CN110501774A - 圆偏光片及制造圆偏光片的方法、发光装置 - Google Patents

圆偏光片及制造圆偏光片的方法、发光装置 Download PDF

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Abstract

本申请公开了一种圆偏光片及制造圆偏光片的方法、发光装置，属于偏光片技术领域。所述方法包括：在波片组件的一个表面沿第一方向涂覆液晶层，所述波片组件包括：四分之一波片，且所述四分之一波片对入射光的面内补偿值与所述入射光的波长正相关；对所述液晶层进行干燥处理，以形成线偏光片；其中，所述波片组件和所述线偏光片层叠形成所述圆偏光片。本申请解决了圆偏光片的圆偏光片较容易破裂的问题，提高了圆偏光片的柔性，使圆偏光片不容易破裂，本申请用于圆偏光片。

Description

圆偏光片及制造圆偏光片的方法、发光装置
技术领域
本申请涉及偏光片技术领域，特别涉及一种圆偏光片及制造圆偏光片的方法、发光装置。
背景技术
随着时代的发展，出现了越来越多种类的显示装置(显示装置是一种发光装置)。比如，液晶显示装置和有机发光二极管(organic light emitting diode，OLED)显示装置等。OLED显示装置通常包括：OLED显示屏以及贴附在其出光侧的圆偏光片，该圆偏光片能够防止OLED显示屏反射环境光而影响OLED显示装置的显示效果。
相关技术中，圆偏光片通常包括：四分之一波片、粘合胶和线偏光片，其中，线偏光片和粘合胶均位于四分之一波片的目标侧(也即四分之一波片远离显示屏的一侧)。
但是，相关技术中的线偏光片通常由两层三醋酸纤维素(triacetate，TAC)基底，以及位于两层TAC基底之间的拉伸聚乙烯醇(poly vinyl alcohol，PVA)组成。但由于TAC基材的柔性较低，使得线偏光片的柔性较低，导致圆偏光片较容易破裂。
发明内容
本申请提供了一种圆偏光片及制造圆偏光片的方法、发光装置，可以解决圆偏光片较容易破裂的问题，所述技术方案如下：
一方面，提供了一种圆偏光片，所述圆偏光片包括：层叠设置的波片组件和线偏光片，且所述线偏光片位于所述波片组件的表面；所述波片组件包括：四分之一波片，所述四分之一波片对入射光的面内补偿值与所述入射光的波长正相关；所述线偏光片由液晶层组成。
由于本申请实施例提供的圆偏光片中，线偏光片仅包括液晶层，因此，线偏光片并不包括TAC基材，且液晶层的杨氏模量较小(比如为0.765Gpa，远小于相关技术中的3Gpa)，柔性较高，因此，线偏光片的柔性较高，整个圆偏光片不容易破裂。并且，当线偏光片仅包括液晶层时，线偏光片可以做的比较薄，该线偏光片的厚度远小于相关技术中线偏光片的厚度。这样一来，就大大减小了圆偏光片的整体厚度。
可选地，所述液晶层中任意两个液晶的长轴的夹角小于或等于10度。此时，液晶层中的多个液晶规则排布，因此，线偏光片的线偏光作用较强。
可选地，所述液晶层中任意两个液晶的长轴相互平行。
可选地，所述四分之一波片的第一表面的达因值大于第二阈值，所述第一表面为所述四分之一波片中靠近所述线偏光片的表面。当该四分之一波片的第一表面的达因值大于第一阈值时，该达因值较高，物体在该表面的附着力较高，因此，线偏光片能够有效地附着在四分之一波片的第一表面。
可选地，所述第一阈值为50毫牛每米。
可选地，所述四分之一波片的材质包括：液晶。此时，四分之一波片也可以仅由液晶制成。
可选地，所述四分之一波片包括：层叠设置的二分之一子波片和四分之一子波片。
可选地，所述二分之一子波片和所述四分之一子波片的材质均包括液晶。
可选地，所述四分之一波片的厚度范围为大于或等于1微米且小于或等于30微米，所述线偏光片的厚度范围为大于或等于0.5微米且小于或等于3微米。当四分之一波片的厚度为10微米，所述线偏光片的厚度为1微米时，圆偏光片的总厚度为10微米+1微米＝11微米，远远小于相关技术中圆偏光片的厚度。
可选地，所述波片组件还包括：中间层；所述中间层与所述四分之一波片层叠设置，所述线偏光片位于所述中间层背离所述四分之一波片的一侧，所述中间层背离所述四分之一波片的表面与所述四分之一波片相接触，所述中间层远离所述四分之一波片的表面的达因值大于第二阈值。需要说明的是，当中间层远离四分之一波片的表面的达因值大于第二阈值时，该达因值较高，物体在该表面的附着力较高，因此，线偏光片能够有效地附着在中间层远离四分之一波片的表面。
可选地，所述中间层的材质包括：硅烷或硅烷的衍生物。如甲硅烷或其衍生物，乙硅烷或其衍生物等。
可选地，所述第二阈值为：50毫牛每米。
可选地，所述中间层的厚度范围为大于或等于0.03微米且小于或等于0.5微米。当中间层的厚度为0.03微米时，若四分之一波片的厚度为10微米，所述线偏光片的厚度为1微米，则圆偏光片的总厚度为10微米+30纳米+1微米＝11.03微米，远远小于相关技术中圆偏光片的厚度。
可选地，所述四分之一波片满足以下一种或多种条件：R0(λ1)/R0(λ2)<0.85；R0(λ3)/R0(λ2)<1.2；其中，R0(λm)＝(nx-ny)*d，1≤m≤3，λ1＝450纳米，λ2＝550纳米，λ3＝650纳米，nx表示所述四分之一波片在其慢轴方向上对波长为λm的光的折射率，ny表示所述四分之一波片在其快轴方向上对波长为λm的光的折射率，d表示所述四分之一波片中波片部分的厚度，所述波片部分具有快轴和慢轴。
可选地，所述液晶层包括：沿远离所述波片组件的方向依次排布的液晶子层和固化层。
可选地，固化层的材质可以为有机材质。
另一方面，提供了一种圆偏光片的制造方法，所述方法包括：在波片组件的一个表面沿第一方向涂覆液晶层，所述波片组件包括：四分之一波片，且所述四分之一波片对入射光的面内补偿值与所述入射光的波长正相关；将所述液晶层干燥，以形成线偏光片；其中，所述波片组件和所述线偏光片层叠形成所述圆偏光片。
需要说明的是，在波片组件的表面沿第一方向涂覆液晶层可以通过多种方式实现。比如，控制四分之一波片沿与第一方向相反的第二方向平移，并在固定位置向四分之一波片的表面涂覆液晶层；或者，四分之一波片固定不动，而是控制涂覆液晶层的设备沿第一方向平移；或者，控制四分之一波片沿上述第二方向平移，并控制涂覆液晶层的设备沿第一方向平移。
