CN110581082B - 缺陷检测机台监测晶圆缺陷的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及缺陷检测机台监测晶圆缺陷的方法，涉及半导体集成电路缺陷检测技术，通过在晶圆缺陷检测前增加一道缺陷检测机台对晶圆表面吸光度进行检测的工艺，并根据晶圆表面吸光度选择缺陷检测机台的缺陷检测程式，减小人工判断晶圆表面状况的误差，避免带光阻晶圆在缺陷检测时光阻被损害风险，并降低人工成本。

Description

缺陷检测机台监测晶圆缺陷的方法
技术领域
本发明涉及半导体集成电路缺陷检测技术，尤其涉及一种缺陷检测机台监测晶圆缺陷的方法。
背景技术
在半导体集成电路制造技术领域，随着半导体集成电路集成度越来越高，以及半导体技术的发展，对半导体器件性能的要求越来越高，因此对半导体制造过程中的缺陷检测的要求也越来越高。
光刻刻蚀是半导体集成电路制造过程中的常用工艺，因此光刻胶是半导体集成电路制造过程中的常用材料。在半导体集成电路制造过程，光刻之后会有一些典型缺陷，如桥连(bridge)，散焦(defocus)等缺陷会不同程度的影响半导体集成电路的良率，因此光刻后的缺陷检测必不可少，如在12英寸晶圆生产过程中。但由于光刻胶对缺陷检测机台发出的电子束敏感，若缺陷检测机台采用高电压电流程式进行缺陷检测会对光刻胶造成破坏，因此带光刻胶的晶圆缺陷检测需要使用特殊的检测程式，该程式电压电流相对较低。目前，在实际操作过程中需要人为判断晶圆状态(是否表面带光刻胶)后选择相应的程式，然而人工判断会有程式选错的情况，从而造成光刻胶损坏，影响后续工艺，并增加人力成本。
发明内容
本发明的目的在于提供一种缺陷检测机台监测晶圆缺陷的方法，以避免带光阻晶圆在缺陷检测时光阻被损害风险，并降低人工成本。
本发明提供的缺陷检测机台监测晶圆缺陷的方法，包括：S1：将待检测晶圆置于缺陷检测机台的腔体内；S2：利用缺陷检测机台对晶圆表面吸光度进行检测；S3：判断晶圆表面吸光度是否大于或等于预定值，若是则进入步骤S4；其中步骤S4为缺陷检测机台自动判断检测缺陷检测程式是否为对应带光阻的晶圆检测的低电压电流程式，如果是，则继续进行缺陷检测，若否则进入步骤S5，其中步骤S5为将缺陷检测机台的检测缺陷检测程式更换为对应带光阻的晶圆检测的低电压电流程式。
更进一步的，步骤S3中当晶圆表面吸光度小于预定值时进入步骤S6，在步骤S6中缺陷检测机台利用对应不带光阻的晶圆检测的高电压电流程式对晶圆进行缺陷检测。
更进一步的，步骤S6中的高电压电流程式为电子束能量大于1000eV的缺陷检测程式。
更进一步的，步骤S4中的低电压电流程式为电子束能量小于600eV的缺陷检测程式。
更进一步的，步骤S2中缺陷检测机台根据置于缺陷检测机台中的光学显微镜接收的反射光量测定晶圆表面吸光度。
更进一步的，步骤S2中缺陷检测机台中的光学显微镜发出入射光至晶圆，并接收从晶圆反射回来的反射光，入射光量与反射光量之间的差即为晶圆表面吸光度。
更进一步的，步骤S2中使用的光学显微镜为缺陷检测机台中固有的光学显微镜。
更进一步的，在步骤S5中，首先缺陷检测暂停，并在缺陷检测机台屏幕上显示程式有误的提醒，工程师根据缺陷检测机台屏幕上的提醒更换缺陷检测程式为对应带光阻的晶圆检测的低电压电流程式。
本发明提供的缺陷检测机台监测晶圆缺陷的方法，通过在晶圆缺陷检测前增加一道缺陷检测机台对晶圆表面吸光度进行检测的工艺，并根据晶圆表面吸光度选择缺陷检测机台的缺陷检测程式，减小人工判断晶圆表面状况的误差，避免带光阻晶圆在缺陷检测时光阻被损害风险，并降低人工成本。
附图说明
图1为本发明一实施例的缺陷检测机台监测晶圆缺陷的方法的流程图。
图2为本发明一实施例的缺陷检测机台的示意图。
具体实施方式
下面将结合附图，对本发明中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在不做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
为了在晶圆缺陷检测过程中，精确选择缺陷检测程式，避免因缺陷检测导致的光刻胶损害而影响后续工艺，并减少人力成本。在本发明一实施例中，提供一种缺陷检测机台监测晶圆缺陷的方法，具体的，请参阅图1，图1为本发明一实施例的缺陷检测机台监测晶圆缺陷的方法的流程图。本发明一实施例的缺陷检测机台监测晶圆缺陷的方法，包括：S1：将待检测晶圆置于缺陷检测机台的腔体内；S2：利用缺陷检测机台对晶圆表面吸光度进行检测；S3：判断晶圆表面吸光度是否大于或等于预定值，若是则进入步骤S4；其中步骤S4为缺陷检测机台自动判断检测缺陷检测程式是否为对应带光阻的晶圆检测的低电压电流程式，如果是，则继续进行缺陷检测，若否则进入步骤S5，其中步骤S5为将缺陷检测机台的检测缺陷检测程式更换为对应带光阻的晶圆检测的低电压电流程式。
如此，通过在晶圆缺陷检测前增加一道缺陷检测机台对晶圆表面吸光度进行检测的工艺，并根据晶圆表面吸光度选择缺陷检测机台的缺陷检测程式，减小人工判断晶圆表面状况的误差，避免带光阻晶圆在缺陷检测时光阻被损害风险，并降低人工成本。
具体的，在本发明一实施例中，步骤S3中当晶圆表面吸光度小于预定值时进入步骤S6，在步骤S6中缺陷检测机台利用对应不带光阻的晶圆检测的高电压电流程式对晶圆进行缺陷检测。在本发明一实施例中，步骤S3中的预定值可根据实际工艺的需求进行设定，本发明对此并不做具体限定。具体的，在本发明一实施例中，步骤S6中的高电压电流程式为电子束能量大于1000eV的缺陷检测程式。
具体的，在本发明一实施例中，步骤S4中的低电压电流程式为电子束能量小于600eV的缺陷检测程式。
具体的，在本发明一实施例中，步骤S2中缺陷检测机台根据置于缺陷检测机台中的光学显微镜(OM)接收的反射光量测定晶圆表面吸光度，以此判断晶圆表面是否带有光阻。具体的，请参阅图2，图2为本发明一实施例的缺陷检测机台的示意图。如图2所示，缺陷检测机台包括光学显微镜(OM)100，光学显微镜(OM)100接收从晶圆200反射的反射光量，根据反射光量测定晶圆表面吸光度，以此判断晶圆表面是否带有光阻。具体的，在本发明一实施例中，步骤S2中缺陷检测机台中的光学显微镜(OM)发出入射光至晶圆200，并接收从晶圆200反射回来的反射光，入射光量与反射光量之间的差即为晶圆表面吸光度，以此判断晶圆表面是否带有光阻。具体的，在本发明一实施例中，步骤S2中使用的光学显微镜(OM)为缺陷检测机台中固有的光学显微镜。
具体的，在本发明一实施例中，在步骤S5中，首先缺陷检测暂停，并在缺陷检测机台屏幕上显示程式有误的提醒，工程师根据缺陷检测机台屏幕上的提醒更换缺陷检测程式为对应带光阻的晶圆检测的低电压电流程式。
综上所述，通过在晶圆缺陷检测前增加一道缺陷检测机台对晶圆表面吸光度进行检测的工艺，并根据晶圆表面吸光度选择缺陷检测机台的缺陷检测程式，减小人工判断晶圆表面状况的误差，避免带光阻晶圆在缺陷检测时光阻被损害风险，并降低人工成本。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (8)

