极通过第四电阻连接电源电压；
混频器中的第一PMOS管的漏极与第一三端电感的第一端连接，低噪声放大器中的第一NMOS管的漏极与第一三端电感的第二端连接；混频器中的第二PMOS管的漏极与第二三端电感的第一端连接，低噪声放大器中的第二NMOS管的漏极与第二三端电感的第二端连接；第一三端电感的第三端与第二三端电感的第三端连接，第一三端电感与第二三端电感的公共端通过去耦电容接地；
静态偏置电流控制电路包括第三PMOS管，第三PMOS管的源极和栅极连接，第三PMOS管的源极接电源电压，第一三端电感与第二三端电感的公共端与第三PMOS管的漏极连接。
可选的，低噪声放大器中的第一NMOS管的漏极通过第一交流耦合电容与混频器中的第一PMOS管的栅极连接；
低噪声放大器中的第二NMOS管的漏极通过第二交流耦合电容与混频器中的第二PMOS管的栅极连接。
可选的，第三NMOS管的栅极和第六NMOS管的栅极接收第一本振信号，第四NMOS管的栅极和第五NMOS管的栅极接收第二振信号，第一本振信号和第二本振信号的相位相差180度；
第四NMOS管的漏极和第五NMOS管的漏极为混频器的中频信号输出端。
可选的，射频输入信号为差分信号。
本申请技术方案，至少包括如下优点：
在本申请实施例提供的电流复用的射频前端结构中，混频器和低噪声放大器通过三端电感实现静态偏置电流共享，三端电感的第一端连接混频器，三端电感的第二端连接低噪声放大器，三端电感的第三端通过去耦电容接地，为了保证低噪声放大器支路和混频器支路的电流不变，并确保低噪声放大器和混频器的射频性能，在该射频前端结构中增加静态偏置电流控制电路；解决了现有的射频前端结构功耗大的问题，达到了在保证射频前端结构的性能的情况下，实现无线传感器网络的低功耗应用的效果。
附图说明
为了更清楚地说明本申请具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是现有技术中传统射频前端的原理图；
图2是现有技术中一种传统的射频前端结构的电路原理图；
图3是本申请实施例提供的一种电流复用的射频前端的局部原理框图；
图4是本申请实施例提供的一种电流复用的射频前端的原理框图；
图5是本申请实施例提供的一种电流复用的射频前端结构的电路原理图；
图6是本申请实施例提供的一种电流复用的射频前端结构中混频器与低噪声放大器连接的示意图；
图7是本申请实施例提供的另一种电流复用的射频前端结构的电路原理图；
图8是本申请实施例提供的另一种电流复用的射频前端中混频器与低噪声放大器连接的示意图。
具体实施方式
下面将结合附图，对本申请中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在不做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电气连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，还可以是两个元件内部的连通，可以是无线连接，也可以是有线连接。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
此外，下面所描述的本申请不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
本申请实施例提供的电流复用的射频前端结构至少包括混频器、低噪声放大器LNA和静态偏置电流控制电路。
如图3所示，低噪声放大器的信号输出端通过交流耦合电容C0与混频器的输入端连接，混频器连接电源电压Vdd，低噪声放大器LNA接地。低噪声放大器LNA和混频器通过三端电感Ld实现静态偏置电流共享，三端电感Ld的第一端与混频器连接，三端电感Ld的第二端与低噪声放大器LNA连接，三端电感Ld的第三端通过去耦电容Cgnd接地。低噪声放大器接收射频信号RFin，混频器接收本振信号LO+和LO-，混频器输出中频信号IF。本振信号LO+和LO-的相位相差180度。
由于低噪声放大器的静态偏置电流和混频器的静态偏置电流大小不一致，一般低噪声放大器的静态偏置电流ILNA大于混频器的静态偏置电流Imixer，为了维持低噪声放大器和混频器的支路电流不变，保证低噪声放大器和混频器的射频性能，在该电流复用的射频前端结构中增加静态偏置电流控制电路，静态偏置电流控制电路位于电源电压Vdd与三端电感Ld第三端之间，即电源电压Vdd与三端电感Ld第三端之间连接有静态偏置电流控制电路；静态偏置电流控制电路用于增大流向低噪声放大器的电流，如图4所示。
