CN110391153A - 用于半导体工艺的检查设备和半导体工艺装置 - Google Patents

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Abstract

提供了一种用于半导体工艺的检查设备和半导体工艺装置，该检查设备包括：传送器，被构造为在多个腔室之间传送工艺目标；至少一个线照相机，安装在传送器上方，所述至少一个线照相机被构造为通过捕获由传送器传送的工艺目标的图像来生成原始图像；以及控制器，被构造为接收原始图像并且被构造为通过校正原始图像的由于传送器的传送速度的变化导致的失真来执行工艺目标的检查。

Description

用于半导体工艺的检查设备和半导体工艺装置
于2018年4月20日在韩国知识产权局提交且名称为“用于半导体工艺的检查设备和半导体工艺装置”的第10-2018-0046243号韩国专利申请和于2018年10月11日在韩国知识产权局提交且名称为“用于半导体工艺的检查设备和半导体工艺装置”的第10-2018-0120929号韩国专利申请通过引用全部包含于此。
技术领域
实施例涉及一种用于半导体工艺的检查设备和一种半导体工艺装置。
背景技术
线照相机(line cameras)是用于对待检查的目标(诸如半导体晶圆、用于显示器(LCD/OLED)的母基底等)进行成像的设备，并且可以正常捕获在与处理腔室分开设置的空间中以恒定速度移动的待检查的目标。这样的线照相机与其上放置有被检查的目标的平台同步操作。
发明内容
实施例可以通过提供一种用于半导体工艺的检查设备来实现，该检查设备包括：传送器，被构造为在多个腔室之间传送工艺目标；至少一个线照相机，安装在传送器上方，所述至少一个线照相机被构造为通过捕获由传送器传送的工艺目标的图像来生成原始图像；以及控制器，被构造为接收原始图像并且被构造为通过校正原始图像的由于传送器的传送速度的变化导致的失真来执行工艺目标的检查。
实施例可以通过提供一种用于半导体工艺的检查设备来实现，该检查设备包括：传送器，被构造为在预定传送方向上加速或减速传送工艺目标；线照相机，安装在传送器上方，线照相机被构造为通过在工艺目标被传送时捕获工艺目标的图像来生成原始图像；以及控制器，被构造为：从原始图像选择包括工艺目标的第一区域，通过校正包括在第一区域中的像素的坐标来生成结果图像，并且通过将结果图像与预定的参考图像进行比较来控制被应用于工艺目标的半导体工艺。
实施例可以通过提供一种半导体工艺装置来实现，该半导体工艺装置包括：多个处理腔室，被构造为针对半导体晶圆或用于显示器的母基底执行半导体工艺；传送腔室，被构造为将半导体晶圆或用于显示器的母基底供应到所述多个处理腔室；线照相机，安装在传送腔室传送半导体晶圆或用于显示器的母基底的传送路径上方，线照相机被构造为通过在传送路径上捕获半导体晶圆或用于显示器的母基底的图像来获得原始图像；以及控制器，被构造为校正原始图像的失真以生成结果图像，将结果图像与预定的参考图像进行比较，并且根据结果图像与预定的参考图像之间的比较结果，调整在所述多个处理腔室中的至少一个处理腔室中执行的半导体工艺的工艺参数中的至少一个工艺参数。
附图说明
通过参照附图详细地描述示例性实施例，特征对本领域技术人员而言将明显，在附图中：
图1示出了可以采用根据示例实施例的检查设备和检查方法的半导体工艺装置的示意图；
图2示出了根据示例实施例的检查设备的示意性框图；
图3和图4示出了由根据示例实施例的检查设备的线照相机捕获的图像的示意图；
图5示出了根据示例实施例的检查设备的示意性框图；
图6和图7示出了可以对其应用根据示例实施例的检查方法的工艺目标的示意图；
图8和图9示出了根据示例实施例的半导体工艺装置的示意图；以及
图10至图12示出了根据示例实施例的检查方法中的校正图像的失真的方法中的阶段的图。
具体实施方式
