CN110534615A - 一种太阳能电池的制备方法和太阳能电池 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其是涉及一种太阳能电池的制备方法和太阳能电池；包括如下制备步骤：在基板上依次制备透明导电氧化物薄膜层、光伏薄膜层、背电极、绝缘层、金属层、低电阻率金属化合物层和保护层；通过提出一种太阳能电池的制备方法以解决现有的太阳能电池采用堆叠结构为金属铝+金属钼或者金属钼+金属铝+金属钼，采用此结构制作的电子产品与显示产品贴合装配后，显示屏发射出来的光被前电极辅助电极反射后重新射到显示屏内，与显示屏正常显示所发出的光产生相互干涉，导致消费者在观看产品时的视觉效果有所下降的技术问题，制备得到的太阳能电池可以将400‑740nm范围内的波段光线的反射率降低到30％以下。

Description

一种太阳能电池的制备方法和太阳能电池
技术领域
本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其是涉及一种太阳能电池的制备方法和太阳能电池。
背景技术
能源是人类社会存在和发展的物质基础，化石燃料的大量使用也带来了一系列的问题，如能源危机和环境污染，促使人类探寻新的、清洁、安全、可再生的能源势在必行。太阳能电池产生的能量为化石燃料提供了可再生、环保和易于获得的替代品。目前一种半透明或者透明太阳能电池(Solar-cell)装置可显示电子消费品越来越得到消费者的喜欢。
目前，一种半透明或者透明太阳能电池(Solar-cell)装置可显示电子消费品，其前电极辅助电极通常采用从上到下依次堆叠结构为金属铝+金属钼或者金属钼+金属铝+金属钼，采用此结构制作的电子产品与显示产品贴合装配后，显示屏发射出来的光被前电极辅助电极反射后重新射到显示屏内，与显示屏正常显示所发出的光产生相互干涉，导致消费者在观看产品时的视觉效果有所下降。
因此，针对上述问题本发明急需提供一种太阳能电池的制备方法和太阳能电池。
发明内容
本发明通过提出一种太阳能电池的制备方法和太阳能电池，通过提出一种太阳能电池的制备方法以解决了现有的太阳能电池采用堆叠结构为金属铝+金属钼或者金属钼+金属铝+金属钼，采用此结构制作的电子产品与显示产品贴合装配后，显示屏发射出来的光被前电极辅助电极反射后重新射到显示屏内，与显示屏正常显示所发出的光产生相互干涉，导致消费者在观看产品时的视觉效果有所下降的技术问题。
本发明的目的在于提供一种太阳能电池的制备方法，包括如下制备步骤：
在基板上依次制备透明导电氧化物薄膜层、光伏薄膜层、背电极、绝缘层、金属层、低电阻率金属化合物层和保护层；
其中，金属层用于作为正极的辅助电极；
低电阻率金属化合物层覆于金属层上，利用其黑化特性防止金属层对显示器发射出来的光线产生反射。
优选地，金属层的材质为金属单质或合金；低电阻率金属化合物层为低电阻率金属氧化物、低电阻率合金氧化物、低电阻率金属氮化物、低电阻率合金氮化物、低电阻率金属氮氧化物、低电阻率合金氮氧化物或低电阻率金属卤化物中任一。
优选地，金属单质为银、铜、金、铝、镁、钼、铬、锡或铂中任一；
合金为含有银、铜、金、铝、镁、钼、铬、锡或铂中至少一种低电阻率金属的合金；
低电阻率金属氧化物为含有银、铜、金、铝、镁、钼、铬、锡或铂中任一金属元素的金属氧化物；
低电阻率合金氧化物为含有银、铜、金、铝、镁、钼、铬、锡或铂中至少一种金属元素的合金氧化物；
低电阻率金属氮化物为含有银、铜、金、铝、镁、钼、铬、锡或铂中任一金属元素的金属氮化物；
低电阻率合金氮化物为含有银、铜、金、铝、镁、钼、铬、锡或铂中至少一种金属元素的合金氮化物；
低电阻率金属氮氧化物为含有银、铜、金、铝、镁、钼、铬、锡或铂中任一金属元素的金属氮氧化物；
低电阻率合金氮氧化物为含有银、铜、金、铝、镁、钼、铬、锡或铂中至少一种金属元素的合金氮氧化物；
低电阻率金属卤化物为含有银、铜、金、铝、镁、钼、铬、铂或镁中任一低卤化物的金属卤化物。
优选地，金属层的制备过程为采用磁控溅射工艺在绝缘层上制备金属层，采用刻蚀工艺对金属层进行处理，得到图形化的金属层；
低电阻率金属化合物层的制备过程采用磁控溅射工艺在金属层上制备低电阻率金属化合物层，并采用刻蚀工艺对低电阻率金属化合物层进行图形化处理，得到图形化的低电阻率金属化合物层。
优选地，在基板上依次采用磁控溅射工艺制备透明导电氧化物薄膜层、在透明导电氧化物薄膜层上采用CVD工艺制备光伏薄膜层、采用磁控溅射工艺在光伏薄膜层制备背电极；
采用光刻工艺依次对背电极、光伏薄膜层及透明导电氧化物薄膜层进行图形化处理；
采用涂覆工艺在图形化的背电极上涂覆绝缘层，采用光刻工艺对绝缘层进行处理，得到图形化的绝缘层；
保护层的制备过程为采用涂覆工艺或印刷工艺在图形化的金属化合物层上制备保护层，采用光刻工艺对保护层进行处理，得到图形化的保护层。
优选地，透明导电氧化物薄膜层的材质为掺铝的氧化锌；
光伏薄膜层的材质为无机非晶硅材料；
背电极的材质为金属单质或合金材料；
绝缘层的材质为有机高分子聚合物或无机物中至少一种；
保护层的材质为有机高分子聚合物或无机物；无机物包括氧化硅或氮化硅。
优选地，金属层的厚度为100-1000nm；低电阻率金属化合物层的厚度为35-85nm；当金属层为铝时，金属层的厚度为150-500nm。
优选地，当低电阻率金属化合物层为金属氧化物或金属卤化物时，低电阻率金属化合物层的厚度为35-55nm。
优选地，低电阻率金属化合物层上敷设有防反射层。
优选地，防反射层的制备过程为采用印刷或涂布工艺在低电阻率金属化合物层上制备防反射层，采用光刻工艺对防反射层进行处理，得到图形化的防反射层。
优选地，防反射层为深色树脂材料。
本发明还包括一种太阳能电池，基于如上述中任一项所述的太阳能电池的制备方法制得。
优选地，从上到下依次包括基板、透明导电氧化物薄膜层、光伏薄膜层、背电极、绝缘层、金属层、低电阻率金属化合物层和保护层。
优选地，从上到下依次包括基板、透明导电氧化物薄膜层、光伏薄膜层、背电极、绝缘层、金属层、低电阻率金属化合物层、防反射层和保护层。
本发明还包括一种太阳能电池的制备方法，包括如下制备步骤：
在基板上依次制备透明导电氧化物薄膜层、光伏薄膜层、背电极、绝缘层、金属层、防反射层和保护层；
其中，防反射层采用深色树脂材料敷设于金属层上，利用其黑化特性防止金属层对显示器发射出来的光线产生反射。