可选地，在波片组件的表面沿第一方向涂覆液晶层时，可以直接在波片组件的表面沿第一方向涂覆液晶层。
可选地，在所述在波片组件的表面沿第一方向涂覆液晶层之前，所述方法还包括：控制所述波片组件沿与所述第一方向相反的第二方向平移；所述在波片组件的表面沿第一方向涂覆液晶层，包括：在所述波片组件沿所述第二方向平移的过程中，向所述波片组件的表面涂覆液晶层。
可选地，所述控制所述波片组件沿与所述第一方向相反的第二方向平移，包括：将所述四分之一波片的第一端卷绕在第一卷轴上，以及将所述四分之一波片的第二端固定在第二卷轴上；控制所述第二卷轴相对于所述第一卷轴转动，以带动所述四分之一波片沿所述第二方向平移，且所述四分之一波片的第二端卷绕在所述第二卷轴上；所述在波片组件的表面沿第一方向涂覆液晶层，包括：在所述波片组件位于所述第一卷轴和所述第二卷轴之间的至少部分表面涂覆液晶层。应当知道的是，该至少部分表面位于所述波片组件的被涂覆液晶的表面内，或者说，该至少部分表面属于所述波片组件的被涂覆液晶的表面。
可选地，在所述在波片组件的表面沿第一方向涂覆液晶层之前，所述方法还包括：对所述四分之一波片的第一表面进行电晕处理，使所述第一表面的达因值大于第二阈值，所述第一表面为所述四分之一波片中靠近待形成的所述线偏光片的表面。
可选地，所述波片组件还包括中间层，所述中间层与所述四分之一波片层叠，且位于所述四分之一波片的一侧，所述波片组件被涂覆液晶层的表面为所述中间层背离所述四分之一波片的表面；则在所述在波片组件的表面沿第一方向涂覆液晶层之前，所述方法还包括：在所述四分之一波片的一侧上形成中间层，以得到所述波片组件，其中，所述中间层远离所述四分之一波片的表面的达因值大于第一阈值。
可选地，在所述四分之一波片的一侧上形成中间层，包括：向所述四分之一波片的一个表面涂覆用于形成中间层的溶液；对所述用于形成中间层的溶液进行干燥处理，形成中间层。
可选地，在所述在波片组件的表面沿第一方向涂覆液晶层之前，所述方法还包括：在所述四分之一波片沿所述第二方向平移的过程中，向所述四分之一波片的一个表面涂覆用于形成中间层的溶液；对所述用于形成中间层的溶液进行干燥处理，形成中间层；其中，所述波片组件包括所述四分之一波片和所述中间层，且所述中间层远离所述四分之一波片的表面的达因值大于第一阈值，所述波片组件中用于涂覆液晶层的表面为所述中间层远离所述四分之一波片的表面。
可选地，所述用于形成中间层的溶液的固含量范围为大于或等于1％且小于或等于20％。
可选地，所述用于形成中间层的溶液的固含量范围为大于或等于1％且小于或等于10％。
可选地，所述液晶层包括：沿远离所述波片组件的方向依次排布的液晶子层和固化层，所述在波片组件的一个表面沿第一方向涂覆液晶层，包括：在所述波片组件的一个表面沿第一方向涂覆液晶子层；在所述液晶子层远离所述波片组件的一个表面形成所述固化层。
又一方面，提供了一种发光装置，所述发光装置包括：发光结构，以及本申请提供的圆偏光片；所述圆偏光片位于所述发光结构的出光侧，且所述圆偏光片中的四分之一波片靠近所述发光结构，所述发光结构发出的光线经过所述圆偏光片并被所述圆偏光片进行偏光处理。
可选地，所述发光结构包括：显示屏。
附图说明
图1为相关技术提供的一种发光装置的结构示意图；
图2为本申请实施例提供的一种圆偏光片的工作原理示意图；
图3为相关技术提供的一种圆偏光片的结构示意图；
图4为相关技术提供的另一种圆偏光片的结构示意图；
图5为相关技术提供的又一种圆偏光片的结构示意图；
图6为本申请实施例提供的一种圆偏光片的结构示意图；
图7为本申请实施例提供的一种线偏光片的俯视图；
图8为本申请实施例提供的另一种圆偏光片的结构示意图；
图9为本申请实施例提供的另一种圆偏光片的结构示意图；
图10为本申请实施例提供的一种圆偏光片对各种波长的光的反射率的曲线示意图；
图11为本申请实施例提供的另一种圆偏光片的结构示意图；
图12为本申请实施例提供的一种圆偏光片的制造方法的流程图；
图13为本申请实施例提供的一种圆偏光片的制造过程示意图；
图14为本申请实施例提供的一种涂覆液晶层过程中液晶的变化示意图；
图15为本申请实施例提供的另一种圆偏光片的制造过程示意图；
图16为本申请实施例提供的一种发光装置的结构示意图；
图17为本申请实施例提供的一种显示屏的结构示意图。
具体实施方式
为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本申请实施方式作进一步地详细描述。
为了解决相关技术中圆偏光片较容易破裂的问题，本申请实施例提供了一种新的圆偏光片。在讲述本申请实施例提供的圆偏光片的结构之前，以下先对该圆偏光片的应用场景进行简单介绍。
圆偏光片可以应用在发光装置中。示例地，图1为相关技术提供的一种发光装置的结构示意图。如图1所示，发光装置11可以包括：发光结构111以及该圆偏光片112。
其中，该圆偏光片112位于发光结构111的出光侧。圆偏光片112包括：四分之一波片1121和线偏光片1122。该四分之一波片1121靠近发光结构111，相当于四分之一波片1121位于发光结构111和线偏光片1122之间。
发光结构111可以为任意一种能够发光的结构，如显示屏、灯等。其中，显示屏可以为任意一种类型的显示屏，比如液晶显示屏(包括液晶显示面板，以及用于为液晶显示面板提供背光的背光模组)、OLED显示屏、量子点显示屏、发光二极管(light emitting diode，LED)显示屏等。并且，显示屏可以具有触控功能，也可以不具有触控功能。图1中以发光结构111为具有触控功能的OLED显示屏为例。
