CN110379768A - 一种基于石墨烯浆料填充的tsv制作方法 - Google Patents
一种基于石墨烯浆料填充的tsv制作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110379768A CN110379768A CN201910665786.1A CN201910665786A CN110379768A CN 110379768 A CN110379768 A CN 110379768A CN 201910665786 A CN201910665786 A CN 201910665786A CN 110379768 A CN110379768 A CN 110379768A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- graphene
- substrate
- electrocondution slurry
- compound
- oiliness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
- H01B1/24—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising carbon-silicon compounds, carbon or silicon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
- H01L21/76877—Filling of holes, grooves or trenches, e.g. vias, with conductive material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
- H01L21/76877—Filling of holes, grooves or trenches, e.g. vias, with conductive material
- H01L21/76879—Filling of holes, grooves or trenches, e.g. vias, with conductive material by selective deposition of conductive material in the vias, e.g. selective C.V.D. on semiconductor material, plating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/481—Internal lead connections, e.g. via connections, feedthrough structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/535—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including internal interconnections, e.g. cross-under constructions
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
本发明公开了一种基于石墨烯浆料填充的TSV制作方法,其是以石墨烯复合油性导电浆料作为硅通孔填充材料。本发明的方法具有工艺简单、成本低的优点,可在低温下实现石墨烯浆料的填充,且石墨烯浆料具有良好的热分散性,特别适用于高温条件下导电器件的应用,具有高度产业利用的价值。
Description
技术领域
本发明属于微电子工艺领域,具体涉及一种基于石墨烯浆料填充的TSV制作方法。
背景技术
随着便携式电子系统复杂性的增加,对VLSI集成电路用的低功率、轻型及小型封装的生产技术提出了越来越高的要求。传统的二维封装技术已经不能满足芯片的高密度集成,在成熟的二维封装基础上逐步向三维封装上发展,已成为芯片封装的新思路。近年来,以导线键合和倒装芯片堆叠形式的3D集成已经进入了主流半导体制造,以解决物理扩展的局限性,同时提供更好的性能和功能。TSV(Through Silicon Via,硅通孔)作为一种新兴技术,为设计人员提供了比引线键合和倒装芯片堆叠更自由、更高的密度和空间利用率。通过硅通孔 (TSV)铜互连的立体(3D)垂直整合,目前被认为是半导体行业最先进的技术之一。硅片通孔(TSV)是三维叠层硅器件技术的最新进展。