优选地，防反射层的制备过程为采用印刷或涂布工艺在金属层上制备防反射层，采用光刻工艺对防反射层进行处理，得到图形化的防反射层。
优选地，防反射层的厚度≥1000nm。
优选地，在基板上依次采用磁控溅射工艺制备透明导电氧化物薄膜层、在透明导电氧化物薄膜层上采用CVD工艺制备光伏薄膜层、采用磁控溅射工艺在光伏薄膜层制备背电极；
采用光刻工艺依次对背电极、光伏薄膜层及透明导电氧化物薄膜层进行图形化处理；在图形化的背电极上涂覆绝缘层，采用光刻工艺对绝缘层进行处理，得到图形化的绝缘层；
金属层的制备过程为采用磁控溅射工艺在绝缘层制备金属层，采用刻蚀工艺对金属层进行处理，得到图形化的金属层；
保护层的制备过程为采用涂覆工艺或印刷工艺在图形化的防反射层上制备保护层，采用光刻工艺对保护层进行处理，得到图形化的保护层；
透明导电氧化物薄膜层材质为掺铝的氧化锌；
光伏薄膜层的材质为无机非晶硅材料；
背电极的材质为金属单质或合金材料；
绝缘层的材质为有机高分子聚合物或无机物中至少一种；
金属层的材质包括金属单质或合金；
保护层的材质为有机高分子聚合物。
本发明还包括一种太阳能电池，基于如上述中任一项所述的太阳能电池的制备方法制得。
优选地，从上到下依次包括基板、透明导电氧化物薄膜层、光伏薄膜层、背电极、绝缘层、金属层、防反射层和保护层。
本发明提供的一种太阳能电池的制备方法和太阳能电池与现有技术相比具有以下进步：
1、改变原有的前电极辅助电极选用铝+钼”或“钼+铝+钼”堆叠结构作为前电极辅助电极，采用低电阻率金属和低电阻率金属化合物堆叠结构作为前电极辅助电极，低电阻率金属化合物层的设置目的是使得最外层金属层的反射率降低，低电阻率金属化合物为黑化的金属化合物，黑化的金属化合物具有低电阻率和导电性，有效的降低金属层的反射率，从而避免显示屏发射出来的光被前电极金属反射后重新射入到显示屏内，与显示屏正常显示所发出的光产生相互干涉导致视觉效果下降的技术问题，当该太阳能电池安装于显示器上时，有效提高消费者的视觉效果。
2、本发明在低电阻率金属化合物上再增加防反射层，进一步地降低金属层的反射率，提高消费者的视觉效果。
3、在原有的前电极辅助电极(选用铝+钼”或“钼+铝+钼”堆叠结构作为前电极辅助电极)上增加防反射层，保证防反射层的厚度，进而降低金属层的反射率，提高消费者的视觉效果。
4、在非可见光区增加防反射层，同样起到防反射作用。
附图说明
为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明所述太阳能电池制备方法的步骤框图(第一种方法)；
图2为本发明所述太阳能电池制备方法的步骤框图(第一种方法，增加防反射层)；
图3为本发明所述太阳能电池的步骤示意图一(主剖视图，可视光区，第一种方法)；
图4为本发明所述太阳能电池的步骤示意图二(主剖视图，可视光区，第一种方法)；
图5为本发明所述太阳能电池的步骤示意图三(主剖视图，可视光区，第一种方法)；
图6为本发明所述太阳能电池的步骤示意图四(主剖视图，可视光区，第一种方法)；
图7为本发明所述太阳能电池的步骤示意图五(主剖视图，可视光区，第一种方法)；
图8为本发明所述太阳能电池的结构示意图(主剖视图，非可视光区，第一种方法，)；
图9为本发明所述太阳能电池的结构示意图(主剖视图，可视光区，第一种方法增加防反射层)；
图10为本发明所述太阳能电池的结构示意图(主剖视图，非可视光区，第一种方法增加防反射层)；
图11为本发明所述太阳能电池制备方法的步骤框图(第二种方法)；
图12为本发明所述太阳能电池的结构示意图(主剖视图，可视光区，第二种方法)；
图13为本发明所述太阳能电池的结构示意图(主剖视图，非可视光区，第二种方法)。
附图标记说明：
101、基板；1、透明导电氧化物薄膜层；2、光伏薄膜层；3、背电极；4、绝缘层；5、金属层；6、低电阻率金属化合物层；7、保护层；8、防反射层；
111、基板；11、透明导电氧化物薄膜层；22、光伏薄膜层；33、背电极；44、绝缘层；55、金属层；66、防反射层；77、保护层。
具体实施方式
下面将结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
第一种方法：
如图1、图3、图4、图5、图6、图7及图8所示，本发明提供了一种太阳能电池的制备方法，包括如下制备步骤：
S1)在基板101上依次采用磁控溅射工艺制备透明导电氧化物薄膜层1、在透明导电氧化物薄膜层上采用CVD工艺制备光伏薄膜层2、采用磁控溅射工艺在光伏薄膜层2制备背电极3；采用光刻工艺依次对背电极3、光伏薄膜层2及透明导电氧化物薄膜层1进行图形化处理；
S2)在背电极3表面采用涂覆工艺在图形化的背电极3上涂覆绝缘层4，采用光刻工艺对绝缘层4进行图形化处理，得到图形化的绝缘层4；
S3)在绝缘层4上制备金属层5；金属层5的制备过程为采用磁控溅射工艺在绝缘层4上制备金属层5，采用镀膜工艺或刻蚀工艺对金属层5进行图形化处理，得到图形化的金属层5；
S4)在金属层5制备低电阻率金属化合物层6；低电阻率金属化合物层6的制备过程采用磁控溅射工艺在金属层5上制备低电阻率金属化合物层6，并采用刻蚀工艺对低电阻率金属化合物层6进行图形化处理，得到图形化的低电阻率金属化合物层6；
S5)保护层7的制备过程为采用涂覆工艺或印刷工艺在图形化的金属化合物层6上制备保护层7，采用光刻工艺对保护层7进行处理，得到图形化的保护层7。
其中，金属层5用于作为正极的辅助电极；
低电阻率金属化合物层6覆于金属层5上，利用低电阻率金属化合物层6黑化特性防止金属层5对显示器发射出来的光线产生反射。
具体地，金属层5的材料为金属单质或低电阻率合金，其中金属单质指的是纯金属含量不低于99.99％；低电阻率金属化合物层6为低电阻率金属氧化物、低电阻率合金氧化物、低电阻率金属氮化物、低电阻率合金氮化物、低电阻率金属氮氧化物、低电阻率合金氮氧化物或低电阻率金属卤化物中任一。
具体地，金属单质为银、铜、金、铝、镁、钼、铬、锡或铂中任一；
合金为含有银、铜、金、铝、镁、钼、铬、锡或铂中至少一种低电阻率金属的合金；
低电阻率金属氧化物为含有银、铜、金、铝、镁、钼、铬、锡或铂中任一金属元素的金属氧化物；
低电阻率合金氧化物为含有银、铜、金、铝、镁、钼、铬、锡或铂中至少一种金属元素的合金氧化物；
