CN110571410A - 一种碳基插层化合物及其制备方法、应用 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种碳基插层化合物及其制备方法、应用,涉及铝离子电池技术领域,以使得碳基插层化合物应用于铝离子电池时,铝离子电池具有较高的比容量。所述该碳基插层化合物包括碳源材料,所述碳源材料具有层间结构,所述碳源材料所具有的层间结构插有三氯化铝。所述碳基插层化合物的制备方法用于制备上述碳基插层化合物。本发明提供的碳基插层化合物用于铝离子电池中。
Description
技术领域
本发明涉及铝离子电池技术领域,尤其涉及一种碳基插层化合物及其制备方法、应用。
背景技术
铝离子电池是一种在充放电过程中,铝基离子在正负极之间进行转移的电池,其相对于锂离子电池,具有材料丰富,成本低,更加安全等优点。
现有铝离子电池所使用的电解液为离子液体[EMIm]Cl/AlCl3,其以热解石墨为正极,在热解石墨中可逆的嵌入四氯化铝离子,使得所形成的铝离子电池具有良好的稳定性和可逆性,然而热解石墨的层间距离小,使得热解石墨为四氯化铝离子提供的嵌入空间有限,导致所获得铝离子电池的比容量和充电电压没有明显提升。
发明内容
本发明的目的在于提供一种碳基插层化合物及其制备方法、应用,以使得碳基插层化合物应用于铝离子电池时,铝离子电池具有较高的比容量。
为了实现上述目的,本发明提供如下技术方案:
一种碳基插层化合物,该碳基插层化合物包括碳源材料,所述碳源材料具有层间结构,所述碳源材料所具有的层间结构插有三氯化铝。
与现有技术相比,本发明提供的碳基插层化合物中,碳源材料具有层间结构,碳源材料所具有的层间结构插有三氯化铝,使得三氯化铝可以将碳源材料所具有的层间结构进行扩充,使得碳源材料所具有的层间结构能够为四氯化铝离子提供更多的嵌入空间和脱出空间。因此,相对于现有技术,当碳基插层化合物作为电池正极材料用于铝离子电池时,铝离子电池的比容量和充电电压有了显著的提高。
本发明还提供了一种上述技术方案所述的碳基插层化合物的制备方法,该碳基插层化合物的制备方法包括:
将碳源材料和三氯化铝混合,获得预混物;
对预混物进行加热直至三氯化铝气化,获得三氯化铝蒸汽;
在加热条件下,三氯化铝蒸汽与碳源材料接触,使得三氯化铝插入碳源材料所具有的层间结构,获得碳基插层化合物。
与现有技术相比,本发明提供的碳基插层化合物的制备方法的有益效果与上述技术方案所述的碳基插层化合物的有益效果相同,在此不做赘述。
本发明还提供了一种碳基插层化合物在铝离子电池中的应用。
与现有技术相比,本发明提供的碳基插层化合物在铝离子电池中的应用的有益效果与上述技术方案所述的碳基插层化合物的有益效果相同,在此不做赘述。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解,构成本发明的一部分,本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明,并不构成对本发明的不当限定。在附图中:
图1为本发明实施例提供的碳基插层化合物的制备方法的流程图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
如图1所示,本发明实施例提供的碳基插层化合物包括碳源材料,碳源材料具有层间结构,碳源材料所具有的层间结构插有三氯化铝。该碳基插层化合物采用如下制备方法制备:
第一步:将碳源材料和三氯化铝混合,获得预混物;碳源材料和三氯化铝的比例可根据实际情况设定,为了使得三氯化铝更为充分的插入到碳源材料中,上述碳源材料和三氯化铝的摩尔比为1:(0.01~0.5)。
