CN110366077A - 一种屏内发声结构及显示面板 - Google Patents

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Abstract

本申请适用于屏内发声技术领域，提供一种屏内发声结构及显示面板。本申请实施例通过提供一种应用于显示面板的屏内发声结构，将至少一个导电线圈设置在显示面板的彩膜基板或彩膜的任一表面所在的一侧，并将磁性振膜设置于对应的导电线圈产生的交变电磁场区域，将每个导电线圈的一端电连接至显示面板的第一电极层或第二电极层，将每个导电线圈的另一端通过一根导电连接线接入交变驱动信号，使得每个导电线圈可以在接入交变驱动信号时，产生交变电磁场，每个磁性振膜可以受对应的导电线圈产生的交变电磁场的作用，振动发声，结构简单、尺寸小，降低了结构设计难度，并且设置位置和发声音量可控，提升了用户体验。

Description

一种屏内发声结构及显示面板
技术领域
本申请属于屏内发声技术领域，尤其涉及一种屏内发声结构及显示面板。
背景技术
屏内发声技术是指通过发声激励器将音频电信号转换为显示屏的机械振动，借由振动产生声波，达到发声的目的。现有发声激励器主要有压电陶瓷激励器、微振动单元激励器等。压电陶瓷激励器工作原理是将多张压电陶瓷片附着在金属薄片上，形成振膜，再给振膜两极之间施加交替变化的电压，振膜会随着电压的变化而上下弯曲驱动屏幕载体结构振动发声。现有的屏内发声技术方案，均是在屏下放置发声激励器，通过发声激励器的形变带动屏幕振动发声，由于发声激励器的封装尺寸较大，而屏下空间又较小，增加了结构设计难度，并且发声激励器的位置受限，严重影响用户体验。
申请内容
有鉴于此，本申请实施例提供了一种屏内发声结构及显示面板，以解决现有的屏内发声技术方案，均是在屏下放置发声激励器，通过发声激励器的形变带动屏幕振动发声，由于发声激励器的封装尺寸较大，而屏下空间又较小，增加了结构设计的难度、集成度低，并且发声激励器的位置受限，严重影响用户体验的问题。
本申请实施例的第一方面提供了一种屏内发声结构，应用于显示面板，所述显示面板包括依次层叠设置的彩膜基板、彩膜、第一电极层、第二电极层和像素基板，所述屏内发声结构包括至少一个导电线圈、至少一根导电连接线和至少一个磁性振膜，一个所述磁性振膜对应一个所述导电线圈；
所述导电线圈用于设置在所述彩膜基板远离所述彩膜的一侧；或者，所述导电线圈用于设置在所述彩膜基板和所述彩膜之间；或者，所述屏内发声结构还包括用于设置在所述彩膜和所述第一电极层之间的绝缘层，所述导电线圈用于设置在所述彩膜和所述绝缘层之间；
每个所述导电线圈的一端用于电连接至所述第一电极层或所述第二电极层，每个所述导电线圈的另一端用于通过一根所述导电连接线接入交变驱动信号；
每个所述导电线圈用于在接入交变驱动信号时，产生交变电磁场；
每个所述磁性振膜设置在对应的导电线圈产生的交变电磁场区域，并用于受对应的导电线圈产生的交变电磁场的作用，振动发声。
在一个实施例中，当所述导电线圈用于设置在所述彩膜基板远离所述彩膜的一侧时，所述磁性振膜用于设置在所述导电线圈远离或靠近所述彩膜基板的一侧；
当所述导电线圈用于设置在所述彩膜基板和所述彩膜之间时，所述磁性振膜用于设置在所述彩膜基板远离或靠近所述导电线圈的一侧，或者，所述磁性振膜用于设置在所述彩膜远离或靠近所述第一电极层的一侧；
当所述导电线圈用于设置在所述彩膜和所述绝缘层之间时，所述磁性振膜用于设置在所述彩膜基板远离所述彩膜的一侧、所述彩膜远离或靠近所述导电线圈的一侧、所述绝缘层远离或靠近所述第一电极层的一侧。