图1示出了可以采用根据示例实施例的检查设备和检查方法的半导体工艺装置的示意图。
参照图1，根据示例实施例的半导体工艺装置10可以包括多个处理腔室11至14。多个处理腔室11至14可以通过传送腔室20和装载锁定腔室30接收晶圆，并且可以执行半导体工艺。在实施方式中，多个处理腔室11至14可以包括例如等离子体处理腔室和/或抛光处理腔室等，在等离子体处理腔室中产生包括源气体的离子和自由基的等离子体以执行蚀刻或沉积工艺，在抛光处理腔室中执行化学机械抛光工艺。
在实施方式中，传送腔室20和装载锁定腔室30中的每个可以包括传送装置或传送器，传送腔室20和装载锁定腔室30的传送器可以传送待处理的晶圆或母基底等。传送器可以是处理机。例如，传送腔室20的传送器可以从装载锁定腔室30取出诸如晶圆、用于显示器的母基底等的工艺目标，并且可以将工艺目标传送到多个处理腔室11至14，或者可以在多个处理腔室11至14之间传送工艺目标。
在实施方式中，半导体工艺装置10可以向诸如晶圆等的工艺目标应用各种半导体工艺，诸如沉积工艺、光刻工艺、蚀刻工艺、抛光工艺等，并且各种结构可以形成在工艺目标上，从而实现期望的半导体器件。为了确定半导体工艺是否已经在多个处理腔室11至14中的每个中正确地行进，可以对已经在工艺中完成的晶圆、用于显示器的母基底等执行线扫描检查。线扫描检查的目标可以被定义为包括晶圆或用于显示器的母基底以及可以应用半导体工艺的所有目标的概念。
例如，可以通过以下步骤执行线扫描检查：将已经应用或将要应用半导体工艺的诸如晶圆等的工艺目标移动到具有平台、线照相机等的单独空间，然后在工艺目标以恒定速度在平台上移动时通过用线照相机对工艺目标成像(例如，捕获工艺目标的图像)。通过由线照相机对工艺目标成像获得的图像可以与预定参考图像比较，以用于控制半导体工艺。为了帮助防止由线照相机捕获的工艺目标的图像的失真，线照相机可以在工艺目标加速或减速时不捕获工艺目标的图像。可以仅在工艺目标以恒定速度移动的恒速部分中对工艺目标成像。例如，可以确保足以捕获工艺目标的恒速部分，可以延长检查时间段的时间，并且可以使用用于执行线扫描检查的单独空间。
在实施方式中，至少一个线照相机可以安装在执行半导体工艺的半导体工艺装置10中以有效地执行线扫描检查。线照相机可以安装在传送腔室20或装载锁定腔室30的传送器在其上传送工艺目标(诸如晶圆等)的传送路径上方，并且可以捕获沿传送路径移动的工艺目标的图像。
例如，线照相机可以通过在工艺目标沿传送路径移动的同时捕获工艺目标的图像来获得原始图像。与工艺目标在设置在单独的检查空间中的平台上移动的其它方法相比，工艺目标停留在传送路径中的时间可以相对较短。因此，当仅在工艺目标以恒定速度移动的恒速部分中对工艺目标成像时，不会确保足够的成像时间。根据实施例，线照相机还可以在(传送器沿传送路径移动工艺目标的)传送速度改变的部分中(例如，在传送器的加速和/或减速部分中)捕获工艺目标的图像。
例如，当线照相机在传送器的加速部分和/或减速部分中捕获工艺目标的图像时，工艺目标在由线照相机生成的原始图像中可能会显得失真。根据实施例，可以对由线照相机生成的原始图像中包括的失真进行校正以生成精确反映工艺目标的结果图像。因此，在保持线扫描检查的精确度的同时，也可以执行线扫描检查，同时半导体工艺装置10执行半导体工艺而无需任何附加的空间或检查时间，从而提高线扫描检查的效率。
图2示出了根据示例实施例的检查设备的示意性框图。
参照图2，根据示例实施例的检查设备100可以包括线照相机101和控制器102。线照相机101可以从由传送器120在腔室之间传送的工艺目标110上方捕获工艺目标110的图像。工艺目标110的示例可以包括可以对其执行半导体工艺的半导体晶圆、用于显示器的母基底等。
传送器120可以执行传送操作，在传送操作中，将工艺目标110传送到执行半导体工艺的处理腔室，或者在完成半导体工艺之后将工艺目标110从腔室移除。传送器120可以沿预定的传送路径执行传送操作，线照相机101可以安装在传送路径上方以捕获工艺目标110的图像。