低电阻率金属氮化物为含有银、铜、金、铝、镁、钼、铬、锡或铂中任一金属元素的金属氮化物；
低电阻率合金氮化物为含有银、铜、金、铝、镁、钼、铬、锡或铂中至少一种金属元素的合金氮化物；
低电阻率金属氮氧化物为含有银、铜、金、铝、镁、钼、铬、锡或铂中任一金属元素的金属氮氧化物；
低电阻率合金氮氧化物为含有银、铜、金、铝、镁、钼、铬、锡或铂中至少一种金属元素的合金氮氧化物；
低电阻率金属卤化物为含有银、铜、金、铝、镁、钼、铬、铂或镁中任一低卤化物的金属卤化物。
具体地，透明导电氧化物薄膜层1的材质为掺铝的氧化锌；
光伏薄膜层2的材质为无机非晶硅材料；
背电极3的材质为金属单质或合金材料；
绝缘层4的材质为有机高分子聚合物或无机物中至少一种；
保护层7的材质为有机高分子聚合物或无机物；
无机物包括氧化硅或氮化硅。
具体地，金属层5的厚度为100-1000nm；低电阻率金属化合物层6的厚度为35-85nm。
具体地，当金属层5为铝时，金属层5的厚度为150-500nm。
具体地，当低电阻率金属化合物层6为金属氧化物或金属卤化物时，低电阻率金属化合物层6的厚度大于等于35-55nm。
如图2、图9及图10所示，具体地，低电阻率金属化合物层6上敷设有防反射层8。
具体地，防反射层8的制备过程为采用印刷或涂布工艺在低电阻率金属化合物层6上制备防反射层8，采用光刻工艺对防反射层进行处理，得到图形化的防反射层8。
具体地，防反射层8为深色树脂材料,优选油墨。
如图7所示，本发明还包括一种太阳能电池，基于如上述中任一项所述的太阳能电池的制备方法制得；从上到下依次包括基板101、透明导电氧化物薄膜层1、光伏薄膜层2、背电极3、绝缘层4、金属层5、低电阻率金属化合物层6和保护层7。
如图8所示，从上到下依次包括基板101、透明导电氧化物薄膜层1、光伏薄膜层2、背电极3、绝缘层4、金属层5、低电阻率金属化合物层6、防反射层8和保护层7。
第二种方法：
如图11、图12、图13所示，
S11)在基板111上依次采用磁控溅射工艺制备透明导电氧化物薄膜层11、在透明导电氧化物薄膜层11上采用CVD工艺制备光伏薄膜层22、采用磁控溅射工艺在光伏薄膜层22制备背电极33；采用光刻工艺依次对背电极33、光伏薄膜层22及透明导电氧化物薄膜层11进行图形化处理；
S12)采用涂覆工艺在图形化的背电极33上涂覆绝缘层44，采用光刻工艺对绝缘层44进行处理，得到图形化的绝缘层44；
S13)在绝缘层44上制备金属层55；金属层55的制备过程为采用磁控溅射工艺在绝缘层44上制备金属层55，采用刻蚀工艺对金属层55进行图形化处理，得到图形化的金属层55；
S14)在金属层55上制备防反射层66；防反射层66的制备过程为采用印刷或涂布工艺在金属层上制备防反射层66，采用光刻工艺对防反射层66进行处理，得到图形化的防反射层66；
S15)在防反射层66上制备保护层77；保护层77的制备过程为采用涂覆工艺或印刷工艺在图形化的防反射层上制备保护层77，采用光刻工艺对保护层77进行处理，得到图形化的保护层77；其中，防反射层66，利用其黑化特性对显示器发射出来的光线产生防反射的作用。
具体地，防反射层66采用深色树脂材料敷设于金属层55上。
具体地，防反射层66的厚度≥1000nm。
具体地，防反射层66的厚度为1100nm-2500nm。
具体地，防反射层66的厚度为1300nm-2000nm。
具体地，防反射层66的厚度为1500nm。
透明导电氧化物薄膜层11材质为掺铝的氧化锌；
光伏薄膜层22的材质为无机非晶硅材料；
背电极33的材质为金属单质或合金材料；
绝缘层44的材质为有机高分子聚合物；
金属层55的材质包括金属单质或合金；
保护层77的材质为有机高分子聚合物或无机物。
无机物包括氧化硅或氮化硅。
如图12、图13所示，本发明还包括一种太阳能电池，基于如上述中任一项所述的太阳能电池的制备方法制得。
具体地，从上到下依次包括基板111、透明导电氧化物薄膜层11、光伏薄膜层22、背电极33、绝缘层44、金属层55、防反射层66、保护层77。
本发明第二种方法制备太阳能电池的方法中的防反射层设于可见光区和非可见光区金属层55上。
本发明中的太阳能电池制备的机理：
改变原有的前电极辅助电极选用铝+钼”或“钼+铝+钼”堆叠结构作为前电极辅助电极，采用低电阻率金属和低电阻率金属化合物堆叠结构作为前电极辅助电极，低电阻率金属化合物层的设置目的是使得最外层金属层的反射率降低，低电阻率金属化合物为黑化的金属化合物，黑化的金属化合物具有低电阻率和导电性，有效的降低金属层的反射率，从而避免显示屏发射出来的光被前电极金属反射后重新射入到显示屏内，与显示屏正常显示所发出的光产生相互干涉导致视觉效果下降的技术问题，当该太阳能电池安装于显示器上时，有效提高消费者的视觉效果；
或者在上述低电阻率金属化合物上再增加防反射层，进一步地降低金属层的反射率，提高消费者的视觉效果；
或者在原有的前电极辅助电极(选用铝+钼”或“钼+铝+钼”堆叠结构作为前电极辅助电极)上增加防反射层，保证防反射层的厚度，进而降低金属层的反射率，提高消费者的视觉效果。
实施例一
在基板101上依次采用磁控溅射工艺制备透明导电氧化物薄膜层1、在透明导电氧化物薄膜层1上采用CVD工艺制备光伏薄膜层2、采用磁控溅射工艺在光伏薄膜层2制备背电极3；采用光刻工艺依次对背电极3、光伏薄膜层2及透明导电氧化物薄膜层1进行图形化处理；在背电极3表面采用涂覆工艺在图形化的背电极3上涂覆绝缘层4，采用光刻工艺对绝缘层4进行处理，得到图形化的绝缘层4；在绝缘层4上制备金属层5；金属层5的制备过程为采用磁控溅射工艺在绝缘层4上制备金属层5，采用刻蚀工艺对金属层5进行图形化处理，得到图形化的金属层5；在金属层5制备低电阻率金属化合物层6；低电阻率金属化合物层6的制备过程采用磁控溅射工艺在金属层5上制备低电阻率金属化合物层6，并采用刻蚀工艺对低电阻率金属化合物层6进行图形化处理，得到图形化的低电阻率金属化合物层6；保护层7的制备过程为采用涂覆工艺在图形化的金属化合物层6上制备保护层7，采用光刻工艺对保护层7进行处理，得到图形化的保护层7；其中，光伏薄膜层2的材质为无机非晶硅材料；背电极3的材质为金属单质或合金材料；绝缘层4为有机高分子聚合物；金属层5选用金属铝单质,金属层5的厚度为150nm；低电阻率金属化合物层6选用氧化钼，氧化钼的厚度为35nm。
