CN110610658A - 拼接式电子装置 - Google Patents

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Abstract

一种拼接式电子装置，包括多个显示面板，其中该多个显示面板至少一者包括一挠性基板、一像素、以及二信号线。挠性基板具有一显示部以及连接于显示部的一弯折部。像素设置于显示部上。上述信号线设置于挠性基板上，且电性连接于像素。上述信号线分别设置于显示部上的一第一区段以及设置于弯折部上的一第二区段。上述第一区段之间具有一第一节距，上述第二区段之间具有一第二节距，且第一节距不同于第二节距。

Description

拼接式电子装置
技术领域
本发明主要关于一种拼接式电子装置，尤指一种窄边框的拼接式电子装置。
背景技术
近年来已普遍采用显示屏幕作为动态显示广告的方法。然而，受限于显示面板的尺寸，难以利用单独一个显示屏幕来显示大面积的广告。
为了解决上述的问题，于已知技术中利用将多个显示面板拼接为一个屏幕墙的方式来显示大面积的广告。然而由于已知显示面板的显示区域无法布满整个显示面板的面积，因此会于显示面板的边缘形成边框。当拼接显示面板时，屏幕墙所显示的影像会呈现网格状的线条，进而影响了整体影像的质量。
因此，虽然目前的显示面板符合了其使用的目的，但尚未满足许多其他方面的要求。因此，需要提供显示面板的改进方案。
发明内容
本发明提供了一种拼接式电子装置，包括多个显示面板，其中该多个显示面板的至少一者包括一挠性基板、一像素、以及二信号线。挠性基板具有一显示部以及连接于显示部的一弯折部。像素设置于显示部上。上述信号线设置于挠性基板上，且电性连接于像素。上述信号线分别设置于显示部上的一第一区段以及设置于弯折部上的一第二区段。上述第一区段之间具有一第一节距，上述第二区段之间具有一第二节距，且第一节距不同于于第二节距。
附图说明
为让本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，以下结合附图对本发明的具体实施方式作详细说明，其中：
图1为本发明的第一实施例的拼接式电子装置的示意图。
图2为本发明的第一实施例的显示面板的俯视图，其中挠性基板位于一展开状态。
图3为本发明的第一实施例的显示面板的侧视图，其中挠性基板位于一弯折状态。
图4为本发明的第二实施例的显示面板的俯视图。
图5为本发明的第二实施例的显示面板的侧视图。
图6为根据一些实施例中本发明的第二区段以及弯折部的侧视图。
图7A为本发明的第一信号线的第二区段的第一实施例的俯视图。
图7B为本发明的第一信号线的第二区段的第二实施例的俯视图。
图7C为本发明的第一信号线的第二区段的第三实施例的俯视图。
图7D为本发明的第一信号线的第二区段的第四实施例的俯视图。
图7E为本发明的第一信号线的第二区段的第五实施例的俯视图。
图7F为本发明的第一信号线的第二区段的第六实施例的俯视图。
图7G为本发明的第一信号线的第二区段的第七实施例的俯视图。
附图标记说明
拼接式电子装置 A1
显示面板 1
边框 F1
像素 10、10a、10b、10c
发光单元电极 11
共享电极 12
晶体管 13
挠性基板 20
显示部 21
弯折部 22
顶端 221
缺口 222
电路部 23
支撑基板 30
边缘表面 31
控制芯片 40(40a、40b、40c)
挠性扁平电缆 50
介电层 60
夹角 B1、B2、B3
延伸方向 D1
延伸方向 D2
弯折方向 D3
距离 d11、d12、d13、d14、d2、d3、d4、d5、d6
节距 E11、E12、E21、E22
弯折界线 I1、I2
第一绝缘层 L1
第一金属层 L2
第二金属层 L3
第三金属层 L4
第二绝缘层 L5
信号线 S1
第一区段 S11
倾斜区段 S12
第二区段 S13
穿孔(第一穿孔) S131
穿孔(第二穿孔) S132
侧边 S133
控制区段 S14
第二信号线 S2
第一区段 S21
第二区段 S23
控制区段 S24
信号线 S3
宽度 W1、W2、W3、W4、W5、W61、W62
直径 W63
具体实施方式
以下的说明提供了许多不同的实施例、或是例子，用来实施本发明的不同特征。以下特定例子所描述的组件和排列方式，仅用来精简的表达本发明，其仅作为例子，而并非用以限制本发明。例如，第一特征在一第二特征上或上方的结构的描述包括了第一和第二特征之间直接接触，或是以另一特征设置于第一和第二特征之间，以至于第一和第二特征并不是直接接触。