如图4所示，静态偏置电流控制电路包括PMOS管MPcon，PMOS管MPCon的源极与栅极连接，PMOS管MPcon的源极连接电源电压Vdd，PMOS管MPcon的漏极与三端电感Ld的第三端连接。PMOS管MPcon提供电流Icon，令ILNA＝Icon+Imixer，从而不需要改变混频器的静态偏置电流，且电流复用后混频器的静态偏置电流与低噪声放大器的静态偏置电流均满足工作需求，保证了混频器和低噪声放大器的射频性能。
在一种实施方式中，低噪声放大器采用单端单管共源极负反馈设计，混频器采用PMOS跨导管射频输入折叠开关管单平衡设计。图5示例性地示出了一种电流复用的射频前端结构的电路原理图。
如图5所示，低噪声放大器包括第一NMOS管MN1、反馈电感Ls、第一电感Lg和第一电容Cg1。第一NMOS管MN1的栅极通过第一电容Cg1连接射频信号输入端RFin，第一NMOS管的源极通过反馈电感Ls接地，第一NMOS管MN1的漏极连接三端电感Ld的第二端，第一电容Cg1和第一NMOS管的公共端连接第一电感Lg，第一电感Lg接偏置电压Vg。
混频器包括第一PMOS管MP1、第二NMOS管MN2、第三NMOS管MN3、第一电阻Rb、第二电阻RL1、第三电阻RL2。第一PMOS管MP1的栅极通过第一电阻Rb连接电源电压Vdd，第一PMOS管MP1的漏极连接三端电感Ld的第一端，第一PMOS管MP1的源极连接电源电压Vdd；第二NMOS管MN2的源极与第三NMOS管MN3的源极连接，第二NMOS管MN2的漏极通过第二电阻RL1连接电源电压Vdd，第三NMOS管MN3的漏极通过第三电阻RL2连接电源电压Vdd；第二NMOS管MN2与第三NMOS管MN3的公共端与第一PMOS管MP1的漏极连接。第二电阻RL1和第三电阻RL2作为混频器的负载；第二NMOS管MN2、第三NMOS管MN3为混频器的开关管。第二NMOS管MN2的栅极接收第一本振信号LO+，第三NMOS管MN3的栅极接收第二本振信号LO-，第一本振信号LO+和第二本振信号LO-的相位相差180度；第二NMOS管MN2的漏极和第三NMOS管MN3的漏极作为混频器的中频信号输出端IF。
低噪声放大器中第一NMOS管MN1的漏极为低噪声放大器的信号输出端，混频器中的第一PMOS管MP1的栅极为混频器的信号输入端；第一NMOS管MN1的漏极通过交流耦合电容C0与混频器中的第一PMOS管MP1的栅极连接。
静态偏置电流控制电路包括第二PMOS管MPcon，第二PMOS管MPcon的源极和栅极连接，第二PMOS管MPcon的源极接Vdd电源电压，第二PMOS管MPcon的漏极与三端电感Ld的第三端连接。
在该电流复用的射频前端结构中，低噪声放大器与混频器电流复用层叠共享静态偏置电流，可以实现射频前端的低功耗应用；通过增加静态偏置电流控制电路，在混频器和低噪声放大器的静态偏置电流不一致时，保证了混频器和低噪声放大器的射频性能；通过三端电感Ld实现低噪声放大器的输出电感、射频隔离电感和电流复用共享直流电流电感的复用，节省了射频前端结构中的电感面积，降低了射频前端结构的成本。
图6示出了图5所示的电流复用的射频前端结构中混频器与低噪声放大器的连接示意图。
在另一种实施方式中，低噪声放大器采用差分设计，混频器采双平衡设计；在该电流复用的射频前端结构中射频输入信号为差分信号。图7示例性地示出了一种电流复用的射频前端结构的电路原理图。
如图7所示，低噪声放大器包括第一NMOS管MN11、第二NMOS管MN12、反馈电感Ls、第一电容Cg11、第二电容Cg12、第一电感Lg。第一NMOS管MN11的栅极通过第一电容Cg11连接射频信号输入端RFin+，第一NMOS管MN11的源极连接反馈电感Ls的第一端，第一NMOS管MN11与第一电容Cg11的公共端连接第一电感Lg的第一端。第二NMOS管MN12的栅极通过第二电容Cg12接射频信号输入端RFin-，第二NMOS管MN12的源极连接反馈电感Ls的第二端，反馈电感Ls的第三端接地，第二NMOS管MN12与第二电容Cg12的公共端连接第一电感Lg的第二端，第一电感Lg的第三端接偏置电压Vg。