在TSV的制备过程中,填孔工序是关键工序,其填充质量直接影响着传输特性、热特性、集成特性,是研究中的重点。目前,Cu电阻率(1.678μΩ.cm)较小,成为TSV填充材料首选。但Cu作为一种金属,不适合作为高温条件下工作器件的硅通孔(TSV)填充材料,且 Cu的填充工艺涉及溅射、电镀等步骤,填充过程较为繁琐。
石墨烯具有优异的光学、电学、力学特性,在材料学、微纳加工、能源、生物医学和药物传递等方面具有重要的应用前景,这一迄今导电性能最强的新型材料,被认为是一种未来革命性的材料。若以石墨烯作为硅通孔(TSV)填充材料,实现半导体芯片的垂直连接,具有重要的研究意义。
发明内容
为解决Cu作为TSV填充材料所存在的诸多问题,本发明的目的在于提供一种基于石墨烯浆料填充的TSV制作方法,使其适用于长期在高温下工作的导电器件。
为实现上述目的,本发明采用如下技术方案:
一种基于石墨烯浆料填充的TSV制作方法,其是以石墨烯复合油性导电浆料作为硅通孔填充材料。
进一步地,所述石墨烯复合油性导电浆料的制作方法为:先将分散剂聚乙烯吡咯烷酮粉末均匀分散到N-甲基吡咯烷酮溶液中,再将石墨烯粉末和导电碳黑均匀分散在含有分散剂的 N-甲基吡咯烷酮溶液中,超声振荡均匀,得到固含量为5wt.%的初步石墨烯导电浆料,其中石墨烯粉末和导电碳黑的质量比为1:1~20、聚乙烯吡咯烷酮的质量与石墨烯粉末和导电碳黑总质量的比为1:4;然后将所述初步石墨烯导电浆料与PVDF粘结剂按体积比1~5:1均匀混合,即得到石墨烯复合油性导电浆料。
进一步地,所述的TSV制作方法,包括如下步骤:
(1)利用深反应离子刻蚀技术在Si基片正面中间形成孔径为5~50μm、深度为50~300μm 的盲孔;
(2)在Si基片正面沉积一层SiO2保护层,所述SiO2层覆盖基片的正面以及盲孔内壁;
(3)利用光刻技术在Si基片正面的外围区域覆盖光刻胶,从而使Si基片正面中间位置形成一个正方形图案,且保证所述盲孔位于所述正方形图案区域内;
(4)在Si基片正面重复填充石墨烯复合油性导电浆料,使得盲孔内填满石墨烯复合油性导电浆料,并在盲孔上方、Si基片正面形成所需厚度的石墨烯复合油性导电浆料层;然后去除外围光刻胶,即在正面的正方形图案区域内形成石墨烯焊盘;
(5)对Si基片背面进行研磨、抛光处理,直至露出填充有石墨烯复合油性导电浆料的盲孔,然后清洗背面并烘干;再在背面非盲孔区域生长SiO2层;
利用光刻技术在Si基片背面的外围区域覆盖光刻胶,从而使Si基片背面中间位置形成一个与步骤(3)尺寸相同、位置相对应的正方形图案;再在Si基片背面重复填充石墨烯复合油性导电浆料,使得Si基片背面形成所需厚度的石墨烯复合油性导电浆料层;然后去除外围光刻胶,即在背面的正方形图案区域内形成石墨烯焊盘。
进一步地,步骤(4)与步骤(5)所述填充石墨烯复合油性导电浆料的方法为:将Si基片放在烧杯中,在基片表面滴上几滴石墨烯复合油性导电浆料,再将烧杯放入超声清洗机中超声振荡30min,最后将Si基片取出并放在80℃的干燥箱中干燥10min。
与已有技术相比,本发明的有益效果体现在:
1、本发明采用石墨烯复合油性导电浆料作为TSV工艺的填充材料,与现有技术相比,省略了溅射、电镀等繁琐过程,工艺简单、容易实现,且工艺成本较低。
2、与现有填充材料相比,石墨烯浆料具有良好的导电性,能够满足绝大多数导电器件,而且石墨烯浆料是一种耐高温材料,特别适用于超高温条件下导电器件的应用,具有高度产业利用的价值。
总之,本发明的方法简单易行,不需要额外复杂工艺,更能满足高温条件下导电器件的需求,是对现有技术的一个大的突破。
附图说明
图1是经步骤1刻蚀盲孔后的TSV孔示意图;
图2是经步骤2在Si基片正面和孔内壁沉积一层SiO2绝缘层后的TSV孔示意图;
图3是经步骤3在Si基片正面形成正方形光刻图案后的TSV孔示意图;
图4是经步骤4在Si基片正面完成浆料填充后的TSV孔示意图;
图5是经步骤4在Si基片正面制成石墨烯焊盘后的TSV孔示意图;
图6是经步骤5在Si基片背面形成石墨烯焊盘后的TSV孔示意图;
图中标号:1为Si基片;2为盲孔;3为SiO2保护层;4为光刻胶;5为石墨烯复合油性导电浆料。
具体实施方式
下面,结合附图及具体实施方式对本发明作进一步说明。
如图1至6所示,一种基于石墨烯浆料填充的TSV制作方法,具体包括以下步骤:
(1)利用深反应离子刻蚀技术在Si基片正面中间形成孔径为50μm、深度为200μm的盲孔,处理后的结构如图1所示;其中,深反应离子刻蚀技术为现有常规技术手段,大概流程为:
首先利用光刻技术在Si基片表面形成盲孔图案,然后周期性交替导入刻蚀气体SF6和钝化气体C4F8,刻蚀气体SF6刻蚀硅衬底,而钝化气体C4F8则沉积在孔表面起保护作用,避免已刻蚀区域再被刻蚀,从而得到具有高宽深比的通孔。