在实施方式中，当传送器120移动工艺目标110的传送操作的时间相对不长时(例如，当传送路径不长时)，可能难以确保足够的时间以用于线照相机101来捕获工艺目标110的图像。根据实施例，原始图像可以用于线扫描检查，其中，当线照相机在传送器120移动工艺目标110的传送速度增大的加速部分中和传送速度减小的减速部分中捕获工艺目标110的图像时，获得该原始图像。工艺目标110会在加速时间段和减速时间段中捕获的原始图像中看起来失真，可以执行适当的图像校正工艺以校正失真。
在实施方式中，控制器102可以校正由线照相机101生成的原始图像中看起来的工艺目标110的图像失真，而不需要从传送器120和包括传送器120的半导体工艺装置接收单独的数据。控制器102预先知道或者被编程有工艺目标110的形状，并且因此可以在校正包括在由线照相机101获取的图像中的工艺目标110的失真时独立地或以独立模式操作，而不需要单独接收诸如传送器120的传送速度的变化等的信息。因此，图2中示出的根据示例实施例的检查设备100可以简单地与半导体工艺装置组合以经历线扫描检查，使得可以执行线扫描检查。
在实施方式中，无论工艺目标110是否存在于传送路径上，线照相机101都可以连续捕获传送路径的图像以及在传送器120移动工艺目标110的传送速度恒定的恒速部分中捕获的图像。控制器102可以包括感测模块103，感测模块103可以从由线照相机101捕获的图像中选择包括工艺目标110的帧来生成原始图像。在实施方式中，感测模块103可以实现为软件模块。通过参考由感测模块103生成的感测信息，控制器102可以在以帧为单位的基础上分析由线照相机101捕获的图像以提取存在有工艺目标110的帧，从而生成用于线扫描检查的原始图像，将参照图3和图4对此进行更详细地描述。
图3和图4示出了由根据示例实施例的检查设备的线照相机捕获的图像的示意图。
首先参照图3，由线照相机捕获的图像可以包括多个帧F。线照相机可以连续地捕获传送路径的图像，而不管传送器是否正在沿着传送路径传送工艺目标T。例如，如图3中所示，由线照相机生成的图像也可以包括不包含工艺目标T的帧F。
例如，当传送器传送工艺目标T同时线照相机捕获传送路径的图像时，工艺目标T可以被包括在由线照相机捕获的图像中包含的帧F中的至少一部分帧中。如上面参照图2所描述的，控制器可以包括感测模块，感测模块可以选择包括工艺目标T的帧F来生成原始图像以执行线扫描检查。
在实施方式中，当线照相机捕获传送路径的图像时，传送器传送工艺目标T的速度可以增大或减小，工艺目标T会在原始图像中看起来失真，不同于工艺目标T的实际形状。图3中示出的示例实施例可以与工艺目标T的传送速度在传送方向上增大的情况对应。例如，实际上具有圆形形状的诸如晶圆等的工艺目标T可以在原始图像中看起来具有椭圆形形状(在传送方向上具有长轴)。为了帮助提高线扫描检查的精确度，在示例实施例中，可以通过将用于每个像素的图像校正工艺应用于包括在原始图像中的每个工艺目标T来校正图像失真。
图4中示出的示例实施例可以与工艺目标T的传送速度在传送方向上减小的情况对应。因此，以与图3的示例实施例的方式不同的方式，实际上具有圆形形状的工艺目标T会在原始图像上被显示为具有椭圆形形状，该椭圆形形状在传送方向上具有短轴。
图5示出了根据示例实施例的检查设备的示意性框图。
参照图5，根据示例实施例的检查设备200可以包括线照相机201、控制器202和传感器203。以与图2中示出的示例实施例的方式相似的方式，线照相机201可以安装在通过传送器220传送的工艺目标210上方，并且可以捕获工艺目标210的图像。工艺目标210的示例可以包括可以对其执行半导体工艺的晶圆、用于显示器的母基底等。