此外，本说明书于不同的例子中沿用了相同的组件标号及/或文字。前述的沿用仅为了简化以及明确，并不表示于不同的实施例以及设定之间必定有关联。
本说明书的第一以及第二等词汇，仅作为清楚解释的目的，并非用以对应于以及限制专利要保护的范围。此外，第一特征以及第二特征等词汇，并非限定是相同或是不同的特征。
于此使用的空间上相关的词汇，例如上方或下方等，仅用以简易描述附图上的一组件或一特征相对于另一组件或特征的关系。除了附图上描述的方位外，包括于不同的方位使用或是操作的装置。此外，附图中的形状、尺寸、厚度、以及倾斜的角度可能为了清楚说明的目的而未依照比例绘制或是被简化，仅提供说明之用。
在本发明中，“电性连接”若未特别定义，其包含直接连接、间接连接以及电性耦合的态样。
在本发明中，实质上相同意指两者的距离的绝对值差值小于10％以内的变异。
在本发明中，实质上相互平行意指两者的夹角的绝对值差值小于5度以内的变异。
本发明中关于“设置于…上”等类似描述是表示两组件的对应位置关系，其两组件之间可以直接接触或者两组件之间存在其他层而非直接接触。
图1为本发明的第一实施例的拼接式电子装置A1的示意图。拼接式电子装置A1可包括多个显示面板1。显示面板1可为一有机发光二极管(OLED)面板、一量子点发光体(Quantum Dot)面板、一次毫米发光二极管(Mini LED)面板或一微发光二极管(Micro LED)面板架构、或者利用上述多个相同类型不同类型面板架构组合而成的拼接式面板(Tileddisplay)，但不限于此。于本实施例中，显示面板1可为发光二极管面板。显示面板1可以数组的方式排列于一平面上。每一显示面板1可用以显示一影像。所有显示面板1所显示的影像可拼接为一欲显示的整体影像。
于本实施例中，拼接式电子装置A1具有4个显示面板1。然而，显示面板1的数目可为2个以上，且显示面板1的数目并不予以限制。于一些实施例中，显示面板1的数目可超过100个。显示面板1的尺寸在大于或等于5英吋且小于或等于100英吋的范围之间，但不限于此。
于本实施例中，显示面板1的尺寸及形状可相同。于一些实施例中，显示面板1的尺寸及/或形状可不相同。于本实施例中，显示面板1的形状可为矩形。于一些实施例中，显示面板1可为多边形或不规则的形状。上述多边形可为三边形、四边形、五边形、或六边形以上或者一任意形状(free shape)，但不限于此。
显示面板1包括多个像素(pixel)10。像素10可以数组的方式排列于一平面上。每一像素10可用以显示不同的颜色。所有像素10可呈现一影像。于本实施例中，像素10的形状可相同。于本实施例中，像素10的形状为正方形或是矩形，但并不予以限制。于一实施例中，每一像素10设置于一挠性基板20可包括至少一个发光单元电极11以及一共享电极(VSS)12，上述仅是举例并非限定。
为了简洁的目的，每一显示面板1绘制了24个像素10。然而，像素10的数目并不予以限制。于一些实施例中，像素10的数目约为1万个至5万个的范围之间。于一些实施例中，像素10的数目可超过一千个或是一万个。
为了能使得拼接式电子装置A1所显示的整体影像具有较佳的画质，于同一显示面板1内，沿一延伸方向D1排列的每一两相邻的像素10的像素中心所形成的距离d11实质上相同。于一实施例中，若像素10包含3个发光单元电极11与1个共享电极12，这些发光单元电极11的个别几何中心与共享电极12的几何中心的一连接线可形成一多边形区域或一不规则区域，而该上述连接线形成的区域的几何中心即定义为像素中心；该像素10也可只包含发光单元电极11或只包含共享电极12。又一实施例中，若像素10仅包含1个发光单元电极11与1个共享电极12，该发光单元电极11的几何中心与该共享电极12的几何中心的一联机将存在一中心点，该中心点即定义为像素中心；该像素10也可只包含发光单元电极11或只包含共享电极12。上述仅是举例并非限定，该像素10也可只包含单一个发光单元电极11或只包含单一个共享电极12，而该发光单元电极11本身的几何中心或共享电极12本身的几何中心即定义为像素中心。此外，于两相邻的显示面板1内，沿延伸方向D1排列的两相邻的像素10的像素中心所形成的距离d12实质上相同于距离d11。此外，于同一显示面板1内，沿一延伸方向D2排列的每一两相邻的像素10的像素中心所形成的距离d13实质上相同，于一实施例中，延伸方向D2会垂直于延伸方向D1。此外，于两相邻的显示面板1内，沿延伸方向D2排列的两相邻的像素10的中心的距离d14实质上相同于距离d13。于本实施例中，上述距离d11、d12实质上相同于距离d13、d14。于一些实施例中，上述距离d11、d12实质上不相同于距离d13、d14。