在一个实施例中，所述显示面板还包括设置于所述彩膜基板的黑色光阻区域，所述磁性振膜、所述导电线圈和所述导电连接线在所述彩膜基板上的正投影位于所述黑色光阻区域内。
在一个实施例中，所述彩膜设置于所述像素基板，所述导电线圈和所述导电连接线设置于所述彩膜基板。
在一个实施例中，所述至少一个导电线圈的圈数不完全相同或完全不同，每个所述导电线圈接入的交变驱动信号的电流大小不完全相同或完全不同。
在一个实施例中，所述磁性振膜为透明磁性振膜，所述导电线圈和所述导电连接线通过透明电极材料制备。
在一个实施例中，所述透明电极材料为氧化铟锡。
在一个实施例中，所述导电线圈和所述导电连接线通过蒸镀工艺镀设，所述磁性振膜通过蒸镀工艺、化学沉积工艺或溅射工艺设置。
在一个实施例中，所述第一电极层和所述第二电极层中的一个为公共电极层、另一个为像素电极层。
本申请实施例的第一方面提供了一种显示面板，包括上述的屏内发声结构。
本申请实施例通过提供一种应用于显示面板的屏内发声结构，将至少一个导电线圈设置在显示面板的彩膜基板或彩膜的任一表面所在的一侧，并将磁性振膜设置于对应的导电线圈产生的交变电磁场区域，将每个导电线圈的一端电连接至显示面板的第一电极层或第二电极层，将每个导电线圈的另一端通过一根导电连接线接入交变驱动信号，使得每个导电线圈可以在接入交变驱动信号时，产生交变电磁场，每个磁性振膜可以受对应的导电线圈产生的交变电磁场的作用，振动发声，结构简单、尺寸小，降低了结构设计难度，并且设置位置和发声音量可控，提升了用户体验。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请实施例提供的屏内发声结构的平面结构示意图；
图2是本申请实施例提供的屏内发声结构的第一种位置分布方式的示意图；
图3是本申请实施例提供的屏内发声结构的第二种位置分布方式的示意图；
图4是本申请实施例提供的屏内发声结构的第三种位置分布方式的示意图；
图5是本申请实施例提供的屏内发声结构的第四种位置分布方式的示意图；
图6是本申请实施例提供的屏内发声结构的第五种位置分布方式的示意图；
图7是本申请实施例提供的屏内发声结构的第六种位置分布方式的示意图；
图8是本申请实施例提供的屏内发声结构的第七种位置分布方式的示意图；
图9是本申请实施例提供的屏内发声结构的第八种位置分布方式的示意图；
图10是本申请实施例提供的屏内发声结构的第九种位置分布方式的示意图；
图11是本申请实施例提供的屏内发声结构的第十种位置分布方式的示意图；
图12是本申请实施例提供的屏内发声结构的第十一种位置分布方式的示意图。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本申请方案，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本申请保护的范围。
本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“包括”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含一系列步骤或单元的过程、方法或系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可选地还包括没有列出的步骤或单元，或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。此外，术语“第一”、“第二”和“第三”等是用于区别不同对象，而非用于描述特定顺序。