如上所述，在图5中示出的示例实施例中，也可以在传送器220移动工艺目标210的传送速度增大的加速部分中和传送速度减小的减速部分中捕获工艺目标210的图像，该图像可以用于线扫描检查。工艺目标210会在加速部分和减速部分中捕获的其图像中看起来失真，可以执行适当的图像校正步骤以校正失真。
在图5中示出的示例实施例中，传感器203可以检测工艺目标210是否被传送，并且因此可以控制线照相机201的成像时间。在实施方式中，传感器203可以感测传送器220的传送是否开始或者是否将要进入传送路径，并且响应于传感器203的感测结果，控制器202可以确定线照相机201的成像时间点。例如，当传感器203检测到工艺目标210偏离了传送路径时，控制器202可以终止线照相机201的成像操作。
如参照图2的前述实施例中描述的，在示例实施例中，在控制器202不与传送器220和包括传送器220的工艺器件互锁的状态下，控制器202可以校正工艺目标210的失真(该工艺目标210会在由线照相机201捕获的图像中看起来失真)。例如，在校正包括在由线照相机201获取的图像中的工艺目标210的失真时，控制器202可以执行图像校正工艺，而不需要单独地接收关于传送器220的传送速度的变化等的信息。因此，图5中示出的根据示例实施例的检查设备200可以通过结合到将要经历线扫描检查的工艺器件而独立地操作，并且可以通过连接到工艺器件来执行线扫描检查，而不需要复杂的安装步骤。
图6和图7示出了可以对其应用根据示例实施例的检查方法的工艺目标的示意图。
参照图6，根据示例实施例的工艺目标可以是半导体晶圆300。半导体晶圆300可以包括其上形成有多个半导体器件的多个半导体裸片301和限定在多个半导体裸片301之间的分割区域302。多个半导体裸片301中的每个可以包括至少一个集成电路芯片。例如，多个导体裸片301中的每个可以设置有形成在其上的诸如电阻器、电容器、晶体管、二极管等的各种电路元件。多个半导体裸片301可以以多行和多列布置。
分割区域302可以是半导体裸片301通过划线工艺彼此分离的区域。因此，在分割区域302中，可以按照与半导体裸片的方式不同的方式而不设置电路元件。然而，根据示例实施例，一些测试元件可以形成在分割区域302中。考虑到划线工艺等的效率和可靠性，可以由限定在以多行和多列布置的多个半导体裸片301之间的多个线性部分来限定分割区域。
可以执行半导体工艺(诸如光刻工艺、沉积工艺、蚀刻工艺、抛光工艺等)以在多个半导体裸片301上形成集成电路芯片。如果不正确地控制半导体工艺，那么在多个半导体裸片301中的至少一部分中可能发生各种缺陷。在示例实施例中，当传送器在对半导体晶圆300执行半导体工艺的半导体工艺装置中传送半导体晶圆300的同时，线照相机可以捕获半导体晶圆300的图像，并且捕获的图像可以被分析，从而确定是否正确执行半导体工艺，是否需要调整工艺变量来控制半导体工艺等。
在实施方式中，可以分析由线照相机捕获的图像的亮度等以确定包括在检查目标中的图案、层等的厚度，因此，可以确定半导体工艺是否被适当地控制。此外，可以将通过对半导体晶圆300成像而获得的图像与预定的参考图像进行比较，以确定是否已经发生缺陷等。参考图像可以是通过用线照相机对具有良好良率的参考晶圆成像而获得的图像。
也可以通过将多个半导体裸片301彼此进行比较或者通过将多个半导体裸片301中的每个中限定的多个单元区域彼此进行比较来执行使用通过捕获半导体晶圆300获得的图像的缺陷确定工艺。例如，在应用于半导体晶圆300的半导体工艺中的至少一部分工艺未被正确控制的情况下，在半导体晶圆300中包括的多个半导体裸片301中会发生具有一定趋势的缺陷。在这种情况下，通过对缺陷的趋势与现有示例进行比较和分析，可以确定应用于半导体晶圆300的半导体工艺中的哪个工艺具有缺陷，哪个工艺变量需要在已经发生缺陷的半导体工艺中进行调整等。
