CN110416047A - 射频阻抗匹配的方法及装置、半导体处理设备 - Google Patents

Abstract

本发明公开了射频阻抗匹配的方法、装置和设备。包括：S110、扫频匹配阶段；S120、扫频保持阶段；S110包括循环执行至少一次下述步骤：S111、获取当前脉冲周期在预定的至少一个脉冲阶段结束时射频电源的扫频结束参数；S112、分别判断当前脉冲周期的各预定的脉冲阶段的扫频结束参数是否与目标扫频参数匹配；当匹配时，执行S120，不匹配时，执行S113；S113、下一个脉冲周期的各预定的脉冲阶段，射频电源分别根据前一个脉冲周期的各预定的脉冲阶段的扫频结束参数进行扫频；S120包括：后续脉冲周期的各预定的脉冲阶段，射频电源停止扫频，并保持与目标扫频参数匹配的扫频结束参数。能够快速扫频至与目标扫频参数相匹配，有效保证脉冲等离子体顺利点火。

Description

射频阻抗匹配的方法及装置、半导体处理设备

技术领域

本发明涉及半导体设备技术领域，具体涉及一种射频阻抗匹配的方法、一种射频阻抗匹配的装置和一种包括该射频阻抗匹配的装置的半导体处理设备。

背景技术

在传统半导体制造工艺中已经使用各种类型的等离子体设备，例如，电容耦合等离子体(CCP)类型，电感耦合等离子体(ICP)类型以及电子回旋共振等离子体(ECR)等类型。利用电容耦合方式产生的等离子体，其结构简单，造价低，但这种方式产生的等离子体密度较低，难以满足等离子体刻蚀速率和产率的需求。电子回旋共振等离子尽管可以在较低的工作气压下获得密度较高的等离子体，但是需要引入外磁场，需要微波管，造价相对较高。现今采用比较广泛的用于等离子体刻蚀设备的激发等离子体方式为电感耦合等离子体，这种方式可以在较低工作气压下获得高密度的等离子体，而且结构简单，造价低，同时可以对产生等离子体的射频源(决定等离子体密度)与基片台射频源(决定入射到晶片上的粒子能量)独立控制，适用于金属和半导体等材料的刻蚀。在各种类型的等离子体设备中，对于300mm的大尺寸晶片，由于ICP设备可以高密度和高均匀性产生等离子体并且与其他类型的等离子体设备相比具有简单的结构，因此ICP类型设备被认为是最佳设备。

相关技术中，为了保证脉冲等离子体能够顺利点火，在脉冲开启的瞬间需要一定程度的功率过冲，因此，相关技术中采用在脉冲开启阶段增加一定时间的较大脉冲过冲功率来保证脉冲等离子体点火产生。

但是，由于脉冲等离子体点火击穿瞬间其阻抗特性，需要加载较高的脉冲过冲功率和较长的脉冲过冲时间才能获得脉冲点火成功。有的情况下即使加载的过冲功率足够大和过冲时间足够长也很难获得脉冲点火成功。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种射频阻抗匹配的方法、一种射频阻抗匹配的装置和一种包括该射频阻抗匹配的装置的半导体处理设备。

为了实现上述目的，本发明的第一方面，提供了一种射频阻抗匹配的方法，射频包括多个脉冲周期，各所述脉冲周期包括多个脉冲阶段，所述方法包括：

步骤S110、扫频匹配阶段；

步骤S120、扫频保持阶段；其中；

所述步骤S110包括循环执行至少一次下述步骤：

步骤S111、获取当前脉冲周期在预定的至少一个脉冲阶段结束时射频电源的扫频结束参数；

步骤S112、分别判断当前脉冲周期的各预定的所述脉冲阶段的所述扫频结束参数是否与目标扫频参数匹配；并且，当匹配时，执行步骤S120，不匹配时，执行步骤S113；

步骤S113、下一个脉冲周期的各预定的所述脉冲阶段，射频电源分别根据前一个脉冲周期的各预定的所述脉冲阶段的扫频结束参数进行扫频；

所述步骤S120包括：

步骤S121、后续脉冲周期的各预定的所述脉冲阶段，射频电源停止扫频，并且，该射频电源的射频参数保持与目标扫频参数匹配的扫频结束参数，以使得射频电源的输出阻抗与负载阻抗相匹配。

