CN110429180A - 一种太阳能电池及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种太阳能电池及其制备方法。该太阳能电池包括电极、无机空穴传输层、钙钛矿层、电子传输层和对电极，无机空穴传输层和钙钛矿层之间设有聚合物修饰层；聚合物修饰层的厚度为1nm‑50nm。本发明还提供了上述太阳能电池的制备方法。本发明的太阳能电池具有较高的光电转化效率。

Description

一种太阳能电池及其制备方法
技术领域
本发明涉及一种太阳能电池及其制备方法，尤其涉及一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法，属于太阳能技术领域。
背景技术
短短几年，钙钛矿太阳能电池的能量转换效率从最初的3.8％提高到23.7％，使其可以和硅太阳能电池、铜铟镓硒太阳能电池和碲化镉太阳能电池相媲美。钙钛矿太阳能电池的典型结构有正式结构(透明电极/电子传输层/钙钛矿层/空穴传输层)和反式结构(透明电极/空穴传输层/钙钛矿层/电子传输层)。
目前来看，国际认证的最高效率很多都是基于正式结构的器件，相比之下，反式钙钛矿太阳能电池的性能较差。但是另一方面，反式钙钛矿太阳能电池的稳定性好，制备工艺简单，更适合柔性卷对卷生产，所以提高反式器件的能量转换效率很有意义。
钙钛矿太阳能电池中，电子传输层和空穴传输层至关重要。钙钛矿层吸收光能产生电子和空穴两种载流子，通过与电子传输层和空穴传输层之间能级匹配，实现载流子的分离和传输。一般要求传输材料和钙钛矿材料能级匹配实现载流子的有效提取，还要有较好的载流子迁移速率实现载流子的有效传输，另外还要求传输材料稳定性好，缺陷少。
在反式钙钛矿太阳能电池中，相比电子传输材料，空穴传输材料更加重要。因为空穴传输材料位于窗口层，需要有较高的透光性，并且空穴传输层的质量对于后续钙钛矿的成膜等影响较大。无机空穴传输材料氧化镍，CuSCN，CuO等因为良好的透光性，稳定性和空穴传输性能而被广泛应用于反式钙钛矿太阳能电池中，但是相比基于聚合物空穴传输材料如PTAA等，无机空穴传输材料的钙钛矿太阳能电池的性能较差，尤其是短路电流和填充因子，其中一个原因是无机空穴传输材料和钙钛矿吸光层之间接触不好导致的载流子传输不好，这种接触不好主要有主要是由于1、无机材料表面粗糙导致和钙钛矿物理接触不好；2、两种无机材料的晶格不匹配导致的载流子传输势垒的产生；3、无机空穴材料浸润性引起的钙钛矿结晶性差的问题。
目前的方法是通过在无机空穴传输材料里面掺杂镁，铜，镍等来提高无机空穴传输材料的导电性，进而可以改善器件的性能，但是无法解决无机空穴传输层和钙钛矿之间的传输问题。
发明内容
为了解决上述技术问题，本发明的目的在于提供一种太阳能电池，该太阳能电池可以解决反式钙钛矿太阳能电池由于无机空穴传输材料与钙钛矿之间的接触不好导致性能较差的问题。
为了实现上述技术目的，本发明提供了一种太阳能电池，其中，该太阳能电池包括电极、无机空穴传输层、钙钛矿层、电子传输层和对电极，无机空穴传输层和钙钛矿层之间设有聚合物修饰层；
聚合物修饰层的厚度为1nm-50nm。
本发明的聚合物修饰层本身为可以传输空穴的有机空穴传输材料，首先，聚合物修饰层加在无机空穴传输层上可以改善表面粗糙度，改善无机空穴传输层和钙钛矿层之间的物理接触；其次，聚合物修饰层可以改善无机空穴传输材料和钙钛矿层之间的晶格不匹配；最后，通过聚合物修饰层可以改善钙钛矿浸润性，改善钙钛矿的结晶性，进而，聚合物修饰层的引入可以显著提高反式钙钛矿太阳能电池的效率。
在本发明的一具体实施方式中，聚合物修饰层的厚度可以为8nm-30nm，进一步优选为10nm-20nm。
本发明的太阳能电池的聚合物修饰层是由聚合物修饰溶液制备得到的。其中，聚合物修饰溶液是由聚合物和溶剂混合得到的。
在本发明的一具体实施方式中，采用的聚合物为满足和钙钛矿能级匹配的有机半导体材料，优选为以下物质中的一种：