见表1，按照上述方法制备的太阳能电池，从上到下依次为基板101、透明导电氧化物薄膜层1、光伏薄膜层2、背电极3、绝缘层4、金属层5、低电阻率金属化合物层6和保护层7；对该太阳能电池进行反射率测定，对于550nm波段光线反射率为≤15％。
见表1，对比样品，依次在基板上制备透明导电氧化物薄膜层、光伏薄膜层、背电极、绝缘层、低电阻率金属铝层、低电阻率金属钼层和保护层；其中，金属铝层的厚度为150nm,金属钼层的厚度为150nm,对该太阳能电池进行反射率测定，对于550nm波段光线的反射率≥80％。
实施例二
在基板101依次采用磁控溅射工艺制备透明导电氧化物薄膜层1、在透明导电氧化物薄膜层1上采用CVD工艺制备光伏薄膜层2、采用磁控溅射工艺在光伏薄膜层2制备背电极3；采用光刻工艺依次对背电极3、光伏薄膜层2及透明导电氧化物薄膜层1进行图形化处理；在背电极3表面采用涂覆工艺在图形化的背电极3上涂覆绝缘层4，采用光刻工艺对绝缘层4进行处理，得到图形化的绝缘层4；在绝缘层4上制备金属层5；金属层5的制备过程为采用磁控溅射工艺在绝缘层4上制备金属层5，采用刻蚀工艺对金属层5进行图形化处理，得到图形化的金属层5；在金属层5制备低电阻率金属化合物层6；低电阻率金属化合物层6的制备过程采用磁控溅射工艺在金属层5上制备低电阻率金属化合物层6，并采用刻蚀工艺对低电阻率金属化合物层6进行图形化处理，得到图形化的低电阻率金属化合物层6；保护层7的制备过程为采用涂覆工艺在图形化的金属化合物层6上制备保护层7，采用光刻工艺对保护层7进行处理，得到图形化的保护层7；其中，光伏薄膜层的材质为无机非晶硅材料；背电极3的材质为金属单质或合金材料；绝缘层4为有机高分子聚合物；金属层5选用金属铝单质,金属层5的厚度为550nm；低电阻率金属化合物层6选用氧化钼，氧化钼的厚度为85nm。
见表1，按照上述方法制备的太阳能电池，从上到下依次为基板、透明导电氧化物薄膜层、光伏薄膜层、背电极、绝缘层、金属层、低电阻率金属化合物层和保护层；对该太阳能电池进行反射率测定，对于550nm波段光线反射率为≤15％。
实施例三
在基板101上依次采用磁控溅射工艺制备透明导电氧化物薄膜层1、在透明导电氧化物薄膜层1上采用CVD工艺制备光伏薄膜层2、采用磁控溅射工艺在光伏薄膜层2制备背电极3；采用光刻工艺依次对背电极3、光伏薄膜层2及透明导电氧化物薄膜层1进行图形化处理；在背电极3表面采用涂覆工艺在图形化的背电极3上涂覆绝缘层4，采用光刻工艺对绝缘层4进行处理，得到图形化的绝缘层4；在绝缘层4上制备金属层5；金属层5的制备过程为采用磁控溅射工艺在绝缘层4上制备金属层5，采用刻蚀工艺对金属层5进行图形化处理，得到图形化的金属层5；在金属层5制备低电阻率金属化合物层6；低电阻率金属化合物层6的制备过程采用磁控溅射工艺在金属层5上制备低电阻率金属化合物层6，并采用刻蚀工艺对低电阻率金属化合物层6进行图形化处理，得到图形化的低电阻率金属化合物层6；保护层7的制备过程为采用涂覆工艺在图形化的金属化合物层6上制备保护层7，采用光刻工艺对保护层7进行处理，得到图形化的保护层7；其中，光伏薄膜层的材质为无机非晶硅材料；背电极3的材质为金属单质或合金材料；绝缘层4为有机高分子聚合物；金属层5选用金属铝单质,金属层5的厚度为250nm；低电阻率金属化合物层6选用氧化钼，氧化钼的厚度为55nm。
见表1，按照上述方法制备的太阳能电池，从上到下依次为基板、透明导电氧化物薄膜层、光伏薄膜层、背电极、绝缘层、金属层、低电阻率金属化合物层和保护层；对该太阳能电池进行反射率测定，对于550nm波段光线反射率为≤8％。
实施例四
在基板101上依次采用磁控溅射工艺制备透明导电氧化物薄膜层1、在透明导电氧化物薄膜层1上采用CVD工艺制备光伏薄膜层2、采用磁控溅射工艺在光伏薄膜层2制备背电极3；采用光刻工艺依次对背电极3、光伏薄膜层2及透明导电氧化物薄膜层1进行图形化处理；在背电极3表面采用涂覆工艺在图形化的背电极3上涂覆绝缘层4，采用光刻工艺对绝缘层4进行处理，得到图形化的绝缘层4；在绝缘层4上制备金属层5；金属层5的制备过程为采用磁控溅射工艺在绝缘层4上制备金属层5，采用刻蚀工艺对金属层5进行图形化处理，得到图形化的金属层5；在金属层5制备低电阻率金属化合物层6；低电阻率金属化合物层6的制备过程采用磁控溅射工艺在金属层5上制备低电阻率金属化合物层6，并采用刻蚀工艺对低电阻率金属化合物层6进行图形化处理，得到图形化的低电阻率金属化合物层6；保护层7的制备过程为采用涂覆工艺在图形化的金属化合物层6上制备保护层7，采用光刻工艺对保护层7进行处理，得到图形化的保护层7；其中，光伏薄膜层的材质为无机非晶硅材料；背电极3的材质为金属单质或合金材料；绝缘层4为有机高分子聚合物；金属层5选用金属铝单质,金属层5的厚度为500nm；低电阻率金属化合物层6选用氧化钼，氧化钼的厚度为50nm。
见表1，按照上述方法制备的太阳能电池，从上到下依次为基板、透明导电氧化物薄膜层、光伏薄膜层、背电极、绝缘层、金属层、低电阻率金属化合物层和保护层；对该太阳能电池进行反射率测定，对于550nm波段光线反射率为≤8％。
实施例五
在基板101上依次采用磁控溅射工艺制备透明导电氧化物薄膜层1、在透明导电氧化物薄膜层1上采用CVD工艺制备光伏薄膜层2、采用磁控溅射工艺在光伏薄膜层2制备背电极3；采用光刻工艺依次对背电极3、光伏薄膜层2及透明导电氧化物薄膜层1进行图形化处理；在背电极3表面采用涂覆工艺在图形化的背电极3上涂覆绝缘层4，采用光刻工艺对绝缘层4进行处理，得到图形化的绝缘层4；在绝缘层4上制备金属层5；金属层5的制备过程为采用磁控溅射工艺在绝缘层4上制备金属层5，采用刻蚀工艺对金属层5进行图形化处理，得到图形化的金属层5；在金属层5制备低电阻率金属化合物层6；低电阻率金属化合物层6的制备过程采用磁控溅射工艺在金属层5上制备低电阻率金属化合物层6，并采用刻蚀工艺对低电阻率金属化合物层6进行图形化处理，得到图形化的低电阻率金属化合物层6；保护层7的制备过程为采用涂覆工艺在图形化的金属化合物层6上制备保护层7，采用光刻工艺对保护层7进行处理，得到图形化的保护层7；其中，光伏薄膜层的材质为无机非晶硅材料；背电极3的材质为金属单质或合金材料；绝缘层4为有机高分子聚合物；金属层5选用金属铝单质,金属层5的厚度为500nm；低电阻率金属化合物层6选用氧化钼，氧化钼的厚度为60nm。