1.一种缺陷检测机台监测晶圆缺陷的方法，其特征在于，包括：S1：将待检测晶圆置于缺陷检测机台的腔体内；S2：利用缺陷检测机台对晶圆表面吸光度进行检测；S3：判断晶圆表面吸光度是否大于或等于预定值，若是则进入步骤S4；其中步骤S4为缺陷检测机台自动判断检测缺陷检测程式是否为对应带光阻的晶圆检测的低电压电流程式，如果是，则继续进行缺陷检测，若否则进入步骤S5，其中步骤S5为将缺陷检测机台的检测缺陷检测程式更换为对应带光阻的晶圆检测的低电压电流程式。
2.根据权利要求1所述的缺陷检测机台监测晶圆缺陷的方法，其特征在于，步骤S3中当晶圆表面吸光度小于预定值时进入步骤S6，在步骤S6中缺陷检测机台利用对应不带光阻的晶圆检测的高电压电流程式对晶圆进行缺陷检测。
3.根据权利要求2所述的缺陷检测机台监测晶圆缺陷的方法，其特征在于，步骤S6中的高电压电流程式为电子束能量大于1000eV的缺陷检测程式。
4.根据权利要求1所述的缺陷检测机台监测晶圆缺陷的方法，其特征在于，步骤S4中的低电压电流程式为电子束能量小于600eV的缺陷检测程式。
5.根据权利要求1所述的缺陷检测机台监测晶圆缺陷的方法，其特征在于，步骤S2中缺陷检测机台根据置于缺陷检测机台中的光学显微镜接收的反射光量测定晶圆表面吸光度。
6.根据权利要求5所述的缺陷检测机台监测晶圆缺陷的方法，其特征在于，步骤S2中缺陷检测机台中的光学显微镜发出入射光至晶圆，并接收从晶圆反射回来的反射光，入射光量与反射光量之间的差即为晶圆表面吸光度。
7.根据权利要求5所述的缺陷检测机台监测晶圆缺陷的方法，其特征在于，步骤S2中使用的光学显微镜为缺陷检测机台中固有的光学显微镜。
8.根据权利要求1所述的缺陷检测机台监测晶圆缺陷的方法，其特征在于，在步骤S5中，首先缺陷检测暂停，并在缺陷检测机台屏幕上显示程式有误的提醒，工程师根据缺陷检测机台屏幕上的提醒更换缺陷检测程式为对应带光阻的晶圆检测的低电压电流程式。
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