CN110510886A - 石英表面化学粗糙处理方法 - Google Patents

石英表面化学粗糙处理方法 Download PDF

Info

Publication number
CN110510886A
CN110510886A CN201910881898.0A CN201910881898A CN110510886A CN 110510886 A CN110510886 A CN 110510886A CN 201910881898 A CN201910881898 A CN 201910881898A CN 110510886 A CN110510886 A CN 110510886A
Authority
CN
China
Prior art keywords
quartz
quartz member
treatment
processing method
treatment fluid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201910881898.0A
Other languages
English (en)
Inventor
吕辉强
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SHENYANG HANKE SEMICONDUCTOR MATERIALS CO Ltd
Original Assignee
SHENYANG HANKE SEMICONDUCTOR MATERIALS CO Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by SHENYANG HANKE SEMICONDUCTOR MATERIALS CO Ltd filed Critical SHENYANG HANKE SEMICONDUCTOR MATERIALS CO Ltd
Priority to CN201910881898.0A priority Critical patent/CN110510886A/zh
Publication of CN110510886A publication Critical patent/CN110510886A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C15/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by etching

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass (AREA)

Abstract

本发明涉及半导体石英部件表面处理的技术领域，特别是涉及一种石英表面化学粗糙处理方法，其可以有效减少耗费时间，缩短半导体用石英部件表面处理周期；包括以下步骤：(1)预处理：将所需要进行处理的石英部件进行表面抛光退火处理，再用去离子水清洗5min；(2)处理液配制：将溶液浓度为40％的分析纯氢氟酸和溶液浓度为99％的固体分析纯氟化铵混合，然后加入溶液浓度为99.5％的分析纯乙酸配制成处理液备用；(3)处理液温度调节；(4)反应处理：将经过预处理后的石英部件完全浸没至配制好并经过温度调节的处理液中，使石英部件表面逐渐形成均匀的氟硅酸铵附着物；(5)冲洗；(6)重复加厚；(7)检测表面粗糙度。