可选地，所述步骤S112的步骤包括：

获取当前脉冲周期的预定的脉冲阶段结束时，射频电源的反射功率；

判断所述反射功率是否与预定的反射功率相匹配，当匹配时，即判定所述扫频结束参数与目标扫频参数匹配。

可选地，所述预定的脉冲阶段的数量为两个，分别为第一脉冲阶段和第二脉冲阶段。

可选地，其余各脉冲阶段执行与预定的脉冲阶段相一致的扫频匹配阶段的步骤；或，

其余各脉冲阶段执行与预定的脉冲阶段不一致的扫频匹配阶段的步骤。

可选地，其余各脉冲阶段通过调整匹配器电容，使得射频电源的输出阻抗与负载阻抗相匹配。

可选地，所述方法还包括在所述步骤S120之后进行的：

步骤S130、扫频微调阶段；其中，

所述步骤S130包括：

步骤S131、获取后续脉冲周期中任意一个脉冲周期的各预定的所述脉冲阶段的射频电源的射频参数；

步骤S132、判断该任意一个脉冲周期的射频参数是否与目标扫频参数匹配，当不匹配时，射频电源重新扫频并依次执行所述步骤S110和所述步骤S120。

可选地，所述扫频结束参数包括：

扫频频率、扫频范围、扫频速度、扫频精度和增益中的至少一者。

本发明的第二方面，提供了一种射频阻抗匹配的装置，应用于前文记载的所述的射频阻抗匹配的方法。

可选地，包括获取模块、判断模块和控制模块；

所述获取模块，用于获取当前脉冲周期在各预定的所述脉冲阶段结束时射频电源的扫频结束参数；

所述判断模块，用于分别判断当前脉冲周期的各预定的所述脉冲阶段的所述扫频结束参数是否与目标扫频参数匹配；并且，当匹配时，向所述控制模块发送匹配信号，不匹配时，向所述控制模块发送不匹配信号；

所述控制模块用于：

在接收到所述匹配信号时，控制射频电源停止扫频，并且，控制该射频电源的射频参数保持与目标扫频参数匹配的扫频结束参数，以使得射频电源的输出阻抗与负载阻抗相匹配；

在接收到所述不匹配信号时，在下一个脉冲周期的各预定的所述脉冲阶段，控制射频电源根据前一个脉冲周期各预定的所述脉冲阶段的扫频结束参数进行扫频。

本发明的第三方面，提供了一种半导体处理设备，包括前文记载的所述的射频阻抗匹配的装置。

本发明的射频阻抗匹配的方法、射频阻抗匹配的装置和半导体处理设备。在各脉冲周期的预定的脉冲阶段，在扫频匹配阶段，下一个脉冲周期的预定的脉冲阶段，射频电源根据前一个脉冲周期的该预定的脉冲阶段的扫频结束参数进行扫频，直至扫频至该预定的脉冲阶段的射频电源的扫频结束参数与目标扫频参数匹配。因此，能够快速扫频至与目标扫频参数相匹配，有效保证脉冲等离子体顺利点火，有效提高脉冲等离子体匹配的性能，从而能够减小射频电源的反射功率，使得射频电源所输出的射频功率尽可能地加载至负载(例如，射频线圈)上，进而可以降低射频电源的功耗，提高匹配的效率和应用窗口。

附图说明

附图是用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本发明，但并不构成对本发明的限制。在附图中：

图1为本发明一实施例中射频阻抗匹配的方法的总的流程图；

图2为本发明一实施例中射频阻抗匹配的方法中步骤S110的流程图；

图3为本发明一实施例中射频阻抗匹配的方法中步骤S120的流程图；

图4为本发明一实施例中射频阻抗匹配的方法中步骤S130的流程图；

图5为本发明一实施例中射频阻抗匹配的方法的周期扫频匹配示意图；

图6为本发明一实施例中射频阻抗匹配的方法的周期扫频匹配示意图；

图7为本发明一实施例中射频阻抗匹配的装置的结构示意图。

附图标记说明

100：射频阻抗匹配的装置；

110：获取模块；

120：判断模块；

130：控制模块。

具体实施方式

以下结合附图对本发明的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明，并不用于限制本发明。

本发明的第一方面，涉及一种射频阻抗匹配的方法S100，其中，射频包括多个脉冲周期，各脉冲周期包括多个脉冲阶段，如图1至图4所示，该射频阻抗匹配的方法S100包括：