混频器包括第一PMOS管MP11、第二PMOS管MP12、第三NMOS管MN21、第四NMOS管MN31、第五NMOS管MN32、第六NMOS管MN22、第一电阻Rb1、第二电阻Rb2、第三电阻RL1、第四电阻RL2。第一PMOS管MP11的栅极通过第一电阻Rb1连接电源电压Vdd，第一PMOS管MP11的源极连接电源电压Vdd；第二PMOS管MP12的栅极通过第二电阻Rb2连接电源电压Vdd，第一PMOS管MP12的源极连接电源电压Vdd。第三NMOS管MN21的源极与第四NMOS管MN31的源极连接，第三NMOS管MN21与第四NMOS管MN31的公共端与第一PMOS管MP11的漏极连接；第五NMOS管的源极MN32与第六NMOS管MN22的源极连接，第五NMOS管MN32与第六NMOS管MN22的公共端与第二PMOS管MP12的漏极连接；第三NMOS管MN21的漏极通过第三电阻RL1连接电源电压Vdd，第六NMOS管MN22的漏极通过第四电阻RL2连接电源电压Vdd。
第三NMOS管MN21的栅极和第六NMOS管MN22的栅极接收第一本振信号LO+，第四NMOS管MN31的栅极和第五NMOS管MN32的栅极接收第二振信号LO-，第一本振信号LO+和第二本振信号LO-的相位相差180度。第四NMOS管MN31的漏极为混频器的中频信号输出端IF-、第五NMOS管MN32的漏极为混频器的中频信号输出端IF+。
第三电阻RL1和第四电阻RL2作为混频器的负载；第三NMOS管MN21、第四NMOS管MN31、第五NMOS管MN32和第六NMOS管MN22为混频器的开关管。
低噪声放大器中第一NMOS管MN11的漏极和第二NMOS管MN12的漏极为低噪声放大器的信号输出端，混频器中的第一PMOS管MP11的栅极和第二PMOS管MP12的栅极为混频器的信号输入端；低噪声放大器中的第一NMOS管MN11的漏极通过第一交流耦合电容Co11与混频器中的第一PMOS管MP11的栅极连接；低噪声放大器中的第二NMOS管MN12的漏极通过第二交流耦合电容Co12与混频器中的第二PMOS管MP12的栅极连接。低噪声放大器和所述混频器通过第一三端电感Ld1和第二三端电感Ld2实现静态偏置电流共享。其中，混频器中第一PMOS管MP11的漏极连接第一三端电感Ld1的第一端，低噪声放大器中第一NMOS管MN11的漏极连接第一三端电感Ld1的第二端；混频器中第二PMOS管MP12的漏极连接第二三端电感Ld2的第一端，低噪声放大器中第二NMOS管MN12的漏极连接第二三端电感Ld2的第二端；第一三端电感Ld1的第三端与第二三端电感Ld2的第三端连接，第一三端电感Ld1和第二三端电感Ld2的公共端通过去耦电容Cgnd接地。
通过静态偏置电流控制电路解决混频器的静态偏置电流与低噪声放大器的静态偏置电流不一致的问题，静态偏置电流控制电路提供电流Icon；静态偏置电流控制电路位于电源电压与三端电感之间。静态偏置电流控制电路包括第三PMOS管MPcon，第三PMOS管MPcon的源极和栅极连接，第三PMOS管MPcon的源极接电源电压Vdd，第一三端电感Ld1与第二三端电感Ld2的公共端与第三PMOS管MPcon的漏极连接。
图8示出了图7所示的电流复用的射频前端结构中混频器与低噪声放大器的连接示意图。
在该实施例中，由于低噪声放大器采用差分设计，混频器采用双平衡设计，低噪声放大器和混频器通过三端电感实现电流复用，故可以实现差分双平衡电流复用的射频前端结构，通过电流复用降低了射频前端结构的功耗，差分双平衡结构改善了射频前端结构的共模抑制、隔离度、线性度等性能。
显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本申请创造的保护范围之中。

Claims (8)

1.一种电流复用的射频前端结构，其特征在于，至少包括混频器、低噪声放大器和静态偏置电流控制电路；
所述低噪声放大器的信号输出端通过交流耦合电容与所述混频器的信号输入端连接，所述混频器连接电源电压，所述低噪声放大器接地；
所述低噪声放大器和所述混频器通过三端电感实现静态偏置电流共享，所述三端电感的第一端与所述混频器连接，所述三端电感的第二端与所述低噪声放大器连接，所述三端电感的第三端通过去耦电容接地；
所述电源电压与所述三端电感的第三端之间连接有所述静态偏置电流控制电路，所述静态偏置电流控制电路用于增大流向所述低噪声放大器的电流；
其中，所述静态偏置电流控制电路包括PMOS管，所述PMOS管的源极和栅极连接，所述PMOS管的源极接所述电源电压，所述PMOS管的漏极与所述三端电感的第三端连接。
2.根据权利要求1所述的电流复用射频前端结构，其特征在于，所述低噪声放大器包括第一NMOS管、反馈电感、第一电感和第一电容；所述第一NMOS管的栅极通过所述第一电容连接射频信号输入端，所述第一NMOS管的源极通过所述反馈电感接地，所述第一NMOS管的漏极连接所述三端电感的第二端，所述第一电容和所述第一NMOS管的公共端连接所述第一电感，所述第一电感接偏置电压；