如上所述，使用通过捕获半导体晶圆300获得的图像的缺陷确定工艺可以包括将多个半导体裸片301彼此进行比较或者将包括在多个半导体裸片301中的每个中的单元区域彼此进行比较的操作。因此，如果半导体晶圆300在通过捕获半导体晶圆300提供的图像中失真，那么实际上没有缺陷的半导体裸片301会被错误地确定为有缺陷的。因此，在示例实施例中，可以在缺陷确定工艺之前执行图像校正工艺以校正半导体晶圆300的图像的失真。
参照图7，根据示例实施例的检查目标可以是用于生产诸如LCD、OLED等的显示装置的用于显示器的母基底310。用于显示器的母基底310可以包括多个面板单元311，多个面板单元311可以被设置为单独的显示板。在实施方式中，如图7中所示，在一个用于显示器的母基底310中可以包括总共例如六个面板单元311。
可以对用于显示器的母基底310执行诸如光刻工艺、沉积工艺、蚀刻工艺、抛光工艺等的半导体工艺，从而形成包括多个像素电路的各种半导体器件。如果未正确控制半导体工艺，那么形成在面板单元311上的半导体器件的至少一部分中会发生缺陷。因此，在示例实施例中，在对用于显示器的母基底310执行半导体工艺的工艺器件中，在传送器传送用于显示器的母基底310的同时，可以通过线照相机捕获用于显示器的母基底310的图像，并且捕获的图像可以被分析以确定是否正确地控制了半导体工艺。
与图6中示出的根据示例实施例的半导体晶圆300的面积相比，用于显示器的母基底310可以具有相对大的面积。因此，在针对用于显示器的母基底310的线扫描检查中，多个线照相机可以安装在传送路径上方以捕获用于显示器的母基底310的图像。多个线照相机可以彼此同步以捕获用于显示器的母基底310的图像并且可以获取该图像。控制器可以组合分别由多个线照相机捕获的图像，以生成一个图像，从而执行线扫描检查。
图8和图9示出了根据示例实施例的半导体工艺装置的示意图。
参照图8和图9，根据示例实施例的半导体工艺装置400可以包括其中执行半导体工艺的处理腔室410、将半导体晶圆W、工艺目标传送到处理腔室410的传送腔室420等。以传送腔室420可以将半导体晶圆W插入到处理腔室410中或者可以将半导体晶圆W从处理腔室410移除的方式，传送路径405可以设置在处理腔室410与传送腔室420之间。
处理腔室410可以设置有其上安装有半导体晶圆W的安装部411。安装部411可以包括静电卡盘，并且多个突起可以形成在静电卡盘上以接触半导体晶圆W。处理腔室410可以连接到第一泵412和阀413以控制腔室内部的压力。此外，处理腔室410可以连接到供应用于工艺的气体的气体供应单元和根据在处理腔室410中执行的半导体工艺的类型施加偏置电压的电源。
传送腔室420可以包括用于传送半导体晶圆W的传送器421、用于调节传送腔室420内部的压力的第二泵422和阀423等。在示例中，传送器421可以将存储在与传送腔室420连接的装载锁定腔室等中的半导体晶圆W从其移除以将半导体晶圆W插入到处理腔室410中，或者可以在处理腔室410中完成了半导体工艺之后将半导体晶圆W从处理腔室410移除，以将半导体晶圆W放入到装载锁定腔室或另一处理腔室中。
参照图9，传送器421可以通过处理腔室410与传送腔室420之间的传送路径405传送半导体晶圆W。在示例实施例中，线照相机430可以安装在传送路径405上方，线照相机430可以捕获沿传送路径405移动的半导体晶圆W的图像。通过由线照相机430捕获半导体晶圆W获得的图像可以被发送到控制器440。控制器440可以从接收的图像中选择显示半导体晶圆W的帧以生成原始图像，并且可以校正原始图像的失真以生成结果图像。控制器440可以通过将结果图像与预定的参考图像进行比较来对半导体晶圆W执行线扫描检查。在实施方式中，可以将线照相机430自由地安装在半导体晶圆W经过的传送路径上方。