如图1所示，当发光结构111为具有触控功能的OLED显示屏时，该发光结构111可以包括：发光模组A1和触控模组A2。该发光模组A1可以包括：依次排布的第一衬底基板1111、缓冲层1112、电路层1113、OLED层1114和封装层1115，其中，第一衬底基板1111的材质可以为绝缘材质，如硅、二氧化硅、聚对苯二甲酸(polyethylene terephthalate，PET)或聚酰亚胺(polyimide，PI)等。缓冲层1112的材质也可以为绝缘材质，并且，缓冲层1112的材质可以与第一衬底基板1111的材质相同，如均为PI。电路层1113可以包括一个或多个薄膜晶体管(thin film transistor，TFT)，该电路层1113也可以不止包括TFT，还包括电容，本申请实施例对此不作限定。OLED层1114可以包括多个OLED，并且，该OLED与电路层1113中的TFT电连接。封装层1115的材质可以为绝缘材质，如氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或氧化铝等。
上述触控模组A2可以包括：在封装层1115远离发光模组A1的一侧，沿远离发光模组A1的方向依次排布的第二衬底基板1116以及触控电极层1117。该第二衬底基板1116是透明的，如其材质可以为环烯烃聚合物(cycloolefin polymer，COP)或树脂等透明材料。触控电极层1117可以为自容式触控电极层(包括一层触控电极)或互容式触控电极(包括两层触控电极，和位于两层触控电极之间的绝缘层)，图1中以触控电极层1117为自容式触控电极层为例。
需要说明的是，发光模组A1与触控模组A2可以通过胶粘合在一起，包括发光模组A1和触控模组A2的发光结构111也可以通过胶与圆偏光片粘合在一起。示例地，图1中显示模组A1和触控模组A2通过光学透明胶粘剂(optically clear adhesive，OCA)粘合，触控模组A2远离显示模组A1的一侧也通过OCA与圆偏光片112中的四分之一波片1121粘合。
另外，图1中的发光装置11还可以包括盖板113，盖板113覆盖在圆偏光片112远离发光结构111的一侧，用于对发光结构111和圆偏光片112进行保护。该盖板113的材质为透明材质，如透明玻璃、透明塑料或聚酰亚胺等。
以上介绍了本申请提供的圆偏光片的应用场景，以下将对圆偏光片的功能进行简单介绍。示例地，图2为本申请实施例提供的一种圆偏光片的工作原理示意图，请参考图2，在射向线偏光片1122的环境光中，存在多种偏振方向的光线。这些光线中，只有偏振方向平行于线偏光片1122的透过轴(也即垂直于线偏光片1122的吸收轴)的光线才能穿过线偏光片1122。穿过线偏光片1122的光线可以直接射向四分之一波片1121，并经过该四分之一波片1121到达发光结构111。之后，由于发光结构111通常包括反光材质(如TFT中的金属电极、OLED的金属阴极等)，该发光材质会反射射入发光结构111的光线，以使该光线再次经过四分之一波片1121并到达线偏光片1122。
需要说明的是，四分之一波片又称补偿膜或相位差膜，该四分之一波片对于不同偏振方向的入射光，会有不同的折射率。当光法向入射透过四分之一波片时，光中的寻常光和非常光之间的相位差等于π/2或π/2的奇数倍，这些光在经过四分之一波片后会形成圆偏光。图2中穿过线偏光片1122的光线为线偏光，该线偏光在第一次经过四分之一波片1121后会变成圆偏光，该圆偏光在被反射至四分之一波片1121并第二次经过该四分之一波片1121后，会由圆偏光变为线偏光。并且，该线偏光相对于第一次经过四分之一波片1121前的线偏光，偏振方向被改变了90度。由于第一次经过四分之一波片1121前的线偏光的偏振方向平行于线偏光片1122的透过轴，因此，第二次经过四分之一波片1121后得到的线偏光的偏振方向垂直于线偏光片1122的透过轴。这样就使该线偏光无法穿过线偏光片1122，使线偏光片1122远离发光结构111的一侧并无光线射出。
从以上描述可以看出，圆偏光片112能够起到防止发光装置对环境光线进行反射，从而能够防止环境光线对发光装置的发光效果的影响。当发光装置中的发光结构为显示屏时，该圆偏光片112能够减少环境光对显示屏的显示效果的影响。
相关技术中，虽然存在多种圆偏光片，但这些圆偏光片的柔性均较低，较容易破裂，且厚度均较厚。
示例地，图3为相关技术提供的一种圆偏光片的结构示意图。如图3所示，相关技术中的一种圆偏光片112包括：四分之一波片1121(厚度约为10微米)，以及由两层TAC基底(分别为TAC基底11221和TAC基底11222，且每层TAC基底的厚度约为36微米)，以及位于两层TAC基底之间的PVA 11223(厚度约为12微米)组成的线偏光片1122。并且，该四分之一波片1121与该线偏光片1122之间通过OCA 1125(厚度约为15微米)粘合。这种圆偏光片的厚度较厚，通常可以达到10微米+36微米*2+12微米+15微米＝109微米。
图4为相关技术提供的另一种圆偏光片的结构示意图。如图4所示，相关技术中的另一种圆偏光片112可以包括：四分之一波片1121(厚度约为6微米)，以及由一层TAC基底11222(厚度约为40微米)和PVA 11223(厚度约为5微米)组成的线偏光片1122。并且，该四分之一波片1121与该线偏光片1122之间通过OCA 1125(厚度约为5微米)粘合。这种圆偏光片的厚度较厚，通常可以达到6微米+40微米+5微米+5微米＝56微米。
图5为相关技术提供的又一种圆偏光片的结构示意图。如图5所示，相关技术中的又一种圆偏光片02可以包括：四分之一波片1121(厚度约为2微米)，以及由一层TAC基底11221(厚度约为25微米)和液晶层11224(厚度约为3微米)组成的线偏光片1122。并且，该四分之一波片1121与该线偏光片1122之间通过OCA 1125(厚度约为5微米)粘合。这种圆偏光片的厚度较厚，通常可以达到2微米+25微米+3微米+5微米＝35微米。
并且，从图3、图4和图5所示的圆偏光片可以看出，这些圆偏光片不仅较厚，而且均包括TAC基材。但是TAC基材的杨氏模量达3吉帕(Gpa)以上,质地较脆,柔性较低，不利于弯折。这就导致圆偏光片的柔性较低。
基于相关技术中圆偏光片的问题，本申请实施例提供了一种圆偏光片，该圆偏光片的厚度较小，并且柔性较高。以下将对本申请实施例提供的圆偏光片进行详细说明。
示例地，图6为本申请实施例提供的一种圆偏光片012的结构示意图，如图6所示，该圆偏光片012包括：层叠设置的波片组件0120和线偏光片0122，且线偏光片0122位于波片组件0120的表面。其中，波片组件0120包括：四分之一波片0121，四分之一波片0121对入射光的面内补偿值与该入射光的波长正相关，线偏光片0122由液晶层(图6中未示出)组成。