所述混频器为包括第一PMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第一电阻、第二电阻、第三电阻；所述第一PMOS管的栅极通过所述第一电阻连接所述电源电压，所述第一PMOS管的漏极连接所述三端电感的第一端，所述第一PMOS管的源极连接所述电源电压；所述第二NMOS管的源极与所述第三NMOS管的源极连接，所述第二NMOS管的漏极通过所述第二电阻连接所述电源电压，所述第三NMOS管的漏极通过所述第三电阻连接所述电源电压；所述第二NMOS管与所述第三NMOS管的公共端与所述第一PMOS管的漏极连接；
所述静态偏置电流控制电路包括第二PMOS管，所述第二PMOS管的源极和栅极连接，所述第二PMOS管的源极接所述电源电压，所述第二PMOS管的漏极与所述三端电感的第三端连接。
3.根据权利要求1所述的电流复用的射频前端结构，其特征在于，所述低噪声放大器中的所述第一NMOS管的漏极通过所述交流耦合电容与所述混频器中的第一PMOS管的栅极连接。
4.根据权利要求2或3所述的电流复用的射频前端结构，其特征在于，所述第二NMOS管的栅极接收第一本振信号，所述第三NMOS管的栅极接收第二本振信号，所述第一本振信号和所述第二本振信号的相位相差180度；
所述第二NMOS管的漏极和所述第三NMOS管的漏极为所述混频器的中频信号输出端。
5.根据权利要求1所述的电流复用的射频前端结构，其特征在于，所述低噪声放大器为差分结构，所述混频器为双平衡结构；
所述低噪声放大器包括第一NMOS管、第二NMOS管、反馈电感、第一电容、第二电容、第一电感；所述第一NMOS管的栅极通过所述第一电容连接射频信号输入端，所述第一NMOS管的源极连接所述反馈电感的第一端，所述第二NMOS管的栅极通过所述第二电容连接射频信号输入端，所述第二NMOS管的源极连接所述反馈电感的第二端，所述反馈电感的第三端接地，所述的第一NMOS管与所述第一电容的公共端连接所述第一电感的第一端，所述第二NMOS管与所述第二电容的公共端连接所述第一电感的第二端，所述第一电感的第三端接偏置电压；
所述混频器包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻；所述第一PMOS管的栅极通过所述第一电阻连接所述电源电压，所述第一PMOS管的源极连接所述电源电压，；第二PMOS管的栅极通过所述第二电阻连接所述电源电压；所述第二PMOS管的源极连接所述电源电压；所述第三NMOS管的源极与第四NMOS管的源极连接，所述第三NMOS管与所述第四NMOS管的公共端与所述第一PMOS管的漏极连接，所述第五NMOS管的源极与所述第六NMOS管的源极连接，第五NMOS管与所述第六NMOS管的公共端与所述第二PMOS管的漏极连接；所述第三NMOS管的漏极通过第三电阻连接所述电源电压，所述第六NMOS管的漏极通过第四电阻连接所述电源电压；
所述混频器中的所述第一PMOS管的漏极与第一三端电感的第一端连接，所述低噪声放大器中的第一NMOS管的漏极与所述第一三端电感的第二端连接；所述混频器中的第二PMOS管的漏极与第二三端电感的第一端连接，所述低噪声放大器中的第二NMOS管的漏极与所述第二三端电感的第二端连接；所述第一三端电感的第三端与所述第二三端电感的第三端连接，所述第一三端电感与所述第二三端电感的公共端通过所述去耦电容接地；
所述静态偏置电流控制电路包括第三PMOS管，所述第三PMOS管的源极和栅极连接，所述第三PMOS管的源极接所述电源电压，所述第一三端电感与所述第二三端电感的公共端与所述第三PMOS管的漏极连接。
6.根据权利要求5所述的电流复用的射频前端结构，其特征在于，所述低噪声放大器中的第一NMOS管的漏极通过第一交流耦合电容与所述混频器中的所述第一PMOS管的栅极连接；
所述低噪声放大器中的第二NMOS管的漏极通过第二交流耦合电容与所述混频器中的所述第二PMOS管的栅极连接。
7.根据权利要求5或6所述的电流复用的射频前端结构，其特征在于，所述第三NMOS管的栅极和所述第六NMOS管的栅极接收第一本振信号，所述第四NMOS管的栅极和所述第五NMOS管的栅极接收第二振信号，所述第一本振信号和所述第二本振信号的相位相差180度；
所述第四NMOS管的漏极和所述第五NMOS管的漏极为所述混频器的中频信号输出端。
8.根据权利要求5至7任一所述的射频前端结构，其特征在于，所述射频输入信号为差分信号。
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