(2)在Si基片正面沉积一层SiO2保护层,SiO2层覆盖基片的正面以及盲孔内壁,处理后的结构如图2所示。
(3)利用光刻技术在Si基片正面的外围区域覆盖光刻胶,从而使Si基片正面中间位置形成一个正方形图案,且保证盲孔位于正方形图案区域内,处理后的结构如图3所示。
(4)在Si基片正面重复填充石墨烯复合油性导电浆料,使得盲孔内填满石墨烯复合油性导电浆料,并在盲孔上方、Si基片正面形成所需厚度的石墨烯复合油性导电浆料层;然后去除外围光刻胶(通过丙酮清洗去胶),即在正面的正方形图案区域内形成石墨烯焊盘,处理后的结构如图4和5所示。
其中,石墨烯复合油性导电浆料的制作方法为:先将分散剂聚乙烯吡咯烷酮粉末均匀分散到N-甲基吡咯烷酮溶液中,再将石墨烯粉末和导电碳黑均匀分散在含有分散剂的N-甲基吡咯烷酮溶液中,超声振荡均匀,得到固含量为5wt.%的初步石墨烯导电浆料,其中石墨烯粉末和导电碳黑的质量比为1:5、聚乙烯吡咯烷酮的质量与石墨烯粉末和导电碳黑总质量的比为 1:4;然后将初步石墨烯导电浆料与PVDF粘结剂按体积比1:1均匀混合,即得到石墨烯复合油性导电浆料。
填充石墨烯复合油性导电浆料的方法为:将Si基片放在烧杯中,在基片表面滴上几滴石墨烯复合油性导电浆料,再将烧杯放入超声清洗机中超声振荡30min,最后将Si基片取出并放在80℃的干燥箱中干燥10min。
(5)对Si基片背面进行研磨、抛光处理,直至露出填充有石墨烯复合油性导电浆料的盲孔,然后清洗背面并烘干;再在背面非盲孔区域生长SiO2层;
利用光刻技术在Si基片背面的外围区域覆盖光刻胶,从而使Si基片背面中间位置形成一个与步骤(3)尺寸相同、位置相对应的正方形图案;再在Si基片背面重复填充石墨烯复合油性导电浆料,使得Si基片背面形成所需厚度的石墨烯复合油性导电浆料层;然后去除外围光刻胶,即在背面的正方形图案区域内形成石墨烯焊盘,处理后的结构如图6所示。
本发明的方法具有工艺简单、实用性强等优点,且特别适用于高温条件下导电器件的应用,具有高度产业利用的价值。
Claims (4)
1.一种基于石墨烯浆料填充的TSV制作方法,其特征在于:是以石墨烯复合油性导电浆料作为硅通孔填充材料。
2.根据权利要求1所述的TSV制作方法,其特征在于,所述石墨烯复合油性导电浆料的制作方法为:先将分散剂聚乙烯吡咯烷酮粉末均匀分散到N-甲基吡咯烷酮溶液中,再将石墨烯粉末和导电碳黑均匀分散在含有分散剂的N-甲基吡咯烷酮溶液中,超声振荡均匀,得到固含量为5wt.%的初步石墨烯导电浆料,其中石墨烯粉末和导电碳黑的质量比为1:1~20、聚乙烯吡咯烷酮的质量与石墨烯粉末和导电碳黑总质量的比为1:4;然后将所述初步石墨烯导电浆料与PVDF粘结剂按体积比1~5:1均匀混合,即得到石墨烯复合油性导电浆料。
3.根据权利要求1或2所述的TSV制作方法,其特征在于,包括如下步骤:
(1)利用深反应离子刻蚀技术在Si基片正面中间形成孔径为5~50μm、深度为50~300μm的盲孔;
(2)在Si基片正面沉积一层SiO2保护层,所述SiO2层覆盖基片的正面以及盲孔内壁;
(3)利用光刻技术在Si基片正面的外围区域覆盖光刻胶,从而使Si基片正面中间位置形成一个正方形图案,且保证所述盲孔位于所述正方形图案区域内;
(4)在Si基片正面重复填充石墨烯复合油性导电浆料,使得盲孔内填满石墨烯复合油性导电浆料,并在盲孔上方、Si基片正面形成所需厚度的石墨烯复合油性导电浆料层;然后去除外围光刻胶,即在正面的正方形图案区域内形成石墨烯焊盘;
(5)对Si基片背面进行研磨、抛光处理,直至露出填充有石墨烯复合油性导电浆料的盲孔,然后清洗背面并烘干;再在背面非盲孔区域生长SiO2层;
利用光刻技术在Si基片背面的外围区域覆盖光刻胶,从而使Si基片背面中间位置形成一个与步骤(3)尺寸相同、位置相对应的正方形图案;再在Si基片背面重复填充石墨烯复合油性导电浆料,使得Si基片背面形成所需厚度的石墨烯复合油性导电浆料层;然后去除外围光刻胶,即在背面的正方形图案区域内形成石墨烯焊盘。
4.根据权利要求3所述的TSV制作方法,其特征在于:步骤(4)与步骤(5)所述填充石墨烯复合油性导电浆料的方法为:将Si基片放在烧杯中,在基片表面滴上几滴石墨烯复合油性导电浆料,再将烧杯放入超声清洗机中超声振荡30min,最后将Si基片取出并放在80℃的干燥箱中干燥10min。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910665786.1A CN110379768B (zh) | 2019-07-23 | 2019-07-23 | 一种基于石墨烯浆料填充的tsv制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910665786.1A CN110379768B (zh) | 2019-07-23 | 2019-07-23 | 一种基于石墨烯浆料填充的tsv制作方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN110379768A true CN110379768A (zh) | 2019-10-25 |