如图1所示，本申请实施例提供一种屏内发声结构10，应用于显示面板100，屏内发声结构10包括至少一个导电线圈11、至少一根导电连接线12和至少一个磁性振膜13，一个磁性振膜13对应一个导电线圈11且设置在对应的导电线圈11产生的交变电磁场区域，每个导电线圈11的一端用于电连接至显示面板100的第一电极层或第二电极层(图1中未示出)，每个导电线圈的另一端用于通过一根导电连接线12接入交变驱动信号，导电线圈11用于设置在显示面板100的彩膜基板的任一表面或彩膜(图1中未示出)的任一表面所在的一侧；
每个导电线圈11用于在接入交变驱动信号时，产生交变电磁场；
每个磁性振膜13用于受对应的导电线圈11产生的交变电磁场的作用，振动发声。
在应用中，屏内发声结构所包括的导电线圈的数量、导电线圈在显示面板的分布位置以及每个导电线圈的形状、尺寸、圈数、线圈密度和材质均可以根据实际需要进行设置。导电线圈的数量可以为1个也可以为1个以上，导电线圈在显示面板的分布位置可以为显示面板的彩膜基板或彩膜的任一表面所在的一侧的中央区域、边缘区域、顶角区域或整个区域等，不同的导电线圈可以同层或不同层分布。导电线圈的形状可以为圆形、正多边形、矩形、椭圆形等任意规则形状的平面螺绕线圈，也可以为任意规则形状的立体螺绕线圈。导电线圈材质可以为金属或透明电极材料，例如，铜或氧化铟锡(ITO)。
在一个实施例中，所述导电线圈为平面螺绕线圈。将导电线圈设置为平面螺绕线圈可以有效减小体积。
在应用中，根据电生磁原理，可知H＝nI；其中，H为导电线圈接入交变驱动信号时产生的电磁场的大小，n为导电线圈的圈数，I为通过导电线圈的电流大小。可以通过改变导电线圈的圈数或通过导电线圈的电流的大小来改变电磁场的大小，进而改变磁性振膜振动发声时的声音大小，声音大小正比于导电线圈的圈数或通过导电线圈的电流大小。导电线圈在显示面板上的分布位置越广泛、越均匀，发声效果越好。
在一个实施例中，所述至少一个导电线圈的圈数不完全相同或完全不同，每个所述导电线圈接入的交变驱动信号的电流大小不完全相同或完全不同。
在应用中，所有导电线圈的圈数和接入的交变驱动信号的电流大小可以完全相同、不完全相同或完全不同，具体可以根据实际需要进行设置。
如图1所示，示例性的示出了9个均匀分布设置于显示面板100的圈数和尺寸不完全相同的圆形平面螺绕导电线圈11。
在应用中，导电连接线的数量小于或等于导电线圈的数量，一根导电连接线对应电连接至少一个导电线圈，导电连接线的材质可以与导电线圈相同也可以不同，只要起到将交变驱动信号传输至对应的导电线圈的作用即可。导电连接线的走线路径可以是直线、折线或曲线，导电连接线的走线路径应当遵循在不干扰其他部件的工作性能的情况下选择最短走线路径的原则。导电线圈的一端可以通过过孔电连接至第一电极层或第二电极层，导电连接线也可以通过过孔电连接至用于输出交变驱动信号的器件。
如图1所示，示例性的示出了9根走线路径为直线或折线的导电连接线12。
在应用中，磁性振膜的数量等于导电线圈的数量，一个磁性振膜对应覆盖一个导电线圈，磁性振膜的尺寸、形状和材料可以根据实际需要进行设置，只要保证磁性振膜位于对应的导电线圈产生的交变电磁场区域即可，磁性振膜的尺寸大于或等于对应的导电线圈的尺寸。磁性振膜可以通过透明强磁性薄膜材料制备，厚度在1微米以内。
如图1所示，示例性的示出了9个均匀分布设置于显示面板100的矩形形磁性振膜13，磁性振膜13在对应的导电线圈11所在平面的正投影完全覆盖对应的导电线圈11。
