CN110449409A - 一种避免pecvd工序中石墨舟印的处理工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及硅太阳能电池制造技术领域，尤其涉及一种避免PECVD工序中石墨舟印的处理工艺，包括以下步骤：将存放时间超过4小时的石墨舟搬运至管式PECVD机台，对石墨舟进行洗舟工艺加载，洗舟工艺步骤为：开始、进舟、抽真空、吹扫、抽真空、检漏、抽真空、恒温、恒压、淀积一、抽真空、吹扫、淀积二、抽真空、吹扫、抽真空、充氮、取舟、结束，将运行过洗舟工艺后的石墨舟从炉管中取出后，按正常工艺流程装载硅片，运行镀膜工艺，本发明利用电离氨气对长时间存放的石墨舟在管式PECVD机台上运行洗舟工艺进行处理，处理后的石墨舟装载硅片后镀膜不会出现硅片污染导致的EL石墨舟印。
Description
技术领域
本发明涉及硅太阳能电池制造技术领域，尤其涉及一种避免PECVD工序中石墨舟印的处理工艺。
背景技术
在太阳能电池生产中有一个工序叫做PECVD工序，PECVD工序的作用是在硅太阳能电池上沉积一层氮化硅薄膜，减少太阳光的反射率，来提高电池的转换效率。
管式PECVD对电池进行镀膜时以石墨舟作为载体，由于石墨舟为石墨材质，是由碳原子组成，石墨是元素碳的一种同素异形体，每个碳原子的周边连着另外三个碳原子，（排列方式呈蜂巢式的多个六边形），以共价键结合，形成共价分子。碳的空隙结构使石墨材料具备良好的吸附性，容易吸附水分、杂质等，而生产现场因机台故障、维修保养、石墨舟下线维修等会存在石墨舟长时间放置的现象，造成石墨舟吸附水分等杂质，导致直接上线使用时装载的硅片受到污染，下传丝网印刷后EL呈石墨舟印状发黑。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术中的不足，提供一种避免PECVD工序中石墨舟印的处理工艺，利用电离氨气对长时间存放的石墨舟在管式PECVD机台上运行洗舟工艺进行处理，处理后的石墨舟装载硅片后镀膜不会出现硅片污染导致的EL石墨舟印。
本发明是通过以下技术方案实现的：一种避免PECVD工序中石墨舟印的处理工艺，包括以下步骤：
步骤一，将存放时间超过4小时的石墨舟搬运至管式PECVD机台；
步骤二，将石墨舟通过自动化设备搬运至炉管，对炉管加载洗舟工艺并运行洗舟工艺，洗舟工艺步骤为：开始、进舟、抽真空、吹扫、抽真空、检漏、抽真空、恒温、恒压、淀积一、抽真空、吹扫、淀积二、抽真空、吹扫、抽真空、充氮、取舟、结束；
步骤三，将运行过洗舟工艺后的石墨舟从炉管中取出后，装载硅片，运行镀膜工艺。
进一步的，所述洗舟工艺步骤中抽真空步设定的底压为0.01托。
进一步的，所述洗舟工艺步骤中恒温步温度控制在480-520℃。
进一步的，所述洗舟工艺步骤中恒压步工艺压力控制在1.4-1.6托。
进一步的，所述洗舟工艺步骤中淀积一步射频时间为3-5min，射频功率为9000-10000W，占空比为0.098-0.12，压力为1.4-1.6托 ，NH3气体流量控制在4.0-5.0L/min，SiH4气体流量为0。
进一步的，所述洗舟工艺步骤中淀积二步射频时间为4-6min，射频功率为9000-10000W，占空比为0.098-0.12，压力为1.4-1.6托 ，NH3气体流量控制在4.0-5.0L/min，SiH4气体流量为0。
本发明的有益效果在于：本发明中一种避免PECVD工序中石墨舟印的处理工艺，无需设备投入，仅需在原有管式PECVD机台上对于长时间放置的石墨舟，通过特定洗舟工艺处理，利用电离后氨气的清洗作用，减少石墨舟上的水分等杂质，以此再装载硅片后运行镀膜工艺，不会造成硅片的污染，进而下传丝网印刷不会出现EL石墨舟印等不良情况。
具体实施方式
实施例1
一种避免PECVD工序中石墨舟印的处理工艺，包括以下步骤：
步骤一：将存放时间超过4小时的石墨舟搬运至机台，其具体实施方式为生产员工记录石墨舟下线时的时间，对存放时间超过4小时的石墨舟使用时需搬运至PECVD机台，不进行插片操作。
步骤二：对石墨舟进行洗舟工艺加载：将石墨舟通过自动化设备搬运至炉管，对炉管加载洗舟工艺并运行洗舟工艺，洗舟工艺步骤为：开始、进舟、抽真空、吹扫、抽真空、检漏、抽真空、恒温、恒压、淀积一、抽真空、吹扫、淀积二、抽真空、吹扫、抽真空、充氮、取舟、结束，其中抽真空步设定的底压为0.01托，恒温步工艺温度控制在490℃，恒压步工艺压力控制在1.5托，淀积步射频时间为3min，射频功率为9500W，占空比为0.1，压力为1.5托 ，NH3气体流量控制在4.6L/min，SiH4气体流量为0，淀积步一射频时间为3min，射频功率为9500W，占空比为0.1，压力为1.5托 ，NH3气体流量控制在4.6L/min，SiH4气体流量为0，淀积步二射频时间为5min，射频功率为9500W，占空比为0.1，压力为1.5托 ，NH3气体流量控制在4.6L/min，SiH4气体流量为0。