见表1，按照上述方法制备的太阳能电池，从上到下依次为基板、透明导电氧化物薄膜层、光伏薄膜层、背电极、绝缘层、金属层、低电阻率金属化合物层和保护层；对该太阳能电池进行反射率测定，对于550nm波段光线反射率为≤8％。
实施例六
在基板101上依次采用磁控溅射工艺制备透明导电氧化物薄膜层1、在透明导电氧化物薄膜层1上采用CVD工艺制备光伏薄膜层2、采用磁控溅射工艺在光伏薄膜层2制备背电极3；采用光刻工艺依次对背电极3、光伏薄膜层2及透明导电氧化物薄膜层1进行图形化处理；在背电极3表面采用涂覆工艺在图形化的背电极3上涂覆绝缘层4，采用光刻工艺对绝缘层4进行处理，得到图形化的绝缘层4；在绝缘层4上制备金属层5；金属层5的制备过程为采用磁控溅射工艺在绝缘层4上制备金属层5，采用刻蚀工艺对金属层5进行图形化处理，得到图形化的金属层5；在金属层5制备低电阻率金属化合物层6；低电阻率金属化合物层6的制备过程采用磁控溅射工艺在金属层5上制备低电阻率金属化合物层6，并采用刻蚀工艺对低电阻率金属化合物层6进行图形化处理，得到图形化的低电阻率金属化合物层6；保护层7的制备过程为采用涂覆工艺在图形化的金属化合物层6上制备保护层7，采用光刻工艺对保护层7进行处理，得到图形化的保护层7；其中，光伏薄膜层的材质为无机非晶硅材料；背电极3的材质为金属单质或合金材料；绝缘层4为有机高分子聚合物；金属层5选用金属铝单质,金属层5的厚度为500nm；低电阻率金属化合物层6选用氧化钼，氧化钼的厚度为80nm。
见表1，按照上述方法制备的太阳能电池，从上到下依次为基板、透明导电氧化物薄膜层、光伏薄膜层、背电极、绝缘层、金属层、低电阻率金属化合物层和保护层；对该太阳能电池进行反射率测定，对于550nm波段光线反射率为≤12％。
实施例一、实施例二、实施例三、实施例四、实施例五及实施例六，优选金属铝单质作为金属层，优选氧化钼作为低电阻率金属化合物层，通过在铝和氧化钼层厚度，在优选的范围内调节，测得的太阳能电池的反射率均低于对照样品一，相比金属，黑化的金属化合物具有低电阻率和导电性，有效的降低金属层的反射率，从而避免显示屏发射出来的光被前电极金属反射后重新射入到显示屏内，与显示屏正常显示所发出的光产生相互干涉导致视觉效果下降的技术问题，当该太阳能电池安装于显示器上时，有效提高消费者的视觉效果。
实施例七
在基板101上依次采用磁控溅射工艺制备透明导电氧化物薄膜层1、在透明导电氧化物薄膜层1上采用CVD工艺制备光伏薄膜层2、采用磁控溅射工艺在光伏薄膜层2制备背电极3；采用光刻工艺依次对背电极3、光伏薄膜层2及透明导电氧化物薄膜层1进行图形化处理；在背电极3表面采用涂覆工艺在图形化的背电极3上涂覆绝缘层4，采用光刻工艺对绝缘层4进行处理，得到图形化的绝缘层4；在绝缘层4上制备金属层5；金属层5的制备过程为采用磁控溅射工艺在绝缘层4上制备金属层5，采用刻蚀工艺对金属层5进行图形化处理，得到图形化的金属层5；在金属层5制备低电阻率金属化合物层6；低电阻率金属化合物层6的制备过程采用磁控溅射工艺在金属层5上制备低电阻率金属化合物层6，并采用刻蚀工艺对低电阻率金属化合物层6进行图形化处理，得到图形化的低电阻率金属化合物层6；用深色油墨涂覆于低电阻率金属化合物层6上，得到防反射层8，采用涂覆工艺在防反射层8上制备保护层7，采用光刻工艺对保护层7进行处理，得到图形化的保护层7；其中，光伏薄膜层的材质为无机非晶硅材料；背电极3的材质为金属单质或合金材料；绝缘层4为有机高分子聚合物；金属层5选用金属铝单质,金属层5的厚度为500nm；低电阻率金属化合物层6选用氧化钼，氧化钼的厚度为60nm；防反射层8的厚度为1100nm。
见表2，按照上述方法制备的太阳能电池，从上到下依次为基板、透明导电氧化物薄膜层、光伏薄膜层、背电极、绝缘层、金属层、低电阻率金属化合物层、防反射层和保护层7对该太阳能电池进行反射率测定，对于550nm波段光线反射率为≤6％。
实施例八
在基板101上依次采用磁控溅射工艺制备透明导电氧化物薄膜层1、在透明导电氧化物薄膜层1上采用CVD工艺制备光伏薄膜层2、采用磁控溅射工艺在光伏薄膜层2制备背电极3；采用光刻工艺依次对背电极3、光伏薄膜层2及透明导电氧化物薄膜层1进行图形化处理；在背电极3表面采用涂覆工艺在图形化的背电极3上涂覆绝缘层4，采用光刻工艺对绝缘层4进行处理，得到图形化的绝缘层4；在绝缘层4上制备金属层5；金属层5的制备过程为采用磁控溅射工艺在绝缘层4上制备金属层5，采用刻蚀工艺对金属层5进行图形化处理，得到图形化的金属层5；在金属层5制备低电阻率金属化合物层6；低电阻率金属化合物层6的制备过程采用磁控溅射工艺在金属层5上制备低电阻率金属化合物层6，并采用刻蚀工艺对低电阻率金属化合物层6进行图形化处理，得到图形化的低电阻率金属化合物层6；用深色油墨涂覆于低电阻率金属化合物层6上，得到防反射层8，采用涂覆工艺在防反射层8上制备保护层7，采用光刻(或印刷)工艺对保护层7进行处理，得到图形化的保护层7；其中，光伏薄膜层的材质为无机非晶硅材料；背电极3的材质为金属单质或合金材料；绝缘层4为有机高分子聚合物；金属层5选用金属铝单质,金属层5的厚度为500nm；低电阻率金属化合物层6选用氧化钼，氧化钼的厚度为60nm；防反射层8的厚度为2500nm。
见表2，按照上述方法制备的太阳能电池，从上到下依次为基板、透明导电氧化物薄膜层、光伏薄膜层、背电极、绝缘层、金属层、低电阻率金属化合物层、防反射层和保护层；对该太阳能电池进行反射率测定，对于550nm波段光线反射率为≤6％。
实施例九
对金属层5进行图形化处理在基板101上依次采用磁控溅射工艺制备透明导电氧化物薄膜层1、在透明导电氧化物薄膜层1上采用CVD工艺制备光伏薄膜层2、采用磁控溅射工艺在光伏薄膜层2制备背电极3；采用光刻工艺依次对背电极3、光伏薄膜层2及透明导电氧化物薄膜层1进行图形化处理；在背电极3表面采用涂覆工艺在图形化的背电极3上涂覆绝缘层4，采用光刻工艺对绝缘层4进行处理，得到图形化的绝缘层4；在绝缘层4上制备金属层5；金属层5的制备过程为采用磁控溅射工艺在绝缘层4上制备金属层5，采用刻蚀工艺对金属层5进行图形化处理，得到图形化的金属层5；在金属层5制备低电阻率金属化合物层6；低电阻率金属化合物层6的制备过程采用磁控溅射工艺在金属层5上制备低电阻率金属化合物层6，并采用刻蚀工艺对低电阻率金属化合物层6进行图形化处理，得到图形化的低电阻率金属化合物层6；用深色油墨涂覆于低电阻率金属化合物层6上，得到防反射层8，采用涂覆工艺在防反射层8上制备保护层7，采用光刻(或印刷)工艺对保护层7进行处理，得到图形化的保护层7；其中，光伏薄膜层的材质为无机非晶硅材料；背电极3的材质为金属单质或合金材料；绝缘层4为有机高分子聚合物；金属层5选用金属铝单质,金属层5的厚度为500nm；低电阻率金属化合物层6选用氧化钼，氧化钼的厚度为60nm；防反射层8的厚度为1300nm。
见表2，按照上述方法制备的太阳能电池，从上到下依次为基板101、透明导电氧化物薄膜层1、光伏薄膜层2、背电极3、绝缘层4、金属层5、低电阻率金属化合物层6、防反射层8和保护层7；对该太阳能电池进行反射率测定，对于550nm波段光线反射率为≤6％。
实施例十
在基板101上依次采用磁控溅射工艺制备透明导电氧化物薄膜层1、在透明导电氧化物薄膜层1上采用CVD工艺制备光伏薄膜层2、采用磁控溅射工艺在光伏薄膜层2制备背电极3；采用光刻工艺依次对背电极3、光伏薄膜层2及透明导电氧化物薄膜层1进行图形化处理；在背电极3表面采用涂覆工艺在图形化的背电极3上涂覆绝缘层4，采用光刻工艺对绝缘层4进行处理，得到图形化的绝缘层4；在绝缘层4上制备金属层5；金属层5的制备过程为采用磁控溅射工艺在绝缘层4上制备金属层5，采用刻蚀工艺对金属层5进行图形化处理，得到图形化的金属层5；在金属层5制备低电阻率金属化合物层6；低电阻率金属化合物层6的制备过程采用磁控溅射工艺在金属层5上制备低电阻率金属化合物层6，并采用刻蚀工艺对低电阻率金属化合物层6进行图形化处理，得到图形化的低电阻率金属化合物层6；用深色油墨涂覆于低电阻率金属化合物层6上，得到防反射层8，采用涂覆工艺在防反射层8上制备保护层7，采用光刻(或印刷)工艺对保护层7进行处理，得到图形化的保护层7；其中，光伏薄膜层的材质为无机非晶硅材料；背电极3的材质为金属单质或合金材料；绝缘层4为有机高分子聚合物；金属层5选用金属铝单质,金属层5的厚度为500nm；低电阻率金属化合物层6选用氧化钼，氧化钼的厚度为60nm；防反射层8的厚度为1500nm。
见表2，按照上述方法制备的太阳能电池，从上到下依次为基板101、透明导电氧化物薄膜层1、光伏薄膜层2、背电极3、绝缘层4、金属层5、低电阻率金属化合物层6、防反射层8和保护层7；对该太阳能电池进行反射率测定，对于550nm波段光线反射率为≤7％。
实施例十一
在基板101上依次采用磁控溅射工艺制备透明导电氧化物薄膜层1、在透明导电氧化物薄膜层1上采用CVD工艺制备光伏薄膜层2、采用磁控溅射工艺在光伏薄膜层2制备背电极3；采用光刻工艺依次对背电极3、光伏薄膜层2及透明导电氧化物薄膜层1进行图形化处理，从背电极3向上开槽直至光伏薄膜层2；在背电极3表面采用涂覆工艺在图形化的背电极3上涂覆绝缘层4，采用光刻工艺对绝缘层4进行处理，得到图形化的绝缘层4；在绝缘层4上制备金属层5；金属层5的制备过程为采用磁控溅射工艺在绝缘层4上制备金属层5，采用刻蚀工艺对金属层5进行图形化处理，得到图形化的金属层5；在金属层5制备低电阻率金属化合物层6；低电阻率金属化合物层6的制备过程采用磁控溅射工艺在金属层5上制备低电阻率金属化合物层6，并采用刻蚀工艺对低电阻率金属化合物层6进行图形化处理，得到图形化的低电阻率金属化合物层6；用深色油墨涂覆于低电阻率金属化合物层6上，得到防反射层8，采用涂覆工艺在防反射层8上制备保护层7，采用光刻(或印刷)工艺对保护层7进行处理，得到图形化的保护层7；其中，光伏薄膜层的材质为无机非晶硅材料；背电极3的材质为金属单质或合金材料；绝缘层4为有机高分子聚合物；金属层5选用金属铝单质,金属层5的厚度为500nm；低电阻率金属化合物层6选用氧化钼，氧化钼的厚度为60nm；防反射层8的厚度为2000nm。
见表2，按照上述方法制备的太阳能电池，从上到下依次为基板101、透明导电氧化物薄膜层1、光伏薄膜层2、背电极3、绝缘层4、金属层5、低电阻率金属化合物层6、防反射层8和保护层7；对该太阳能电池进行反射率测定，对于550nm波段光线反射率为≤6％。
实施例七、实施例八、实施例九、实施例十和实施例十一是在是实施例五的基础上，在低电阻率金属化合物层6上制备防反射层，进一步降低金属层的反射率，降低光学干涉效应，进而改善视觉效果的目的；通过调节防反射层的厚度，使得反射率有效的降低到优选的范围内，从而保证消费者的视觉效果。
实施例十二
在基板111上依次采用磁控溅射工艺制备透明导电氧化物薄膜层11、在透明导电氧化物薄膜层1上采用CVD工艺制备光伏薄膜层22、采用磁控溅射工艺在光伏薄膜层22制备背电极33；采用光刻工艺依次对背电极33、光伏薄膜层22及透明导电氧化物薄膜层11进行图形化处理；在背电极33表面采用涂覆工艺在图形化的背电极33上涂覆绝缘层44，采用光刻工艺对绝缘层44进行处理，得到图形化的绝缘层44；在绝缘层44上制备金属层55；金属层55的制备过程为采用磁控溅射工艺在绝缘层44上制备金属层55，采用刻蚀工艺对金属层55进行图形化处理，得到图形化的金属层55；用深色油墨涂覆于金属层55上，得到防反射层66，采用涂覆工艺在防反射层66上制备保护层77，采用光刻(或印刷)工艺对保护层77进行处理，得到图形化的保护层77；其中，光伏薄膜层22的材质为无机非晶硅材料；背电极33的材质为金属单质或合金材料；绝缘层44为有机高分子聚合物；金属层55选用金属铝单质和金属钼单质叠置,金属铝单质层厚度为150nm,金属钼单质层厚度为150nm；防反射层66的厚度为1100nm。
见表3，按照上述方法制备的太阳能电池，从上到下依次为基板111、透明导电氧化物薄膜层11、光伏薄膜层22、背电极33、绝缘层44、金属铝单质层551和金属钼单质层552、防反射层66和保护层77；对该太阳能电池进行反射率测定，对于550nm波段光线反射率为≤6％。
实施例十三