在应用中，交变驱动信号可以为电压信号也可以为电流信号，交变驱动信号由与导电连接线电连接的驱动模块输出，该驱动模块可以是任意的具备控制以及电压或电流信号输出功能的器件，例如，可以是屏驱动板(Timer Control Register，TCON)、中央处理单元(Central Processing Unit，CPU)，还可以是其他通用处理器、数字信号处理器(DigitalSignal Processor，DSP)、专用集成电路(Application Specific Integrated Circuit，ASIC)、现场可编程门阵列(Field-Programmable Gate Array，FPGA)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件等。通用处理器可以是微处理器或者该处理器也可以是任何常规的处理器等。可以根据实际需要通过驱动模块控制输出至每个导电线圈的交变驱动信号的大小和变化频率，从而对应控制每个导电线圈产生的交变电磁场的大小和每个磁性振膜的发声时的声音大小，在不需要发声时，也可以不输出交变驱动信号。不同的导电线圈可以同时或不同时接入交变驱动信号，对应的，不同的磁性振膜也可以同时或不同时发声。
如图2～图12所示，在本实施例中，显示面板100包括依次层叠设置的彩膜基板20、彩膜(Color Film，CF)30、第一电极层40、第二电极层50和像素基板60。
在应用中，彩膜基板为透明基板，例如，玻璃基板；第一电极层和第二电极层均为透明电极层，例如，氧化铟锡电极层；像素基板为透明基板，例如，玻璃基板或TFT(ThinFilm Transistor，薄膜晶体管)基板。
在应用中，第二电极层设置于像素基板，可以在像素基板的制备过程中，加入第一像素电极层及彩膜的R(红)G(绿)B(蓝)三道色阻(有色光阻)和黑色光阻(Black Matrix，BM)制程，再在第一像素电极层和第二像素电极层之间填充液晶，形成液晶层。
在一个实施例中，所述显示面板还包括设置于所述彩膜基板的黑色光阻区域，所述磁性振膜、所述导电线圈和所述导电连接线在所述彩膜基板上的正投影位于所述黑色光阻区域内。
在应用中，可以将磁性振膜、导电线圈和导电连接线设置在黑色光阻区域在彩膜基板或像素基板任一面的正投影区域内，避免对显示面板的透过率造成影响。
在一个实施例中，所述磁性振膜为透明磁性振膜，所述导电线圈和所述导电连接线通过透明电极材料制备。
在应用中，当磁性振膜、导电线圈和导电连接线均通过透明材料制备时，可以根据实际需要将磁性振膜、导电线圈和导电连接线设置在彩膜基板或彩膜的任一表面所在的一侧，不会对显示面板的透过率造成影响。
在一个实施例中，所述第一电极层和所述第二电极层中的一个为公共电极层、另一个为像素电极层。
应当理解的是，一个完整的显示屏通常包括显示面板、屏驱动板、源极驱动芯片、栅极驱动芯片、背光源、背光驱动器等部件，本实施例中仅示例性的介绍了与屏内发声结构直接相关的显示面板的部分结构。
在一个实施例中，所述导电线圈用于设置在所述彩膜基板远离所述彩膜的一侧；
当所述导电线圈用于设置在所述彩膜基板远离所述彩膜的一侧时，所述磁性振膜用于设置在所述导电线圈远离或靠近所述彩膜基板的一侧。
如图2所示，在屏内发声结构10的第一种位置分布方式中，示例性的示出了导电线圈11设置在彩膜基板20远离彩膜30的一侧、磁性振膜13设置在导电线圈11远离彩膜基板20的一侧。
屏内发声结构的第一种位置分布方式，可以在不改变显示面板的原始结构的情况下实现，只需在显示面板的彩膜基板上依次增设屏内发声结构的磁性振膜层和导电线圈层即可，降低了结构设计难度。
如图3所示，在屏内发声结构10的第二种位置分布方式中，示例性的示出了导电线圈11设置在彩膜基板20远离彩膜30的一侧、磁性振膜13设置在导电线圈11靠近彩膜基板20的一侧。