进一步,碳源材料和三氯化铝的摩尔比为1:(0.01~0.1),在这个摩尔比范围内,碳源材料所具有的层间结构能够最大限度的被插入三氯化铝,又能够减少三氯化铝的浪费,避免三氯化铝加入量过大时,需对所获得的碳基插层化合物进行清洗。
第二步:对预混物进行加热直至三氯化铝气化,获得三氯化铝蒸汽;
第三步:在加热条件下,三氯化铝蒸汽与碳源材料接触,使得三氯化铝插入碳源材料所具有的层间结构,获得碳基插层化合物。
基于上述碳基插层化合物具体组成和制备方法可知,碳源材料具有层间结构,所述碳源材料所具有的层间结构插有三氯化铝,使得三氯化铝可以将碳源材料所具有的层间结构进行扩充,为四氯化铝离子嵌入碳源材料所具有的层间结构或从碳源材料所具有的层间结构脱出提供更宽的通道;也就是说,碳源材料所具有的层间结构能够为四氯化铝离子提供更多的嵌入空间和脱出空间。因此,相对于现有技术,当碳基插层化合物作为电池正极材料用于铝离子电池时,铝离子电池的比容量和充电电压有了显著的提高。
上述碳基插层化合物至少为一阶碳基插层化合物,但一般所制备的碳基插层化合物包括一阶碳基插层化合物、二阶碳基插层化合物、三阶碳基插层化合物或四阶碳基插层化合物。理想状态下,所制备的碳基插层化合物为一阶石墨层间化合物,但是本发明实施例提供的碳基插层化合物所要解决的技术问题是:利用三氯化铝对碳源材料所具有的层间结构进行扩充,使得四氯化铝离子更加容易的嵌入碳源材料所具有的层间结构,并且更容易的从碳源材料所具有的层间结构脱出,因此,本发明实施例提供的碳基插层化合物的具体种类并不重要,可以是一阶碳基插层化合物、二阶碳基插层化合物、三阶碳基插层化合物、四阶碳基插层化合物中任意一种,只是阶数越低,其对应的碳基插层化合物具有更高的电池容量和更高的充电电压。其中,上述碳基插层化合物的阶数等于n+1,n为相邻两个插入三氯化铝的层间结构的层间结构数量;换句话说,当上述碳基材料所具有的层间结构中,每个层间都插入有三氯化铝,将每个层间插入的三氯化铝定义为一个三氯化铝层,则相邻两个三氯化铝层所具有的碳基材料的层数量就为上述碳基插层化合物的阶数。
上述实施例提供的碳基插层结构所包括的碳源材料可使用作为锂离子电池负极材料的碳系石墨类材料,如人造石墨化碳和/或天然石墨。对于人造石墨化碳来说,人造石墨化碳包括各种石墨化程度不同的软碳和/或硬碳;其中,
上述软碳包括针状焦、焦炭、中间相碳微球、石油焦、碳纤维中的一种或多种,上述硬碳包括有机聚合物热解碳和/或碳黑;有机聚合物热解碳包括酚醛树脂碳、环氧树脂碳、聚糠醇树脂碳、聚乙烯醇(polyvinyl alcohol,缩写为PVA)热解碳、聚丙烯腈(polyacrylonitrile,缩写为PAN)热解碳、聚氯乙烯(Polyvinyl chloride,缩写为PVC)热解碳、聚偏氟乙烯(Poly(vinylidene fluoride,缩写为PVDF)热解碳中的一种或多种。
对于上述所提到的人造石墨化碳和/或天然石墨,其层间结构的层间距离为0.35nm~0.44nm,四氯化铝离子的离子直径为0.528nm,这导致四氯化铝离子难以插入上述所提到的人造石墨化碳和/或天然石墨所具有的层间结构中。上述实施例提供的碳基插层结构中碳源材料所具有的层间结构中插入了三氯化铝,使得三氯化铝能够扩充碳源材料所具有的层间结构,以更好地为四氯化铝离子提供插入和脱出碳源材料所具有的层间结构的通道,使得碳基插层化合物作为铝离子电池的正极材料使用时,铝离子电池具有更高的比容量和充电电压。
本发明实施例还提供了一种上述实施例所提供的碳基插层化合物的制备方法,如图1所示,该碳基插层化合物的制备方法包括:
步骤S300:对三氯化铝进行加热直至三氯化铝气化,获得三氯化铝蒸汽,且三氯化铝蒸汽与碳源材料接触,使得三氯化铝插入碳源材料所具有的层间结构,获得碳基插层化合物。
与现有技术相比,本发明实施例提供的碳基插层化合物的制备方法的有益效果与上述实施例提供的碳基插层化合物的有益效果相同,在此不做赘述。另外,三氯化铝蒸汽与碳源材料接触,使得三氯化铝与碳源材料的接触比较充分;而且,三氯化铝蒸汽是以分子态的形式分布在接触空间内,使得三氯化铝与碳源材料的接触实现分子级别的接触,从而保证三氯化铝进入碳源材料所具有的纳米级别的层间结构。而且,由上述碳基插层化合物的制备方法可知,本发明实施例提供的碳基插层化合物的制备过程比较简单,且原料比较容易获得,只需加热即可获得所需的碳基插层化合物,因此,本发明实施例提供的碳基插层化合物的制备成本低,便于工业化生产。
具体的,如图1所示,上述对三氯化铝进行加热前,本发明实施例提供的碳基插层化合物的制备方法还包括:
步骤S200:在无水无氧条件下,将碳源材料与无水三氯化铝混合,获得预混物;
上述对三氯化铝进行加热包括:在无水无氧条件下,对预混物进行加热,使得预混物所包括的碳源材料和三氯化铝被加热。
考虑到水分对于电化学反应的影响,上述将碳源材料与无水三氯化铝混合应当在无水无氧的条件下进行,且所使用的三氯化铝也为无水三氯化铝。同时,将碳源材料与三氯化铝混合前,本发明实施例提供的碳基插层化合物的制备方法还包括:
步骤S100:将碳源材料进行如干燥等无水化处理,使得碳源材料所含有的水分质量百分比小于等于0.1%。
需要说明的是,上述实施例对三氯化铝加热,其目的是使得三氯化铝升华,以形成三氯化铝蒸汽,因此,上述加热温度应最低应当为三氯化铝的升华温度。
具体的,上述对预混物进行加热包括:
步骤S300:将预混物按照2℃/min~10℃/min的加热速度加热至180℃~300℃,使得预混物在180℃~300℃保温反应1h-24h,使得三氯化铝升华为三氯化铝蒸汽,并与碳源材料接触,以保证三氯化铝插入碳源材料具有的层间结构中,获得碳基插层化合物。
本发明实施例通过对预混物进行加热的过程进行控制,使得预混物先逐渐加热至180℃~300℃,以使得三氯化铝在这个温度下升华成三氯化铝蒸汽,以实现三氯化铝蒸汽与碳源材料的接触。不仅如此,将预混物按照2℃/min~10℃/min的加热速度加热至180℃~300℃的过程中,预混物所包括的碳源材料宏观上比较疏松,有利于提高三氯化铝蒸汽与碳源材料的有效接触面积。
可选的,上述保温反应的温度为200℃~250℃,上述保温反应的时间为6h~12h;在这个温度范围内,三氯化铝不仅能够充分的升华,而且还能够保证碳源材料的层间结构不会因为高温而发生变化。
考虑到获得碳基插层化合物后,碳基插层化合物逐渐降温,会使得已经插入碳源材料所具有的层间结构内的三氯化铝会在碳源材料的表面析出;因此,如图1所示,获得碳基插层化合物后,本发明实施例提供的碳基插层化合物的制作方法:
步骤S400:对碳基插层化合物进行淬火处理,具体淬火处理可使用水或冰水混合物对碳基插层化合物进行急速降温,以保证碳源材料所具有的层间结构所插入的三氯化铝保持原有分布位置。
需要说明的是,本发明实施例提供的碳基插层化合物的制备方法中,通过将AlCl3预先插层至碳源材料所具有的层间结构中,为铝离子电池充放电过程四氯化铝离子的嵌入和脱出打开通道。在一定反应空间内,碳源材料AlCl3的摩尔比和反应温度影响反应体系压力,而反应体系压力决定了三氯化铝插入碳源材料所具有的层间结构的插入量。具体反应体系压力在1MPa~30MPa时,所形成的碳基插层化合物中,碳源材料所具有的层间结构的三氯化铝插入量比较多。
下面结合附图举例说明本发明实施例提供的碳基插层化合物的制备方法。
实施例一
步骤S100:将石墨化程度为70%的针状焦进行干燥,使得针状焦所含有的水分质量百分比小于等于0.05%。
步骤S200:将针状焦和无水三氯化铝在手套箱中混合,获得预混物;手套箱内无水无氧,保证预混物中不含水分。
步骤S300:将预混物置于无水无氧的反应釜内,并进行密闭,使得预混物处在无水无氧环境中,然后将反应釜放入马弗炉内按照2℃/min的加热速度加热至180℃,使得预混物在反应体系压力为5MPa的条件下,于180℃保温反应24h,这样三氯化铝升华为三氯化铝蒸汽,并与针状焦接触,以保证三氯化铝插入针状焦具有的层间结构中,获得碳基插层化合物。
步骤S400:将碳基插层化合物迅速放入水中进行淬火处理。
实施例二
步骤S100:将中间相碳微球进行干燥,使得中间相碳微球所含有的水分质量百分比小于等于0.05%。
步骤S200:将中间相碳微球和无水三氯化铝在手套箱中混合,获得预混物;手套箱内无水无氧,保证预混物中不含水分。
步骤S300:将预混物置于无水无氧的反应釜内,并进行密闭,使得预混物处在无水无氧环境中,然后将反应釜放入马弗炉内按照5℃/min的加热速度加热至200℃,使得预混物在反应体系压力为10MPa的条件下,于200℃保温反应12h,这样三氯化铝升华为三氯化铝蒸汽,并与中间相碳微球接触,以保证三氯化铝插入中间相碳微球具有的层间结构中,获得碳基插层化合物。
步骤S400:将碳基插层化合物迅速放入冰水混合物中进行淬火处理。
实施例三
步骤S100:将天然石墨进行干燥,使得天然石墨所含有的水分质量百分比小于等于0.02%。
步骤S200:将天然石墨和无水三氯化铝在手套箱中混合,获得预混物;手套箱内无水无氧,保证预混物中不含水分。
步骤S300:将预混物置于无水无氧的反应釜内,并进行密闭,使得预混物处在无水无氧环境中,然后将反应釜放入马弗炉内按照10℃/min的加热速度加热至300℃,使得预混物在反应体系压力为30MPa的条件下,于300℃保温反应1h,这样三氯化铝升华为三氯化铝蒸汽,并与天然石墨接触,以保证三氯化铝插入天然石墨具有的层间结构中,获得碳基插层化合物。
步骤S400:将碳基插层化合物迅速放入冰水混合物中进行淬火处理。
实施例四
步骤S100:将聚乙烯醇热解碳进行干燥,使得聚乙烯醇热解碳所含有的水分质量百分比小于等于0.03%。
步骤S200:将聚乙烯醇热解碳和无水三氯化铝在手套箱中混合,获得预混物;手套箱内无水无氧,保证预混物中不含水分。
步骤S300:将预混物置于无水无氧的反应釜内,并进行密闭,使得预混物处在无水无氧环境中,然后将反应釜放入马弗炉内按照4℃/min的加热速度加热至220℃,使得预混物在反应体系压力为1MPa的条件下,于220℃保温反应9h,这样三氯化铝升华为三氯化铝蒸汽,并与聚乙烯醇热解碳接触,以保证三氯化铝插入聚乙烯醇热解碳具有的层间结构中,获得碳基插层化合物。
步骤S400:将碳基插层化合物迅速放入冰水混合物中进行淬火处理。
实施例五
步骤S100:将质量比为1:3:1的环氧树脂碳、聚糠醇树脂碳和和石油焦所形成的石墨化碳混合物进行干燥,使得石墨化碳混合物所含有的水分质量百分比小于等于0.08%。
步骤S200:将石墨化碳混合物和无水三氯化铝在手套箱中混合,获得预混物;手套箱内无水无氧,保证预混物中不含水分。
步骤S300:将预混物置于无水无氧的反应釜内,并进行密闭,使得预混物处在无水无氧环境中,然后将反应釜放入马弗炉内按照8℃/min的加热速度加热至250℃,使得预混物在反应体系压力为15MPa的条件下,于250℃保温反应6h,这样三氯化铝升华为三氯化铝蒸汽,并与石墨化碳混合物接触,以保证三氯化铝插入石墨化碳混合物中环氧树脂碳、聚糠醇树脂碳和和石油焦所具有的层间结构中,获得碳基插层化合物。
步骤S400:将碳基插层化合物迅速放入水中进行淬火处理。
实施例六
步骤S100:将质量比为1:1的焦炭和碳纤维所形成的石墨化碳混合物进行干燥,使得石墨化碳混合物所含有的水分质量百分比小于等于0.08%。