步骤三，将运行过洗舟工艺后的石墨舟从炉管中取出后，按正常工艺流程装载硅片，运行镀膜工艺。
实施例2：一种避免PECVD工序中石墨舟印的处理工艺，与实施例1中不同的是：
步骤二中恒温步工艺温度控制在500℃，恒压步工艺压力控制在1.55托，淀积步射频时间为4min，射频功率为9800W，占空比为0.12，压力为1.55托 ，NH3气体流量控制在5L/min，SiH4气体流量为0，淀积步射频时间为6min，射频功率为9800W，占空比为0.12，压力为1.55托 ，NH3气体流量控制在5L/min，SiH4气体流量为0。
实施例3：一种避免PECVD工序中石墨舟印的处理工艺，与实施例1中不同的是：
步骤二中恒温步工艺温度控制在490℃，恒压步工艺压力控制在1.55托，淀积一步射频时间为2.5min，射频功率为9800W，占空比为0.12，压力为1.55托 ，NH3气体流量控制在4.6L/min，SiH4气体流量为1080ML/min，淀积一步射频时间为9.5min，射频功率为9800W，占空比为0.12，压力为1.55托 ，NH3气体流量控制在8.19L/min，SiH4气体流量为1050ML/min。
步骤三，将运行过镀膜工艺后的石墨舟从炉管中取出后，按正常流程卸载硅片，下传丝网工序。
关于该“避免PECVD工序中石墨舟的处理工艺”的测试实验：
实验对象：选取现场存放时间超过4小时的石墨舟。
对照实验：将上述的石墨舟分成两组，分别为实验组、对照组。
实验方法：
实验组：采用实施例1中的石墨舟洗舟工艺进行处理；
对照组：采用实施例3中的工艺进行处理。
实验结果：
| 次数 | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 均值 |
| 对照组EL石墨舟印比例 | 1.5% | 5.5% | 2% | 3% | 7.5% | 3.9% |
| 实验组EL石墨舟印比例 | 0% | 0% | 0% | 0% | 0% | 0% |
实验数据分析：
使用本发明的工艺对放置时间较长的石墨舟进行处理，由于电离后氨气的清洗作用，减少石墨舟上的水分等杂质，以此再装载硅片后运行镀膜工艺，不会造成硅片的污染，进而下传丝网印刷不会出现EL石墨舟印等不良
最后应说明的是：以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (6)
1.一种避免PECVD工序中石墨舟印的处理工艺，包括以下步骤：
步骤一，将存放时间超过4小时的石墨舟搬运至管式PECVD机台；
步骤二，将石墨舟通过自动化设备搬运至炉管，对炉管加载洗舟工艺并运行洗舟工艺，洗舟工艺步骤为：开始、进舟、抽真空、吹扫、抽真空、检漏、抽真空、恒温、恒压、淀积一、抽真空、吹扫、淀积二、抽真空、吹扫、抽真空、充氮、取舟、结束；
步骤三，将运行过洗舟工艺后的石墨舟从炉管中取出后，装载硅片，运行镀膜工艺。
2.根据权利要求1所述的一种避免PECVD工序中石墨舟印的处理工艺，其特征在于：所述洗舟工艺步骤中抽真空步设定的底压为0.01托。
3.根据权利要求1所述的一种避免PECVD工序中石墨舟印的处理工艺，其特征在于：所述洗舟工艺步骤中恒温步温度控制在480-520℃。
4.根据权利要求1所述的一种避免PECVD工序中石墨舟印的处理工艺，其特征在于：所述洗舟工艺步骤中恒压步工艺压力控制在1.4-1.6托。
5.根据权利要求1所述的一种避免PECVD工序中石墨舟印的处理工艺，其特征在于：所述洗舟工艺步骤中淀积一步射频时间为3-5min，射频功率为9000-10000W，占空比为0.098-0.12，压力为1.4-1.6托 ，NH3气体流量控制在4.0-5.0L/min，SiH4气体流量为0。
6.根据权利要求1所述的一种避免PECVD工序中石墨舟印的处理工艺，其特征在于：所述洗舟工艺步骤中淀积二步射频时间为4-6min，射频功率为9000-10000W，占空比为0.098-0.12，压力为1.4-1.6托 ，NH3气体流量控制在4.0-5.0L/min，SiH4气体流量为0。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
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Application publication date: 20191115 |