在本发明的一具体实施方式中，聚合物修饰层是由聚合物修饰溶液制备得到的，其中，聚合物修饰溶液中聚合物的浓度可以为0.1mg/mL-10mg/mL。
在本发明的一具体实施方式中，聚合物修饰溶液采用的溶剂为异丙醇、丙酮、甲醇、氯苯、甲苯、N,N-二甲基甲酰胺、二甲基亚砜、氯仿或四氢呋喃。
在本发明的一具体实施方式中，无机空穴传输层的厚度为20nm-200nm。具体地，无机空穴传输层的厚度可以为20nm-80nm；进一步优选为30nm-50nm。
在本发明的一具体实施方式中，无机空穴传输层采用的无机空穴传输材料可以为氧化镍、碘化亚铜、硫氰化铜或氧化亚铜。
在本发明的一具体实施方式中，钙钛矿层的厚度可以为200nm-2000nm。具体地，钙钛矿层的厚度可以为450nm-800nm；进一步优选为500nm-650nm。
在本发明的一具体实施方式中，钙钛矿层采用的钙钛矿材料可以为ABX3，其中A为Cs+、MA+或FA+；B为Pb2+或Sn2+；X为I-、Cl-或Br-。
在本发明的一具体实施方式中，电子传输层的厚度可以为20nm-200nm。具体地，电子传输层的厚度可以为20nm-80nm；进一步优选为30nm-50nm。
在本发明的一具体实施方式中，电子传输层采用的电子传输材料为[6,6]-苯基-C61-丁酸异甲酯和/或浴铜灵。
在本发明的一具体实施方式中，电极为氧化铟锡或掺杂氟的二氧化锡。
在本发明的一具体实施方式中，对电极可以为金属电极或其他导电材料。其中，金属电极可以为银电极。
在本发明的一具体实施方式中，对电极的厚度可以为45nm-200nm。具体地，对电极的厚度可以为55nm-100nm；进一步优选为60nm-80nm。
本发明的太阳能电池，通过在无机空穴传输层和钙钛矿层之间引入聚合物修饰层，一方面，聚合物修饰层的引入可以钝化无机传输材料表面的缺陷，提高载流子的提取和传输能力；另一方面，由于聚合物修饰层的存在，可以减弱钙钛矿的浸润性，提高钙钛矿的结晶性和晶粒尺寸。从而提高器件的短路电流和填充因子，提高器件的能量转换效率。
本发明还提供了一种上述太阳能电池的制备方法，其中，该制备方法包括以下步骤：
在电极上制备无机空穴传输层；
在无机空穴传输层上制备聚合物修饰层；
在聚合物修饰层上制备钙钛矿层；
在钙钛矿层上制备电子传输层；
在电子传输层上制备对电极。
在本发明的一具体实施方式中，制备聚合物修饰层时，是在1000rmp-5000rmp的转速下，将聚合物修饰溶液旋涂在无机空穴传输层上，75℃-120℃退火10min-30min，完成聚合物修饰层的制备。
在本发明的一具体实施方式中，将聚合物修饰溶液旋涂在无机空穴传输层上，旋涂的时间可以为20s-40s。比如，旋涂的时间可以为30s。
本发明的太阳能电池采用聚合物材料修饰无机空穴传输层，通过钝化无机传输材料表面的缺陷，提高载流子的提取和传输能力；此外通过改变钙钛矿浸润性，改善钙钛矿材料的结晶性，可以大幅提高钙钛矿太阳能电池的能量转换效率，尤其是短路电流和填充因子。
本发明的太阳能电池的结构形式不仅可以应用于不同无机空穴传输材料，也可以应用于不同的钙钛矿材料，并且也可以应用于相关半导体领域。
附图说明
图1是实施例1中的钙钛矿太阳能电池的结构图。
主要附图符号说明：
1透明电极 2无机空穴传输层 3聚合物修饰层 4钙钛矿吸光层5电子传输层 6空穴阻挡层 7对电极
具体实施方式
为了对本发明的技术特征、目的和有益效果有更加清楚的理解，现对本发明的技术方案进行以下详细说明，但不能理解为对本发明的可实施范围的限定。
实施例1
参见图1，本实例采用低温氧化镍作为无机空穴传输材料，采用PCDTBT作为聚合物修饰材料，采用MAPbI3为钙钛矿吸收层材料，采用PCBM和BCP作为电子传输材料，采用银作为对电极。
本实例通过聚合物修饰材料钝化氧化镍的表面缺陷，提高了空穴的提取能力，通过改善浸润性提高了钙钛矿的结晶性，因此显著提高了器件的短路电流和填充因子。具体的实施方案如下：