CN110379768B CN110379768B (zh) | 2021-08-17 |
Family
ID=68255139
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201910665786.1A Active CN110379768B (zh) | 2019-07-23 | 2019-07-23 | 一种基于石墨烯浆料填充的tsv制作方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN110379768B (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112018031A (zh) * | 2020-09-09 | 2020-12-01 | 合肥工业大学 | 一种基于铜纳米粒子填充SiC通孔的方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20080242024A1 (en) * | 2007-03-27 | 2008-10-02 | Elpida Memory, Inc. | Method of manufacturing semiconductor device |
US20120086132A1 (en) * | 2010-10-06 | 2012-04-12 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Method of manufacturing via electrode |
US9728485B1 (en) * | 2016-02-05 | 2017-08-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor device with interconnect structure having catalys layer |
CN107658262A (zh) * | 2017-09-28 | 2018-02-02 | 江苏师范大学 | 一种基于石墨烯复合结构的三维硅通孔垂直互联方法 |
CN107658264A (zh) * | 2017-09-28 | 2018-02-02 | 江苏师范大学 | 一种基于多层石墨烯辅助层的三维硅通孔垂直互联方法 |
CN107768381A (zh) * | 2016-08-17 | 2018-03-06 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 一种纳米管存储器结构及其制备方法 |
CN109243989A (zh) * | 2018-09-03 | 2019-01-18 | 合肥工业大学 | 一种基于石墨烯浆料的硅-硅低温键合的方法 |
CN109888292A (zh) * | 2019-04-03 | 2019-06-14 | 山东星火科学技术研究院 | 一种石墨烯碳黑二元导电添加剂及其制备方法 |
-
2019
- 2019-07-23 CN CN201910665786.1A patent/CN110379768B/zh active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20080242024A1 (en) * | 2007-03-27 | 2008-10-02 | Elpida Memory, Inc. | Method of manufacturing semiconductor device |
US20120086132A1 (en) * | 2010-10-06 | 2012-04-12 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Method of manufacturing via electrode |