据此，于本发明的拼接式电子装置A1中，像素10可布满每一显示面板1。每一显示面板1可具有较窄的边框F1，且拼接式后的电子装置A1所显示的整体影像可呈现较窄的交界线条，进而增进了整体影像的质量。
于本实施例中，发光单元电极11可电性连接发光二极管(LED)的一电极(例如：可为阳极或阴极)，而一共享电极12则可电性连接LED的另一电极(例如：可为阴极或阳极)，且当分别施加驱动电压或定电压至发光单元电极11或共享电极12后，可使一经由封装制程后(图未示)的发光二极管(LED)发出一特定颜色的亮度，例如红光、绿光、白光或蓝光。并借由控制像素10内的不同发光单元电极11的电压或共享电极12的电压可使像素10呈现不同的颜色。于一实施例中，挠性基板20的材料可为聚酰亚胺(polyimide,PI)、聚乙烯对苯二甲酸酯(polyethylene terephthalate,PET)或其他适合作为挠性基板的材料，但上述仅是举例并非限定。
发光单元电极11以及共享电极12可以数组的方式排列于像素10内。于一些实施例中，像素10可不包括共享电极12而是将共享电极12统一设置于挠性基板20的对侧，形成垂直式LED结构(Vertical type)，且仅保留发光单元电极11以数组的方式排列于像素10内。
于本实施例中，每一像素10包括3个发光单元电极11与1个共享电极12。然而，发光单元电极11的数目并不予以限制。发光单元电极11的数目可为1个以上。于一些实施例中，发光单元电极11的数目可为4个、5个或6个。于另一些实施例中，该多个发光单元电极11可具有不同的尺寸大小或形状差异，可视用户对于显示面板的色彩平衡需求或因LED不同颜色发光材料的寿命差异而定，举例来说，假如蓝色发光材料的寿命小于红色或绿色发光材料的寿命，则蓝色发光单元电极的尺寸大小可大于红色或绿色发光单元电极的尺寸大小，但上述仅是举例并非限定。
在一实施例中，多个发光单元电极11与经由封装制程后(图未示)的多个发光二极管(LED)的发光区域于显示面板1的俯视方向上的排列可为不同，举例来说，于每一像素10的3个发光单元电极11为数组方式排列(如图1所示)，而三个不同颜色的发光二极管的排列方式则为朝延伸方向D1依序排列，但上述仅是举例并非限定。
图2为本发明的第一实施例的显示面板1的俯视图，其中挠性基板20位于一展开状态。图3为本发明的第一实施例的显示面板1的侧视图，其中挠性基板20位于一弯折状态。挠性基板20包括一显示部21、一弯折部22以及一电路部23。于图2中，将展开状态的挠性基板20的电路部23相对于显示部21弯折后，挠性基板20形成如图3所示的弯折状态。挠性基板20可包含至少一个弯折部22或/及至少一个电路部23，弯折部22或/及电路部23数量可选择两个以上，本实施例仅以一个为例，上述仅是举例并非限定。
显示部21可实质上沿一平面延伸。于本实施例中，显示面板1的形状可为矩形。像素10可以数组的方式排列于显示部21上。于一些实施例中，显示部21可为多边形或不规则的形状。上述多边形可为三边形、四边形、或至少五边形。
如图2及图3所示，部分像素10的边缘为显示部21的部分边缘，因此，本发明的显示面板1可为较窄边框的显示面板1。当多个显示面板1拼接为如图1所示的拼接式电子装置A1时，显示面板1之间可具有窄边框，进而可增进拼接式电子装置A1所显示的整体影像的质量。
弯折部22连接于显示部21。于弯折状态中，由于弯折部22是经由弯折挠性基板20后形成，因此弯折部22可实质上为弧形。但基本上，弯折部22可实质上沿一弯折方向D3延伸。上述弯折方向D3可垂直于延伸方向D1以及延伸方向D2。于另一实施例中，弯折方向D3可为于侧视图观察两弯折界线I1/I2的联机方向。
电路部23连接于弯折部22，换句话说，在弯折状态下，电路部23弯折到支撑基板30背面后，可实质上平行于显示部21。且电路部23可不一定直接接触支撑基板30。
于本实施例中，弯折部22的面积小于电路部23的面积，且电路部23的面积小于显示部21的面积。于一些实施例中，弯折部22的面积小于显示部21的面积的20倍。弯折部22的面积小于电路部23的面积的10倍。