在基板11上依次采用磁控溅射工艺制备透明导电氧化物薄膜层11、在透明导电氧化物薄膜层1上采用CVD工艺制备光伏薄膜层22、采用磁控溅射工艺在光伏薄膜层22制备背电极33；采用光刻工艺依次对背电极33、光伏薄膜层22及透明导电氧化物薄膜层11进行图形化处理；在背电极33表面采用涂覆工艺在图形化的背电极33上涂覆绝缘层44，采用光刻工艺对绝缘层44进行处理，得到图形化的绝缘层44；在绝缘层44上制备金属层55；金属层55的制备过程为采用磁控溅射工艺在绝缘层44上制备金属层55，采用刻蚀工艺对金属层55进行图形化处理，得到图形化的金属层55；用深色油墨涂覆于金属层55上，得到防反射层66，采用涂覆工艺在防反射层66上制备保护层77，采用光刻(或印刷)工艺对保护层77进行处理，得到图形化的保护层77；其中，光伏薄膜层22的材质为无机非晶硅材料；背电极33的材质为金属单质或合金材料；绝缘层44为有机高分子聚合物；金属层55选用金属铝单质和金属钼单质叠置,金属铝单质层厚度为150nm,金属钼单质层厚度为150nm；防反射层66的厚度为1300nm。
见表3，按照上述方法制备的太阳能电池，从上到下依次为基板111、透明导电氧化物薄膜层11、光伏薄膜层22、背电极33、绝缘层44、金属铝单质层551和金属钼单质层552、防反射层66和保护层77；对该太阳能电池进行反射率测定，对于550nm波段光线反射率为≤6％。
实施例十四
在基板11上依次采用磁控溅射工艺制备透明导电氧化物薄膜层11、在透明导电氧化物薄膜层1上采用CVD工艺制备光伏薄膜层22、采用磁控溅射工艺在光伏薄膜层22制备背电极33；采用光刻工艺依次对背电极33、光伏薄膜层22及透明导电氧化物薄膜层1进行图形化处理；在背电极33表面采用涂覆工艺在图形化的背电极33上涂覆绝缘层44，采用光刻工艺对绝缘层44进行处理，得到图形化的绝缘层44；在绝缘层44上制备金属层55；金属层55的制备过程为采用磁控溅射工艺在绝缘层44上制备金属层55，采用刻蚀工艺对金属层55进行图形化处理，得到图形化的金属层55；用深色油墨涂覆于金属层55上，得到防反射层66，采用涂覆工艺在防反射层66上制备保护层77，采用光刻(或印刷)工艺对保护层77进行处理，得到图形化的保护层77；其中，光伏薄膜层22的材质为无机非晶硅材料；背电极33的材质为金属单质或合金材料；绝缘层44为有机高分子聚合物；金属层55选用金属铝单质和金属钼单质叠置,金属铝单质层厚度为150nm,金属钼单质层厚度为150nm；防反射层66的厚度为1500nm。
见表3，按照上述方法制备的太阳能电池，从上到下依次为基板111、透明导电氧化物薄膜层11、光伏薄膜层22、背电极33、绝缘层44、金属铝单质层551和金属钼单质层552、防反射层66和保护层77；对该太阳能电池进行反射率测定，对于550nm波段光线反射率为≤6。
实施例十五
在基板11上依次采用磁控溅射工艺制备透明导电氧化物薄膜层11、在透明导电氧化物薄膜层1上采用CVD工艺制备光伏薄膜层22、采用磁控溅射工艺在光伏薄膜层22制备背电极33；采用光刻工艺依次对背电极33、光伏薄膜层22及透明导电氧化物薄膜层1进行图形化处理；在背电极33表面采用涂覆工艺在图形化的背电极33上涂覆绝缘层44，采用光刻工艺对绝缘层44进行处理，得到图形化的绝缘层44；在绝缘层44上制备金属层55；金属层55的制备过程为采用磁控溅射工艺在绝缘层44上制备金属层55，采用刻蚀工艺对金属层55进行图形化处理，得到图形化的金属层55；用深色油墨涂覆于金属层55上，得到防反射层66，采用涂覆工艺在防反射层66上制备保护层77，采用光刻(或印刷)工艺对保护层77进行处理，得到图形化的保护层77；其中，光伏薄膜层22的材质为无机非晶硅材料；背电极33的材质为金属单质或合金材料；绝缘层44为有机高分子聚合物；金属层55选用金属铝单质和金属钼单质叠置,金属铝单质层厚度为150nm,金属钼单质层厚度为150nm；防反射层66的厚度为2500nm。
见表3，按照上述方法制备的太阳能电池，从上到下依次为基板111、透明导电氧化物薄膜层11、光伏薄膜层22、背电极33、绝缘层44、金属铝单质层551和金属钼单质层552、防反射层66和保护层77；对该太阳能电池进行反射率测定，对于550nm波段光线反射率为≤6。
实施例十二、实施例十三、实施例十四、实施例十五，在对比样品基础上，在金属钼层上制备防反射层，有效降低金属层的反射率，降低光学干涉效应，进而改善视觉效果的目的；通过调节防反射层的厚度，使得反射率有效的降低到优选的范围内，从而保证消费者的视觉效果。
表一、太阳能电池的物理参数
表二、太阳能电池的物理参数
表三、太阳能电池的物理参数
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (20)

1.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于：
包括如下制备步骤：
在基板(101)上依次制备透明导电氧化物薄膜层(1)、光伏薄膜层(2)、背电极(3)、绝缘层(4)、金属层(5)、低电阻率金属化合物层(6)和保护层(7)；
其中，金属层(5)用于作为正极的辅助电极；
低电阻率金属化合物层(6)覆于金属层(5)上，利用其黑化特性防止金属层(5)对显示器发射出来的光线产生反射。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于：金属层(5)的材质为金属单质或合金；低电阻率金属化合物层(6)为低电阻率金属氧化物、低电阻率合金氧化物、低电阻率金属氮化物、低电阻率合金氮化物、低电阻率金属氮氧化物、低电阻率合金氮氧化物或低电阻率金属卤化物中任一。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于：
金属单质为银、铜、金、铝、镁、钼、铬、锡或铂中任一；
合金为含有银、铜、金、铝、镁、钼、铬、锡或铂中至少一种低电阻率金属的合金；
低电阻率金属氧化物为含有银、铜、金、铝、镁、钼、铬、锡或铂中任一金属元素的金属氧化物；
低电阻率合金氧化物为含有银、铜、金、铝、镁、钼、铬、锡或铂中至少一种金属元素的合金氧化物；
低电阻率金属氮化物为含有银、铜、金、铝、镁、钼、铬、锡或铂中任一金属元素的金属氮化物；
低电阻率合金氮化物为含有银、铜、金、铝、镁、钼、铬、锡或铂中至少一种金属元素的合金氮化物；
低电阻率金属氮氧化物为含有银、铜、金、铝、镁、钼、铬、锡或铂中任一金属元素的金属氮氧化物；