US9728485B1 (en) * | 2016-02-05 | 2017-08-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor device with interconnect structure having catalys layer |
CN107768381A (zh) * | 2016-08-17 | 2018-03-06 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 一种纳米管存储器结构及其制备方法 |
CN107658262A (zh) * | 2017-09-28 | 2018-02-02 | 江苏师范大学 | 一种基于石墨烯复合结构的三维硅通孔垂直互联方法 |
CN107658264A (zh) * | 2017-09-28 | 2018-02-02 | 江苏师范大学 | 一种基于多层石墨烯辅助层的三维硅通孔垂直互联方法 |
CN109243989A (zh) * | 2018-09-03 | 2019-01-18 | 合肥工业大学 | 一种基于石墨烯浆料的硅-硅低温键合的方法 |
CN109888292A (zh) * | 2019-04-03 | 2019-06-14 | 山东星火科学技术研究院 | 一种石墨烯碳黑二元导电添加剂及其制备方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112018031A (zh) * | 2020-09-09 | 2020-12-01 | 合肥工业大学 | 一种基于铜纳米粒子填充SiC通孔的方法 |
CN112018031B (zh) * | 2020-09-09 | 2023-12-19 | 合肥工业大学 | 一种基于铜纳米粒子填充SiC通孔的方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN110379768B (zh) | 2021-08-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI502682B (zh) | 半導體封裝及鑲嵌半導體晶粒至直通矽晶穿孔基板的對邊之方法 | |
CN101483149A (zh) | 一种硅通孔互连结构的制备方法 | |
CN107240578A (zh) | 三维集成电路的碳化硅微流道散热结构及其制作方法 | |
CN106952837B (zh) | 获得绝缘层厚度的方法以及晶圆级键合封装方法 | |
CN105609431A (zh) | 半导体结构及其形成方法 | |
CN109216301A (zh) | 相变散热芯片结构及其制备方法 | |
CN105514059A (zh) | 一种石墨烯复合材料/氮化硅/硅芯片高效散热系统 | |
CN110379768A (zh) | 一种基于石墨烯浆料填充的tsv制作方法 | |
CN103972217A (zh) | 集成无源电容扇出型晶圆级封装结构及制作方法 | |
CN102024747B (zh) | 功率器件的铝插塞制作方法 | |
CN103219282B (zh) | 一种tsv露头工艺 | |
CN103199086B (zh) | 具有带屏蔽功能的微流道结构的硅基转接板及其制作方法 | |
TWI763246B (zh) | 半導體封裝的製備方法 | |
CN117525044A (zh) | 一种三维电容单元结构、三维电容及其芯片立体集成结构 | |
CN103367139B (zh) | 一种tsv孔底部介质层刻蚀方法 | |
CN104867923B (zh) | 自供电电子器件结构及其制备方法 | |
CN210272322U (zh) | 基于玻璃衬底的三维集成封装转接板 | |
CN105405826B (zh) | 一种铜柱凸块封装结构及其制作方法 | |
US11728158B2 (en) | Semiconductor structure and method for preparing the same | |
CN112018031B (zh) | 一种基于铜纳米粒子填充SiC通孔的方法 | |
CN212257389U (zh) | 半导体结构 | |
CN212570982U (zh) | 半导体结构 | |
CN208753310U (zh) | 半导体器件 | |
CN109321143A (zh) | 垂直碳纳米管阵列与纳米银浆复合互连材料及其制备方法 | |
CN109860336A (zh) | 一种太阳能电池的制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |