CN110564085A - 一种用于高性能电路板的ptfe陶瓷改性基材膜的制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种用于高性能电路板的PTFE陶瓷改性基材膜的制造方法。用于高性能电路板的PTFE陶瓷改性基材膜是由聚四氟乙烯悬浮树脂和陶瓷粉以100：1‑60的重量比混合后经模压、烧结及车削而制成。本发明提供的PTFE陶瓷改性基材膜不仅具备PTFE材料的耐老化性、耐高低温、耐腐蚀性、低吸水率、介电的稳定性等优点，而且经过陶瓷的改性可以调节介电常数，降低或保持低的介电损耗并增加强度。在高频率、低波长，如Sub6和毫米波条件下需要高性能的电路板基材具备低的DK值和低的DF值，或者高的DK值和低的DF值，PTFE陶瓷改性基材膜可满足此条件。
Description
技术领域
本发明属于聚四氟乙烯生产技术领域，尤其是涉及一种用于高性能电路板的PTFE陶瓷改性基材膜的制造方法。
背景技术
由于5G的到来，高性能的电路板急需能够满足在高频率、低波长条件使用的材料，此材料需要有高的介电常数和低的介电损耗或者低的介电常数和低的介电损耗同时还要有良好的耐高低温性能和化学稳定性、低吸水率、低回弹力，良好的机械强度和低的延伸率。聚四氟乙烯材料本身具备良好的耐高低温性能和化学稳定性、低吸水率、低回弹力，电性能，但是介电常数不可调节，强度偏低，延伸率偏高，为了克服这些缺点，本发明用陶瓷改性PTFE悬浮树脂获得基材膜可用于高性能电路板。
发明内容
有鉴于此，为了克服背景技术的缺点与不足之处，本发明提供一种用于高性能电路板的PTFE陶瓷改性基材膜的制造方法，可解决上述问题。
为达到上述目的，本发明的技术方案是这样实现的：
一种用于高性能电路板的PTFE陶瓷改性基材膜的制造方法，包括如下步骤：
步骤A，将聚四氟乙烯悬浮树脂和陶瓷粉以100:10-60的重量比在混料机中共混，而制成混配料；
步骤B，在由外模、上压模，下压模和中芯组成的腔内放入上述混配料，然后以10-40mm/min的加压速度加压到10-30Mpa的单位压力，保压5-150分钟完成压制成型，卸去压力、出模得到模压成型毛坯；
步骤C，将模压成型毛坯放入烧结炉中按照烧结曲线进行烧结，即可得到具有强度的烧结毛坯；
步骤D，将烧结后的毛坯顶入轴芯，固定在旋切机机床上然后旋转，设置旋切机刀具的进刀量及速度对烧结后的毛坯进行旋切，得到旋切膜，收卷机将旋切膜进行收卷，得到整卷旋切膜。
优选的，所述步骤A中，共混时间为1-5分钟。
优选的，所述步骤C中，烧结曲线由升温、保温和降温3个阶段组成，
升温速率为：150℃以下时，≤60℃/h；150℃-300℃时，≤40℃/h，300℃以上时，6-10℃/h，升温至280℃保温2-20小时，升温至330℃保温2-20小时，在365℃到380℃之间保温，保温时间按照厚度计算为1h/cm，降温至330℃保温2-20小时，降温至280℃保温2-20小时；
降温速率为：250℃之前时，降温速度为5-15℃/h；250℃-100℃时，降温速度为25℃/h，降到100℃，打开炉门自然冷却。
优选的，所述步骤D中，旋切膜的厚度为0.02mm-10mm。
优选的，所述步骤B中，模压成型毛坯的外径为10-900mm，长度为10-1500mm。
相对于现有技术，本发明所述的用于高性能电路板的PTFE陶瓷改性基材膜的制造方法具有以下优势：本发明提供的PTFE陶瓷改性基材膜不仅具备PTFE材料的耐老化性、耐高低温、耐腐蚀性、低吸水率、介电的稳定性等优点，而且经过陶瓷的改性可以调节介电常数，降低或保持低的介电损耗并增加强度。在高频率、低波长，如Sub6和毫米波条件下需要高性能的电路板基材具备低的DK值和低的DF值，或者高的DK值和低的DF值，PTFE陶瓷改性基材膜可满足此条件。
具体实施方式
除非另外说明，本文中所用的术语均具有本领域技术人员常规理解的含义，为了便于理解本发明，将本文中使用的一些术语进行了下述定义。
在说明书和权利要求书中使用的，单数型“一个”和“这个”包括复数参考，除非上下文另有清楚的表述。例如，术语“(一个)细胞”包括复数的细胞，包括其混合物。
所有的数字标识，例如pH、温度、时间、浓度，包括范围，都是近似值。要了解，虽然不总是明确的叙述所有的数字标识之前都加上术语“约”。同时也要了解，虽然不总是明确的叙述，本文中描述的试剂仅仅是示例，其等价物是本领域已知的。