低电阻率合金氮氧化物为含有银、铜、金、铝、镁、钼、铬、锡或铂中至少一种金属元素的合金氮氧化物；
低电阻率金属卤化物为含有银、铜、金、铝、镁、钼、铬、铂或镁中任一低卤化物的金属卤化物。
4.根据权利要求3所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于：
金属层(5)的制备过程为采用磁控溅射工艺在绝缘层(4)上制备金属层(5)，采用刻蚀工艺对金属层(5)进行处理，得到图形化的金属层(5)；
低电阻率金属化合物层(6)的制备过程采用磁控溅射工艺在金属层(5)上制备低电阻率金属化合物层(6)，并采用刻蚀工艺对低电阻率金属化合物层(6)进行图形化处理，得到图形化的低电阻率金属化合物层(6)。
5.根据权利要求4所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于：在基板(101)上依次采用磁控溅射工艺制备透明导电氧化物薄膜层(1)、在透明导电氧化物薄膜层(1)上采用CVD工艺制备光伏薄膜层(2)、采用磁控溅射工艺在光伏薄膜层(2)制备背电极(3)；
采用光刻工艺依次对背电极(3)、光伏薄膜层(2)及透明导电氧化物薄膜层(1)进行图形化处理；
采用涂覆工艺在图形化的背电极(3)上涂覆绝缘层(4)，采用光刻工艺对绝缘层(4)进行处理，得到图形化的绝缘层(4)；
保护层(7)的制备过程为采用涂覆工艺或印刷工艺在图形化的金属化合物层上制备保护层(7)，采用光刻工艺对保护层(7)进行处理，得到图形化的保护层(7)。
6.根据权利要求5所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于：
透明导电氧化物薄膜层(1)的材质为掺铝的氧化锌；
光伏薄膜层(2)的材质为无机非晶硅材料；
背电极(3)的材质为金属单质或合金材料；
绝缘层(4)的材质为有机高分子聚合物或无机物中至少一种；
保护层(7)的材质为有机高分子聚合物或无机物；无机物包括氧化硅或氮化硅。
7.根据权利要求6所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于：金属层(5)的厚度为100-1000nm；低电阻率金属化合物层(6)的厚度为35-85nm；当金属层(5)为铝时，金属层(5)的厚度为150-500nm。
8.根据权利要求7所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于：当低电阻率金属化合物层(6)为金属氧化物或金属卤化物时，低电阻率金属化合物层(6)的厚度为35-55nm。
9.根据权利要求8所述的太阳能电池，其特质在于：低电阻率金属化合物层(6)上敷设有防反射层(8)。
10.根据权利要求9所述的太阳能电池，其特质在于：防反射层(8)的制备过程为采用印刷或涂布工艺在低电阻率金属化合物层(6)上制备防反射层(8)，采用光刻工艺对防反射层进行处理，得到图形化的防反射层(8)。
11.根据权利要求10所述的太阳能电池，其特质在于：防反射层(8)为深色树脂材料。
12.一种太阳能电池，其特征在于，基于如权利要求1-11中任一项所述的太阳能电池的制备方法制得。
13.根据权利例要求12所述的太阳能电池，其特质在于：从上到下依次包括基板(101)、透明导电氧化物薄膜层(1)、光伏薄膜层(2)、背电极(3)、绝缘层(4)、金属层(5)、低电阻率金属化合物层(6)和保护层(7)。
14.根据权利例要求13所述的太阳能电池，其特质在于：从上到下依次包括基板(101)、透明导电氧化物薄膜层(1)、光伏薄膜层(2)、背电极(3)、绝缘层(4)、金属层(5)、低电阻率金属化合物层(6)、防反射层(8)和保护层(7)。
15.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于：包括如下制备步骤：
在基板(111)上依次制备透明导电氧化物薄膜层(11)、光伏薄膜层(22)、背电极(33)、绝缘层(44)、金属层(55)、防反射层(66)和保护层(77)；
其中，防反射层(66)采用深色树脂材料敷设于金属层(55)上，利用其黑化特性防止金属层(55)对显示器发射出来的光线产生反射。
16.根据权利要求15所述的太阳能电池的制备方法，其特质在于：防反射层(66)的制备过程为采用印刷或涂布工艺在金属层上制备防反射层，采用光刻工艺对防反射层(66)进行处理，得到图形化的防反射层(66)。
17.根据权利要求16所述的太阳能电池的制备方法，其特质在于：防反射层(66)的厚度≥1000nm。
18.根据权利要求17所述的太阳能电池的制备方法，其特质在于：
在基板(111)上依次采用磁控溅射工艺制备透明导电氧化物薄膜层(11)、在透明导电氧化物薄膜层(11)上采用CVD工艺制备光伏薄膜层(22)、采用磁控溅射工艺在光伏薄膜层(22)制备背电极(33)；
采用光刻工艺依次对背电极(33)、光伏薄膜层(22)及透明导电氧化物薄膜层(11)进行图形化处理；在图形化的背电极(33)上涂覆绝缘层(44)，采用光刻工艺对绝缘层(44)进行处理，得到图形化的绝缘层(44)；
金属层(55)的制备过程为采用磁控溅射工艺在绝缘层(44)制备金属层(55)，采用刻蚀工艺对金属层(55)进行处理，得到图形化的金属层(55)；
保护层(77)的制备过程为采用涂覆工艺或印刷工艺在图形化的防反射层(66)上制备保护层(77)，采用光刻工艺对保护层(77)进行处理，得到图形化的保护层(77)；
透明导电氧化物薄膜层(11)材质为掺铝的氧化锌；
光伏薄膜层(22)的材质为无机非晶硅材料；
背电极(33)的材质为金属单质或合金材料；
绝缘层(4)的材质为有机高分子聚合物或无机物中至少一种；
金属层(55)的材质包括金属单质或合金；
保护层(77)的材质为有机高分子聚合物。
19.一种太阳能电池，其特征在于：基于如权利要求15-18中任一项所述的太阳能电池的制备方法制得。
20.根据权利例要求19所述的太阳能电池，其特质在于：从上到下依次包括基板(111)、透明导电氧化物薄膜层(11)、光伏薄膜层(22)、背电极(33)、绝缘层(44)、金属层(55)、防反射层(66)和保护层(77)。
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