步骤S200:将石墨化碳混合物和无水三氯化铝在手套箱中混合,获得预混物;手套箱内无水无氧,保证预混物中不含水分。
步骤S300:将预混物置于无水无氧的反应釜内,并进行密闭,使得预混物处在无水无氧环境中,然后将反应釜放入马弗炉内按照5℃/min的加热速度加热至260℃,使得预混物在反应体系压力为12MPa的条件下,于260℃保温反应18h,这样三氯化铝升华为三氯化铝蒸汽,并与石墨化碳混合物接触,以保证三氯化铝插入石墨化碳混合物中焦炭和碳纤维所具有的层间结构中,获得碳基插层化合物。
步骤S400:将碳基插层化合物迅速放入水中进行淬火处理。
实施例七
步骤S100:将碳黑进行干燥,使得碳黑所含有的水分质量百分比小于等于0.03%。
步骤S200:将碳黑和无水三氯化铝在手套箱中混合,获得预混物;手套箱内无水无氧,保证预混物中不含水分。
步骤S300:将预混物置于无水无氧的反应釜内,并进行密闭,使得预混物处在无水无氧环境中,然后将反应釜放入马弗炉内按照7℃/min的加热速度加热至200℃,使得预混物在反应体系压力为20MPa的条件下,于200℃保温反应4h,这样三氯化铝升华为三氯化铝蒸汽,并与碳黑接触,以保证三氯化铝插入碳黑具有的层间结构中,获得碳基插层化合物。
步骤S400:将碳基插层化合物迅速放入冰水混合物中进行淬火处理。
实施例八
步骤S100:将质量比为2:1:1的碳黑、酚醛树脂碳和聚丙烯腈热解碳所形成的石墨化碳混合物进行干燥,使得碳黑所含有的水分质量百分比小于等于0.03%。
步骤S200:将石墨化碳混合物和无水三氯化铝在手套箱中混合,获得预混物;手套箱内无水无氧,保证预混物中不含水分。
步骤S300:将预混物置于无水无氧的反应釜内,并进行密闭,使得预混物处在无水无氧环境中,然后将反应釜放入马弗炉内按照7℃/min的加热速度加热至200℃,使得预混物在反应体系压力为20MPa的条件下,于200℃保温反应4h,这样三氯化铝升华为三氯化铝蒸汽,并与石墨化碳混合物接触,以保证三氯化铝插入石墨化碳混合物中碳黑、酚醛树脂碳和聚丙烯腈热解碳具有的层间结构中,获得碳基插层化合物。
步骤S400:将碳基插层化合物迅速放入冰水混合物中进行淬火处理。
实施例九
步骤S100:将质量比为1:3的聚氯乙烯热解碳和聚偏氟乙烯热解碳所形成的石墨化碳混合物进行干燥,使得石墨化碳混合物所含有的水分质量百分比小于等于0.08%。
步骤S200:将石墨化碳混合物和无水三氯化铝在手套箱中混合,获得预混物;手套箱内无水无氧,保证预混物中不含水分。
步骤S300:将预混物置于无水无氧的反应釜内,并进行密闭,使得预混物处在无水无氧环境中,然后将反应釜放入马弗炉内按照5℃/min的加热速度加热至220℃,使得预混物在反应体系压力为10MPa的条件下,于220℃保温反应8h,这样三氯化铝升华为三氯化铝蒸汽,并与石墨化碳混合物接触,以保证三氯化铝插入石墨化碳混合物中聚氯乙烯热解碳和聚偏氟乙烯热解碳所具有的层间结构中,获得碳基插层化合物。
步骤S400:将碳基插层化合物迅速放入水中进行淬火处理。
本发明实施例还提供了一种碳基插层化合物在铝离子电池中的应用。
与现有技术相比,本发明实施例提供的碳基插层化合物在铝离子电池中的应用的有益效果与上述技术方案所述的碳基插层化合物的有益效果相同,在此不做赘述。
具体的,上述铝离子电池的正极材料为碳基插层化合物。
表1中列出了上述实施例一至四所制备的碳基插层化合物作为铝离子电池的正极材料时,铝离子电池的充放电对应的比容量。其中,铝离子电池的电解液为离子液体[EMIm]Cl/AlCl3。
表1铝离子电池在充放电过程中的比容量
材料名称 | 充放电电压范围(V) | 比容量(mAh/g) | |
对照样品一 | 针状焦 | 0.5-2.32 | 43 |