下面结合实施例来详细说明本发明创造。
实施例1
一种用于高性能电路板的PTFE陶瓷改性基材膜的制造方法，包括如下步骤：
步骤A，将聚四氟乙烯悬浮树脂和陶瓷粉以100:10的重量比在混料机中共混，共混时间为2分钟，制成混配料；
步骤B，在由外模、上压模，下压模和中芯组成的腔内放入上述混配料，然后以20mm/min的加压速度加压到15Mpa的单位压力，保压30分钟完成压制成型，卸去压力、出模得到模压成型毛坯；模压成型毛坯的外径为230mm，长度为200mm。
步骤C，将模压成型毛坯放入烧结炉中按照烧结曲线进行烧结，即可得到具有强度的烧结毛坯；
烧结曲线由升温、保温和降温3个阶段组成。
升温速率为以40℃/h，升温至280℃保温4小时，以30℃/h的速度升温至330℃保温6小时，在370℃保温6小时，15℃/h速度降温至330℃保温4小时，以25℃/h速率降温至280℃保温4小时，冷到100℃可打开炉门自然冷却
步骤D，将烧结后的毛坯顶入轴芯，固定在旋切机机床上然后旋转，设置旋切机刀具的进刀量及速度对烧结后的毛坯进行旋切，得到旋切膜，将旋切膜接到放置在收卷机的管上，收卷机将旋切膜进行收卷，得到整卷旋切膜。旋切膜的厚度为0.05mm。
实施例2
一种用于高性能电路板的PTFE陶瓷改性基材膜的制造方法，包括如下步骤：
步骤A，将聚四氟乙烯悬浮树脂和陶瓷粉以100:20的重量比在混料机中共混，共混时间为3分钟，制成混配料；
步骤B，在由外模、上压模，下压模和中芯组成的腔内放入上述混配料，然后以15mm/min的加压速度加压到15Mpa的单位压力，保压30分钟完成压制成型，卸去压力、出模得到模压成型毛坯；模压成型毛坯的外径为350mm，长度为500mm。
步骤C，将模压成型毛坯放入烧结炉中按照烧结曲线进行烧结，即可得到具有强度的烧结毛坯；
烧结曲线由升温、保温和降温3个阶段组成。
升温速率以40℃/h，升温至280℃保温6小时，以30℃/h的速度升温至330℃保温8小时，在370℃保温10小时，15℃/h速度降温至330℃保温8小时，以25℃/h速率降温至280℃保温6小时，冷到100℃可打开炉门自然冷却；
步骤D，将烧结后的毛坯顶入轴芯，固定在旋切机机床上然后旋转，设置旋切机刀具的进刀量及速度对烧结后的毛坯进行旋切，得到旋切膜，将旋切膜接到放置在收卷机的管上，收卷机将旋切膜进行收卷，得到整卷旋切膜。旋切膜的厚度为0.07mm。
实施例3
一种用于高性能电路板的PTFE陶瓷改性基材膜的制造方法，包括如下步骤：
步骤A，将聚四氟乙烯悬浮树脂和陶瓷粉以100:60的重量比在混料机中共混，共混时间为5分钟，制成混配料；
步骤B，在由外模、上压模，下压模和中芯组成的腔内放入上述混配料，然后以40mm/min的加压速度加压到30Mpa的单位压力，保压100分钟完成压制成型，卸去压力、出模得到模压成型毛坯；模压成型毛坯的外径为900mm，长度为1500mm。
步骤C，将模压成型毛坯放入烧结炉中按照烧结曲线进行烧结，即可得到具有强度的烧结毛坯；
烧结曲线由升温、保温和降温3个阶段组成。
升温速率以60℃/h，升温至300℃保温6小时，以40℃/h的速度升温至330℃保温20小时，在380℃保温10小时，15℃/h速度降温至330℃保温8小时，以25℃/h速率降温至280℃保温6小时，冷到100℃可打开炉门自然冷却；
步骤D，将烧结后的毛坯顶入轴芯，固定在旋切机机床上然后旋转，设置旋切机刀具的进刀量及速度对烧结后的毛坯进行旋切，得到旋切膜，收卷机将旋切膜进行收卷，得到整卷旋切膜。旋切膜的厚度为0.1mm。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (5)
1.一种用于高性能电路板的PTFE陶瓷改性基材膜的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤A，将聚四氟乙烯悬浮树脂和陶瓷粉以100:10-60的重量比在混料机中共混，而制成混配料；
步骤B，在由外模、上压模，下压模和中芯组成的腔内放入上述混配料，然后以10-40mm/min的加压速度加压到10-30Mpa的单位压力，保压5-150分钟完成压制成型，卸去压力、出模得到模压成型毛坯；
步骤C，将模压成型毛坯放入烧结炉中按照烧结曲线进行烧结，即可得到具有强度的烧结毛坯；
步骤D，将烧结后的毛坯顶入轴芯，固定在旋切机机床上然后旋转，设置旋切机刀具的进刀量及速度对烧结后的毛坯进行旋切，得到旋切膜，收卷机将旋切膜进行收卷，得到整卷旋切膜。
2.根据权利要求1所述的用于高性能电路板的PTFE陶瓷改性基材膜的制造方法，其特征在于：所述步骤A中，共混时间为1-5分钟。
3.根据权利要求1所述的用于高性能电路板的PTFE陶瓷改性基材膜的制造方法，其特征在于：所述步骤C中，烧结曲线由升温、保温和降温3个阶段组成，
升温速率为：150℃以下时，≤60℃/h；150℃-300℃时，≤40℃/h，300℃以上时，6-10℃/h，升温至280℃保温2-20小时，升温至330℃保温2-20小时，在365℃到380℃之间保温，保温时间按照厚度计算为1h/cm，降温至330℃保温2-20小时，降温至280℃保温2-20小时；
降温速率为：250℃之前时，降温速度为5-15℃/h；250℃-100℃时，降温速度为25℃/h，降到100℃，打开炉门自然冷却。
4.根据权利要求1所述的用于高性能电路板的PTFE陶瓷改性基材膜的制造方法，其特征在于：所述步骤D中，旋切膜的厚度为0.02mm-10mm。
5.根据权利要求1所述的用于高性能电路板的PTFE陶瓷改性基材膜的制造方法，其特征在于：所述步骤B中，模压成型毛坯的外径为10-900mm，长度为10-1500mm。
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|---|---|
| CN (1) | CN110564085A (zh) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111016231A (zh) * | 2019-12-20 | 2020-04-17 | 江苏泰氟隆科技有限公司 | 5g网络高性能覆铜板用ptfe陶瓷薄膜及其加工方法 |
| CN113174076A (zh) * | 2021-06-01 | 2021-07-27 | 江苏旭氟新材料有限公司 | 一种高介电常数ptfe复合薄膜制备方法 |
| CN113183380A (zh) * | 2021-05-22 | 2021-07-30 | 南京肯特复合材料股份有限公司 | 5g高频覆铜板用陶瓷改性ptfe薄膜的加工方法 |
| CN113411958A (zh) * | 2021-05-14 | 2021-09-17 | 泰兴市凯鹏合成材料有限公司 | 一种聚四氟乙烯玻璃纤维复合材料基板的生产工艺 |
| CN117565438A (zh) * | 2024-01-16 | 2024-02-20 | 山东东岳高分子材料有限公司 | 一种磨砂表面的聚四氟乙烯薄膜的制备方法和应用 |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102532759A (zh) * | 2011-12-26 | 2012-07-04 | 天津市天塑滨海氟塑料制品有限公司 | 彩色聚四氟乙烯离型膜及其制造方法 |
| CN102658660A (zh) * | 2012-05-10 | 2012-09-12 | 天津市天塑滨海氟塑料制品有限公司 | 宽幅聚四氟乙烯旋削膜的制造方法 |
| CN107172821A (zh) * | 2017-06-22 | 2017-09-15 | 庐江县典扬电子材料有限公司 | 一种2.2≤Dk＜6.5覆铜板制作方法 |
| CN107172820A (zh) * | 2017-06-22 | 2017-09-15 | 庐江县典扬电子材料有限公司 | 采用离子注入电镀方式制作2.2≤Dk＜6.5覆铜板的方法 |
| CN107311517A (zh) * | 2017-06-29 | 2017-11-03 | 安徽升鸿电子有限公司 | 采用车削方式制作Dk＞10的覆铜板基材的方法 |
| CN107493653A (zh) * | 2017-06-29 | 2017-12-19 | 安徽升鸿电子有限公司 | 采用车削离子注入电镀方式制作Dk＞10高频FPC |
| CN107509311A (zh) * | 2017-06-29 | 2017-12-22 | 安徽升鸿电子有限公司 | 采用车削方式制作6.5≤Dk≤10的覆铜板基材的方法 |