于本实施例中，显示部21与弯折部22之间具有一弯折界线I1。弯折部22经由弯折界线I1相对于显示部21弯折。弯折部22与电路部23之间具有另一弯折界线(第二弯折界线)I2。弯折部22经由弯折界线I2相对于电路部23弯折。此外，弯折界线I1可实质上相互平行于弯折界线I2。换句话说，弯折界线I1以及弯折界线I2可实质上相互平行于延伸方向D2，或可垂直于延伸方向D1。于另一实施例中，弯折方向D3可为于侧视图观察弯折界线I1与弯折界线I2的联机方向。
于本实施例中，弯折部22具有二缺口222分别形成于弯折部22的两相对边缘。缺口222可位于弯折界线I1以及弯折界线I2之间，于一些实施例中，缺口的边缘222可连接于弯折界线I1以及弯折界线I2。于本实施例中，借由上述缺口222可使得弯折部22平顺地相对于显示部21以及电路部23弯折。
为了能使本发明的每一显示面板1的像素10的中心的距离d11、d12、d13、d14一致。于本发明中，像素10分为像素10a以及像素(第二像素)10b。像素10a设置于显示部21上，且连接于弯折界线I1。像素10a可沿延伸方向D2排列。于本发明中除了像素10a以外的像素10可为像素10b。像素10b连接于像素10a，且远离弯折界线I1。换句话说，像素10a位于弯折界线I1以及像素10b之间。
像素10a的宽度W1小于像素10b的宽度W2。于一些实施例中，像素10a的宽度W1约为1.17mm。像素10b的宽度W2约为1.27mm。换句话说，像素10b的宽度W2与像素10a的宽度W1的差值约为0.1mm。于一些实施例中，像素10b的宽度W2与像素10a的宽度W1的差值约为0.05mm至0.3mm的范围之间。上述宽度W1、W2可于沿延伸方向D1上进行测量。
于一些实施例中(请参阅图2与图3)，弯折部22经弯折后其弯折面沿着弯折方向D3具有一顶端221，该顶端221靠近于弯折部22的中央。于延伸方向D1上，顶端221与弯折界线I1或弯折界线I2之间的距离d2加上像素10a的宽度W1可实质上相同像素10b的宽度W2，上述仅是举例并非限定。于另一实施例中该顶端221也可较远离弯折部22的中央而靠近弯折界线I1，视设计者对于拼接式电子装置A1的边框F1的设计规格需求。
请同步参阅图2与图3，于一实施例中，显示面板1更包括一支撑基板30、至少一控制芯片40以及一挠性扁平电缆50。于弯折状态下且沿着弯折方向D3，支撑基板30位于显示部21以及电路部23之间，且连接于显示部21以及电路部23。于一些实施例中，支撑基板30可为一玻璃基板或一不透光基板，但并不以此为限。支撑基板30可用增加显示面板1的强度。于一些实施例中，支撑基板30于延伸方向D2上，可与弯折部22的中央区域分离，也就是说弯折部22的中央区域与支撑基板30之间并未直接接触而存在一间隙空间(gap)。
至少一控制芯片40设置于电路部23及/或挠性扁平电缆50上，且电性连接于像素10的至少一个发光单元电极11。控制芯片40可为一扫描驱动芯片、一防护及测试芯片、及/或一数据驱动芯片。挠性扁平电缆50的一端电性连接于电路部23。如图2及图3所示，控制芯片40a可为扫描驱动芯片。控制芯片40b可为防护及测试芯片。控制芯片40c可设置于挠性扁平电缆50上，且可为数据驱动芯片，于一实施例中，控制芯片40a的数量可大于控制芯片40b或控制芯片40c，但上述仅是举例并非限定。
于本实施例中，于延伸方向D1来看，控制芯片40a可靠近弯折部22，且沿着延伸方向D2排列。控制芯片40b相对于控制芯片40a远离弯折部22，且沿延伸方向D2排列。控制芯片40c相对于控制芯片40b更加远离弯折部22，且沿延伸方向D2延伸。
图4为本发明的第二实施例的显示面板1的俯视图。图5为本发明的第二实施例的显示面板1的侧视图。缺口222的顶部与缺口222至少一端点之间的距离d3在大于或等于1.5mm且小于或等于3mm的范围之间，上述的距离d3于延伸方向D2上进行测量。于一些实施例中，上述距离d3在像素10的宽度W1或宽度W2的1倍至5倍之间(W1≦d3≦5*W1或者W2≦d3≦5*W2)。
弯折部22的宽度W3可大于或等于0.5mm且小于或等于2mm，上述的宽度W3可于延伸方向D1(如图4所示)上进行测量。于一些实施例中，弯折界线I1以及弯折界线I2之间的距离实质上相同于宽度W3。上述宽度W3约在像素10的宽度W1的1倍至5倍之间(W1≦W3≦5*W1)。
此外，于像素10a中，邻近于弯折界线I1的发光单元电极11与弯折界线I1的距离d4约在50μm至150μm的范围之间。
