CN110497306B - 一种半导体材料加工用化学抛光机 - Google Patents

一种半导体材料加工用化学抛光机 Download PDF

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Abstract

本发明涉及化学抛光技术领域，且公开了一种半导体材料加工用化学抛光机，所述工作台的外圈处安装有蓄水环，所述工作台的外部安装有挡板，所述挡板内安装有伸缩杆，所述伸缩杆的顶部固定连接有支撑块，所述支撑块的侧面固定连接有压环。将部分抛光液再次流入抛光垫上，使得抛光垫的表面始终保持一定含量的抛光液，增加硅片在抛光时的稳定性，同时挤出的另一部分抛光液，被开设的导流槽引入抛光垫的内部，供给工件使用，然后残留的抛光液，再将抛光垫中的杂质通过排水槽带出，使得吸收温度的抛光液在外部快速降温，再次挤压进入到抛光垫的内部，降低抛光垫的温度，使得工件在加工时，温度始终保持适宜的状态，增加工件在抛光时的均匀性。

Description

一种半导体材料加工用化学抛光机
技术领域
本发明涉及化学抛光技术领域，具体为一种半导体材料加工用化学抛光机。
背景技术
化学机械抛光技术是迄今为止最好的实现全局平整化的技术，广泛地应用在半导体设备微机电系统和激光系统透镜的微/纳制造中，其加工表面能够达到纳米级的表面粗糙度和微米级的面形精度同时无表面和亚表面损伤。
现有化学抛光机的工作原理如图5所示：旋转的硅片被夹持头下压在抛光垫的表面旋转，然后导流管将内部的抛光液滴落至抛光垫上，硅片经过抛光垫的化学反应，表面生成比较容易去除的物质，再被抛光垫去除，得到抛光后的硅片，硅片在加工过程中，需要不断的旋转将其表面的物质去除，而在旋转过程中，硅片与夹持头在抛光垫的表面产生离心力，造成抛光盘线速度太大,抛光液飞溅，化学作用减小，部分抛光液无法流至硅片的底部，造成抛光液分布的不均匀，导致抛光后的硅片表面凹凸不平，进而影响硅片的使用，且随着抛光时间的增加，再加工夹持头下压的力度不断增加，硅片与抛光垫摩擦产生大量的热量，抛光液受到温度的影响，内部碳酸H2CO3中电离出来的H+数量不断增加，-OH的浓度降低，造成抛光液的PH值随着温度的升高而降低，导致硅片在抛光时的化学反应变缓，表面不易形成比较容易去除的物质，降低硅片抛光的效率，同时温度的增加使得抛光液中的磨粒产生凝聚现象，造成磨粒集中在一起，影响磨粒的分布，进一步影响材料的去除。
发明内容
针对上述背景技术的不足，本发明提供了一种半导体材料加工用化学抛光机，具备抛光平坦、抛光均匀的优点，解决了背景技术提出的问题。
本发明提供如下技术方案：一种半导体材料加工用化学抛光机，包括工作台、抛光垫、夹持头、硅片、导流管、抛光液，抛光垫安装在工作台的顶部，夹持头安装在抛光垫的上方，硅片安装在夹持头的底部，导流管位于抛光垫的上部，抛光液填充在导流管内，所述工作台的外圈处安装有蓄水环，所述工作台的外部安装有挡板，所述挡板内安装有伸缩杆，所述伸缩杆的顶部固定连接有支撑块，所述支撑块的侧面固定连接有压环，所述抛光垫上开设有导流槽，所述抛光垫内开设有位于导流槽底部的排水槽，所述导流槽与排水槽的开口处开设有储液槽，所述导流槽、排水槽、储液槽构成回流系统。
优选的，所述蓄水环的内圈处安装有固定环，所述固定环上开设有导流孔，所述导流孔的形状为倒“八”型，所述蓄水环的内圈处安装有位于固定环上方的弧形板，所述弧形板的顶部为倾斜状，所述弧形板的侧面与抛光垫的侧面滑动连接。
优选的，所述压环的形状为圆形，所述蓄水环的形状为圆形，所述压环的宽度大于蓄水环的宽度，且蓄水环的材质为吸水海绵。
优选的，所述导流槽与排水槽环形排列在抛光垫的内部，所述导流槽至储液槽的形状为向下倾斜，所述储液槽至排水槽的形状为向下倾斜。
优选的，所述抛光垫的底部滑动连接有顶板，所述顶板的外部活动套装有位于抛光垫底部的限位环，所述抛光垫与工作台相接触的位置安装有缓冲垫，所述缓冲垫的材质为弹性橡胶，所述顶板与工作台的底部均固定连接有磁块，所述磁块之间为同极相斥状态，所述磁块的外部安装有保护套。
本发明具备以下有益效果：
1、该半导体材料加工用化学抛光机，通过蓄水环与压环的配合使用，使得飞溅的抛光液被蓄水环吸收，然后吸收的蓄水环被压环挤压，将部分抛光液再次流入抛光垫上，使得抛光垫的表面始终保持一定含量的抛光液，增加硅片在抛光时的稳定性，同时挤出的另一部分抛光液，被开设的导流槽引入抛光垫的内部，供给工件使用，然后残留的抛光液，再将抛光垫中的杂质通过排水槽带出，使得吸收温度的抛光液在外部快速降温，再次挤压进入到抛光垫的内部，降低抛光垫的温度，使得工件在加工时，温度始终保持适宜的状态，增加工件在抛光时的均匀性。
2、该半导体材料加工用化学抛光机，通过磁块之间磁力的配合，使得工件在下压过程中，顶板不断向上顶起，将储液槽内部的抛光液，进一步挤入工件与抛光垫之间，使得工件在抛光时，底部始终保持充足含量的抛光液，加快工件表面物质的形成，使得工件在抛光时的效率得到极大的提升，同时通过伸缩杆的作用，使得飞溅的抛光液再次回去到抛光垫上，进一步降低抛光液的浪费，使得抛光液得到充分的利用，进一步增加工件在抛光时的稳定性。
