CN110595527A - 光芯片上多级交错马赫曾德干涉仪中可控相移器标定方法 - Google Patents
光芯片上多级交错马赫曾德干涉仪中可控相移器标定方法 Download PDFInfo
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Abstract
本发明公开了一种光芯片上多级交错马赫曾德干涉仪中可控相移器标定方法,目的是解决多级交错马赫曾德干涉仪结构可配置光学网络中可控相移器的标定问题。技术方案是先标定光学网络中可以标定的可控相移器;然后对未标定的内相移器构造标定条件并进行标定;最后对未标定的外相移器构造标定条件并进行标定。本发明在不增加任何硬件的情况下,适用于任意级数和任意结构的多级交错马赫曾德干涉仪结构可配置光学网络中的可控相移器参数标定任务,减少了用于标定的硬件对多级交错马赫曾德干涉仪光学网络带来的损耗,降低了光芯片制造难度;采用本发明极大提升了标定效率,可促进多级交错马赫曾德干涉仪结构光学网络的应用。
Description
技术领域:本发明涉及光学领域,具体涉及多个光学器件连接而成的光学网络中光学器件的标定方法,尤其涉及集成光学实现的相移器和分束器网络中相移器参数的标定方法。
背景技术:可配置光学网络是集成光学芯片(简称光芯片)的重要组成部分,可配置实现多种功能。可配置光学网络在当前的光芯片、光信息处理等研究方向有重要应用。
多级交错马赫曾德干涉仪结构是一种可配置光学网络,是光芯片上的一种重要结构。多级交错马赫曾德干涉仪结构定义如下:1、多级交错马赫曾德干涉仪结构的基本单元(简称基本单元)为马赫曾德干涉仪。基本单元由两个分束器、两个可控相移器,以及一些必要的连接光波导组成。基本单元含有两个光学输入端口和两个光学输出端口,两组电学输入端口(每组电学输入端口一般为两个,两个电学输入端口连接到一个可控相移器)。分束器一般设计为50:50的光信号分束比;可控相移器通过电学信号控制光信号的相位。在含有两个可控相移器的马赫曾德干涉仪中,一个可控相移器位于两个分束器之间;另一个可控相移器位于两个分束器之外。一般将位于两个分束器之间的相移器称为内相移器,将位于两个分束器之外的相移器称为外相移器。如没有特别说明,本文的内相移器、外相移器都是相对于基本单元而言的。2、多级交错马赫曾德干涉仪结构由多个基本单元连接组成,其中任意相互连接的两个相邻基本单元均满足“交错条件”,即不存在一个基本单元的两个输出分别连接另一个基本单元的两个输入,只会连接到不同的两个基本单元的输入。当把光学信号输入光学网络时,按照光学信号所经过的基本单元的顺序,可以将干涉仪划分为不同层级。
可控相移器是用于配置光学网络不同功能的重要器件,包含电学输入端口和光学输入输出端口,当输入电信号V时将生成光信号的相位P,P和V的关系可表示成含有N个参数的函数。N由可控相移器的加工特性决定,N一般为不大于5的正整数。
P=f(V,λ1,λ2,…,λN)
其中,λ1、λ2…λN是可控相移器的N个参数。受限于现阶段集成光学芯片的制备技术水平,难以在芯片制备阶段确定可控相移器的参数;在完成芯片制备后,需要通过芯片测试,推算出可控相移器的参数λ1、λ2…λN,这就是可控相移器的参数标定问题。
标定可控相移器的参数,一般需要满足三个标定条件。条件A:马赫曾德干涉仪构造条件,即待标定的可控相移器是某个马赫曾德干涉仪的内相移器。光学网络中的马赫曾德干涉仪分两类,一类是由光学网络中的相移器和分束器构成,比如多级交错马赫曾德干涉仪结构的基本单元;另一类是通过将光学网络中已标定的基本单元设置成直波导模式、分束器模式构造而成的马赫曾德干涉仪,常用于外相移器标定。条件B:单端光信号输入条件,即干涉仪只有单个光学输入端口有光信号输入而该干涉仪的另一个输入端口无光信号输入。条件C:输出独立测量条件,即可以从干涉仪的单个光学输出端口测量光信号的强度。干涉仪有两个光学输出端口,输出独立测量条件要求能够测量任意一个端口输出的光信号强度。