综上所述，由于本申请实施例提供的圆偏光片中，线偏光片仅包括液晶层，因此，线偏光片并不包括TAC基材，且液晶层的杨氏模量较小(比如为0.765Gpa，远小于相关技术中的3Gpa)，柔性较高，因此，线偏光片的柔性较高，整个圆偏光片不容易破裂。
并且，当线偏光片仅包括液晶层时，线偏光片可以做的比较薄，该线偏光片的厚度远小于相关技术中线偏光片的厚度。这样一来，就大大减小了圆偏光片的整体厚度。在圆偏光片的厚度降低时，该圆偏光片的弯折性能较高，圆偏光片的可弯折半径较小。
本申请实施例提供的圆偏光片012中四分之一波片0121对入射光的面内补偿值均与该入射光的波长正相关。也即是，入射光的波长越大，四分之一波片0121对入射光的面内补偿值越大；入射光的波长越小，四分之一波片0121对入射光的面内补偿值越小。此时，四分之一波片0121的性能较好，能够有效地将入射的线偏光转换为圆偏光，以及将入射的圆偏光转换为线偏光。
需要说明的是，本申请实施例提供的线偏光片0122中的液晶层包括规则排布的多个液晶。由于液晶具有偏光作用，因此多个规则排布的液晶能够起到线偏光片的作用，从而能够通过液晶形成本申请实施例提供的线偏光片0122。
可选地，当波片组件0120仅包括四分之一波片0121时，该四分之一波片0121和线偏光片0122相接触。此时表明该四分之一波片0121与线偏光片0122之间并未通过胶体粘接，所以，减少了圆偏光片012的组成成分(如减少了该胶体)，使圆偏光片012的厚度较小。
可选地，图7为本申请实施例提供的一种线偏光片0122的俯视图，图6示出了图7中截面XX的结构，且图7中并未示出线偏光片0122中的液晶01221。如图7所示，本申请实施例中的线偏光片0122可以由液晶01221组成，线偏光片0122中任意两个液晶01221的长轴E的夹角小于或等于10度(图7中以长轴E的夹角等于0度为例)。此时，线偏光片0122中各个液晶01221相互平行或趋近于相互平行)。线偏光片中的多个液晶规则排布，因此，线偏光片的线偏光作用较强。
可选地，请继续参考图6，四分之一波片0121的第一表面D的达因值大于第二阈值。示例地，该第二阈值的取值范围可以为大于或等于30毫牛每米，且小于或等于70毫牛每米，比如，该第二阈值可以为50毫牛每米或者其他数值(如60毫牛每米)。该第二阈值的取值范围还可以为其他范围，如大于或等于25毫牛每米，且小于或等于65毫牛每米等。
需要说明的是，达因值是衡量表面张力的数值，相当于表面的张力系数。达因值的定义是：表面相邻的两部分之间，在单位长度内互相牵引的力。表面张力的单位为毫牛每米，不过该单位也可以用达因每厘米代替，1达因每厘米等于1毫牛每米。表面的达因值可以用于评价表面的激活能，当该四分之一波片0121的第一表面D的达因值大于第二阈值时，该达因值较高，第一表面D的激活能较高，物体在该第一表面D的附着力较高。因此，线偏光片0122能够有效地附着在四分之一波片0121的第一表面D。
可选地，上述四分之一波片0121具有多种实现方式，以下将以其中的几种实现方式为例进行说明。
在四分之一波片0121的第一种实现方式中，四分之一波片0121包括：液晶。此时，该四分之一波片0121可以仅由液晶构成，这种情况下，四分之一波片0121和线偏光片0122均由液晶构成，四分之一波片0121和线偏光片0122均较薄，整个圆偏光片0121的厚度较小。
在四分之一波片0121的第二种实现方式中，图6中四分之一波片的具体结构可以参考图8，如图8所示，四分之一波片0121包括：依次叠加的二分之一子波片01211、粘合胶01212和四分之一子波片01213(可选地，该四分之一波片也可以不包括粘合胶01212)。可选地，二分之一子波片01211和四分之一子波片01213均包括液晶，且二分之一子波片01211或四分之一子波片01213靠近线偏光片0122设置，图8中以二分之一子波片01211靠近线偏光片0122设置为例。
需要说明的是，当光法向入射透过四分之一波片时，光中的寻常光和非常光之间的相位差等于π/2或π/2的奇数倍。当光法向入射透过二分之一波片时，光中的寻常光和非常光之间的相位差等于π或π的奇数倍。图8中的二分之一子波片01211是一种二分之一波片，图8中的四分之一子波片01213是一种四分之一波片，在二分之一子波片01211和四分之一子波片01213的共同作用下，形成了圆偏光片012中的四分之一波片0121。
在四分之一波片0121的其他实现方式中，四分之一波片01211也可以不包括液晶，比如由表面具有微结构(如凹凸结构)的透明片实现，本申请实施例对此不作限定。
可选地，当四分之一波片0121对入射光的面内补偿值均与该入射光的波长正相关时，四分之一波片0121满足以下一种或多种条件：R0(λ1)/R0(λ2)<0.85；R0(λ3)/R0(λ2)<1.2。其中，R0(λm)＝(nx-ny)d，1≤m≤3，λ1＝450纳米，λ2＝550纳米，λ3＝650纳米，nx表示四分之一波片在其慢轴(也称滞相轴)方向上对波长为λ纳米的光的折射率，ny表示四分之一波片在其快轴(也称进相轴)方向上对波长为λ的光的折射率，d表示四分之一波片中波片部分的厚度，波片部分具有快轴和慢轴。本申请实施例中以四分之一波片0121同时满足这几种条件为例。
需要说明的是，当四分之一波片0121只包括液晶时，该四分之一波片0121中的波片部分实际上是整个四分之一波片0121，上述d等于四分之一波片0121的厚度；当四分之一波片0121包括依次叠加的二分之一子波片、粘合胶和四分之一子波片时，该四分之一波片0121中的波片部分包括：二分之一子波片和四分之一子波片，上述d等于二分之一子波片和四分之一子波片的厚度之和。
本申请实施例中以：R0(λ1)/R0(λ2)<0.85，R0(λ3)/R0(λ2)<1.2，λ1＝450纳米，λ2＝550纳米，λ3＝650纳米为例。可选地，R0(λ1)/R0(λ2)还可以小于其他数值(如0.8、0.9等)，R0(λ3)/R0(λ2)也可以小于其他数值(如1.1或1.3为例)，λ1也可以为其他数值(如500纳米)，λ2也可以为其他数值(如560纳米)，λ3也可以为其他数值(如700纳米)，本申请实施例对此不作限定。