(1)无机空穴传输层2的制备：
采用旋涂法制备低温氧化镍层，将20mg/mL的低温氧化镍旋涂液超声10分钟，采用0.45um的水系过滤头过滤备用。旋涂时将旋涂液铺满干净的导电玻璃-透明电极1表面，在3000rpm转速，2500rpm/s加速度下旋涂30s，旋涂完放置在加热台上120℃加热20分钟。
(2)聚合物输修饰层3的制备：
配制2mg/mL的PCDTBT溶液，采用旋涂法制备聚合物修饰层，旋涂工艺为滴加50uL的溶液在无机空穴传输层2上，3000rmp/s旋涂35s，接下来100℃加热10分钟即可。
(3)钙钛矿吸光层4的制备：
配制1.2M的MAPbI3溶液，其中PbI2和MAI摩尔比1：1，溶剂为DMF和DMSO体积比4：1的混合溶剂，搅拌24小时备用。旋涂时滴加100uL溶液均匀分布在聚合物修饰层3上，5000rmp/s旋涂20s，滴加500uL反溶剂氯苯，接下来105℃加热10分钟。
(4)电子传输层5的制备：
配制10mg/mL的PCBM的氯苯溶液，搅拌24小时备用。旋涂前用0.45um的有机滤头过滤，旋涂时滴加75uL的溶液在钙钛矿吸光层4上，2000rmp/s旋涂20s，然后75℃加热10分钟。
(5)空穴阻挡层6的制备：
将BCP溶于甲醇形成饱和溶液，旋涂前用0.45um的有机滤头过滤，旋涂时将75uL的BCP溶液滴加在5000rmp/s旋转的PCBM上，旋涂完75℃加热10min。
(6)对电极7的制备：
最后在制备的BCP上蒸镀100nm厚的银，蒸镀速度1-8A/s，真空度2.3×10-4Pa。
对比例1
本对比例提供了一种钙钛矿太阳能电池的制备方法，具体包括：
(1)无机空穴传输层的制备：
采用旋涂法制备低温氧化镍层，将20mg/mL的低温氧化镍旋涂液超声10分钟，采用0.45um的水系过滤头过滤备用。旋涂时将旋涂液铺满干净的导电玻璃表面，在3000rpm转速，2500rpm/s加速度下旋涂30s，旋涂完放置在加热台上120℃加热20分钟。
(2)钙钛矿吸光层的制备：
配制1.2M的MAPbI3溶液，其中PbI2和MAI摩尔比1：1，溶剂为DMF和DMSO体积比4：1的混合溶剂，搅拌24小时备用。旋涂时滴加100uL溶液均匀分布在无机空穴传输层上，5000rmp/s旋涂20s，滴加500uL反溶剂氯苯，接下来105℃加热10分钟。
(3)电子传输层制备：
配制10mg/mL的PCBM的氯苯溶液，搅拌24小时备用。旋涂前用0.45um的有机滤头过滤，旋涂时滴加75uL的溶液在钙钛矿吸光层上，2000rmp/s旋涂20s，然后75℃加热10分钟。
(4)空穴阻挡层的制备：
将BCP溶于甲醇形成饱和溶液，旋涂前用0.45um的有机滤头过滤，旋涂时将75ulL的BCP溶液滴加在5000rmp/s旋转的PCBM上，旋涂完75℃加热10min。
(5)对电极制备：
最后在制备的BCP上蒸镀100nm厚的银，蒸镀速度1-8A/s，真空度2.3×10-4Pa。
实施例2
参见图1结构，本实例采用CuSCN作为无机空穴传输材料，采用P3HT作为聚合物修饰材料，采用MAPbI3为钙钛矿吸收层材料，采用PCBM和BCP作为电子传输材料，采用银作为对电极。
本实例通过聚合物修饰材料钝化CuSCN的表面缺陷，提高了空穴的提取能力，通过改善浸润性提高了钙钛矿的结晶性，因此显著提高了器件的短路电流和填充因子。具体的实施方案如下：
(1)无机空穴传输层2的制备：
CuSCN无机空穴传输层通过电化学沉积方法制备，配制包含12mM的硫酸铜，12mM的乙二胺四乙酸和12mM的硫氰化钾的水溶液，在相对Ag/AgCl(3M的KCl)电极电势-0.3V下电解30s即可。
(2)聚合物修饰层3的制备：
配制2mg/mL的P3HT溶液，采用旋涂法制备空穴传输修饰层，旋涂工艺为滴加50uL的溶液在无机空穴传输层2上，3000rmp/s旋涂35s，接下来100℃加热10分钟即可。
(3)钙钛矿吸光层4的制备：