对于满足三个标定条件的可控相移器,通常的标定方法(简称为标定条件满足标定方法)如下:1、依据标定条件A,识别以待标定相移器为内相移器的干涉仪结构;2、依据标定条件B,在这个干涉仪的单个端口输入光信号;3、对待标定可控相移器施加一组不同的电信号V,同时依据标定条件C测量对应的一组输出光信号强度I;4、根据干涉仪的数学模型,计算这组光信号强度I对应的相位P,进而求解上述P和V的方程组,获得这个可控相移器的参数λ1、λ2…λN。
对于级数少于光学输入端口数的多级交错马赫曾德干涉仪结构光学网络,现有对光学网络中可控相移器的标定方法如下:1、寻找光学网络中天然满足三个标定条件的可控相移器,通过上述方法对其进行标定;2、通过设置已标定的可控相移器(比如设成直波导模式或分束器模式),构造更大的马赫曾德干涉仪,标定新的可控相移器。然而,对于级数多于光学输入端口数的光学网络,不存在天然满足三个标定条件的可控相移器。光学网络中,从某个光学输入端口到某个光学输出端口,整个光信号传播路径上会有多个可控相移器共同影响输出的光信号强度。如果仍通过求解P和V的数学方程组求解这些可控相移器的参数,方程解空间的大小将随着可控相移器的个数增加而指数增长,在实际应用中无法适用。
目前还有在光芯片上增加探测单元的硬件方法,通过增加光学网络上的光信号探测单元,构造天然满足三个标定条件的可控相移器,这种硬件方法会增大光芯片的复杂度,也会引入光损耗等新的开销。
发明内容:本发明针对多级交错马赫曾德干涉仪结构可配置光学网络中可控相移器的标定问题,提出一种新的可控相移器标定方法,在不增加任何硬件的情况下,适用于任意级数和任意结构的多级交错马赫曾德干涉仪结构可配置光学网络中的可控相移器参数标定任务。
本发明的技术方案是:
第一步,采用标定条件满足标定方法标定光学网络中可以标定的可控相移器。若存在不可标定的可控相移器,说明这些相移器不能同时满足三个标定条件,执行第二步;若不存在不可标定的可控相移器,转第十一步;
第二步,选择最靠近多级交错马赫曾德干涉仪网络输出端的未标定的基本单元(即一个马赫曾德干涉仪)内相移器并记为i(该可控相移器满足条件A),构造标定条件C。将所有已标定内相移器的基本单元置为直波导模式(即电源向内相移器输入π相位对应的电信号),即可满足标定条件C。
第三步,判定内相移器i是否满足标定条件B。如果满足标定条件B,则进行第五步;如果不满足标定条件B,则进行第四步。
第四步,为内相移器i构造标定条件B。方法是:
4.1按照光信号在光学网络中的传播顺序,从连接到内相移器i所在基本单元输入端口的两个基本单元中选择光信号后到达的基本单元并记为基本单元f(如果同时经过两个基本单元则任选其一)。
4.2调节电源输入到基本单元f的外相移器的电信号,找到并维持使内相移器i所在基本单元的两个光学输出端口光信号强度之和最小的电信号。
4.3调节电源输入到基本单元f的内相移器的电信号,找到并维持使内相移器i所在基本单元的两个光学输出端口光信号强度之和最小的电信号,即满足内相移器i的标定条件B。
第五步,采用标定条件满足标定方法标定内相移器i。
第六步,判定是否所有基本单元的内相移器已完成标定。如果是,则进行第七步;如果否,则返回第二步。
第七步,任选一未标定的基本单元外相移器并记为t,构造更大的马赫曾德干涉仪并记为m。方法是:根据光学网络的结构选择位于外相移器t前后的两个基本单元,将这两个基本单元置为分束器模式(即电源向内相移器输入相位对应的电压)。此时,外相移器t相对于构造的马赫曾德干涉仪m处于内相移器的位置,从而满足标定条件A。