可选地，本申请实施例中的四分之一波片0121的厚度范围为大于或等于1微米且小于或等于30微米，线偏光片0122的厚度范围为大于或等于0.5微米且小于或等于3微米。比如，四分之一波片0121的厚度可以为10微米，线偏光片0122的厚度可以为1微米。这样一来，图6所示的圆偏光片012的总厚度为10微米+1微米＝11微米，远远小于相关技术中圆偏光片的厚度。
上述实施例中以波片组件0120仅包括四分之一波片0121为例，此时圆偏光片012仅包括四分之一波片0121和线偏光片0122。可选地，图9为本申请实施例提供的另一种圆偏光片的结构示意图，如图9所示，在图6所示的圆偏光片的基础上，该圆偏光片012中的波片组件0120还可以包括：中间层0123。
请参考图9，中间层0123与四分之一波片0121层叠设置，线偏光片0122位于中间层0123背离四分之一波片0121的一侧，中间层0123背离四分之一波片0121的表面与四分之一波片0121相接触。中间层0123远离四分之一波片0121的表面F的达因值大于第一阈值。可选地，该第一阈值的取值可以大于或等于30毫牛每米，且小于或等于70毫牛每米，比如，该第一阈值可以为：50毫牛每米或其他数值(如70毫牛每米)。该第一阈值的取值范围还可以为其他范围，如大于或等于25毫牛每米，且小于或等于65毫牛每米等。当中间层0123远离四分之一波片0121的表面F的达因值大于第一阈值时，该达因值较高，物体在该表面的附着力较高，因此，线偏光片0122能够有效地附着在中间层0123远离四分之一波片0121的表面F。
需要说明的是，在波片组件0120包括中间层0123时，四分之一波片0121的第一表面D的达因值也可以大于第二阈值，此时，中间层0123能够有效地附着在四分之一波片0121的第一表面D。图9所示的圆偏光片012中的四分之一波片0121的结构也可以与图8中示出的四分之一波片0121的结构相同。
可选地，中间层0123的材质可以包括：硅烷或硅烷的衍生物。如甲硅烷或其衍生物，乙硅烷或其衍生物等。
可选地，上述中间层0123的厚度范围为大于或等于0.03微米且小于或等于0.5微米。比如，中间层0123的厚度可以为1微米，若四分之一波片0121的厚度为10微米，由液晶层形成的线偏光片0122的厚度可以为1微米，则图9所示的圆偏光片012的总厚度为10微米+1微米+1微米＝12微米，远远小于相关技术中圆偏光片的厚度。
需要说明的是，本申请实施例提供的圆偏光片的偏光度也可以为任意数值，如PE为96％或97％等，偏光度也称极化效率(polarizing efficiency，PE)。可见，本申请实施例同一个的圆偏光片的偏光度较高，其能够对较多的起到作用，在该圆偏光片应用于发光装置时，该圆偏光片能够较好的降低发光装置中发光结构对环境光的反射对发光效果的影响。
本申请实施例提供的圆偏光片对各种光线的反射率可以为任意数值，如大致在反射率为5.36％或5.37％附近等。示例地，图10为本申请实施例提供的一种圆偏光片对各种波长的光的反射率的曲线示意图。如图10所示，图10中的横坐标为圆偏光片所反射的光的波长，单位为纳米；图10中的纵坐标为圆偏光片对光的反射率，单位为百分比(％)。从图10可以看出，本申请实施例提供的圆偏光片对各种波长的光的反射率均较低，因此本申请实施例提供的圆偏光片在应用于发光装置时，对发光装置的发光效果的影响较小。
需要说明的是，本申请实施例中的线偏光片仅包括液晶层，并且，本申请实施例中以液晶层仅包括液晶为例。可选地，该液晶层也可以不仅包括液晶，还包括用于吸收可见光的遮光分子，此时，该液晶层可以是由液晶和遮光分子混合得到。又可选地，该液晶层也可以包括多个目标分子，该目标分子包括液晶以及与液晶键合的遮光分子，该遮光分子用于吸收可见光。
可选地，图11为本申请实施例提供的另一种圆偏光片的结构示意图，如图11所示，线偏光片0122中的液晶层可以包括：沿远离波片组件0120的方向依次排布的液晶子层0122A和固化层0122B。固化层0122B的硬度较高，能够提升整个圆偏光片的硬度和稳定度。
可选地，固化层0122B的材质可以为有机材质或者无机材质，如环氧树脂类材质、氨基甲酸乙脂类材质、亚克力类材质、丙烯酸类材质等。固化层0122B的厚度范围可以为大于0微米且小于或等于20微米，或者固化层0122B的厚度范围也可以为其他范围，如大于0微米且小于或等于15微米等。
可选地，该液晶子层0122A的结构可以与上述液晶层的结构相同，比如，液晶子层0122A仅包括液晶；或者液晶子层0122A包括液晶和上述遮光分子；或者液晶子层0122A包括上述目标分子，本申请实施例对此不作限定。需要说明的是，图6所示的圆偏光片中的线偏光片0122的结构也可以参考图10中线偏光片0122的结构，本申请实施例对此不作限定。
综上所述，由于本申请实施例提供的圆偏光片中，线偏光片仅包括液晶层，因此，线偏光片并不包括TAC基材，且液晶层的杨氏模量较小(比如为0.765Gpa，远小于相关技术中的3Gpa)，柔性较高，因此，线偏光片的柔性较高，整个圆偏光片不容易破裂。
并且，当线偏光片仅包括液晶层时，线偏光片可以做的比较薄，该线偏光片的厚度远小于相关技术中线偏光片的厚度。这样一来，就大大减小了圆偏光片的整体厚度。
以下将对本申请实施例提供的圆偏光片的制造方法进行说明。
图12为本申请实施例提供的一种圆偏光片的制造方法的流程图，该制造方法可以用于制造图9所示的圆偏光片。如图12所示，该制造方法可以包括：
步骤1101、提供四分之一波片。
在步骤1101中提供的四分之一波片的结构可以参考上述圆偏光片实施例中四分之一波片的结构，本申请实施例在此不做赘述。
另外，步骤1101中可以直接获取预先制备好的四分之一波片，或者，在步骤1101中制造该四分之一波片，本申请实施例对此不做限定。
该四分之一波片满足以下一种或多种条件：R0(450)/R0(550)<0.85；R0(550)/R0(550)＝1；R0(650)/R0(550)<1.2；其中，R0(λ)＝(nx-ny)*d，nx表示四分之一波片在其慢轴方向上对波长为λ的光的折射率，ny表示四分之一波片在其快轴方向上对波长为λ纳米的光的折射率，d表示四分之一波片中波片部分的厚度，波片部分具有快轴和慢轴。
步骤1102、控制波片组件沿与第一方向相反的第二方向平移。
需要说明的是，该第一方向为一个确定的方向，可以依据需要制备的线偏光片中液晶的长轴确定该第一方向。示例地，该第一方向可以垂直于液晶的长轴，或者平行于液晶的长轴。
控制四分之一波片沿第二方向平移可以理解为：控制四分之一波片中用于被涂覆液晶层的区域沿该第二方向平移。
示例地，可以通过第一卷轴和第二卷轴控制四分之一波片沿与第一方向相反的第二方向平移。其中，如图13所示，第一卷轴021朝向第二卷轴022的方向为该第二方向，也即第二卷轴022朝向第一卷轴021的方向为第一方向F。在控制四分之一波片0121沿第二方向平移时，可以将四分之一波片0121的第一端卷绕在第一卷轴021上，以及将四分之一波片0121的第二端固定在第二卷轴022上。之后，再控制第二卷轴022相对于第一卷轴021转动(如顺时针转动)，以带动四分之一波片0121沿第二方向平移，且四分之一波片0121的第二端卷绕在第二卷轴022上。
当然，本申请实施例中还可以通过其他方式控制四分之一波片沿第二方向平移，本申请实施例对此不作限定。另外，在控制四分之一波片沿第二方向平移时，可以根据需要设置四分之一波片沿第二方向平移的速度，本申请实施例对此不作限定。
步骤1103、对四分之一波片的第一表面进行电晕处理，使四分之一波片的第一表面的达因值大于第二阈值。
示例地，在四分之一波片平移的过程中，可以首先对四分之一波片的第一表面进行电晕处理，以提升该第一表面的达因值，使得该达因值大于第二阈值，进而提高该表面的附着力。该第一表面为四分之一波片中靠近待形成的线偏光片的表面。
示例地，如图13所示，可以通过位于第一卷轴021和第二卷轴022之间的电晕设备023对该四分之一波片0121的第一表面D进行电晕处理。
需要说明的是，本申请实施例中以在四分之一波片平移的过程中，对四分之一波片的第一表面进行电晕处理为例。当然也可以是在四分之一波片平移前，便对四分之一波片的第一表面进行电晕处理。
步骤1104、在四分之一波片沿第二方向平移的过程中，向四分之一波片的第一表面涂覆用于形成中间层的溶液。
示例地，如图13所示，在四分之一波片0121沿第二方向平移的过程中，可以通过位于第一卷轴021和第二卷轴022之间的第二涂覆设备024，向四分之一波片0121的第一表面D涂覆用于形成中间层的溶液。该第二涂覆设备024可以位于电晕设备023和第二卷轴022之间，第二涂覆设备024可以为狭缝式涂布头。
可选地，上述用于形成中间层的溶液固含量范围为大于或等于1％，且小于或等于20％。例如，该固含量范围为大于或等于1％，且小于或等于10％。
步骤1105、对用于形成中间层的溶液进行干燥处理，以形成中间层，且中间层和四分之一波片层叠形成波片组件。
在对该用于形成中间层的溶液进行干燥处理时，可以将该溶液在某一温度下干燥。比如，如图13所示，可以采用位于第二涂覆设备024和第二卷轴022之间的第一干燥设备025对该用于形成中间层的溶液进行干燥处理，以形成中间层0123。
步骤1104和步骤1105可以实现在四分之一波片的一侧上形成中间层，以得到波片组件，其中，中间层远离所述四分之一波片的表面的达因值大于第一阈值。
步骤1106、在波片组件沿第二方向平移的过程中，向波片组件的一个表面涂覆液晶层。
波片组件沿第二方向平移可以理解为：波片组件中用于被涂覆液晶层的区域沿该第二方向平移。在波片组件的表面沿第一方向涂覆液晶层时，可以直接在波片组件的表面沿第一方向涂覆液晶层。波片组件包括：四分之一波片和中间层，在波片组件的表面涂覆液晶层可以为：在中间层远离四分之一波片的表面涂覆液晶层。
示例地，如图13所示，可以通过位于第一干燥设备025和第二卷轴022之间的第一涂覆设备026，向中间层0123远离四分之一波片0121的表面中的至少部分表面(如全部表面)涂覆液晶层。该第一涂覆设备026可以为狭缝式涂布头。应当知道的是，该至少部分表面位于波片组件的被涂覆液晶的表面内，或者说，该至少部分表面属于所述波片组件的被涂覆液晶的表面。
步骤1107、对液晶层进行干燥处理，以形成线偏光片，且波片组件和线偏光片层叠形成圆偏光片。
示例地，如图13所示，可以采用位于第一涂覆设备026和第二卷轴022之间的第二干燥设备027对该液晶层进行干燥处理，以得到线偏光片0122。可选地，也可以不通过第二干燥设备027将液晶层干燥，而是将该液晶层自然干燥，本申请对此不作限定。
需要说明的是，第二卷轴022可以一直在转动，此时形成的线偏光片0122可以随波片组件一起，卷绕在第二卷轴022上，形成卷绕在第二卷轴022上的圆偏光片。
本申请实施例中通过控制波片组件沿第二方向平移，以使涂覆液晶层的第一涂覆设备相对波片组件沿第一方向平移，从而能够实现在波片组件的表面沿第一方向涂覆液晶层的目的。可选地，也可以不控制波片组件平移，而是控制涂覆液晶层的第一涂覆设备沿第一方向平移，从而也能够实现在波片组件的表面沿第一方向涂覆液晶层的目的。又可选地，可以不仅控制波片组件沿第二方向平移，且控制第一涂覆设备沿第一方向平移，从而也能够实现在波片组件的表面沿第一方向涂覆液晶层的目的。这样一来，如图14所示，在涂覆液晶层时，够使液晶层中的液晶01221与接触面(如本申请实施例中中间层远离四分之一波片的表面)之间形成一定的相互作用力(可以称为剪切力)，杂乱排布的液晶01221能够在该作用力的作用下沿该第一方向F排布。并且，使得液晶层中的液晶01221大致或全部沿第一方向F排布，使最终得到的线偏光片中任意两个液晶01221的长轴E(可以平行于第一方向F)的夹角小于或等于10度(如等于0度)，使这些液晶01221能够起到线偏光片的作用。
可选地，在涂覆液晶层时，杂乱排布的液晶01221也能够在上述作用力的作用下沿垂直于该第一方向F的方向排布(图14中未示出这种排布方式)。并且，使得形成的液晶层中的液晶01221大致或全部沿垂直于第一方向F的方向排布，使最终得到的线偏光片中任意两个液晶01221的长轴E(可以垂直于图14中的第一方向F)的夹角小于或等于10度(如等于0度)。本申请实施例对此不作限定。