配制1.2M的MAPbI3溶液，其中PbI2和MAI摩尔比1：1，溶剂为DMF和DMSO体积比4：1的混合溶剂，搅拌24小时备用。旋涂时滴加100uL溶液均匀分布在聚合物修饰层3上，5000rmp/s旋涂20s，滴加500umL反溶剂氯苯，接下来105℃加热10分钟。
(4)电子传输层5的制备：
配制10mg/mL的PCBM的氯苯溶液，搅拌24小时备用。旋涂前用0.45um的有机滤头过滤，旋涂时滴加75uL的溶液在钙钛矿吸光层4上，2000rmp/s旋涂20s，然后75℃加热10分钟。
(5)空穴阻挡层6的制备：
将BCP溶于甲醇形成饱和溶液，旋涂前用0.45um的有机滤头过滤，旋涂时将75ul的BCP溶液滴加在5000rmp/s旋转的PCBM上，旋涂完75℃加热10min。
(6)对电极7的制备：
最后在制备的BCP上蒸镀100nm厚的银，蒸镀速度1-8A/s，真空度2.3×10-4Pa。
对比例2
本对比例提供了一种钙钛矿太阳能电池的制备方法，具体包括：
(1)无机空穴传输层的制备：
CuSCN无机空穴传输层通过电化学沉积方法制备，配制包含12mM的硫酸铜，12mM的乙二胺四乙酸和12mM的硫氰化钾的水溶液，在相对Ag/AgCl(3M的KCl)电极电势-0.3V下电解30s即可。
(2)钙钛矿吸光层的制备：
配制1.2M的MAPbI3溶液，其中PbI2和MAI摩尔比1：1，溶剂为DMF和DMSO体积比4：1的混合溶剂，搅拌24小时备用。旋涂时滴加100uL溶液均匀分布在无机空穴传输层上，5000rmp/s旋涂20s，滴加500uL反溶剂氯苯，接下来105℃加热10分钟。
(3)电子传输层制备：
配制10mg/mL的PCBM的氯苯溶液，搅拌24小时备用。旋涂前用0.45um的有机滤头过滤，旋涂时滴加75uL的溶液在钙钛矿吸光层上，2000rmp/s旋涂20s，然后75℃加热10分钟。
(4)空穴阻挡层的制备：
将BCP溶于甲醇形成饱和溶液，旋涂前用0.45um的有机滤头过滤，旋涂时将75ul的BCP溶液滴加在5000rmp/s旋转的PCBM上，旋涂完75℃加热10min。
(5)对电极制备：
最后在制备的BCP上蒸镀100nm厚的银，蒸镀速度1-8A/s，真空度2.3×10-4Pa。
实施例3
参见图1结构，本实例采用CuOx作为无机空穴传输材料，采用PhNa-1T作为聚合物修饰材料，采用MAPbI3为钙钛矿吸收层材料，采用PCBM和BCP作为电子传输材料，采用银作为对电极。
本实例通过有机空穴传输材料钝化CuOx的表面缺陷，提高了空穴的提取能力，通过改善浸润性提高了钙钛矿的结晶性，因此显著提高了器件的短路电流和填充因子。具体的实施方案如下：
(1)无机空穴传输层的制备：
CuOx通过旋涂6mg/ml的Cu(acac)2溶液氯仿溶液在ITO玻璃上，然后120℃加热20分钟，接下来3000rmp/s旋涂，动态滴加70ul的甲醇，在使用前紫外-臭氧处理10分钟即可。
(2)聚合物修饰层的制备：
配制1.5mg/mL的PhNa-1T溶液，采用旋涂法制备空聚合物修饰层，旋涂工艺为滴加50uL的溶液在无机空穴传输层上，3000rmp/s旋涂35s,接下来100℃加热10分钟即可。
(3)钙钛矿吸光层的制备：
配制1.2M的MAPbI3溶液，其中PbI2和MAI摩尔比1：1，溶剂为DMF和DMSO体积比4：1的混合溶剂，搅拌24小时备用。旋涂时滴加100ul溶液均匀分布在聚合物修饰层上，5000rmp/s旋涂20s，滴加1mL反溶剂氯苯，接下来105℃加热10分钟。
(4)电子传输层的制备：
配制10mg/mL的PCBM的氯苯溶液，搅拌24小时备用。旋涂前用0.45um的有机滤头过滤，旋涂时滴加75uL的溶液在钙钛矿吸光层上，2000rmp/s旋涂20s，然后75℃加热10分钟。
(5)空穴阻挡层的制备：
将BCP溶于甲醇形成饱和溶液，旋涂前用0.45um的有机滤头过滤，旋涂时将75uL的BCP溶液滴加在5000rmp/s旋转的PCBM上，旋涂完75℃加热10min。