第八步,为外相移器t构造标定条件B和C。光信号经过直波导模式的基本单元会保持强度不变,将除马赫曾德干涉仪m以外的所有已标定内相移器的基本单元置为直波导模式,即可使外相移器t同时满足标定条件B和C。
第九步,采用标定条件满足标定方法标定外相移器t。
第十步,判定是否所有基本单元的外相移器已完成标定。如果是,则多级交错马赫曾德干涉仪中的可标定相移器的标定过程结束,转第十一步;如果否,则返回第七步。
第十一步,结束。
本发明是高效的多级交错马赫曾德干涉仪结构可配置光学网络中可控相移器参数标定方法。采用本发明可以达到以下技术效果:
1.不需要增加硬件用于标定,从而减少了用于标定的硬件对多级交错马赫曾德干涉仪光学网络带来的损耗,并降低了光芯片制造难度。
2.通过为可控相移器构造三个标定条件(对应第二步、第四步、第七步和第八步),使得每个可控相移器的标定都可以采用标定条件满足标定方法,极大提升了标定效率,从而促进复杂多级交错马赫曾德干涉仪结构光学网络的应用。
附图说明:
图1是多级交错马赫曾德干涉仪结构基本单元的示意图。
图2是多级交错马赫曾德干涉仪光学网络的结构示意图。
图3是本发明流程图。
具体实施方式:
图1是多级交错马赫曾德干涉仪结构的基本单元即含两个相移器的马赫曾德干涉仪的示意图。各子图展示了两个相移器的相对位置关系。图中三角形为可控相移器,长方形为分束器,黑色线为光波导,箭头表示光学输入输出端口,虚线表示电学输入端口。图1(a)和图1(b)中的基本单元均有两个分束器、两个可控相移器(一个为内相移器,位于两个分束器之间,另一个为外相移器)、两个光学输入端口、两个光学输出端口和两组电学输入端口(每组连接到一个可控相移器上)。分束器、可控相移器和光学输入输出之间均由光波导进行连接。图1(a)表示两个相移器位于相同的光波导路径上,图1(b)表示两个相移器位于不同的光波导路径上。
图2是多级交错马赫曾德干涉仪光学网络的结构示意图。该图展示了多级交错马赫曾德干涉仪光学网络中各基本单元的交错连接关系。图中用虚线框出了每个基本单元。任意相互连接的两个基本单元均满足“交错条件”,即不存在一个基本单元的两个输出分别连接另一个基本单元的两个输入,只会连接到不同的两个干涉仪的输入。按照光学信号经过基本单元的顺序,可以将基本单元划分为不同层级,图中的多级交错马赫曾德干涉仪光学网络有五层共8个基本单元。
图3是本发明流程图。本发明包括以下步骤:
第一步,采用标定条件满足标定方法标定光学网络中可以标定的可控相移器。若存在不可标定的可控相移器,执行第二步;若不存在不可标定的可控相移器,转第十一步;
第二步,选择最靠近多级交错马赫曾德干涉仪网络输出端的未标定的基本单元(即一个马赫曾德干涉仪)内相移器并记为i(该可控相移器满足条件A),构造标定条件C。将所有已标定内相移器的基本单元置为直波导模式(即电源向内相移器输入π相位对应的电信号),即可满足标定条件C。
第三步,判定内相移器i是否满足标定条件B。如果满足标定条件B,则进行第五步;如果不满足标定条件B,则进行第四步。
第四步,为内相移器i构造标定条件B。方法是:
4.1按照光信号在光学网络中的传播顺序,从连接到内相移器i所在基本单元输入端口的两个基本单元中选择光信号后到达的基本单元并记为基本单元f(如果同时经过两个基本单元则任选其一)。
4.2调节电源输入到基本单元f的外相移器的电信号,找到并维持使内相移器i所在基本单元的两个光学输出端口光信号强度之和最小的电信号。
4.3调节电源输入到基本单元f的内相移器的电信号,找到并维持使内相移器i所在基本单元的两个光学输出端口光信号强度之和最小的电信号,即满足内相移器i的标定条件B。
第五步,采用标定条件满足标定方法标定内相移器i。
第六步,判定是否所有基本单元的内相移器已完成标定。如果是,则进行第七步;如果否,则返回第二步。