| CN107775975A (zh) * | 2017-11-21 | 2018-03-09 | 江苏泰氟隆科技有限公司 | 一种高介电常数宽幅聚四氟乙烯功能薄膜及其制造工艺 |
| CN108219329A (zh) * | 2018-01-12 | 2018-06-29 | 天津市天塑科技集团有限公司 | 一种高频线路板基材膜的制备方法 |
-
2019
- 2019-09-20 CN CN201910891715.3A patent/CN110564085A/zh active Pending
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102532759A (zh) * | 2011-12-26 | 2012-07-04 | 天津市天塑滨海氟塑料制品有限公司 | 彩色聚四氟乙烯离型膜及其制造方法 |
| CN102658660A (zh) * | 2012-05-10 | 2012-09-12 | 天津市天塑滨海氟塑料制品有限公司 | 宽幅聚四氟乙烯旋削膜的制造方法 |
| CN107172821A (zh) * | 2017-06-22 | 2017-09-15 | 庐江县典扬电子材料有限公司 | 一种2.2≤Dk＜6.5覆铜板制作方法 |
| CN107172820A (zh) * | 2017-06-22 | 2017-09-15 | 庐江县典扬电子材料有限公司 | 采用离子注入电镀方式制作2.2≤Dk＜6.5覆铜板的方法 |
| CN107311517A (zh) * | 2017-06-29 | 2017-11-03 | 安徽升鸿电子有限公司 | 采用车削方式制作Dk＞10的覆铜板基材的方法 |
| CN107493653A (zh) * | 2017-06-29 | 2017-12-19 | 安徽升鸿电子有限公司 | 采用车削离子注入电镀方式制作Dk＞10高频FPC |
| CN107509311A (zh) * | 2017-06-29 | 2017-12-22 | 安徽升鸿电子有限公司 | 采用车削方式制作6.5≤Dk≤10的覆铜板基材的方法 |
| CN107775975A (zh) * | 2017-11-21 | 2018-03-09 | 江苏泰氟隆科技有限公司 | 一种高介电常数宽幅聚四氟乙烯功能薄膜及其制造工艺 |
| CN108219329A (zh) * | 2018-01-12 | 2018-06-29 | 天津市天塑科技集团有限公司 | 一种高频线路板基材膜的制备方法 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111016231A (zh) * | 2019-12-20 | 2020-04-17 | 江苏泰氟隆科技有限公司 | 5g网络高性能覆铜板用ptfe陶瓷薄膜及其加工方法 |
| CN113411958A (zh) * | 2021-05-14 | 2021-09-17 | 泰兴市凯鹏合成材料有限公司 | 一种聚四氟乙烯玻璃纤维复合材料基板的生产工艺 |
| CN113183380A (zh) * | 2021-05-22 | 2021-07-30 | 南京肯特复合材料股份有限公司 | 5g高频覆铜板用陶瓷改性ptfe薄膜的加工方法 |
| WO2022247508A1 (zh) * | 2021-05-22 | 2022-12-01 | 南京肯特复合材料股份有限公司 | 5g高频覆铜板用陶瓷改性ptfe薄膜的加工方法 |
| CN113174076A (zh) * | 2021-06-01 | 2021-07-27 | 江苏旭氟新材料有限公司 | 一种高介电常数ptfe复合薄膜制备方法 |
| CN117565438A (zh) * | 2024-01-16 | 2024-02-20 | 山东东岳高分子材料有限公司 | 一种磨砂表面的聚四氟乙烯薄膜的制备方法和应用 |
| CN117565438B (zh) * | 2024-01-16 | 2024-04-16 | 山东东岳高分子材料有限公司 | 一种磨砂表面的聚四氟乙烯薄膜的制备方法和应用 |
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