每一像素10(像素10b及像素10a)可电性连接至少一个或多个晶体管(TFT)13。晶体管13可设置于显示部21上，且每一晶体管13可电性连接于一发光单元电极11或一共享电极12。晶体管13可用以控制至少一个或多个发光单元电极11启动(enable)或是关闭(disable)。于一实施例中，该晶体管可为一非晶硅晶体管(Amorphous thin-filmtransistor)、低温多晶硅晶体管(Low temperature polysilicon thin-filmtransistor)、一金属氧化物晶体管(Metal-oxide thin-film tansistor)或上述混合式结构晶体管(例如:低温多晶硅晶体管电性连接金属氧化物晶体管)，但不以此为限
于本实施例中，显示面板1更包括多个信号线S1、多个信号线(第二信号线)S2、以及多个信号线(第三信号线)S3。信号线S1、信号线S2、以及信号线S3设置于挠性基板20上。每一信号线S1、信号线S2、以及信号线S3可电性连接至少一个或多个晶体管13以及至少一控制芯片40(如图2所示)。
上述的晶体管13、信号线S1、信号线S2以及信号线S3可依据本实施例的设计应用于第一实施例中。
于本实施例中，信号线S1、信号线S2以及信号线S3可为数据信号线(Data line)、栅极信号线(Gate line)、共电位信号线(Common line)，接地信号线(Ground line)或者其他类型信号线，上述仅是举例并非限定，需看设计者的需求。于一实施例中，信号线S1、信号线S2可电性连接于控制芯片40c。控制芯片40c可经由信号线S1以及信号线S2传送数据信号到至少一个晶体管13，而信号线S3则可电性连接接地或共电位信号。
于一些实施例中，显示面板1更包括设置于挠性基板20上的多个补偿信号线以及扫描信号线(图未示)。补偿信号线以及扫描信号线可电性连接于至少一控制芯片40(如图2所示，但图上仅绘示一个为例，但不限于此)。于本实施例中，扫描信号线可电性连接于控制芯片40a。控制芯片40a可经由扫描信号线传送扫描信号至晶体管13。晶体管13可依据数据信号以及扫描信号控制至少一个或多个发光单元电极11启动或关闭。
于本实施例中，信号线S1相较于信号线S2邻近于缺口222以及显示部21沿延伸方向D1延伸的边缘。每一信号线S1包括一第一区段S11、一倾斜区段S12、一第二区段S13、以及一控制区段S14。第一区段S11设置于显示部21上，且可选择性电性连接于沿延伸方向D1排列的像素10(像素10b以及像素10a)。
于本实施例中，两相邻第一区段S11沿延伸方向D1延伸且实质上相互平行。每一第一区段S11可电性连接于一晶体管13。于同一像素10中，两相邻的第一区段S11之间的节距(pitch)(第一节距)E11在大于或等于200μm且小于或等于400μm的范围之间。于本实施例中，两相邻的第一区段S11之间的节距E11约为300μm。上述节距E11可于延伸方向D2上进行测量。于一些实施例中，第一区段S11从俯视方向上来看可包括依序叠置于显示部21上排列的多层金属，例如为钼层、铝层以及钼层。
倾斜区段S12至少部分设置于显示部21上，且连接于第一区段S11。倾斜区段S12相对于第一区段S11以及第二区段S13倾斜，且于一延伸方向D1上邻近于弯折界线I1以及缺口222。倾斜区段S12与弯折界线I1间的夹角B1约为0度至45度的范围之间。此外，两相邻倾斜区段S12可线性延伸，且实质上相互平行。于本实施例中，每一倾斜区段S12的长度可由各别倾斜区段S12分别投影至延伸方向D2上来估算，且其两相邻倾斜区段S12的投影长度为不同。于另一实施例中，一倾斜区段S12于挠性基板20的俯视方向上来看可与一发光单元电极11、一共享电极12或一晶体管13的至少一者有部分重叠。且不同的倾斜区段S12可能有不同的重叠面积，可视电性需求而调整不同位置的不同重叠面积，以降低可能的寄生电容影响。
如图5所示，倾斜区段S12的部分于弯折方向D3上可位于显示部21以及像素10a的发光单元电极11之间。于本实施例中，显示面板1更包括一介电层60，设置于显示部21上。介电层60与挠性基板21间或是倾斜区段S12与挠性基板21间可选择性的具有其他层别。发光单元电极11以及第一区段S11可设置于介电层60上，且倾斜区段S12亦可设置于介电层60上，或者选择性挖除介电层60而倾斜区段S12设置于显示部21上。于一实施例中，介电层60的材料可至少包含有机或无机材料，无机材料可为氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或者氮氧化硅(SiOxNy)，而有机材料可为PFA，上述仅是举例并非限定。上述堆栈结构仅是举例而非限定，举例来说，于一俯视方向(例如:沿弯折方向D3)上来看，发光单元电极11、第一区段S11、介电层60、倾斜区段S12的相关叠层位置可依照需求而互换。