(6)对电极制备：
最后在制备的BCP上蒸镀100nm厚的银，蒸镀速度1-8A/s，真空度2.3×10-4Pa。
对比例3
本对比例提供了一种钙钛矿太阳能电池的制备方法，具体包括：
(1)无机空穴传输层的制备：
CuOx通过旋涂6mg/mL的Cu(acac)2溶液氯仿溶液在ITO玻璃上，然后120℃加热20分钟，接下来3000rmp/s旋涂，动态滴加70uL的甲醇，在使用前紫外-臭氧处理10分钟即可。
(2)钙钛矿吸光层的制备：
配制1.2M的MAPbI3溶液，其中PbI2和MAI摩尔比1：1，溶剂为DMF和DMSO体积比5：1的混合溶剂，搅拌24小时备用。旋涂时滴加100uL溶液均匀分布在空穴传输层上，1000rmp/s旋涂12s，5000rmp/s旋涂20s,滴加1mL反溶剂氯苯，接下来105℃加热10分钟。
(3)电子传输层制备：
配制10mg/mL的PCBM的氯苯溶液，搅拌24小时备用。旋涂前用0.45um的有机滤头过滤，旋涂时滴加75uL的溶液在钙钛矿吸光层上，2000rmp/s旋涂20s，然后75℃加热10分钟。
(4)空穴阻挡层的制备：
将BCP溶于甲醇形成饱和溶液，旋涂前用0.45um的有机滤头过滤，旋涂时将75uL的BCP溶液滴加在5000rmp/s旋转的PCBM上，旋涂完75℃加热10min。
(5)对电极制备：
最后在制备的BCP上蒸镀100nm厚的银，蒸镀速度1-8A/s，真空度2.3×10-4Pa。
实施例4
参见图1结构，本实例采用高温氧化镍作为无机空穴传输材料，采用TFB作为聚合物修饰材料，采用MAPbI3为钙钛矿吸收层材料，采用PCBM和BCP作为电子传输材料，采用银作为对电极。
本实例通过聚合物修饰材料钝化CuSCN的表面缺陷，提高了空穴的提取能力，通过改善浸润性提高了钙钛矿的结晶性，因此显著提高了器件的短路电流和填充因子。具体的实施方案如下：
(1)无机空穴传输层的制备：
溶解400mg乙酰丙酮镍于40mL的乙腈溶剂，搅拌3小时备用。使用时将玻璃加热至600℃保温半小时，将乙酰丙酮镍溶液均匀喷洒在玻璃上，然后600℃保温半小时，之后降温至150℃保温即可。
(2)聚合物修饰层的制备：
配制2mg/mL的TFB溶液，采用旋涂法制备空穴传输修饰层，旋涂工艺为滴加50ul的溶液在无机空穴传输层上，3000rmp/s旋涂35s，接下来100℃加热10分钟即可。
(3)钙钛矿吸光层的制备：
配制1.2M的MAPbI3溶液，其中PbI2和MAI摩尔比1：1，溶剂为DMF和DMSO体积比5：1的混合溶剂，搅拌24小时备用。旋涂时滴加100uL溶液均匀分布在聚合物修饰层上，5000rmp/s旋涂20s，滴加500uL反溶剂氯苯，接下来105℃加热10分钟。
(4)电子传输层的制备：
配制10mg/mL的PCBM的氯苯溶液，搅拌24小时备用。旋涂前用0.45um的有机滤头过滤，旋涂时滴加75uL的溶液在钙钛矿吸光层上，2000rmp/s旋涂20s，然后75℃加热10分钟。
(5)空穴阻挡层的制备：
将BCP溶于甲醇形成饱和溶液，旋涂前用0.45um的有机滤头过滤，旋涂时将75uL的BCP溶液滴加在5000rmp/s旋转的PCBM上，旋涂完75℃加热10min。
(6)对电极的制备：
最后在制备的BCP上蒸镀100nm厚的银，蒸镀速度1-8A/s，真空度2.3×10-4Pa。
对比例4
(1)无机空穴传输层的制备：
溶解400mg乙酰丙酮镍于40ml的乙腈溶剂，搅拌3小时备用。使用时将玻璃加热至600℃保温半小时，将乙酰丙酮镍溶液均匀喷洒在玻璃上，然后600℃保温半小时，之后降温至150℃保温即可。
(2)钙钛矿吸光层的制备：
配制1.2M的MAPbI3溶液，其中PbI2和MAI摩尔比1：1，溶剂为DMF和DMSO体积比4：1的混合溶剂，搅拌24小时备用。旋涂时滴加100uL溶液均匀分布在空穴传输层上，5000rmp/s旋涂20s，滴加500uL反溶剂氯苯，接下来105℃加热10分钟。