S110、扫频匹配阶段。

S120、扫频保持阶段。

其中，该扫频匹配阶段S110包括循环执行至少一次下述步骤：

S111、获取当前脉冲周期在预定的至少一个脉冲阶段结束时射频电源的扫频结束参数。

S112、分别判断当前脉冲周期的各预定的脉冲阶段的扫频结束参数是否与目标扫频参数匹配；并且，当匹配时，执行扫频保持阶段S120，不匹配时，执行步骤S113。

S113、下一个脉冲周期的各预定的脉冲阶段，射频电源分别根据前一个脉冲周期的各预定的脉冲阶段的扫频结束参数进行扫频。

扫频保持阶段120的步骤包括：

S121、后续脉冲周期的各预定的脉冲阶段，射频电源停止扫频，并且，该射频电源的射频参数保持与目标扫频参数匹配的扫频结束参数，以使得射频电源的输出阻抗与负载阻抗相匹配。

本实施例中的射频阻抗匹配的方法S100，在各脉冲周期的各预定的脉冲阶段，在扫频匹配阶段，前一个脉冲周期的该预定的脉冲阶段中，射频电源的扫频结束参数作为下一个脉冲周期的该预定的脉冲阶段的扫频起始参数，也就是说，下一个脉冲周期的该预定的脉冲阶段，射频电源根据前一个脉冲周期的扫频结束参数进行扫频，直至扫频至该预定的脉冲阶段的射频电源的扫频结束参数与目标扫频参数匹配。因此，能够快速扫频至与目标扫频参数相匹配，有效保证脉冲等离子体顺利点火，有效提高脉冲等离子体匹配的性能，从而能够减小射频电源的反射功率，使得射频电源所输出的射频功率尽可能地加载至负载(例如，射频线圈)上，进而可以降低射频电源的功耗，提高匹配的效率和应用窗口。

需要说明的是，上述各脉冲周期的所预定的脉冲阶段可以包括一个脉冲阶段，或者也可以包括两个或者三个以上的脉冲阶段，也就是说，可以仅对各脉冲周期的一个脉冲阶段采用本实施例中的射频阻抗匹配的方法，当然，也可以对各脉冲周期的两个或多个脉冲阶段采用本实施例中的射频阻抗匹配的方法。

进一步需要说明的是，对于扫频结束参数的具体种类并没有作出限定，例如，该扫频结束参数可以是扫频频率、扫频范围、扫频速度、扫频精度和增益中的一者。

可选地，步骤S112的具体包括：

获取当前脉冲周期的预定的脉冲阶段结束时，射频电源的反射功率；

判断反射功率是否与预定的反射功率相匹配，当匹配时，即判定扫频结束参数与目标扫频参数匹配。

具体地，在本步骤中，可以预先设定射频电源的反射功率，例如，可以设定射频电源的反射功率≤80W等。这样，可以通过获取预定的脉冲阶段时，射频电源的反射功率是否与预定的反射功率相匹配，从而可以根据匹配结果判定扫频结束参数是否满足目标扫频参数。从而可以有效降低射频电源的功耗，提高匹配的效率和应用窗口。

可选地，上述预定的脉冲阶段的数量包括两个，分别为第一脉冲阶段和第二脉冲阶段，这样，可以对第一脉冲阶段和第二脉冲阶段独立执行扫频匹配阶段和扫频保持阶段。

可选地，其余各脉冲阶段执行与预定的脉冲阶段相一致的扫频匹配阶段的步骤；或，

其余各脉冲阶段执行与预定的脉冲阶段不一致的扫频匹配阶段的步骤。

具体地，其余各脉冲阶段可以通过调整匹配器电容，使得射频电源的输出阻抗与负载阻抗相匹配。

需要说明的是，此处所提及的其余各脉冲阶段和前文所提及的预定的脉冲阶段，均是针对同一个脉冲周期而言的，例如，脉冲周期可以包括四个脉冲阶段，前两个脉冲阶段为预定的脉冲阶段，其可以执行前文记载的扫频匹配方法，后两个脉冲阶段则为其余脉冲阶段，其可以执行前文记载的扫频匹配方法，也可以执行与前文记载的扫频匹配方法不一致的扫频匹配方法，例如，可以通过调整匹配器电容，使得射频电源的输出阻抗与负载阻抗相匹配。

可选地，如图4所示，上述方法还包括在步骤S120之后进行的：

步骤S130、扫频微调阶段；包括，

步骤S131、获取后续脉冲周期中任意一个脉冲周期的各预定的脉冲阶段的射频电源的射频参数。

步骤S132、判断该任意一个脉冲周期的射频参数是否与目标扫频参数匹配，当不匹配时，射频电源重新扫频并依次执行步骤S110和步骤S120。

本实施例中的射频阻抗匹配的方法S100，在后续脉冲周期的射频电源的射频参数与目标扫频参数不匹配时，射频电源重新扫频并依次执行上述的扫频匹配阶段和扫频保持阶段，从而可以进一步有效降低射频电源的功耗，提高匹配的效率和应用窗口。

下文将分两个实施例对本发明中的射频阻抗匹配的方法S100进行详细说明。

实施例1：

一种用于ICP结构的脉冲等离子体，射频中心频率为13.56MHz，射频电源频率能够在13.56±5％MHz范围内调整。

射频包括n个脉冲周期，分别为脉冲周期Z₁、脉冲周期Z₂……脉冲周期Z_m、脉冲周期Z_m+1……脉冲周期Z_n-1和脉冲周期Z_n。各脉冲周期分为三个脉冲阶段，分别为脉冲阶段1(时间T₁)、脉冲阶段2(时间T₂)和脉冲阶段3(时间T₃)。脉冲阶段1、脉冲阶段2和脉冲阶段3各自对应的射频加载功率为P₁、P₂和0。

实施例1针对脉冲阶段1的匹配方案，扫频结束参数为扫频频率，脉冲阶段2和脉冲阶段3采用传统的匹配方案，在此不作赘述。

具体地，如图5所示，脉冲周期Z₁，脉冲阶段1开始时，射频电源从设定的初始扫频的频率F₀开始扫频，目的是较小的反射功率，脉冲阶段1结束时扫频至频率F₁结束，此时反射功率P_r1，不满足脉冲阶段1的目标扫频参数要求。

脉冲周期Z₂，脉冲阶段1开始时，射频电源从脉冲周期Z₁的脉冲阶段1结束时的频率F₁开始扫频，脉冲阶段1结束时扫频至频率F₂结束，此时反射功率P_r2，仍不满足脉冲阶段1的目标扫频参数要求。

依次类推，直到脉冲周期Z_m，脉冲阶段1开始时，射频电源从上一个脉冲周期Z_m-1的脉冲阶段1结束时的频率F_m-1开始扫频，脉冲阶段1结束时扫频至频率F_m结束，此时反射功率P_rm，满足脉冲阶段1的目标扫频参数要求，这样，在下一个脉冲周期Z_m+1阶段，脉冲阶段1的射频频率保持在F_m，同时保证反射功率P_rm+1满足目标扫频参数要求。

当后续的脉冲周期Z_n-1的脉冲阶段1的射频频率不满足目标扫频参数要求时，射频电源以频率F_m为扫频起点，重新开始扫频，直至在脉冲周期Z_n的脉冲阶段1通过扫频最终满足匹配脉冲阶段1的目标扫频参数要求。

实施例2：

一种用于CCP结构的脉冲等离子体，射频中心频率为60MHz，射频电源频率能够在60±10％MHz范围内调整。

射频包括n+1个脉冲周期，分别为脉冲周期Z₁、脉冲周期Z₂……脉冲周期Z_m、脉冲周期Z_m+1……脉冲周期Z_n和脉冲周期Z_n+1。各脉冲周期分为两个脉冲阶段，分别为脉冲阶段1(时间T_a)和脉冲阶段2(时间T_b),脉冲阶段1和脉冲阶段2对应的射频加载功率为P_a和P_b。

实施例2针对脉冲阶段1和脉冲阶段2的匹配方法，并且，脉冲阶段1和脉冲阶段2的扫频是相互独立的。

具体地，如图6所示，脉冲周期Z₁，脉冲阶段1开始时，射频电源从设定的初始扫频的频率F_a0开始扫频，目的是较小的反射功率，脉冲阶段1结束时扫频至频率F_a1结束，此时反射功率P_ra1，不满足脉冲阶段1的目标扫频参数要求。脉冲阶段2开始时，射频电源从设定的初始扫频的频率F_b0开始扫频，目的是较小的反射功率，脉冲阶段2结束时扫频至频率F_b1结束，此时反射功率P_rb1，不满足脉冲阶段2的目标扫频参数要求。

脉冲周期Z₂，脉冲阶段1开始时，射频电源从脉冲周期Z₁结束时的频率F_a1开始扫频，脉冲阶段1结束时扫频至频率F_a2结束，此时反射功率P_ra2，仍不满足脉冲阶段1的目标扫频参数要求。脉冲阶段2从脉冲周期Z₁结束时结束的频率F_b1开始扫频，脉冲阶段2结束时扫频至频率F_b2结束，此时反射功率P_rb2，不满足脉冲阶段2的目标扫频参数要求。

依次类推，直到脉冲周期Z_m，脉冲阶段1开始时，射频电源从上一个脉冲周期Z_m-1的脉冲阶段1结束时的频率F_am-1开始扫频，脉冲阶段1结束时扫频至频率F_am结束，此时反射功率P_ram，仍不满足脉冲阶段1的目标扫频参数要求。脉冲阶段2开始时，射频电源从上一个脉冲周期Z_m-1的脉冲阶段2结束时的频率F_bm-1开始扫频，脉冲阶段2结束前或结束时扫频至F_bm结束，此时反射功率P_rbm，满足脉冲阶段2的目标扫频参数要求。

在下一个脉冲周期Z_m+1阶段，脉冲阶段1开始时，从上一个脉冲周期Z_m的脉冲阶段1结束时的频率F_am开始扫频，脉冲阶段1结束时扫频至频率F_am+1结束，此时反射功率P_ram，仍不满足脉冲阶段1的目标扫频参数要求。脉冲阶段2的射频频率保持在F_bm，同时保证反射功率P_rbm+1满足目标扫频参数要求。

依次类推，当脉冲周期Z_n的脉冲阶段1开始时，射频电源从上一个脉冲周期Z_n-1的脉冲阶段1结束时的频率F_an-1开始扫频，脉冲阶段1结束前或结束时扫频至频率F_an结束，此时反射功率P_rbn，满足脉冲阶段1的目标扫频参数要求。脉冲阶段2仍然保持频率在F_bm，同时保证目标扫频参数满足要求。m可以大于等于或小于n。

之后，无论脉冲阶段1或脉冲阶段2，当两者之一或二者都不满足匹配精度时，采用以下方式重新调节：以脉冲阶段2为例，当脉冲周期Z_n-1的脉冲阶段2的匹配精度不满足要求时，以F_bm为扫频起点，再开始扫频，直至在本脉冲周期或接下来x个脉冲周期的脉冲阶段2通过扫频最终满足匹配脉冲阶段2的目标扫频参数要求。

本发明的第二方面，如图7所示，提供了一种射频阻抗匹配的装置100，应用于前文记载的射频阻抗匹配的方法。

本实施例中的射频阻抗匹配的装置100，在各脉冲周期的预定的脉冲阶段，在扫频匹配阶段，前一个脉冲周期的该预定的脉冲阶段中，射频电源的扫频结束参数作为下一个脉冲周期的该预定的脉冲阶段的扫频起始参数，也就是说，下一个脉冲周期的该预定的脉冲阶段，射频电源根据前一个脉冲周期的扫频结束参数进行扫频，直至扫频至该预定的脉冲阶段的射频电源的扫频结束参数与目标扫频参数匹配。因此，能够快速扫频至与目标扫频参数相匹配，，有效保证脉冲等离子体顺利点火，有效提高提高脉冲等离子体匹配的性能，从而能够减小射频电源的反射功率，使得射频电源所输出的射频功率尽可能地加载至负载(例如，射频线圈)上，进而可以降低射频电源的功耗，提高匹配的效率和应用窗口。

可选地，如图7所示，上述射频阻抗匹配的装置100包括获取模块110、判断模块120和控制模块130。

其中，获取模块110用于获取当前脉冲周期在各预定的脉冲阶段结束时射频电源的扫频结束参数。

判断模块120用于分别判断当前脉冲周期的各预定的脉冲阶段的扫频结束参数是否与目标扫频参数匹配；并且，当匹配时，向控制模块130发送匹配信号，不匹配时，向控制模块130发送不匹配信号。

控制模块130用于：

在接收到匹配信号时，控制射频电源停止扫频，并且，控制该射频电源的射频参数保持与目标扫频参数匹配的扫频结束参数，以使得射频电源的输出阻抗与负载阻抗相匹配；

在接收到不匹配信号时，在下一个脉冲周期的各预定的脉冲阶段，控制射频电源根据前一个脉冲周期的各预定的脉冲阶段的扫频结束参数进行扫频。

本发明的第三方面，提供了一种半导体处理设备，包括前文记载的的射频阻抗匹配的装置。

本实施例结构的半导体处理设备，具有前文记载的射频阻抗匹配的装置，该装置可以应用前文记载的射频阻抗匹配的方法，因此，能够实现快速扫频至与目标扫频参数相匹配，，有效保证脉冲等离子体顺利点火，有效提高提高脉冲等离子体匹配的性能，从而能够减小射频电源的反射功率，使得射频电源所输出的射频功率尽可能地加载至负载(例如，射频线圈)上，进而可以降低射频电源的功耗，提高匹配的效率和应用窗口。

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种射频阻抗匹配的方法，射频包括多个脉冲周期，各所述脉冲周期包括多个脉冲阶段，其特征在于，所述方法包括：

步骤S110、扫频匹配阶段；

步骤S120、扫频保持阶段；其中；

所述步骤S110包括循环执行至少一次下述步骤：

步骤S111、获取当前脉冲周期在预定的至少一个脉冲阶段结束时射频电源的扫频结束参数；

步骤S112、分别判断当前脉冲周期的各预定的所述脉冲阶段的所述扫频结束参数是否与目标扫频参数匹配；并且，当匹配时，执行步骤S120，不匹配时，执行步骤S113；

步骤S113、下一个脉冲周期的各预定的所述脉冲阶段，射频电源分别根据前一个脉冲周期的各预定的所述脉冲阶段的扫频结束参数进行扫频；

所述步骤S120包括：

步骤S121、后续脉冲周期的各预定的所述脉冲阶段，射频电源停止扫频，并且，该射频电源的射频参数保持与目标扫频参数匹配的扫频结束参数，以使得射频电源的输出阻抗与负载阻抗相匹配。

2.根据权利要求1所述的射频阻抗匹配的方法，其特征在于，所述步骤S112的步骤包括：

获取当前脉冲周期的预定的脉冲阶段结束时，射频电源的反射功率；

判断所述反射功率是否与预定的反射功率相匹配，当匹配时，即判定所述扫频结束参数与目标扫频参数匹配。

3.根据权利要求1所述的射频阻抗匹配的方法，其特征在于，所述预定的脉冲阶段的数量为两个，分别为第一脉冲阶段和第二脉冲阶段。

4.根据权利要求1所述的射频阻抗匹配的方法，其特征在于，其余各脉冲阶段执行与预定的脉冲阶段相一致的扫频匹配阶段的步骤；或，

其余各脉冲阶段执行与预定的脉冲阶段不一致的扫频匹配阶段的步骤。

5.根据权利要求4所述的射频阻抗匹配的方法，其特征在于，其余各脉冲阶段通过调整匹配器电容，使得射频电源的输出阻抗与负载阻抗相匹配。

6.根据权利要求1至5中任意一项所述的射频阻抗匹配的方法，其特征在于，所述方法还包括在步骤S120之后进行的：

步骤S130、扫频微调阶段；其中，

所述步骤S130包括：

步骤S131、获取后续脉冲周期中任意一个脉冲周期的各预定的所述脉冲阶段的射频电源的射频参数；

步骤S132、判断该任意一个脉冲周期的射频参数是否与目标扫频参数匹配，当不匹配时，射频电源重新扫频并依次执行所述步骤S110和所述步骤S120。

7.根据权利要求1至5中任意一项所述的射频阻抗匹配的方法，其特征在于，所述扫频结束参数包括：

扫频频率、扫频范围、扫频速度、扫频精度和增益中的至少一者。

8.一种射频阻抗匹配的装置，其特征在于，应用于权利要求1至7中任意一项所述的射频阻抗匹配的方法。

9.根据权利要求8所述的射频阻抗匹配的装置，其特征在于，包括获取模块、判断模块和控制模块；

所述获取模块，用于获取当前脉冲周期在各预定的所述脉冲阶段结束时射频电源的扫频结束参数；

所述判断模块，用于分别判断当前脉冲周期的各预定的所述脉冲阶段的所述扫频结束参数是否与目标扫频参数匹配；并且，当匹配时，向所述控制模块发送匹配信号，不匹配时，向所述控制模块发送不匹配信号；

所述控制模块用于：

在接收到所述匹配信号时，控制射频电源停止扫频，并且，控制该射频电源的射频参数保持与目标扫频参数匹配的扫频结束参数，以使得射频电源的输出阻抗与负载阻抗相匹配；

在接收到所述不匹配信号时，在下一个脉冲周期的各预定的所述脉冲阶段，控制射频电源根据前一个脉冲周期各预定的所述脉冲阶段的扫频结束参数进行扫频。

10.一种半导体处理设备，其特征在于，包括权利要求8或9所述的射频阻抗匹配的装置。