第二区段S13设置于弯折部22上，且连接于倾斜区段S12。控制区段S14设置于电路部23上(以挠性基板位于一展开状态下来看)，且连接于第二区段S13以及电性连接控制芯片40。于弯折状态下，第二区段S13与弯折界线I1间的夹角B2约为80度至135度的范围之间(请同时参阅图4)，且弯折部22于弯折方向D3进行弯折时与支撑基板30的边缘表面31可呈现一弧角B4或者实质上垂直于显示部21或电路部23，其中该弧角B4可在大于或等于2度且小于或等于85度之间，于一实施例中，该弧角B4可在大于或等于2度且小于或等于45度之间。于另一实施例中该弧角B4为弯折部22沿着弯折方向D3进行弯折后的顶端221与弯折线I1的一联机，并与支撑基板30的边缘表面31于弯折方向D3上的一延伸线所形成的一夹角。再一实施例中，支撑基板30的边缘表面31可能为一具有粗糙度的表面，因此支撑基板30的边缘表面31可为该粗糙表面的一平均表面，意即粗糙表面于延伸方向D1的一最高点与一最低点取平均值而得。于本实施例中，两相邻的第二区段S13实质上相互平行，且可延伸至显示部21上以与倾斜区段S12连接。
于本实施例中(请再参阅图4)，两相邻的第二区段S13之间的节距E12在大于或等于10μm且小于或等于40μm的范围之间。于本实施例中，两相邻的第二区段S13之间的节距(第二节距)E12约为25μm。上述节距E12可于延伸方向D2上进行测量。换句话说，于同一像素10中的两相邻的第一区段S11的节距大于两相邻的第二区段S13的节距。此外，于同一像素10中，两相邻的第一区段S11的节距可大于两相邻的倾斜区段S12的节距。
于本实施例中，信号线S2于延伸方向D2上相较于信号线S1较远离显示部21的边缘。每一信号线S2包括一第一区段S21、一第二区段S23、以及一控制区段S24。第一区段S21设置于显示部21上，且电性连接于沿延伸方向D1排列的像素10(像素10b以及像素10c)。于本实施例中，像素10c设置于显示部21上，且靠近于弯折界线I1。像素10c相较于像素10a于延伸方向D2上较远离显示部21的边缘。
于本实施例中，两相邻的第一区段S21沿延伸方向D1延伸且实质上相互平行。每一第一区段S21可电性连接于至少一个晶体管13。于同一像素10中，两相邻的第一区段S21之间的节距E21约为200μm至400μm的范围之间。于本实施例中，两相邻的第一区段S21之间的节距E21约为300μm。上述节距E21可于延伸方向D2上进行测量。于一些实施例中，第一区段S21从俯视方向上来看包括依序叠置于显示部21上排列的钼层、铝层以及钼层。此外，第一区段S21可实质上相互平行于第一区段S11，且节距E21可实质上相同于节距E11。
第二区段S23设置于弯折部22上，且连接于第一区段S21。控制区段S24设置于电路部23上，且连接于第二区段S23以及电性连接控制芯片40。于本实施例中，两相邻第二区段S23实质上相互平行，且可实质上相互平行于第二区段S13。于本实施例中，两相邻的第二区段S23之间的节距E22约为200μm至400μm的范围之间。于本实施例中，两相邻的第一区段S23之间的节距E22约为300μm。节距E22可实质上相同于节距E21以及节距E11。上述节距E22可于延伸方向D2上进行测量。
图6为根据一些实施例中本发明的第二区段S13以及弯折部22的侧视图。第二区段S13包括一第一绝缘层L1、一第一金属层L2、一第二金属层L3、一第三金属层L4、以及一第二绝缘层L5。第一绝缘层L1设置于弯折部22上。第一金属层L2设置于第一绝缘层L1上，且可至少包括一钛材料。第二金属层L3设置于第一金属层L2上，且可至少包括一铝材料。第三金属层L4设置于第二金属层L3上，且可至少包括一钛材料。第二绝缘层L5设置于第三金属层L4上。
于一些实施例中，信号线S2的第二区段S23可与信号线S1的第二区段S13具有相同的结构以及材质。
信号线S3可设置于显示部21、弯折部22以及电路部23上。于显示部21上的信号线S3可电性连接于延伸方向D1上排列的像素10的共享电极12。于本实施例中，信号线S3的结构可依据信号线S1以及信号线S2进行设计。信号线S3可实质上相互平行于第一区段S11、第二区段S13、第一区段S21以及第二区段S23延伸。