屏内发声结构的第二种位置分布方式，可以在不改变显示面板的原始结构的情况下实现，只需在显示面板的彩膜基板上依次增设屏内发声结构的导电线圈层和磁性振膜层即可，降低了结构设计难度。
在一个实施例中，所述导电线圈用于设置在所述彩膜基板和所述彩膜之间；
当所述导电线圈用于设置在所述彩膜基板和所述彩膜之间时，所述磁性振膜用于设置在所述彩膜基板远离或靠近所述导电线圈的一侧，或者，所述磁性振膜用于设置在所述彩膜远离或靠近所述第一电极层的一侧。
如图4所示，在屏内发声结构10的第三种位置分布方式中，示例性的示出了导电线圈11设置在彩膜基板20和彩膜30之间、磁性振膜13设置在彩膜基板20远离导电线圈11的一侧。
屏内发声结构的第三种位置分布方式，通过将导电线圈和磁性振膜直接设置在彩膜基板的两面，将彩膜基板上的色阻(即彩膜)和黑色光阻等制备到像素基板上，可提高色阻制程精度，同时简化彩膜基板制程，也能简化和优化屏内发声结构的结构设计，提升屏内发声性能，且能提高导弹线圈和导电连接线设置在彩膜基板上的良率。
如图5所示，在屏内发声结构10的第四种位置分布方式中，示例性的示出了导电线圈11设置在彩膜基板20和彩膜30之间、磁性振膜13设置在彩膜基板20靠近导电线圈11的一侧。
屏内发声结构的第四种位置分布方式，通过依次将磁性振膜和导电线圈直接设置在彩膜基板上，将彩膜基板上的色阻(即彩膜)和黑色光阻等制备到像素基板上，可提高色阻制程精度，同时简化彩膜基板制程，也能简化和优化屏内发声结构的结构设计，提升屏内发声性能，且能提高磁性振膜和导电线圈设置在彩膜基板上的良率。
如图6所示，在屏内发声结构10的第五种位置分布方式中，示例性的示出了导电线圈11设置在彩膜基板20和彩膜30之间、磁性振膜13设置彩膜30远离第一电极层40的一侧。
屏内发声结构的第五种位置分布方式，通过依次将导电线圈和磁性振膜直接设置在彩膜基板上，将彩膜基板上的色阻(即彩膜)和黑色光阻等制备到像素基板上，可提高色阻制程精度，同时简化彩膜基板制程，也能简化和优化屏内发声结构的结构设计，提升屏内发声性能，且能提高导弹线圈和磁性振膜设置在彩膜基板上的良率。
如图7所示，在屏内发声结构10的第六种位置分布方式中，示例性的示出了导电线圈11设置在彩膜基板20和彩膜30之间、磁性振膜13设置彩膜30靠近第一电极层40的一侧。
屏内发声结构的第六种位置分布方式，通过将导电线圈直接设置在彩膜基板上，将磁性振膜、彩膜基板上的色阻(即彩膜)和黑色光阻等制备到像素基板上，可提高色阻制程精度，同时简化彩膜基板制程，也能简化和优化屏内发声结构的结构设计，提升屏内发声性能，且能提高导弹线圈设置在彩膜基板上的良率以及磁性振膜设置在像素基板上的良率。
在一个实施例中，所述屏内发声结构还包括用于设置在所述彩膜和所述第一电极层之间的绝缘层，所述导电线圈用于设置在所述彩膜和所述绝缘层之间；
当所述导电线圈用于设置在所述彩膜和所述绝缘层之间时，所述磁性振膜用于设置在所述彩膜基板远离所述彩膜的一侧、所述彩膜远离或靠近所述导电线圈的一侧、所述绝缘层远离或靠近所述第一电极层的一侧。
在应用中，绝缘层可以通过任意的透明绝缘材料制备，例如，氮化硅(SiNx)。
如图8所示，在屏内发声结构10的第七种位置分布方式中，示例性的示出了显示面板100还包括绝缘层70，导电线圈11设置在彩膜30和绝缘层70之间、磁性振膜13设置在彩膜基板20远离彩膜30的一侧。
如图9所示，在屏内发声结构10的第八种位置分布方式中，示例性的示出了显示面板100还包括绝缘层70，导电线圈11设置在彩膜30和绝缘层70之间、磁性振膜13设置在彩膜30远离导电线圈11的一侧。