当传送器421沿传送路径405移动半导体晶圆W时，存在传送速度增大的加速部分和传送速度减小的减速部分。在传送路径405不够长的情况下，即使在传送速度变化的加速部分或减速部分中，线照相机430也可以捕获半导体晶圆W的图像。例如，半导体晶圆W在原始图像中会看起来失真。控制器440可以通过校正整个原始图像或原始图像中的显示半导体晶圆W的第一区域中的各个像素的坐标来校正原始图像中的半导体晶圆W的失真。
图10至图12示出了根据示例实施例的检查方法中的校正图像的失真的方法中的阶段的图。
在示例实施例中，可以在传送器传送检查目标的同时使用通过由线照相机对检查目标成像而获得的图像来执行线扫描检查。例如，可以不需要单独的空间和时间以用于线扫描检查，并且可以提高半导体工艺以及线扫描检查的效率。在实施方式中，线照相机可以在传送器传送待检查的目标的时间段期间捕获待检查的目标的图像，即使在传送器传送检查目标的传送速度增大或减小的加速部分和减速部分中，线照相机也可以对检查目标成像。在这种情况下，检查目标在由线照相机捕获的其图像中会看起来失真，并且在示例实施例中可以采用适当的图像校正方法来校正这样的失真。
在下文中，将参照图10至图12对根据示例实施例的图像校正方法进行描述。在图10至图12中示出的示例实施例中，为了便于解释，检查目标是半导体晶圆。在实施方式中，除了半导体晶圆之外，工艺目标还可以包括适用于半导体工艺的合适目标。
首先参照图10，由线照相机获取的图像可以包括显示有工艺目标的第一区域500。在图10中示出的示例实施例中，传送器移动工艺目标的传送方向可以是竖直方向(Y轴方向)。因此，在第一区域500中，工艺目标会在竖直方向(传送方向)上看起来失真。图10中示出的示例实施例可以与线照相机在传送速度增大的加速部分中捕获将要处理的目标的图像的情况对应，在这种情况下，在第一区域500中，工艺目标的区域会以在传送方向上延长的形式显示为失真。
在示例实施例中，连接到线照相机的控制器可以预先设置有针对工艺目标的未失真形状的识别。例如，控制器可以限定第二区域501，第二区域501用于校正在第一区域500中显示为失真的工艺目标。在图10中示出的示例实施例中，传送方向是竖直方向，工艺目标是半导体晶圆，第二区域501可以被限定为具有第一区域的短轴作为直径的圆。控制器可以通过根据预定算法校正包括在工艺目标的第一区域500中的各个像素的坐标来生成结果图像510。在结果图像510中，工艺目标可以与实际形状一致。参照图10，工艺目标可以具有与结果图像510中的半导体晶圆对应的圆形形状。
接着参照图11，由线照相机获取的原始图像可以包括与工艺目标对应的第一区域600。在图11中示出的示例实施例中，传送器移动工艺目标的传送方向可以是竖直方向(Y轴方向)。因此，其中的工艺目标在竖直方向(传送方向)上看起来失真的第一区域600可以包括在由线照相机获取的原始图像中。在图11中示出的示例实施例中，线照相机可以在传送器移动工艺目标的传送速度减小的减速部分中捕获工艺目标的图像，工艺目标在第一区域600中会看起来以在传送方向上压缩的形式失真。
如上所述，连接到线照相机的控制器可以预先知道工艺目标的形状。因此，控制器可以限定用于校正第一区域600中显示的工艺目标的失真的第二区域601。在图11中示出的示例实施例中，传送方向是竖直方向，工艺目标是半导体晶圆，第二区域601可以被限定为具有第一区域的长轴作为直径的圆。例如，第二区域601的面积可以大于第一区域600的面积。控制器可以根据预定算法，通过对检查目标的第一区域600中包括的各个像素的坐标进行校正来生成在第二区域601中显示工艺目标的结果图像610。在结果图像610中，工艺目标可以具有与半导体晶圆的实际形状对应的形状。
图12更详细地示出了根据示例实施例的图像校正方法的图。参照图12描述的图像校正方法可以是可被根据示例实施例的用于半导体工艺的检查设备所选择的实施例，也可以通过选择与参照图12描述的图像校正方法不同的方法或者通过选择除了上面参照图12描述的图像校正方法之外的另一种方法来校正图像。