图7A为本发明的信号线S1的第二区段S13的第一实施例的俯视图。如图2所示，当挠性基板20处于展开状态时，第二区段S13可实质上于延伸方向D1去延伸。如图3及图7A所示，当挠性基板20处于弯折状态时，至少部分的第二区段S13可实质上于弯折方向D3去延伸。
第二区段S13的导体宽度W5在大于或等于10μm且小于或等于15μm的范围之间。于本实施例中，第二区段S13的导体宽度W5约为12μm的范围。上述宽度W5于延伸方向D2上进行测量。
于本实施例中，至少部分的第二区段S13可实质上沿弯折方向D3延伸。信号线S1更包括多个穿孔S131贯穿第二区段S13。穿孔S131可实质上沿弯折方向D3相互间隔地排列。
如图7A所示，于本实施例中，穿孔S131可为长方形，但并不予以限制。于一些实施例中，穿孔S131可为圆形、椭圆形、正方形、或不规则形。于一些实施例中，穿孔S131可为三边形、四边形、五边形、或至少六边形。
于本实施例中，每一穿孔S131的几何中心与第二区段S13的一侧边S133之间的距离可实质上相同。两相邻的穿孔S131之间的距离d5可大于或等于4μm且小于或等于8μm的范围之间。于本实施例中，两相邻的穿孔S131之间的距离d5约为6μm。穿孔S131的宽度W61可在大于或等于2μm且小于或等于6μm的范围之间。穿孔S131的长度W62可在大于或等于3μm且小于或等于12μm的范围之间。上述的宽度W61可于延伸方向D2上进行测量。上述的宽度W62可于弯折方向D3上进行测量。
图7B为本发明的信号线S1的第二区段S13的第二实施例的俯视图。于本实施例中，穿孔S131的方位可不相同。于本实施例中，每一穿孔S131具有一第一方位以及一第二方位。第一方位的穿孔S131所延伸的方向与弯折方向D3的夹角约为正45度。第二方位的穿孔S131所延伸的方向与弯折方向D3的夹角约为负45度。第一方位的穿孔S131与第二方位的穿孔S131可实质上沿弯折方向D3交替排列(alternate arrangement)，但上述仅是举例并非限定，夹角的角度可根据使用者的需求做变更。
图7C为本发明的信号线S1的第二区段S13的第三实施例的俯视图。于本实施例中，第二区段S13可为一波浪状结构。穿孔(第一穿孔以及第二穿孔)S131、S132可实质上沿弯折方向D3交错排列(staggered arrangement)。
于本实施例中，于延伸方向D2上，多个穿孔S131与侧边S133之间的距离可实质上相同，而多个穿孔S132与侧边S133之间距离可相等。此外，穿孔S131与侧边S133的距离可小于穿孔S132与侧边S133之间的距离。
任一穿孔S131可于弯折方向D3上与相邻至少一个穿孔S132分离。穿孔S131与穿孔S132于弯折方向D3上的距离d5可在大于或等于2μm且小于或等于5μm的范围之间。于本实施例中，穿孔S131、S132可为不规则形。穿孔S131的形状与穿孔S132沿一弯折方向D3来看，上述两者的形状为实质上相同，于另一实施例中，两者的形状实质上相同可以是指两穿孔S131/S132面积的大小绝对值差值小于或等于10％。
图7D为本发明的信号线S1的第二区段S13的第四实施例的俯视图。于本实施例中，穿孔S131、S132可实质上沿弯折方向D3交错排列。穿孔S131、S132可形成于第二区段S13的两相对侧边S133。
于本实施例中，穿孔S131、S132可为半圆形或其他任意形状，上述仅是举例并非限定。穿孔S131、S132的直径W63可在大于或等于2μm且小于或等于5μm的范围之间。于本实施例中，穿孔S131、S132的直径W63可约为3μm。
穿孔S131可于弯折方向D3上与穿孔S132分离。穿孔S131与穿孔S132于弯折方向D3上的距离d5可在大于或等于2μm且小于或等于5μm的范围之间。两相邻的穿孔S131之间的距离d6可在大于或等于5μm且小于或等于8μm的范围之间。两相邻的穿孔S132之间的距离d7可在大于或等于5μm且小于或等于8μm的范围之间。于本实施例中，距离d6可实质上相同于距离d7。于一些实施例中，距离d6可实质上不相同于距离d7。
图7E为本发明的信号线S1的第二区段S13的第五实施例的俯视图。第二区段S13可实质上沿弯折方向D3延伸。穿孔S131、S132可实质上沿弯折方向D3交错排列。
于本实施例中，穿孔S131、S132可为矩形。穿孔S131于弯折方向D3上与穿孔S132分离。穿孔S131与穿孔S132于弯折方向D3上的距离d5可在大于或等于2μm且小于或等于5μm的范围之间。于本实施例中，于延伸方向D2上，多个穿孔S131与侧边S133之间的距离可实质上相同，而另一多个穿孔S132与侧边S133之间距离可实质上相同。此外，任一穿孔S131与侧边S133的距离可大于另一穿孔S132与侧边S133之间的距离。