(3)电子传输层制备：
配制10mg/mL的PCBM的氯苯溶液，搅拌24小时备用。旋涂前用0.45um的有机滤头过滤，旋涂时滴加75uL的溶液在钙钛矿吸光层上，2000rmp/s旋涂20s，然后75℃加热10分钟。
(4)空穴阻挡层的制备：
将BCP溶于甲醇形成饱和溶液，旋涂前用0.45um的有机滤头过滤，旋涂时将75uL的BCP溶液滴加在5000rmp/s旋转的PCBM上，旋涂完75℃加热10min。
(5)对电极制备：
最后在制备的BCP上蒸镀100nm厚的银，蒸镀速度1-8A/s，真空度2.3×10-4Pa。
将上述实施例1-实施例4、对比例1-对比例4的太阳能电池进行如下测试。结果如表1所示。
测试条件：室温(25℃)，太阳光模拟器(AM1.5G氙灯光源)，光强100mW/cm2，电池有效面积0.1cm2。
测试方法：电压变化-0.2V-1.2V，阶跃电压10mV。
其中：PCE＝(J_SC×V_OC×FF)/P_in×100％。
表1
通过表1可以看出，本发明的本发明的太阳能电池采用聚合物材料修饰无机空穴传输层，可以提高载流子的提取和传输能力，可以大幅提高钙钛矿太阳能电池的能量转换效率，尤其是短路电流和填充因子。

Claims (10)

1.一种太阳能电池，其中，该太阳能电池包括电极、无机空穴传输层、钙钛矿层、电子传输层和对电极，无机空穴传输层和钙钛矿层之间设有聚合物修饰层；
所述聚合物修饰层的厚度为1nm-50nm。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述聚合物修饰层采用的聚合物为以下物质中的一种：
3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其中，所述聚合物修饰层是由聚合物修饰溶液制备得到的，所述聚合物修饰溶液中聚合物的浓度为0.1mg/mL-10mg/mL。
4.根据权利要求3所述的太阳能电池，其中，所述聚合物修饰溶液采用的溶剂为异丙醇、丙酮、甲醇、氯苯、甲苯、N,N-二甲基甲酰胺、二甲基亚砜、氯仿或四氢呋喃。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述无机空穴传输层的厚度为20nm-200nm；
优选地，无机空穴传输层采用的无机空穴传输材料为氧化镍、碘化亚铜、硫氰化铜或氧化亚铜。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述钙钛矿层的厚度为200nm-2000nm；
优选地，钙钛矿层采用的钙钛矿材料为ABX3，其中A为Cs+、MA+或FA+；B为Pb2+或Sn2+；X为I-、Cl-或Br-。
7.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述电子传输层的厚度为20nm-200nm；
优选地，所述电子传输层采用的电子传输材料为[6,6]-苯基-C61-丁酸异甲酯和/或浴铜灵。
8.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述电极为氧化铟锡或掺杂氟的二氧化锡；
优选地，所述对电极为金属电极；
优选地，所述对电极的厚度为45nm-200nm。
9.一种权利要求1-8任一项所述的太阳能电池的制备方法，其中，该制备方法包括以下步骤：
在电极上制备无机空穴传输层；
在无机空穴传输层上制备聚合物修饰层；
在聚合物修饰层上制备钙钛矿层；
在钙钛矿层上制备电子传输层；
在电子传输层上制备对电极。
10.根据权利要求9所述的制备方法，其中，所述制备聚合物修饰层时，是在1000rmp-5000rmp的转速下，将聚合物修饰溶液旋涂在无机空穴传输层上，75℃-120℃退火10min-30min，制备形成聚合物修饰层。
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