Description

石英表面化学粗糙处理方法
技术领域
本发明涉及半导体石英部件表面处理的技术领域，特别是涉及一种石英表面化学粗糙处理方法。
背景技术
目前，半导体石英加工行业广泛采用的石英表面处理技术大多是喷砂(sandblast)或火抛光(fire polishing)。喷砂是利用高速气流携带的金刚石研磨砂粒撞击石英表面，使石英产生粗糙(凹凸)表面的一种方法。喷砂后的石英表面可形成凹凸，用于吸附并保持堆积物附着。火抛光是用火焰(氢氧焰)直接加热石英表面，在不变形的前提下，使其表面熔化而形成透明状态(仅对透明石英而言)。以上两种工艺利用的都是物理方法。
但是，由于半导体生产所用石英产品的形状复杂，在喷砂过程中，有些表面因砂粒无法直接接触到，故喷射的力度、风速和距离都难以控制，而且由于喷砂时间不易于控制，这就造成了喷砂表面的粗糙度不均匀，凹凸明显。另外，喷砂还会对石英造成物理损伤，喷砂过程中，石英产品的尺寸也会受到影响，降低了石英产品的成品率。经检测得知，喷砂后的石英表面粗糙度Ra＜0.8μm。
在化学气象淀积(CVD)过程中，火抛光后的石英表面会因附着力降低而引起淀积膜的裂纹和脱落，从而引起微粒(particle)现象的发生，污染CVD反应环境，从而影响晶圆表面膜的生长。一般说来，由颗粒污染导致的功能成品率损失要占总成品率损失的80％，而且，颗粒污染的数目越多，芯片的成品率就会越低，这对于半导体生产行业来说，是十分严重的问题。
另外，在使用了一段时间后，石英表面的附着物会产生微小的龟裂。由于CVD产生的附着物与石英的热膨胀系数不同，当附着物膨胀(或收缩)时，会发生石英表面附着物产生裂纹并发生脱落、剥落的现象。
专利公告号为CN101367618B的专利提供了一种石英表面化学粗糙处理方法，经该方法处理过的石英产品表面粗糙度更均匀，无明显凹凸，避免了化学气象淀积(CVD)过程中石英表面产生微粒(particle)现象，防止沉积膜裂纹的产生和脱落，延长石英产品的使用寿命，但是在后续的半导体用石英部件生产加工过程中，其在对石英部件表面进行处理时，所耗费的时间较长，因此其处理周期较长。
发明内容
为解决上述技术问题，本发明提供一种可以有效减少耗费时间，缩短半导体用石英部件表面处理周期的石英表面化学粗糙处理方法。
本发明的石英表面化学粗糙处理方法，包括以下步骤：
(1)预处理：将所需要进行处理的石英部件首先进行表面抛光退火处理，再用去离子水对处理后的石英部件表面进行清洗5min，最后使用氮气将石英部件表面吹干即可；
(2)处理液配制：将溶液浓度为40％的分析纯氢氟酸和溶液浓度为99％的固体分析纯氟化铵混合，然后加入溶液浓度为99.5％的分析纯乙酸配制成处理液备用；
(3)处理液温度调节：将处理液温度升高，并维持处理液的温度；
(4)反应处理：将经过预处理后的石英部件完全浸没至配制好并经过温度调节的处理液中，使石英部件表面逐渐形成均匀的氟硅酸铵附着物；
(5)冲洗：将经过处理后的石英部件取出，并使用去离子水对处理后的石英部件表面进行冲洗10～15min，以保证将石英部件表面的氟硅酸铵附着物冲洗干洗；
(6)重复加厚：根据石英部件的种类以及其表面粗糙度的要求重复操作步骤(4)和步骤(5)，最终将产品表面吹干；
(7)检测表面粗糙度：对处理后的石英部件表面的粗糙程度进行检测。
本发明的石英表面化学粗糙处理方法，所述步骤(2)中所使用的处理液的各成分的添加质量比为：氢氟酸：氟化铵:乙酸＝(3～5):(5～6):(9～10)。
本发明的石英表面化学粗糙处理方法，所述步骤(3)中的处理液温度升高至33～35℃。
本发明的石英表面化学粗糙处理方法，所述步骤(3)中的升温方法为采用电加热升温的方式进行升温，方便控制处理液的温度。
本发明的石英表面化学粗糙处理方法，所述步骤(4)中进行反应处理时，需要配合机械搅拌。
本发明的石英表面化学粗糙处理方法，所述步骤(5)中的冲洗时间为10～15min，冲洗的流速为0.8～1m/s。
本发明的石英表面化学粗糙处理方法，所述步骤(6)中重复次数≥1次。
本发明的石英表面化学粗糙处理方法，所述步骤(7)中，经检测，处理后的石英部件的表面粗糙度Ra＝1.5μm～4.9μm。
石英的主要成分为二氧化硅(SiO2)，石英产品完全浸入配置好的溶液中反应如下：
6HF+SiO2＝H2SiF6+2H2O；
H2SiF6＝2H++SiF6 2～；
NH4F＝NH4 ++F～；
SiF6 2～+2NH4 +＝(NH4)2SiF6。
与现有技术相比本发明的有益效果为：采用本发明的处理方法对半导体用石英部件表面进行处理时，其不仅可以达到处理后得到的石英产品表面粗糙度均匀，减少石英表面沉积膜裂纹的产生和沉积膜脱落，从而延长对石英产品清洗时间间隔，进而延长了石英产品的使用寿命；除此之外，通过对所需要进行处理的石英表面进行预处理，可以提高石英表面的清洁程度，以有效减少耗费时间，缩短半导体用石英部件表面处理周期。
具体实施方式
下面结合实施例，对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。
实施例1
本发明的石英表面化学粗糙处理方法，包括以下步骤：
(1)预处理：将所需要进行处理的石英部件首先进行表面抛光退火处理，再用去离子水对处理后的石英部件表面进行清洗5min，最后使用氮气将石英部件表面吹干即可；
(2)处理液配制：将溶液浓度为40％的分析纯氢氟酸和溶液浓度为99％的固体分析纯氟化铵混合，然后加入溶液浓度为99.5％的分析纯乙酸配制成处理液备用，其中各成分的添加质量比为：氢氟酸：氟化铵:乙酸＝3:5:9；
(3)处理液温度调节：采用电加热升温的方式将处理液温度上升至33℃，方便控制处理液的温度，并维持处理液的温度；
(4)反应处理：将经过预处理后的石英部件完全浸没至配制好并经过温度调节的处理液中，使石英部件表面逐渐形成均匀的氟硅酸铵附着物，同时配合机械搅拌，反应时间为62min；
(5)冲洗：将经过处理后的石英部件取出，并使用去离子水对处理后的石英部件表面进行冲洗，冲洗时间为15min，冲洗的流速为0.8m/s；
(6)重复加厚：根据石英部件的种类以及其表面粗糙度的要求重复操作步骤(4)和步骤(5)，加厚石英部件表面的氟硅酸铵附着物的厚度，重复次数为3次，平均沉积时间为58min；
(7)检测表面粗糙度：对处理后的石英部件表面的粗糙程度进行检测，可知处理后的石英部件的表面粗糙度Ra＝3.8μm，石英表面呈不透明状的磨砂面，并且无物理损伤，处理后的石英部件在参与CVD反应过程中，有效的防止了沉积层脱落的现象发生。
实施例2
本发明的石英表面化学粗糙处理方法，包括以下步骤：
(1)预处理：将所需要进行处理的石英部件首先进行表面抛光退火处理，再用去离子水对处理后的石英部件表面进行清洗5min，最后使用氮气将石英部件表面吹干即可；
(2)处理液配制：将溶液浓度为40％的分析纯氢氟酸和溶液浓度为99％的固体分析纯氟化铵混合，然后加入溶液浓度为99.5％的分析纯乙酸配制成处理液备用，其中各成分的添加质量比为：氢氟酸：氟化铵:乙酸＝5:6:10；
(3)处理液温度调节：采用电加热升温的方式将处理液温度上升至34℃，方便控制处理液的温度，并维持处理液的温度；
(4)反应处理：将经过预处理后的石英部件完全浸没至配制好并经过温度调节的处理液中，使石英部件表面逐渐形成均匀的氟硅酸铵附着物，同时配合机械搅拌，沉积完全时间为59min；
(5)冲洗：将经过处理后的石英部件取出，并使用去离子水对处理后的石英部件表面进行冲洗，冲洗时间为10min，冲洗的流速为1m/s；
(6)重复加厚：根据石英部件的种类以及其表面粗糙度的要求重复操作步骤(4)和步骤(5)，加厚石英部件表面的氟硅酸铵附着物的厚度，重复次数为5次，平均沉积时间为56min；
(7)检测表面粗糙度：对处理后的石英部件表面的粗糙程度进行检测，可知处理后的石英部件的表面粗糙度Ra＝4.9μm，石英表面呈不透明状的磨砂面，并且无物理损伤，处理后的石英部件在参与CVD反应过程中，有效的防止了沉积层脱落的现象发生。
实施例3
本发明的石英表面化学粗糙处理方法，包括以下步骤：
(1)预处理：将所需要进行处理的石英部件首先进行表面抛光退火处理，再用去离子水对处理后的石英部件表面进行清洗5min，最后使用氮气将石英部件表面吹干即可；
(2)处理液配制：将溶液浓度为40％的分析纯氢氟酸和溶液浓度为99％的固体分析纯氟化铵混合，然后加入溶液浓度为99.5％的分析纯乙酸配制成处理液备用，其中各成分的添加质量比为：氢氟酸：氟化铵:乙酸＝4:5.5:9.5；
(3)处理液温度调节：采用电加热升温的方式将处理液温度上升至35℃，方便控制处理液的温度，并维持处理液的温度；
(4)反应处理：将经过预处理后的石英部件完全浸没至配制好并经过温度调节的处理液中，使石英部件表面逐渐形成均匀的氟硅酸铵附着物，同时配合机械搅拌，沉积完全时间为60min；
(5)冲洗：将经过处理后的石英部件取出，并使用去离子水对处理后的石英部件表面进行冲洗，冲洗时间为12min，冲洗的流速为0.9m/s；
(6)重复加厚：根据石英部件的种类以及其表面粗糙度的要求重复操作步骤(4)和步骤(5)，加厚石英部件表面的氟硅酸铵附着物的厚度，重复次数为2次，平均沉积时间为57min；
(7)检测表面粗糙度：对处理后的石英部件表面的粗糙程度进行检测，可知处理后的石英部件的表面粗糙度Ra＝2.6μm，石英表面呈不透明状的磨砂面，并且无物理损伤，处理后的石英部件在参与CVD反应过程中，有效的防止了沉积层脱落的现象发生。
实施例4
本发明的石英表面化学粗糙处理方法，包括以下步骤：
(1)预处理：将所需要进行处理的石英部件首先进行表面抛光退火处理，再用去离子水对处理后的石英部件表面进行清洗5min，最后使用氮气将石英部件表面吹干即可；
(2)处理液配制：将溶液浓度为40％的分析纯氢氟酸和溶液浓度为99％的固体分析纯氟化铵混合，然后加入溶液浓度为99.5％的分析纯乙酸配制成处理液备用，其中各成分的添加质量比为：氢氟酸：氟化铵:乙酸＝4:5:10；
(3)处理液温度调节：采用电加热升温的方式将处理液温度上升至33℃，方便控制处理液的温度，并维持处理液的温度；
(4)反应处理：将经过预处理后的石英部件完全浸没至配制好并经过温度调节的处理液中，使石英部件表面逐渐形成均匀的氟硅酸铵附着物，同时配合机械搅拌，沉积完全时间为63min；
(5)冲洗：将经过处理后的石英部件取出，并使用去离子水对处理后的石英部件表面进行冲洗，冲洗时间为14min，冲洗的流速为0.8m/s；
(6)重复加厚：根据石英部件的种类以及其表面粗糙度的要求重复操作步骤(4)和步骤(5)，加厚石英部件表面的氟硅酸铵附着物的厚度，重复次数为1次；
(7)检测表面粗糙度：对处理后的石英部件表面的粗糙程度进行检测，可知处理后的石英部件的表面粗糙度Ra＝1.5μm，石英表面呈不透明状的磨砂面，并且无物理损伤，处理后的石英部件在参与CVD反应过程中，有效的防止了沉积层脱落的现象发生。
对比例
(1)预处理：将所需要进行处理的石英部件首先进行表面抛光退火处理，再用去离子水对处理后的石英部件表面进行清洗5min，最后使用氮气将石英部件表面吹干即可；
(2)处理液配制：将溶液浓度为40％的分析纯氢氟酸和溶液浓度为99％的固体分析纯氟化铵混合，然后加入溶液浓度为99.5％的分析纯乙酸配制成处理液备用，其中各成分的添加质量比为：氢氟酸：氟化铵:乙酸＝5:6:10；
(3)反应处理：将经过预处理后的石英部件完全浸没至配制好的处理液中，使石英部件表面逐渐形成均匀的氟硅酸铵附着物，同时配合机械搅拌，沉积完全时间为120min；
(4)冲洗：将经过处理后的石英部件取出，并使用去离子水对处理后的石英部件表面进行冲洗，冲洗时间为10min，冲洗的流速为1m/s；
(5)重复加厚：根据石英部件的种类以及其表面粗糙度的要求重复操作步骤(3)和步骤(4)，加厚石英部件表面的氟硅酸铵附着物的厚度，重复次数为5次，平均沉积时间为118min；
(6)检测表面粗糙度：对处理后的石英部件表面的粗糙程度进行检测，可知处理后的石英部件的表面粗糙度Ra＝2.9μm，石英表面呈不透明状的磨砂面，并且无物理损伤，处理后的石英部件在参与CVD反应过程中，有效的防止了沉积层脱落的现象发生。
使用本发明的处理方法处理后得到的石英产品表面粗糙度均匀，不受产品形状的影响，与喷砂产品相比，表面更加光滑，提高了产品的尺寸精度，检测后的石英表面粗糙度可达到Ra＝1.5μm～4.9μm；
其在参与CVD反应过程中，由于粗糙石英表面的附着力比光滑表面更高，有效减少了石英表面沉积膜裂纹的产生和沉积膜脱落，降低了由此带来的对反应腔的污染的可能性，提高了晶圆表面沉积膜的生长质量，从而提高了产品成品率和加工效率，降低了生产成本；
由于石英产品的粗糙表面使附着力增加，沉积膜可以生长的更厚而不脱落，所以延长了对石英产品清洗时间间隔，减低了对石英产品的清洗频率，从而降低了清洗所用的化学用品的消耗，减少了由于清洗所耗费的时间；
并且其在清洗时，经过处理的石英产品表面状态不易被改变，从而延长了石英产品的使用寿命；
除此之外，通过对所需要进行处理的石英表面进行预处理，可以提高石英表面的清洁程度，以方便后续在石英部件表面沉积氟硅酸铵附着物，同时对沉积的温度进行调整，可以有效的加快氟硅酸铵附着物的沉积速度，有效减少耗费时间，缩短半导体用石英部件表面处理周期。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变型，这些改进和变型也应视为本发明的保护范围。

Claims (8)

1.一种石英表面化学粗糙处理方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)预处理：将所需要进行处理的石英部件首先进行表面抛光退火处理，再用去离子水对处理后的石英部件表面进行清洗5min，最后使用氮气将石英部件表面吹干即可；
(2)处理液配制：将溶液浓度为40％的分析纯氢氟酸和溶液浓度为99％的固体分析纯氟化铵混合，然后加入溶液浓度为99.5％的分析纯乙酸配制成处理液备用；
(3)处理液温度调节：将处理液温度升高，并维持处理液的温度；
(4)反应处理：将经过预处理后的石英部件完全浸没至配制好并经过温度调节的处理液中，使石英部件表面逐渐形成均匀的氟硅酸铵附着物；
(5)冲洗：将经过处理后的石英部件取出，并使用去离子水对处理后的石英部件表面进行冲洗10～15min，以保证将石英部件表面的氟硅酸铵附着物冲洗干洗；
(6)重复加厚：根据石英部件的种类以及其表面粗糙度的要求重复操作步骤(4)和步骤(5)，最终将产品表面吹干；
(7)检测表面粗糙度：对处理后的石英部件表面的粗糙程度进行检测。
2.如权利要求1所述的石英表面化学粗糙处理方法，其特征在于，所述步骤(2)中所使用的处理液的各成分的添加质量比为：氢氟酸：氟化铵:乙酸＝(3～5):(5～6):(9～10)。
3.如权利要求1所述的石英表面化学粗糙处理方法，其特征在于，所述步骤(3)中的处理液温度升高至33～35℃。
4.如权利要求1所述的石英表面化学粗糙处理方法，其特征在于，所述步骤(3)中的升温方法为采用电加热升温的方式进行升温，方便控制处理液的温度。
5.如权利要求1所述的石英表面化学粗糙处理方法，其特征在于，所述步骤(4)中进行反应处理时，需要配合机械搅拌。
6.如权利要求1所述的石英表面化学粗糙处理方法，其特征在于，所述步骤(5)中的冲洗时间为10～15min，冲洗的流速为0.8～1m/s。
7.如权利要求1所述的石英表面化学粗糙处理方法，其特征在于，所述步骤(6)中重复次数≥1次。
8.如权利要求1所述的石英表面化学粗糙处理方法，其特征在于，所述步骤(7)中，经检测，处理后的石英部件的表面粗糙度Ra＝1.5μm～4.9μm。
CN201910881898.0A 2019-09-18 2019-09-18 石英表面化学粗糙处理方法 Pending CN110510886A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910881898.0A CN110510886A (zh) 2019-09-18 2019-09-18 石英表面化学粗糙处理方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910881898.0A CN110510886A (zh) 2019-09-18 2019-09-18 石英表面化学粗糙处理方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN110510886A true CN110510886A (zh) 2019-11-29

Family

ID=68632695

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910881898.0A Pending CN110510886A (zh) 2019-09-18 2019-09-18 石英表面化学粗糙处理方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN110510886A (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111940394A (zh) * 2020-07-17 2020-11-17 上海富乐德智能科技发展有限公司 半导体高阶制程apc装置的石英部件再生清洗方法
CN113149450A (zh) * 2021-05-11 2021-07-23 沈阳偶得科技有限公司 一种lpcvd工艺用石英制品制造丘陵状表面的方法
CN115716761A (zh) * 2022-11-17 2023-02-28 沈阳汉科半导体材料有限公司 一种通过化学反应方式处理石英表面粗糙的方法
CN117428660A (zh) * 2023-12-19 2024-01-23 沈阳汉科半导体材料有限公司 一种立式石英舟加工用抛槽机及其使用方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU1339100A1 (ru) * 1985-08-21 1987-09-23 Московский авиационный технологический институт им.К.Э.Циолковского Раствор дл обработки изделий из стекла и кварца
CN101367618A (zh) * 2008-09-23 2009-02-18 沈阳汉科半导体材料有限公司 石英表面化学粗糙处理方法
US7541094B1 (en) * 2006-03-03 2009-06-02 Quantum Global Technologies, Llc Firepolished quartz parts for use in semiconductor processing
CN106892572A (zh) * 2017-03-23 2017-06-27 宜昌南玻显示器件有限公司 一种ag玻璃抛光液及ag玻璃生产工艺
CN107021650A (zh) * 2017-05-19 2017-08-08 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 提高熔石英光学元件抗紫外激光损伤的方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU1339100A1 (ru) * 1985-08-21 1987-09-23 Московский авиационный технологический институт им.К.Э.Циолковского Раствор дл обработки изделий из стекла и кварца
US7541094B1 (en) * 2006-03-03 2009-06-02 Quantum Global Technologies, Llc Firepolished quartz parts for use in semiconductor processing
CN101367618A (zh) * 2008-09-23 2009-02-18 沈阳汉科半导体材料有限公司 石英表面化学粗糙处理方法
CN106892572A (zh) * 2017-03-23 2017-06-27 宜昌南玻显示器件有限公司 一种ag玻璃抛光液及ag玻璃生产工艺
CN107021650A (zh) * 2017-05-19 2017-08-08 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 提高熔石英光学元件抗紫外激光损伤的方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
宋长发编: "《电子组装技术》", 31 March 2010, 国防工业出版社 *

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111940394A (zh) * 2020-07-17 2020-11-17 上海富乐德智能科技发展有限公司 半导体高阶制程apc装置的石英部件再生清洗方法
CN113149450A (zh) * 2021-05-11 2021-07-23 沈阳偶得科技有限公司 一种lpcvd工艺用石英制品制造丘陵状表面的方法
CN115716761A (zh) * 2022-11-17 2023-02-28 沈阳汉科半导体材料有限公司 一种通过化学反应方式处理石英表面粗糙的方法
CN117428660A (zh) * 2023-12-19 2024-01-23 沈阳汉科半导体材料有限公司 一种立式石英舟加工用抛槽机及其使用方法
CN117428660B (zh) * 2023-12-19 2024-02-23 沈阳汉科半导体材料有限公司 一种立式石英舟加工用抛槽机及其使用方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110510886A (zh) 石英表面化学粗糙处理方法
CN101367618B (zh) 石英表面化学粗糙处理方法
US5660640A (en) Method of removing sputter deposition from components of vacuum deposition equipment
US20110124144A1 (en) Substrate processing system and substrate processing method
JP4827587B2 (ja) シリコンウェーハの製造方法
CN104561925B (zh) 一种自支撑金刚石膜的制备方法
KR100735858B1 (ko) 기체 매질로 반도체 웨이퍼를 처리하는 방법 및 이방법으로 처리된 반도체 웨이퍼
KR102017138B1 (ko) 탄화규소 제품의 재생 방법 및 재생된 탄화규소 제품
CN109755102B (zh) 一种硅片激光与碱液结合制绒工艺
CN109309142B (zh) 一种硅片玻钝前液态源扩散工艺
JP3824299B2 (ja) 石英ガラス表面のフロスト処理液及びフロスト処理方法
CN105525278A (zh) 用于pecvd镀硅或硅化物膜的真空腔体的清洗方法
TW200522191A (en) Method for removing a composite coating containing tantalum deposition and arc sprayed aluminum from ceramic substrates
EP1193327B1 (en) Silica glass apparatus for semiconductor industry and method for producing the same
KR20190027636A (ko) 쿼츠 표면 코팅을 위한 쿼츠 표면 처리 방법
CN109755118B (zh) 一种frgpp芯片玻钝前多重扩散工艺
CN115023411A (zh) 石英玻璃的制造方法
JP4437365B2 (ja) 半導体工業用シリカガラス治具およびその製造方法
WO2005110944A2 (en) Heat treating silicon carbide articles
CN103451654B (zh) 一种制备垂直硅基三维结构的方法
JPH11130451A (ja) 半導体熱処理装置用石英ガラス治具
TWI663131B (zh) 擴散製程用石英器皿之表面處理方法
CN110148554A (zh) 一种利用光刻及金属催化腐蚀切割晶体硅的方法
JPH05166776A (ja) 半導体ウェーハの洗浄方法およびその装置
US20240014029A1 (en) Method of removing a by-product from a component of a semiconductor apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20191129