第七步,任选一未标定的基本单元外相移器并记为t,构造更大的马赫曾德干涉仪并记为m。方法是:根据光学网络的结构选择位于外相移器t前后的两个基本单元,将这两个基本单元置为分束器模式(即电源向内相移器输入相位对应的电压)。此时,外相移器t相对于构造的马赫曾德干涉仪m处于内相移器的位置,从而满足标定条件A。
第八步,为外相移器t构造标定条件B和C。光信号经过直波导模式的基本单元会保持强度不变,将除马赫曾德干涉仪m以外的所有已标定内相移器的基本单元置为直波导模式,即可使外相移器t同时满足标定条件B和C。
第九步,采用标定条件满足标定方法标定外相移器t。
第十步,判定是否所有基本单元的外相移器已完成标定。如果是,则多级交错马赫曾德干涉仪中的可标定相移器的标定过程结束,转第十一步;如果否,则返回第七步。
第十一步,结束。
Claims (2)
1.一种光芯片上多级交错马赫曾德干涉仪中可控相移器标定方法,其特征在于包括以下步骤:
第一步,采用标定条件满足标定方法标定光学网络中可以标定的可控相移器;若存在不可标定的可控相移器,说明这些相移器不能同时满足三个标定条件,执行第二步;若不存在不可标定的可控相移器,转第十一步;所述三个标定条件指:条件A:马赫曾德干涉仪构造条件,即待标定的可控相移器是某个马赫曾德干涉仪的内相移器;条件B:单端光信号输入条件,即马赫曾德干涉仪只有单个光学输入端口有光信号输入而该马赫曾德干涉仪的另一个输入端口无光信号输入;条件C:输出独立测量条件,即可以从马赫曾德干涉仪的单个光学输出端口测量光信号的强度,马赫曾德干涉仪有两个光学输出端口,输出独立测量条件要求能够测量任意一个端口输出的光信号强度;
第二步,选择最靠近多级交错马赫曾德干涉仪网络输出端的未标定的基本单元内相移器并记为i,构造标定条件C,将所有已标定内相移器的基本单元置为直波导模式即电源向内相移器输入π相位对应的电信号,即可满足标定条件C;所述基本单元即一个马赫曾德干涉仪;
第三步,判定内相移器i是否满足标定条件B,如果满足标定条件B,则进行第五步;如果不满足标定条件B,则进行第四步;
第四步,为内相移器i构造标定条件B,方法是:
4.1 按照光信号在光学网络中的传播顺序,从连接到内相移器i所在基本单元输入端口的两个基本单元中选择光信号后到达的基本单元并记为基本单元f,如果同时经过两个基本单元则任选其一;
4.2 调节电源输入到基本单元f的外相移器的电信号,找到并维持使内相移器i所在基本单元的两个光学输出端口光信号强度之和最小的电信号;
4.3 调节电源输入到基本单元f的内相移器的电信号,找到并维持使内相移器i所在基本单元的两个光学输出端口光信号强度之和最小的电信号,即满足内相移器i的标定条件B;
第五步,采用标定条件满足标定方法标定内相移器i;
第六步,判定是否所有基本单元的内相移器已完成标定,如果是,则进行第七步;如果否,则返回第二步;
第七步,任选一未标定的基本单元外相移器并记为t,构造更大的马赫曾德干涉仪并记为m,使得外相移器t相对于构造的马赫曾德干涉仪m处于内相移器的位置,从而满足标定条件A;
第八步,为外相移器t构造标定条件B和C,方法是将除马赫曾德干涉仪m以外的所有已标定内相移器的基本单元置为直波导模式;
第九步,采用标定条件满足标定方法标定外相移器t;
第十步,判定是否所有基本单元的外相移器已完成标定,如果是,转第十一步;如果否,则返回第七步;
第十一步,结束。
2.如权利要求1所述的光芯片上多级交错马赫曾德干涉仪中可控相移器标定方法,其特征在于第七步所述构造更大的马赫曾德干涉仪的方法是:根据光学网络的结构选择位于外相移器t前后的两个基本单元,将这两个基本单元置为分束器模式即电源向内相移器输入相位对应的电压。
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