屏内发声结构的第七种和第八种位置分布方式，通过将磁性振膜直接设置在彩膜基板上，将导电线圈、彩膜基板上的色阻(即彩膜)和黑色光阻等制备到像素基板上，可提高色阻制程精度，同时简化彩膜基板制程，也能简化和优化屏内发声结构的结构设计，提升屏内发声性能，且能提高磁性振膜设置在彩膜基板上的良率以及导弹线圈设置在像素基板上的良率。
如图10所示，在屏内发声结构10的第九种位置分布方式中，示例性的示出了显示面板100还包括绝缘层70，导电线圈11设置在彩膜30和绝缘层70之间、磁性振膜13设置在彩膜30靠近导电线圈11的一侧。
如图11所示，在屏内发声结构10的第十种位置分布方式中，示例性的示出了显示面板100还包括绝缘层70，导电线圈11设置在彩膜30和绝缘层70之间、磁性振膜13设置在绝缘层70远离第一电极层40的一侧。
屏内发声结构的第九种和第十种位置分布方式，通过依次将彩膜、磁性振膜和导电线圈设置在彩膜基板上，或者依次将第一电极层、绝缘层、导电线圈、磁性振膜等制备到像素基板上，可以简化和优化屏内发声结构的结构设计，提升屏内发声性能，且能提高磁性振膜和导电线圈设置在彩膜基板或像素基板上的良率。
如图12所示，在屏内发声结构10的第十一种位置分布方式中，示例性的示出了显示面板100还包括绝缘层70，导电线圈11设置在彩膜30和绝缘层70之间、磁性振膜13设置在绝缘层70靠近第一电极层40的一侧。
屏内发声结构的第十一种位置分布方式，通过将磁性振膜设置在彩膜基板上，依次将第一电极层、绝缘层、导电线圈、彩膜基板上的色阻(即彩膜)和黑色光阻等制备到像素基板上，可提高色阻制程精度，同时简化彩膜基板制程，也能简化和优化屏内发声结构的结构设计，提升屏内发声性能，且能提高磁性振膜设置在彩膜基板上的良率以及导弹线圈设置在像素基板上的良率。
在一个实施例中，所述彩膜设置于所述像素基板，所述导电线圈和所述导电连接线设置于所述彩膜基板。
在一个实施例中，所述导电线圈和所述导电连接线通过蒸镀工艺镀设，所述磁性振膜通过蒸镀工艺、化学沉积工艺或溅射工艺设置。
在应用中，屏内发声结构和显示面板中各部件的制备工艺可以根据实际需要进行选择。例如，可以利用蒸镀工艺在彩膜和黑色光阻远离彩膜基板的一面蒸镀出氧化铟公共电极层，然后通过物理气相沉积工艺制备氮化硅绝缘层，再在绝缘层远离公共电极层的一侧利用蒸镀工艺蒸镀出氧化铟锡导电线圈和导电连接线，最后再在导电线圈远离绝缘层的一侧贴附磁性振膜；氧化铟锡导电线圈和导电连接线也可以直接蒸镀在彩膜基板上。通过将彩膜基板上的色阻(即彩膜)和黑色光阻等制备到像素基板上，导电线圈和导电连接线镀设在彩膜基板上，可提高色阻制程精度，同时简化彩膜基板制程，也能简化和优化屏内发声结构的结构设计，提升屏内发声性能，且能提高导弹线圈和导电连接线镀设在彩膜基板上的良率。
应理解，在实际应用中，只需将磁性振膜设置于其对应的导电线圈产生的交变电磁场区域即可，无需使导电线圈在磁性振膜所在平面的正投影覆盖磁性振膜，图1～图12中均示例性的示出导电线圈在磁性振膜所在平面的正投影覆盖磁性振膜的情况，但并不构成对屏内发声结构中导电线圈和磁性振膜之间相对位置关系的限定，可以根据实际需要使导电线圈在磁性振膜所在平面的正投影与磁性振膜部分重合或完全不重合。
本申请实施例通过提供一种应用于显示面板的屏内发声结构，将至少一个导电线圈设置在显示面板的彩膜基板或彩膜的任一表面所在的一侧，并通过将磁性振膜设置于对应的导电线圈产生的交变电磁场区域，将每个导电线圈的一端电连接至显示面板的第一电极层或第二电极层，将每个导电线圈的另一端通过一根导电连接线接入交变驱动信号，使得每个导电线圈可以在接入交变驱动信号时，产生交变电磁场，每个磁性振膜可以受对应的导电线圈产生的交变电磁场的作用，振动发声，结构简单、尺寸小，降低了结构设计难度，并且设置位置和发声音量可控，提升了用户体验。