参照图12，由线照相机获取的原始图像可以包括第一区域A1。第一区域A1可以是显示工艺目标的区域，在图12中示出的示例实施例中，可以理解的是，线照相机在传送器在Y轴方向上传送工艺目标的同时捕获传送路径的图像。传送器在线照相机对传送路径成像的同时传送工艺目标的速度可以增大，因此，工艺目标会以在Y轴方向上增大的形式失真。因此，工艺目标可以显示在具有椭圆形形状的第一区域A1中。
在可以在示例实施例中采用的图像校正方法中，可以对被线照相机捕获的图像的第一区域A1中包括的各个像素的坐标进行校正，以生成与工艺目标的实际形状对应的第二区域A2。当包括在第一区域A1中的像素的坐标被定义为第一坐标(x1,y1)时，由于第一坐标(x1,y1)被校正为第二坐标(x2,y2)，因此第一区域A1可以被转换为第二区域A2。
在实施方式中，在根据示例实施例的图像校正方法中，可以使用由第一坐标(x1,y1)定义的第一轴w和第二轴h以及第一区域A1的短轴Rh和长轴Rv来校正第一坐标(x1,y1)。可以使用第一轴w和第二轴h、第一区域A1的中心坐标(xc,yc)以及第一区域A1的短轴Rh和长轴Rv通过校正功能将第一坐标(x1,y1)校正为第二坐标(x2,y2)。在实施方式中，校正功能可以包括如下面的等式中的方法。
通过校正功能对第一区域A1中包括的所有像素的第一坐标(x1,y1)进行校正，可以校正第一区域A1的失真并且可以生成第二区域A2。第二区域A2可以具有与半导体晶圆(即，工艺目标)的实际形状对应的形状。控制器可以使用下列方法来执行线扫描检查，诸如将第二区域A2与预定的参考图像进行比较、或者将多个半导体裸片(它们可以限定在第二区域A2中)彼此进行比较、或者将单元区域(其位于限定在第二区域A2中的多个半导体裸片中的每个半导体裸片之内)彼此进行比较等。
通过总结和回顾，为了捕获没有失真的精确图像，被检查的目标的恒定速度部分会相对长。例如，会需要相对长的一段检查时间以及单独的检查空间。
如上面所阐述的，根据示例实施例，当传送器在多个腔室之间传送将要处理的半导体晶圆、用于显示器的母基底等时，线照相机可以通过捕获传送器的图像来获得原始图像，控制器可以补偿原始图像的失真，以将补偿的图像与预定的参考图像进行比较。控制器可以基于与参考图像的比较结果来控制半导体工艺。因此，可以在没有单独的空间和时间的情况下执行工艺目标的检查，从而提高了检查工艺和半导体工艺的效率。
一个或更多个实施例可以提供一种用于半导体工艺的检查设备和一种半导体工艺装置，其能够在传送器传送对其应用半导体工艺的工艺目标的同时，通过对工艺的目标进行成像来执行检查。
这里已经公开了示例实施例，虽然采用了特定术语，但是仅以一般性和描述性的意义而非出于限制的目的来使用和解释它们。在一些情况下，如自提交本申请时对于本领域普通技术人员将是明显的，除非另外明确指示，否则结合具体的实施例描述的特征、特性和/或元件可以单独使用，或者可以与结合其它实施例描述的特征、特性和/或元件组合使用。因此，本领域的技术人员将理解的是，在不脱离如权利要求中阐述的本发明的精神和范围的情况下，可以做出形式和细节上的各种改变。

Claims (20)

1.一种用于半导体工艺的检查设备，所述检查设备包括：
传送器，被构造为在多个腔室之间传送工艺目标；
至少一个线照相机，安装在所述传送器上方，所述至少一个线照相机被构造为通过捕获由所述传送器传送的所述工艺目标的图像来生成原始图像；以及
控制器，被构造为所述接收原始图像并且被构造为通过校正所述原始图像的由于所述传送器的传送速度的变化导致的失真来执行所述工艺目标的检查。
2.根据权利要求1所述的检查设备，其中，所述工艺目标包括半导体晶圆或用于显示器的母基底。
3.根据权利要求1所述的检查设备，其中，所述多个腔室包括：多个处理腔室，执行至少一个半导体工艺；装载锁定腔室，容纳所述工艺目标；以及传送腔室，在所述装载锁定腔室与所述多个处理腔室之间传送所述工艺目标。