附图说明
图1为本发明结构示意图；
图2为图1的局部结构示意图；
图3为抛光垫的内部结构示意图；
图4为抛光垫的仰视结构示意图；
图5为现有结构示意图。
图中：1、工作台；2、抛光垫；3、夹持头；4、硅片；5、导流管；6、抛光液；7、蓄水环；8、固定环；9、导流孔；10、挡板；11、伸缩杆；12、支撑块；13、压环；14、导流槽；15、排水槽；16、储液槽；17、弧形板；18、顶板；19、限位环；20、缓冲垫；21、磁块；22、保护套。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参阅图1-4，一种半导体材料加工用化学抛光机，包括工作台1、抛光垫2、夹持头3、硅片4、导流管5、抛光液6，抛光垫2安装在工作台1的顶部，夹持头3安装在抛光垫2的上方，硅片4安装在夹持头3的底部，导流管5位于抛光垫2的上部，抛光液6填充在导流管5内，所述工作台1的外圈处安装有蓄水环7，所述工作台1的外部安装有挡板10，挡板10的形状为环形，且挡板10的底部为倾斜状，便于抛光液6流入抛光垫2的内部，同时便于抛光液6的汇集，所述挡板10内安装有伸缩杆11，伸缩杆11为现有公知技术，伸缩杆11为电动控制，具体操控也为现有公知技术，所述伸缩杆11的顶部固定连接有支撑块12，所述支撑块12的侧面固定连接有压环13，所述抛光垫2上开设有导流槽14，所述抛光垫2内开设有位于导流槽14底部的排水槽15，所述导流槽14与排水槽15的开口处开设有储液槽16，所述导流槽14、排水槽15、储液槽16构成回流系统，抛光液6受到导流槽14的作用，向储液槽16的内部流动，然后再通过排水槽15排出，排出的过程，带动硅片4的杂质流出。
其中，所述蓄水环7的内圈处安装有固定环8，所述固定环8上开设有导流孔9，所述导流孔9的形状为倒“八”型，便于抛光液6的流出，固定环8的形状为向内侧凹陷，便于抛光液6向导流孔9的位置汇集，将残渣排出，所述蓄水环7的内圈处安装有位于固定环8上方的弧形板17，所述弧形板17的顶部为倾斜状，所述弧形板17的侧面与抛光垫2的侧面滑动连接，弧形板17为环形状，弧形板17内圈的直径与抛光垫2外圈的直径相适配，便于蓄水环7挤出的抛光液6，通过弧形板17流入抛光垫2的内部。
其中，所述压环13的形状为圆形，所述蓄水环7的形状为圆形，所述压环13的宽度大于蓄水环7的宽度，且蓄水环7的材质为吸水海绵，蓄水环7挤出的水分一部分向抛光垫2的内部流，另一部分滴入挡板10上，再通过挡板10将抛光液6导入抛光垫2的内部，便于压环13将蓄水环7中的抛光液6挤出，使得飞溅的抛光液6，快速的汇集在一起，再次向抛光垫2的内部流入。
其中，所述导流槽14与排水槽15环形排列在抛光垫2的内部，所述导流槽14至储液槽16的形状为向下倾斜，所述储液槽16至排水槽15的形状为向下倾斜，经过导流槽14的抛光液6流入抛光垫2的内部，通过外部的抛光液6降低抛光垫2表面的温度，使得抛光垫2表面温度适中处于一个适宜的工作状态，最终储液槽16中的混浊抛光液6被排水槽15排出，再将抛光垫2上的温度排出，使得抛光液6的流入形成一个循环，一方面使得抛光液6适中充斥在硅片4的底部，另一方面通过抛光液6降低摩擦产生的温度。
其中，所述抛光垫2的底部滑动连接有顶板18，抛光垫2与工作台1也为滑动连接，便于抛光垫2向下滑动，所述顶板18的外部活动套装有位于抛光垫2底部的限位环19，增加顶板18在移动时的稳定性，使得顶板18始终位于抛光垫2的中部，所述抛光垫2与工作台1相接触的位置安装有缓冲垫20，缓冲垫20设在工作台1上，当顶板18向下移动时，先按压缓冲垫20，所述缓冲垫20的材质为弹性橡胶，所述顶板18与工作台1的底部均固定连接有磁块21，所述磁块21之间为同极相斥状态，利用磁力相斥的现象，将顶板18不断的向上顶起，使得抛光垫2下压，顶板18向上顶，将储液槽16中的抛光液6挤出抛光垫2的外部，所述磁块21的外部安装有保护套22，保护套22的两端分别与工作台1的内壁和顶板18的底部连接。
工作原理，硅片4被夹持头3下压，再抛光垫2上旋转，被硅片4带动飞溅的抛光液6倍蓄水环7吸收，当蓄水环7吸收一定含量的抛光液6后，伸缩杆11收缩带动压环13向下移动，然后加压蓄水环7，蓄水环7内部的抛光液6被挤压而出，抛光液6再通过导流槽14流入抛光垫2的内部，最终汇集到储液槽16中，降低抛光垫2上的温度，随着夹持头3的下压，抛光垫2不断的向下移动，然后顶板18受到磁块21相斥的力度向上顶起，将储液槽16内部的抛光液6顶到抛光垫2的表面，然后抛光垫2吸附磨损后的残渣，残渣受到水流的流动，再加上重力的影响向下沉淀，最终通过排水槽15排出，再排出的过程，抛光液6再将抛光垫2上的热量带走，形成一个循环。
需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。