图7F为本发明的信号线S1的第二区段S13的第六实施例的俯视图。于本实施例中，穿孔S131可为半圆形，且穿孔S132可为矩形，上述并非限定，只要穿孔S131与穿孔S132的形状为不同皆可适用。第二区段S13可实质上沿弯折方向D3延伸。穿孔S131、S132可实质上沿弯折方向D3交错排列。
穿孔S131形成于第二区段S13的两相对侧边S133。穿孔S132位于第二区段S13的两相对侧边S133之间。穿孔S131于弯折方向D3上与穿孔S132分离。穿孔S131与穿孔S132于弯折方向D3上的距离d5可在大于或等于1μm且小于或等于5μm的范围之间。
图7G为本发明的信号线S1的第二区段S13的第七实施例的俯视图。于本实施例中，第二区段S13可实质上沿弯折方向D3延伸。第二区段S13形成一网格状。穿孔S131以数组的方式形成于第二区段S13。于本实施例中，穿孔S131可为菱形、正方形、圆形、长方形、多边形或者任意形状，可视使用者需求做形状上的变更，只要第二区段S13沿弯折方向D3进行弯折时，可以减缓断线风险且有易弯折的好处，皆可以采用。
上述已揭露的特征能以任何适当方式与一或多个已揭露的实施例相互组合、修饰、置换或转用，并不限定于特定的实施例。
综上所述，本发明的显示面板可利用弯折的挠性基板以将控制芯片等组件设置于显示面板的背侧，进而减少显示面板的边框的面积。此外，借由于挠性基板的弯折部形成缺口，以使挠性基板能平顺地弯折。借由改变像素的尺寸以及信号线的延伸路径，使得两相邻的显示面板的像素的中心间的距离相等，进而提高了显示设备所显示的影像的质量。
虽然本发明已以较佳实施例揭示如上，然其并非用以限定本发明，任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的修改和完善，因此本发明的保护范围当以权利要求书所界定的为准。

Claims (10)

1.一种拼接式电子装置，其特征在于，包括：
多个显示面板，其中该多个显示面板的至少一者包括：
一挠性基板，具有一显示部以及连接于该显示部的一弯折部；
一像素，设置于该显示部上；
二信号线，设置于该挠性基板上，且电性连接于该像素，其中该二信号线分别具有设置于该显示部上的一第一区段以及设置于该弯折部上的一第二区段，
其中该二个第一区段之间具有一第一节距，该二个第二区段之间具有一第二节距，且该第一节距不同于该第二节距。
2.如权利要求1所述的拼接式电子装置，其特征在于，该第一节距在大于或等于200μm且小于或等于400μm的范围之间，且该第二节距在大于或等于10μm且小于或等于40μm的范围之间。
3.如权利要求1所述的拼接式电子装置，其特征在于，该弯折部的面积小于该显示部的面积。
4.如权利要求1所述的拼接式电子装置，其特征在于，该显示部与该弯折部之间具有一弯折界线，且该二个第二区段的至少一者与该弯折界线间的夹角大于或等于80度且小于或等于135度。
5.如权利要求1所述的拼接式电子装置，其特征在于，该显示部与该弯折部之间具有一弯折界线，该像素更包括邻近于该弯折边界的一发光单元电极，其中该二信号线的至少一者的部分位于该弯折部以及该发光单元电极之间。
6.如权利要求5所述的拼接式电子装置，其特征在于，该发光单元电极与该弯折界线的距离在大于或等于50μm且小于或等于150μm的范围之间。
7.如权利要求1所述的拼接式电子装置，其特征在于，该弯折部具有一缺口，该缺口的顶部与该缺口的至少一端点之间的距离在大于或等于1.5mm且小于或等于3mm的范围之间。
8.如权利要求1所述的拼接式电子装置，其特征在于，该二个第二区段分别包括一第一金属层、设置于该第一金属层上的一第二金属层、以及设置于该第二金属层上的一第三金属层，其中该第一金属层至少包括一钛材料或一钼材料，该第二金属层至少包括一铝材料，且该第三金属层至少包括该钛材料或该钼材料。
9.如权利要求1所述的拼接式电子装置，其特征在于，该二个第二区段中的一者沿一弯折方向延伸，且该二个第二区段中的该者包括沿该弯折方向排列的多个穿孔。
10.如权利要求1所述的拼接式电子装置，其特征在于，该挠性基板更包括连接于该弯折部的一电路部，与设置于该电路部上的至少一控制芯片。
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