4.根据权利要求3所述的检查设备，其中：
所述至少一个线照相机包括多个线照相机，并且
所述多个线照相机安装在所述多个处理腔室与所述传送腔室之间。
5.根据权利要求1所述的检查设备，其中，所述传送器在所述多个腔室之间加速或减速以传送所述工艺目标。
6.根据权利要求5所述的检查设备，其中，所述控制器通过校正所述原始图像在所述传送器加速或减速的方向上的失真来生成结果图像。
7.根据权利要求1所述的检查设备，其中，所述控制器通过校正所述原始图像中的显示所述工艺目标的第一区域中包括的各个像素的坐标来确定结果图像中的显示工艺目标的第二区域。
8.根据权利要求7所述的检查设备，其中，所述第一区域具有椭圆形形状。
9.根据权利要求8所述的检查设备，其中，所述控制器使用所述第一区域中包括的所述各个像素的所述坐标中限定的第一值和第二值以及所述第一区域的长轴和短轴来校正所述第一区域中包括的所述各个像素的所述坐标。
10.根据权利要求8所述的检查设备，其中，所述第一区域的长轴与所述传送器传送所述工艺目标的方向对应。
11.根据权利要求7所述的检查设备，其中，第二区域具有与工艺目标的形状对应的形状。
12.根据权利要求1所述的检查设备，其中，控制器通过对藉由校正原始图像的失真所获得的结果图像与预定的参考图像进行比较来针对工艺目标执行检查。
13.根据权利要求1所述的检查设备，其中，控制器在所述至少一个线照相机捕获工艺目标的图像的同时选择显示工艺目标的帧以生成原始图像。
14.根据权利要求1所述的检查设备，所述检查设备还包括被构造为检测传送器是否在所述至少一个线照相机下方传送工艺目标的传感器。
15.一种用于半导体工艺的检查设备，所述检查设备包括：
传送器，被构造为在预定传送方向上加速或减速传送工艺目标；
线照相机，安装在所述传送器上方，所述线照相机被构造为通过在所述工艺目标被传送时捕获所述工艺目标的图像来生成原始图像；以及
控制器，被构造为：
从所述原始图像选择包括所述工艺目标的第一区域，
通过校正包括在所述第一区域中的像素的坐标来生成结果图像，并且
通过将所述结果图像与预定的参考图像进行比较来控制被应用于所述工艺目标的半导体工艺。
16.根据权利要求15所述的检查设备，其中，所述控制器被构造为通过校正包括在所述第一区域中的所述像素的所述坐标来确定所述结果图像中的包括所述工艺目标的第二区域。
17.根据权利要求16所述的检查设备，其中，当所述线照相机在所述传送器加速传送所述工艺目标的同时捕获工艺目标的所述图像时，所述第二区域的尺寸小于所述第一区域的尺寸。
18.根据权利要求16所述的检查设备，其中，当所述线照相机在所述传送器减速传送所述工艺目标的同时捕获所述工艺目标的所述图像时，第二区域的尺寸大于第一区域的尺寸。
19.根据权利要求15所述的检查设备，其中，所述控制器改变工艺参数中的至少一个的值以控制所述半导体工艺。
20.一种半导体工艺装置，所述半导体工艺装置包括：
多个处理腔室，被构造为针对半导体晶圆或用于显示器的母基底执行半导体工艺；
传送腔室，被构造为将所述半导体晶圆或所述用于显示器的母基底供应到所述多个处理腔室；
线照相机，安装在所述传送腔室传送所述半导体晶圆或所述用于显示器的母基底的传送路径上方，所述线照相机被构造为通过在所述传送路径上捕获所述半导体晶圆或所述用于显示器的母基底的图像来获得原始图像；以及控制器，被构造为：
校正所述原始图像的失真以生成结果图像，
将所述结果图像与预的定参考图像进行比较，并且
根据所述结果图像与所述预定的参考图像之间的比较结果，调整在所述多个处理腔室中的至少一个处理腔室中执行的半导体工艺的工艺参数中的至少一个工艺参数。
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