Claims (5)

1.一种半导体材料加工用化学抛光机，包括工作台(1)、抛光垫(2)、夹持头(3)、硅片(4)、导流管(5)、抛光液(6)，抛光垫(2)安装在工作台(1)的顶部，夹持头(3)安装在抛光垫(2)的上方，硅片(4)安装在夹持头(3)的底部，导流管(5)位于抛光垫(2)的上部，抛光液(6)填充在导流管(5)内，其特征在于：所述工作台(1)的外圈处安装有蓄水环(7)，所述工作台(1)的外部安装有挡板(10)，所述挡板(10)内安装有伸缩杆(11)，所述伸缩杆(11)的顶部固定连接有支撑块(12)，所述支撑块(12)的侧面固定连接有压环(13)，所述抛光垫(2)上开设有导流槽(14)，所述抛光垫(2)内开设有位于导流槽(14)底部的排水槽(15)，所述导流槽(14)与排水槽(15)的开口处开设有储液槽(16)，所述导流槽(14)、排水槽(15)、储液槽(16)构成回流系统。
2.根据权利要求1所述的一种半导体材料加工用化学抛光机，其特征在于：所述蓄水环(7)的内圈处安装有固定环(8)，所述固定环(8)上开设有导流孔(9)，所述导流孔(9)的形状为倒“八”型，所述蓄水环(7)的内圈处安装有位于固定环(8)上方的弧形板(17)，所述弧形板(17)的顶部为倾斜状，所述弧形板(17)的侧面与抛光垫(2)的侧面滑动连接。
3.根据权利要求1所述的一种半导体材料加工用化学抛光机，其特征在于：所述压环(13)的形状为圆形，所述蓄水环(7)的形状为圆形，所述压环(13)的宽度大于蓄水环(7)的宽度，且蓄水环(7)的材质为吸水海绵。
4.根据权利要求1所述的一种半导体材料加工用化学抛光机，其特征在于：所述导流槽(14)与排水槽(15)环形排列在抛光垫(2)的内部，所述导流槽(14)至储液槽(16)的形状为向下倾斜，所述储液槽(16)至排水槽(15)的形状为向下倾斜。
5.根据权利要求1所述的一种半导体材料加工用化学抛光机，其特征在于：所述抛光垫(2)的底部滑动连接有顶板(18)，所述顶板(18)的外部活动套装有位于抛光垫(2)底部的限位环(19)，所述抛光垫(2)与工作台(1)相接触的位置安装有缓冲垫(20)，所述缓冲垫(20)的材质为弹性橡胶，所述顶板(18)与工作台(1)的底部均固定连接有磁块(21)，所述磁块(21)之间为同极相斥状态，所述磁块(21)的外部安装有保护套(22)。
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