实施例一 | 针状焦-AlCl<sub>3</sub> | 0.5-2.36 | 54 |
对照样品二 | 中间相碳微球 | 0.7-2.31 | 64 |
实施例二 | 中间相碳微球-AlCl<sub>3</sub> | 0.7-2.34 | 71 |
对照样品三 | 天然石墨 | 0.7-2.31 | 65 |
实施例三 | 天然石墨-AlCl<sub>3</sub> | 0.7-2.33 | 74 |
对照样品四 | 聚乙烯醇热解碳 | 0.5-2.4 | 17 |
实施例四 | 聚乙烯醇热解碳-AlCl<sub>3</sub> | 0.5-2.45 | 23 |
由表1可以看出,相对于没有进行插层处理的碳源材料,经过插层处理的碳源材料所形成的碳基插层化合物应用于铝离子电池的正极材料,铝离子电池的充放电比容量有了较大的提高。
在上述实施方式的描述中,具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
以上所述,仅为本发明的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此,本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (13)
1.一种碳基插层化合物,其特征在于,包括碳源材料,所述碳源材料具有层间结构,所述碳源材料所具有的层间结构插有三氯化铝。
2.根据权利要求1所述的碳基插层化合物,其特征在于,所述碳基插层化合物为至少一阶碳基插层化合物。
3.根据权利要求1所述的碳基插层化合物,其特征在于,所述碳源材料和三氯化铝的摩尔比为1:(0.01~0.5)。
4.根据权利要求1所述的碳基插层化合物,其特征在于,所述碳源材料为人造石墨化碳和/或天然石墨。
5.根据权利要求4所述的碳基插层化合物,其特征在于,所述人造石墨化碳包括软碳和/或硬碳。
6.根据权利要求5所述的碳基插层化合物,其特征在于,所述软碳包括针状焦、焦炭、中间相碳微球、石油焦、碳纤维中的一种或多种;所述硬碳包括有机聚合物热解碳和/或碳黑。
7.一种权利要求1~6任一项所述的碳基插层化合物的制备方法,其特征在于,包括:
对三氯化铝进行加热,获得三氯化铝蒸汽,且三氯化铝蒸汽与碳源材料接触,使得三氯化铝插入碳源材料所具有的层间结构,获得碳基插层化合物。
8.根据权利要求7所述的碳基插层化合物的制备方法,其特征在于,所述对三氯化铝进行加热前,所述碳基插层化合物的制备方法还包括:
在无水无氧条件下,将碳源材料与无水三氯化铝混合,获得预混物;
所述对三氯化铝进行加热包括:
对所述预混物进行加热,使得所述预混物所包括的碳源材料和三氯化铝被加热。
9.根据权利要求8所述的碳基插层化合物的制备方法,其特征在于,所述将碳源材料与三氯化铝混合前,所述碳基插层化合物的制备方法还包括:
将所述碳源材料进行无水化处理。
10.根据权利要求8所述的碳基插层化合物的制备方法,其特征在于,所述对预混物进行加热包括:
在无水无氧条件下,将预混物按照2℃/min~10℃/min的加热速度加热至180℃~300℃,使得预混物在1MPa~30MPa的反应体系压力下,于180℃~300℃保温反应1h-24h,使得三氯化铝升华为三氯化铝蒸汽,并与碳源材料接触,获得碳基插层化合物。
11.根据权利要求8所述的碳基插层化合物的制备方法,其特征在于,所述获得碳基插层化合物后,所述碳基插层化合物的制备方法还包括:
对所述碳基插层化合物进行淬火处理。
12.一种碳基插层化合物在铝离子电池中的应用。
13.根据权利要求12所述的应用,其特征在于,所述铝离子电池的正极材料为所述碳基插层化合物。
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