以上所述实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的精神和范围，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种屏内发声结构，其特征在于，应用于显示面板，所述显示面板包括依次层叠设置的彩膜基板、彩膜、第一电极层、第二电极层和像素基板，所述屏内发声结构包括至少一个导电线圈、至少一根导电连接线和至少一个磁性振膜，一个所述磁性振膜对应一个所述导电线圈；
所述导电线圈用于设置在所述彩膜基板远离所述彩膜的一侧；或者，所述导电线圈用于设置在所述彩膜基板和所述彩膜之间；或者，所述屏内发声结构还包括用于设置在所述彩膜和所述第一电极层之间的绝缘层，所述导电线圈用于设置在所述彩膜和所述绝缘层之间；
每个所述导电线圈的一端用于电连接至所述第一电极层或所述第二电极层，每个所述导电线圈的另一端用于通过一根所述导电连接线接入交变驱动信号；
每个所述导电线圈用于在接入交变驱动信号时，产生交变电磁场；
每个所述磁性振膜设置在对应的导电线圈产生的交变电磁场区域，并用于受对应的导电线圈产生的交变电磁场的作用，振动发声。
2.如权利要求1所述的屏内发声结构，其特征在于，当所述导电线圈用于设置在所述彩膜基板远离所述彩膜的一侧时，所述磁性振膜用于设置在所述导电线圈远离或靠近所述彩膜基板的一侧；
当所述导电线圈用于设置在所述彩膜基板和所述彩膜之间时，所述磁性振膜用于设置在所述彩膜基板远离或靠近所述导电线圈的一侧，或者，所述磁性振膜用于设置在所述彩膜远离或靠近所述第一电极层的一侧；
当所述导电线圈用于设置在所述彩膜和所述绝缘层之间时，所述磁性振膜用于设置在所述彩膜基板远离所述彩膜的一侧、所述彩膜远离或靠近所述导电线圈的一侧、所述绝缘层远离或靠近所述第一电极层的一侧。
3.如权利要求1所述的屏内发声结构，其特征在于，所述显示面板还包括设置于所述彩膜基板的黑色光阻区域，所述磁性振膜、所述导电线圈和所述导电连接线在所述彩膜基板上的正投影位于所述黑色光阻区域内。
4.如权利要求1所述的屏内发声结构，其特征在于，所述彩膜设置于所述像素基板，所述导电线圈和所述导电连接线设置于所述彩膜基板。
5.如权利要求1～4任一项所述的屏内发声结构，其特征在于，所述至少一个导电线圈的圈数不完全相同或完全不同，每个所述导电线圈接入的交变驱动信号的电流大小不完全相同或完全不同。
6.如权利要求1～4任一项所述的屏内发声结构，其特征在于，所述磁性振膜为透明磁性振膜，所述导电线圈和所述导电连接线通过透明电极材料制备。
7.如权利要求6所述的屏内发声结构，其特征在于，所述透明电极材料为氧化铟锡。
8.如权利要求1～4任一项所述的屏内发声结构，其特征在于，所述导电线圈和所述导电连接线通过蒸镀工艺镀设，所述磁性振膜通过蒸镀工艺、化学沉积工艺或溅射工艺设置。
9.如权利要求1～4任一项所述的屏内发声结构，其特征在于，所述第一电极层和所述第二电极层中的一个为公共电极层、另一个为像素电极层。
10.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1～9任一项所述的屏内发声结构。
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