需要说明的是，本申请实施例中以通过涂覆溶液的方式形成中间层为例。可选地，也可以是直接将中间层贴附在四分之一波片的表面，本申请实施例对此不作限定。进一步地，本申请实施例中以制备的圆偏光片中的波片组件包括中间层为例，当需要制备的圆偏光片中的波片组件不包括中间层时，可以不执行上述步骤1104和步骤1105，而是在步骤1103之后，直接在四分之一波片的表面涂覆液晶层。
另外，无论波片组件包括哪些结构，上述步骤1103均可以不执行，本申请实施例对此也不做限定。需要说明的是，步骤1105中形成的中间层用于增加步骤1106中被涂覆的液晶层与该液晶层所涂覆的表面的结合力。因此，应当知道的是，如果步骤1103并未执行，且波片组件并不包括中间层，则步骤1106中的液晶层是直接涂覆在四分之一波片的表面，液晶层与四分之一波片的表面之间的结合力为第一结合力。如果无论步骤1103是否执行，且波片组件包括中间层，则步骤1106中的液晶层是被涂覆在中间层的表面，液晶层与中间层的表面之间的结合力为第二结合力，则第二结合力大于第一结合力。
本申请实施例中以第一涂覆设备和第二涂覆设备均为狭缝式涂布头为例，可选地，该第一涂覆设备和第二涂覆设备中的一个涂覆设备或全部涂覆设备也可以是其他设备，如该第一涂覆设备和第二涂覆设备均为微凹涂布设备。该微凹涂布设备可以从一处蘸取待涂覆物(如上述中间层的材质的溶液或液晶层)，然后再涂覆该蘸取的待涂覆物即可。
综上所述，由于本申请实施例提供的方法所制造的圆偏光片中，线偏光片仅包括液晶层，因此，线偏光片并不包括TAC基材，且液晶层的杨氏模量较小(比如为0.765Gpa，远小于相关技术中的3Gpa)，柔性较高，因此，线偏光片的柔性较高，整个圆偏光片不容易破裂。
并且，当线偏光片仅包括液晶层时，线偏光片可以做的比较薄，该线偏光片的厚度远小于相关技术中线偏光片的厚度。这样一来，就大大减小了圆偏光片的整体厚度。
图12所示的实施例中的线偏光片仅包括液晶层，该液晶层可以仅包括液晶，或者包括液晶和遮光分子。在波片组件的一个表面沿第一方向涂覆液晶层可以通过上述步骤1106实现。
可选地，线偏光片中的液晶层也可以包括：沿远离波片组件的方向依次排布的液晶子层和固化层。此时，在波片组件的一个表面沿第一方向涂覆液晶层可以为：首先在波片组件的一个表面沿第一方向涂覆液晶子层；之后，在液晶子层远离波片组件的一个表面形成固化层。并且，在液晶子层远离波片组件的一个表面形成固化层时，可以在液晶子层远离波片组件的一个表面涂覆用于形成固化层的溶液，并对该用于形成固化层的溶液进行干燥处理，以形成该固化层。
可选地，在波片组件的一个表面沿第一方向涂覆液晶子层时，可以在波片组件沿第二方向平移的过程中，向波片组件的一个表面涂覆液晶子层，并对液晶子层进行干燥处理；相应的，在液晶子层远离波片组件的一个表面涂覆用于形成固化层的溶液时，可以在波片组件沿第二方向平移的过程中，在液晶子层远离波片组件的一个表面涂覆用于形成固化层的溶液，并对该溶液进行干燥处理，以得到固化层。
示例地，如图15所示，在波片组件沿第二方向平移的过程中，可以通过位于第一干燥设备025和第二卷轴022之间的第一涂覆设备026，向中间层0123远离四分之一波片0121的表面中的至少部分表面(如全部表面)涂覆液晶子层0122A。之后，再采用位于第一涂覆设备026和第二卷轴022之间的第二干燥设备027对该液晶子层0122A进行干燥处理。然后，通过第二干燥设备027和第二卷轴022之间的第三涂覆设备028在液晶子层0122A远离波片组件的一个表面涂覆用于形成固化层的溶液。最后，可以通过第三涂覆设备028和第二卷轴022之间的第三干燥设备029对该溶液进行干燥，以得到固化层0122B。
基于本申请实施例提供的圆偏光片，本申请实施例提供了一种发光装置01，如图16所示，该发光装置01可以包括：发光结构011，以及本申请实施例提供的圆偏光片012；该圆偏光片012位于发光结构011的出光侧，且圆偏光片012中的波片组件(图16中未示出)靠近发光结构011。发光结构011发出的光线经过圆偏光片012并被圆偏光片012进行偏光处理。
可选地，发光结构011可以包括：显示屏(如图17所示)。该显示屏具有显示区域AA(也即其发光区域)，圆偏光片可以贴附在显示屏的显示区域AA上。
示例地，当发光结构包括显示屏时，该发光装置可以称为显示装置。示例地，显示装置可以为液晶显示装置、OLED显示装置、LED显示装置、电子纸、显示器、电视机、手机、平板电脑、笔记本电脑、数码相框或导航仪等。另外，显示装置可以为柔性显示装置或非柔性显示装置，显示装置可以为折叠显示装置或非折叠显示装置等。当显示装置为柔性显示装置或折叠显示装置时，显示装置对圆偏光片的柔性要求较高。本申请实施例提供的圆偏光片的柔性较高，能够满足显示装置的要求。
并且，由于本申请实施例提供的圆偏光片的厚度也较薄，因此，包括该圆偏光片的发光装置的厚度也较小。另外，根据物理原理，发光装置的刚性与发光装置的厚度的三次方成正比，这意味着当发光装置越厚，其刚性越大越不易弯折；并且，在发光装置弯折的过程中，发光装置中的膜层受到的应力较大，越容易在该应力的作用下塑性变形而损伤。而本申请实施例提供的发光装置的厚度较小，因此该发光装置的刚性较小，较容易弯折，可弯折半径较小；并且，在发光装置弯折的过程中，发光装置中的膜层受到的应力较小，较不容易在该应力的作用下塑性变形而损伤。另外，在圆偏光片的厚度降低时，显示装置中各个膜层出现分层的现象能够得到改善。
需要说明的是，在显示装置为OLED显示装置时，OLED显示装置通常要求其电路层在OLED显示装置的厚度方向上位于OLED显示装置的中间位置，因此，当圆偏光片的厚度较大时，需要将电路层远离圆偏光片一侧的结构加厚，以使电路层能够位于该中间位置，但此时整个OLED显示装置的厚度较大。而本申请实施例提供的圆偏光片的厚度较小，因此，无需加厚电路层远离圆偏光片一侧的结构，整个OLED显示装置的厚度较小。
可选地，图16中的发光结构011与圆偏光片012之间可以通过粘接胶014粘接。该粘接胶014可以为OCA，或者15微米厚的压敏胶(pressure sensitive adhesive，PSA)等。
可选地，图16所示的发光装置也还可以包括盖板(图16未示出)，该盖板可以位于圆偏光片015远离发光结构011的一侧。需要说明的是，图16所示的发光装置中，除圆偏光片之外的结构的解释可以参考图1所示的发光装置中对该结构的解释，本申请实施例在此不做赘述。
需要指出的是，在附图中，为了图示的清晰可能夸大了部分或全部的层的尺寸，或者部分或全部区域的尺寸。而且可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“上”时，它可以直接在其他元件上，或者可以存在中间的层。另外，还可以理解，当层或元件被称为在两层或两个元件“之间”时，它可以为两层或两个元件之间惟一的层，或还可以存在一个以上的膜层或元件。通篇相似的参考标记指示相似的元件。
在本公开中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。术语“多个”指两个或两个以上，除非另有明确的限定。
需要说明的是，本发明实施例提供的方法实施例能够与相应的圆偏光片实施例相互参考，本发明实施例对此不做限定。本发明实施例提供的方法实施例步骤的先后顺序能够进行适当调整，步骤也能够根据情况进行相应增减，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化的方法，都应涵盖在本发明的保护范围之内，因此不再赘述。
以上所述仅为本申请的可选实施例，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (16)

1.一种制造圆偏光片的方法，其特征在于，所述方法包括：
在波片组件的一个表面沿第一方向涂覆液晶层，所述波片组件包括：四分之一波片，且所述四分之一波片对入射光的面内补偿值与所述入射光的波长正相关；
对所述液晶层进行干燥处理，以形成线偏光片；
其中，所述波片组件和所述线偏光片层叠形成所述圆偏光片。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述在波片组件的表面沿第一方向涂覆液晶层之前，所述方法还包括：
控制所述波片组件沿与所述第一方向相反的第二方向平移；
所述在波片组件的表面沿第一方向涂覆液晶层，包括：
在所述波片组件沿所述第二方向平移的过程中，向所述波片组件的表面涂覆所述液晶层。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述控制所述波片组件沿与所述第一方向相反的第二方向平移，包括：
将所述四分之一波片的第一端卷绕在第一卷轴上，以及将所述四分之一波片的第二端固定在第二卷轴上；
控制所述第二卷轴相对于所述第一卷轴转动，以带动所述四分之一波片沿所述第二方向平移，且所述四分之一波片的第二端卷绕在所述第二卷轴上；
所述在波片组件的表面沿第一方向涂覆液晶层，包括：
在所述波片组件位于所述第一卷轴和所述第二卷轴之间的至少部分表面涂覆所述液晶层。
4.根据权利要求1至3任一所述的方法，其特征在于，所述波片组件还包括中间层，所述中间层与所述四分之一波片层叠，且位于所述四分之一波片的一侧，所述波片组件被涂覆液晶层的表面为所述中间层背离所述四分之一波片的表面；
则在所述在波片组件的表面沿第一方向涂覆液晶层之前，所述方法还包括：
在所述四分之一波片的一侧上形成中间层，以得到所述波片组件，其中，所述中间层远离所述四分之一波片的表面的达因值大于第一阈值。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在所述四分之一波片的一侧上形成中间层，包括：
向所述四分之一波片的一个表面涂覆用于形成中间层的溶液；
对所述用于形成中间层的溶液进行干燥处理，形成中间层。
6.根据权利要求1至5任一所述的方法，其特征在于，在所述在波片组件的表面沿第一方向涂覆液晶层之前，所述方法还包括：
对所述四分之一波片的第一表面进行电晕处理，使所述第一表面的达因值大于第二阈值，所述第一表面为所述四分之一波片中靠近待形成的所述线偏光片的表面。
7.根据权利要求1至6任一所述的方法，其特征在于，所述液晶层包括：沿远离所述波片组件的方向依次排布的液晶子层和固化层，所述在波片组件的一个表面沿第一方向涂覆液晶层，包括：
在所述波片组件的一个表面沿第一方向涂覆液晶子层；
在所述液晶子层远离所述波片组件的一个表面形成所述固化层。
8.一种圆偏光片，其特征在于，包括：层叠设置的波片组件和线偏光片，且所述线偏光片位于所述波片组件的表面；
所述波片组件包括：四分之一波片，所述四分之一波片对入射光的面内补偿值与所述入射光的波长正相关；所述线偏光片由液晶层组成。
9.根据权利要求8所述的圆偏光片，其特征在于，所述波片组件还包括：中间层，所述中间层与所述四分之一波片层叠设置，所述线偏光片位于所述中间层背离所述四分之一波片的一侧，所述中间层背离所述四分之一波片的表面与所述四分之一波片相接触；
所述中间层远离所述四分之一波片的表面的达因值大于第一阈值。
10.根据权利要求9所述的圆偏光片，其特征在于，所述中间层的材质包括：硅烷或硅烷的衍生物。
11.根据权利要求8至10任一所述的圆偏光片，其特征在于，所述四分之一波片的第一表面的达因值大于第二阈值，所述第一表面为所述四分之一波片中靠近所述线偏光片的表面。
12.根据权利要求8至11任一所述的圆偏光片，其特征在于，所述四分之一波片包括：液晶。
13.根据权利要求8至11任一所述的圆偏光片，其特征在于，所述四分之一波片包括层叠设置的二分之一子波片和四分之一子波片。
14.根据权利要求8至13任一所述的圆偏光片，其特征在于，所述液晶层包括：沿远离所述波片组件的方向依次排布的液晶子层和固化层。
15.一种发光装置，其特征在于，所述发光装置包括：发光结构，以及权利要求8至14任一所述的圆偏光片；
所述圆偏光片位于所述发光结构的出光侧，且所述圆偏光片中的四分之一波片靠近所述发光结构，所述发光结构发出的光线经过所述圆偏光片并被所述圆偏光片进行偏光处理。
16.根据权利要求15所述的发光装置，其特征在于，所述发光结构包括：显示屏。
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